セーフサーチ：オン
| 例文 (1件) |
transition metal trichalcogenideの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
Thereafter, when gaseous starting material of transition metal dichalcogenide, transition metal trichalcogenide or low conductive body, etc., is vapor deposited, the annular crystal consisting of the raw material is grown along the bedding rings 3.例文帳に追加
その後、前記基板に遷移金属ダイカルコゲナイド、遷移金属トリカルコゲナイド又は低次元導体などの原料ガスを蒸着すると、下地リング(3) に沿って前記原料からなる環状結晶体が成長する。 - 特許庁
| 例文 (1件) |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
こんにちは ゲスト さん
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
こんにちは ゲスト さん
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
