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isotropic textureの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
Because of the etching rate difference between SF6 gas and HCl gas for the same crystallographic plane, the etching becomes hard to proceed in isotropic basis, and texture is produced on the surface of the semiconductor substrate 3 even with plasma etching equipment of low impact energy.例文帳に追加
すると、同一面方位についてのＳＦ_6ガスとＨＣｌガスとのエッチレートの差によって、エッチングが等方的に進行しにくくなり、イオン衝突エネルギーが低いプラズマエッチング装置１でも、半導体基板３の表面にテクスチャーを形成することができる。 - 特許庁
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