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bottom drift methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
In a method of manufacturing a semiconductor device 100, a step of forming a trench 3 is performed in a predetermined position of a semiconductor substrate 10, and an adjustment layer 8, to which an impurity of a first conductivity type is introduced at a concentration higher than that of a drift layer 2, is formed on a bottom wall 3b of the trench 3.例文帳に追加
半導体装置１００の製造方法では、半導体基板１０の所定位置にトレンチ３を形成する工程を行い、この形成されたトレンチ３の底壁３ｂに、第１導電型の不純物がドリフト層２よりも高濃度で導入された調整層８を形成している。 - 特許庁
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