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electron localizationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
Therefore, the formation of an electron localization site 21c in the resistance changing layer 22 after erasing is suppressed, and variations of electric characteristics about each memory element can be reduced.例文帳に追加
これにより、消去後の抵抗変化層２２内における電子局在サイト２１ｃの形成が抑制され、記憶素子毎の電気特性のばらつきが低減される。 - 特許庁
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