「どうしますか」を含む例文一覧(18079)

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  • 炭素ナノチューブの表面に、ラジカル重合への参加が可能な二重結合を有する作用基を導入し、前記炭素ナノチューブを光開始剤と共に有機溶媒に分散させて基材上にコーティングし、その後フォトマスクに介してＵＶに露光させて露光部で炭素ナノチューブのラジカル重合を誘発した後、非露光部を現像液で取り除くことにより、炭素ナノチューブのネガティブパターンを形成する。
    A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing double bond-containing functional groups participating in radical polymerization into surfaces of carbon nanotubes, dispersing the carbon nanotubes with a photo-initiator in an organic solvent, applying the dispersion liquid on a substrate to form a coating, exposing the coating to UV rays through a photomask to induce radical polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part, and removing an unexposed part with a developer solution. - 特許庁
  • 複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。
    The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads. - 特許庁
  • やっぱり私は率直に言って一つの国で貸し手も借り手も県を越えて、この前も大阪の財務局を中心に中小企業金融円滑化法案の調査のために行かせていただいて、中小企業4団体、あるいは金融機関などにお集まりいただきましたけれども、特に大阪といえば近畿圏で、ご存じのように大阪・兵庫・京都・奈良の一部から成る一つの経済圏であり、一つの県だけの特区構想というのは、金融というのはまさに県・国境を越えて流通する時代ですから、そういった意味で、この前も言ったように、法の下における平等にも少し馴染まないというように思っております。
    A while back, I visited Osaka centering on the local finance bureau for the purpose of conducting a survey on the Act concerning Temporary Measures to Facilitate Financing for Small and Medium-sized Enterprises (SMEs), etc. and assembled four organizations of SMEs, financial institutions and the like. Osaka is particularly noteworthy as part of the Kinki region-an economic block comprised of parts of Osaka, Hyogo, Kyoto and Nara Prefectures. As the circulation of finance cuts across prefectural and national boundaries in this day and age, a scheme to create a special zone limited to just one prefecture seems to be somewhat incongruent with the principle of equality under the law, as I have explained previously.  - 金融庁
  • 一つ一つの先物取引、あるいは取引所に非常にやはり人類の産業革命、あるいは産業革命以前からの非常に古い必要な、経済活動で必須なものが多いわけですから、そういった意味で非常に色々な企業団体、あるいは社会にきちんとビルトインされていまして、そういった意味で、大臣にならせていただいた当初は、「そう簡単な話ではない」というふうに私も思っていましたけれども、おかげさまで昨日、3省庁副大臣の打合せが行われ、総合的な取引所について、規制・監督を一元化するという方向で、共通認識が得られてきているところと聞いております。
    Most types of futures trading and most exchanges have a very long tradition dating back to or beyond the Industrial Revolution as economic activity and as a place for the activity, and they are indispensable.　They involve various corporations and organizations and are built into our society.　Therefore, when I became the Minister for Financial Services, I thought that establishing a comprehensive exchange would not be an easy task.　However, at yesterday's meeting of the senior vice ministers, I hear that they moved closer to a consensus on the need to integrate the regulatory and supervisory powers concerning the planned comprehensive exchange.  - 金融庁
  • 車輪ブレーキＢＦに作用させるブレーキ液圧を相互に独立して制御することが可能な制御弁手段ＶＣ，ＶＢが複数のマスタシリンダ２Ａ，２Ｂおよび車輪ブレーキＢＦ間にそれぞれ設けられ、各制御弁手段ＶＣ，ＶＢは、当該制御弁手段ＶＣ，ＶＢに対応したブレーキ操作部材１Ａ，１Ｂが操作されたことを検出手段１４Ａ，１４Ｂで検出されたときだけ液圧制御するように作動する。
    Control valve means VC and VB capable of independently controlling the brake hydraulic pressures applied to the wheel brake BF are provided between the plurality of master cylinders 2A and 2B and the wheel brake BF, and are actuated for controlling the hydraulic pressures only when detection means 14A and 14B detect the operation of the brake operating members 1A and 1B corresponding to the control valve means VC and VB. - 特許庁
  • 本発明は、含水率の高い有機物を超臨界水により分解して発生するガスを取り出す工程と、前記ガス中のタール分およびその他の高沸点油溶性有機物からなる物質を、バイオマス由来可燃性油に吸収させて、該物質を除去する工程と、前記ガス中の水溶性成分の一部を、水を凝縮させることによって同時に分離除去する工程と、を具える超臨界水分解ガスの処理方法を提供する。
    The method for treating supercritical water decomposition gas comprises the step of decomposing water-rich organic matter with supercritical water and obtaining the resultant gas generated, the step of absorbing substances comprising tars and other high-boiling oil-soluble organic matter in biomass-derived combustible oil to remove the substances, and the step of simultaneously separating and removing part of the water-soluble components in the above gas by condensing water. - 特許庁
  • 絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。
    A plurality of times of engraving can be conducted to the same resin by a photolithographic method by using a positive type photosensitive polyimide resin material to an insulating layer 21, mask formation by a resist in a solder ball forming process and a rear etching process in the manufacture can be omitted, processes can be simplified, and a material used can be decreased, and manufacturing cost can be reduced. - 特許庁
  • 絶縁層２１にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができるので、工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。
    An insulating layer is formed of a positive photosensitive polyimide resin material, the same resin can undergo photoengraving a few times through a photolithographic method, and the formation of resist masks in a solder ball forming process and a rear etching process in a conventional manufacturing process can be dispensed with, so that a semiconductor device circuit member can be simplified in manufacturing process markedly reducing the manufacturing cost. - 特許庁
  • バスマスタとして動作し、所定の処理を行う複数の機能ブロックと、メモリコントローラと、前記複数の機能ブロックと前記メモリコントローラとを接続するバスとにより構成されるメモリシステムであって、前記機能ブロックは、メモリアクセスを発行する時に前記メモリアクセスが終了する時間情報を付加し、前記バスは、メモリアクセス情報に前記メモリアクセスが終了する時間情報を付加して転送する。
    This memory system is constituted of a plurality of the functional blocks operated as bus masters and for carrying out prescribed processing, a memory controller, and a bus for connecting the plurality of functional blocks to the memory controller, the functional block adds the time information of finishing memory access when issuing the memory access, and the bus adds the time information of finishing the memory access to memory access information, and transfers it. - 特許庁
  • 駿河譜代-板倉氏、太田氏、西尾氏、土屋氏、森川氏（生実藩）、稲葉氏（稲葉正成の系統、臼杵藩は外様）、藤堂氏、高木氏（丹南藩）、堀田氏（出自からは三河衆のため譜代の理由不明）、三河牧野氏、譜代大名となった牧野氏、奥平氏、岡部氏(藤原南家)、小笠原氏、朽木氏、諏訪氏、保科氏、土岐氏、沼田藩主土岐氏、三河稲垣氏、丹羽氏、一色丹羽氏、三浦氏、遠山氏（苗木藩）、加賀氏、内田氏、小堀氏、西郷氏、三河西郷氏、奥田氏、毛利氏（内膳家、断絶）、山口氏（牛久藩）、柳生氏、蜂須賀氏(徳島藩支藩家・廃藩）、増山氏
    Suruga fudai - the Itakura clan, the Ota clan, the Nishio clan, the Tsuchiya clan, the Morikawa clan (Oyumi Domain), the Inaba clan (Masanari INABA's line; Usuki Domain is a tozama), the Todo clan, the Takagi clan (Tannan Domain), the Hotta clan (it seems inappropriate to have this clan listed here as they were originally from Mikawa-shu, i.e. the samurai warriors of Mikawa origin, but the reason is unknown), the Mikawa-Makino clan, the Makino clan to have become fudai daimyo, the Okudaira clan, the Okabe clan (the Southern House of the Fujiwara clan), the Ogasawara clan, the Kutsuki clan, the Suwa clan, the Hoshina clan, the Toki clan, the Toki clan as the lord of Numata Domain, the Mikawa-Inagaki clan, the Niwa clan, the Isshiki-Niwa clan, the Miura clan, the Toyama clan (Naegi Domain), the Kaga clan, the Uchida clan, the Kobori clan, the Saigo clan, the Mikawa-Saigo clan, the Okuda clan, the Mori clan (the Naizen family, extinguished), the Yamaguchi clan (Ushiku Domain), the Yagyu clan, the Hachisuka clan (a branch domain family of Tokushima Domain; an abolished domain) and the Masuyama clan.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • 第三百五十六条　事業者は、手掘り（パワー・シヨベル、トラクター・シヨベル等の掘削機械を用いないで行なう掘削の方法をいう。以下次条において同じ。）により地山（崩壊又は岩石の落下の原因となるき裂がない岩盤からなる地山、砂からなる地山及び発破等により崩壊しやすい状態になつている地山を除く。以下この条において同じ。）の掘削の作業を行なうときは、掘削面（掘削面に奥行きが二メートル以上の水平な段があるときは、当該段により区切られるそれぞれの掘削面をいう。以下同じ。）のこう配を、次の表の上欄に掲げる地山の種類及び同表の中欄に掲げる掘削面の高さに応じ、それぞれ同表の下欄に掲げる値以下としなければならない。
    Article 356 (1) The employer shall, when carrying out excavating work of natural ground (excluding natural ground composed of rock beds without cracks that cause collapse or fall of rocks, natural ground composed of sand, and natural ground in a condition which is liable to collapse due to blasting etc., hereinafter the same shall apply in this Article) by the method of manual excavation (meaning the method of excavation without excavating machines such as power shovel and tractor shovel; hereinafter the same shall apply in next Article), make the gradient of the excavation surface (in the case that there is a horizontal step with a depth of 2 m or more on the excavation surface, each excavation surface divided by the said horizontal step; the same shall apply hereinafter) the value listed in the right column of the following table or less corresponding to the type of the ground listed in the left column and the height of the excavation surface listed in the middle column of the same table, respectively:  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • 本方法は、光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、半導体基板に塗布されたフォトレジストを露光する露光工程と、フォトレジストを現像して、フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの膜厚が互いに異なる複数の領域を通して半導体基板に不純物イオンを注入して、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成する注入工程とを有し、ピーク位置までの深さは、注入される不純物イオンが通るレジストパターンの膜厚に依存することを特徴とする。
    The depth to the peak position depends on the film thickness of the resist pattern through which the impurity ions to be implanted pass. - 特許庁
  • データ処理部４２における各種データ処理の過程で、磁気ヘッド２ａによる第１回目の走査に対応するディジタルデータのみでは正常な再生動作を行えないとデータ処理部４２が判断した場合は、データ接続部４３は、＋アジマスヘッド２ａによる、第１回目の走査に対応するディジタルデータと、第２回目の走査に対応するディジタルデータとを繋ぎ合わせて、その合成データを再生信号処理回路１７に入力する。
    If a data processing part 42 decides that it is not possible to perform normal reproduction operations only with the digital data responding to the first scanning by the head 2a, a data connecting part 43 joins the digital data, responding to the first scanning to the digital data responding to the second scanning by a plus azimuth head 2a, for inputting the composite data to a reproduction signal processing circuit 17. - 特許庁
  • 金融危機の脆弱性を減少させるための諸方策については、まず新興市場国などが努力するべき課題として、これまで我が国は、よく順序立った方法で資本自由化を進めること、資本移動のモニタリングを強化するため、資本流出入についてより詳細なデータを収集すること、適切な監督・規制体制を含め国内金融システムの強化を図ること、各国の状況に応じた適切な為替相場制度を採用すること、資本規制は健全なマクロ政策や構造政策を代替できるものではないが、ケースバイケースでは有用な場合もあること、など様々な主張を行ってきており、その多くは国際的なコンセンサスとなりつつあります。
    Japan has made various proposals about policies that emerging markets need to pursue in order to reduce their vulnerability to crisis: (1) capital account liberalization needs to be carried out in a well-sequenced manner; (2) more detailed data of capital inflows and outflows need to be collected in order to strengthen the monitoring of capital movements; (3) domestic financial systems, including appropriate supervisory and regulatory systems need to be strengthened; (4) appropriate exchange rate regimes must be adopted in accordance with countries' particular situations; and (5) capital controls, though they should not be a substitute for sound macroeconomic and structural policy, may be helpful in certain cases. Many of these proposals are becoming part of an international consensus.  - 財務省
  • デバイス製造工程において、フォトリソグラフィー工程における露光装置のウエーハチャックの形状にバラツキがあっても高い歩留りでウエーハにデバイスパターンを形成することができるとともに、ＣＭＰを行う際にウエーハを均一な研磨代で研磨することができる半導体ウエーハを提供する。
    To provide a semiconductor wafer in which a device pattern can be formed with a high yield even if the shape of a wafer chuck in an aligner varies in a photolithography process, and which can be polished with a uniform polishing margin at the time of performing CMP in a device manufacturing process. - 特許庁
  • 被写体の画像を電子的に記録して取り込み、その画像を電子処理して単数又は複数の特定の色調又は吸収波長をもつ場所を単数又は複数特定してマッピングし、そのマッピングされた位置Ｈ、Ｉに単数又は複数の有効成分を含む溶液を、印刷装置を用いてμｍ単位で正確にマスクシートＡ、Ｂに印刷した、単層又は複層の有効成分の被写体への導入用シート。
    A sheet for introducing active components of one or more layers to a subject is formed by electronically recording and capturing an image of the subject, electronically processing the image to specify one or more locations with one or more specific color tones or absorption wavelength for mapping, and accurately printing a solution containing one or more active components in mapped positions H, I on mask sheets A, B in units of μm using a printer. - 特許庁
  • 基板上に有機成分と無機粒子とからなる感光性ペースト塗膜を形成した後キュアする工程と前記塗膜上に透明塗膜を形成する工程と、所定の開口パターンを有するマスクを用いて前記感光性ペースト塗膜を前記透明塗膜上から露光する工程を経た後に、前記感光性ペースト塗膜と前記透明塗膜を同時に現像によって除去することにより隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法である。
    A separation wall is formed by coincidentally removing a photosensitive paste film and a transparent film by development after a process of forming the photosensitive paste film composed of organic component and inorganic particles and curing them, a process of forming the transparent film on the photosensitive paste film, and a process of exposing the photosensitive paste film through the transparent film by using a mask having a prescribed aperture pattern. - 特許庁
  • 本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。
    The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask. - 特許庁
  • 研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を研磨パッド１０４上に供給しながら、半導体基板１０上に形成された被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨し、被研磨膜の表面を平坦化する工程と、被研磨膜の表面が平坦化された後、研磨剤と水とを研磨パッド上に供給しながら、被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて更に研磨する工程とを有している。
    The method includes steps of: planarizing a film to be polished formed on a semiconductor substrate 10 using a polishing pad 104, while supplying abrasive containing abrasive grains and additive composed of a surfactant on the polishing pad; and further polishing the surface of the film after having planarized it, using the polishing pad, while supplying abrasive and water on the polishing pad. - 特許庁
  • 本発明の一態様に係るマスク検査光源１０１'は、レーザ光を発生するモードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１と、モードロック型チタンサファイアレーザ発振器１１１から発生するレーザ光を連続動作のグリーンレーザ光で励起させるチタンサファイア再生増幅器１１２とを備えるレーザ装置と、レーザ装置から取り出されるレーザ光の第四高調波を発生する波長変換装置とを有するものである。
    The mask inspection light source 101' includes: a laser device with a mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 that generates a laser beam and a titanium sapphire regenerative amplifier 112 that excites the laser beam generated from the mode-lock titanium sapphire laser oscillator 111 with a green laser beam in continuous operation; and a wavelength converting device that generates fourth harmonics of the laser beam extracted from the laser device. - 特許庁
  • 縦型ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおいて、横型ＭＯＳＦＥＴの形成領域をマスクした状態で、縦型ＭＯＳＦＥＴのソース領域１７を形成するためのイオン注入をおこなうことにより、同一半導体基板１１上に、実際の製品となるｎ型の縦型ＭＯＳＦＥＴとともに、その縦型ＭＯＳＦＥＴと同じゲート電極構造を有する評価用のｐ型の横型ＭＯＳＦＥＴを作製する。
    In the fabrication process of a vertical MOSFET, an n-type vertical MOSFET becoming an actual product and a p-type lateral MOSFET for evaluation having a gate electrode structure identical to that of the vertical MOSFET are fabricated on the same semiconductor substrate 11 by performing ion implantation for forming the source region 17 of the vertical MOSFET while masking the forming region of the lateral MOSFET. - 特許庁
  • 気密チャンバ１中にプラズマ１３を発生させ、該プラズマ１３によりスパッタターゲット６をスパッタリングし、ターゲット原子のイオンを射出するプラズマスパッタ型負イオン源において、気密チャンバ１内に、所定の目的元素を含むスパッタターゲット６が複数種類配置され、複数種類のスパッタターゲット６の中から選択された一つのスパッタターゲットにプラズマ１３中の正イオンを誘導する。
    In this plasma sputter type negative ion source generating plasma 13 inside the hermetic chamber 1, sputtering a sputter target 6 by the plasma 13, and emitting ions of a target atom, multiple kinds of sputter targets 6 including a predetermined target element are arranged inside the hermetic chamber 1, and positive ions inside the plasma 13 are guided to one target selected from multiple kinds of sputter targets 6. - 特許庁
  • 半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。
    The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas. - 特許庁
  • 本発明の目的は、研磨パッドの表面に、所定の研磨液を塗布し、キャリアによって固定されたシリコンウェーハに対し前記研磨パッドを相対的に摺動させることで、シリコンウェーハ表面を研磨するシリコンウェーハの研磨方法であって、特に大口径のウェーハに対して、優れた研磨均一性及び平坦度を維持するとともに、研磨中にキャリアから発生する騒音を有効に抑制できる研磨方法を提供することにある。
    To provide a polishing method of a silicon wafer, which polishes the surface of the silicon wafer by applying a predetermined polishing liquid to the surface of a polishing pad and relatively sliding the polishing pad on the silicon wafer fixed by a carrier, and which maintains excellent polishing uniformity and flatness especially for a wafer of a large diameter and effectively suppresses noise generated from the carrier during the polishing. - 特許庁
  • 総督は命令により次のとおりとすることができる。 大臣及び厚生大臣の勧告があったときは，多くの開発途上国及び後発発展途上国を悩ます公共の健康問題，特にHIV/エイズ，結核，マラリアその他の疫病から発生する問題に対処するために使用することのできる特許製品の名称を加えることにより，並びに，総督が適切とみなす場合は，特許製品について次の事項，即ち，投薬形態，強度及び投与経路の1又は2以上を加えることにより，並びに (ii) 附則1に列挙した記入を削除することにより， 同附則を修正することができ， (b) 外務大臣，国際通商大臣及び国際協力大臣の勧告により，国際連合により後発発展途上国として認められている国であって次のとおりであるものの名称を加えることにより，附則2を修正することができる。
    The Governor in Council may, by order, (a) on the recommendation of the Minister and the Minister of Health, amend Schedule 1 (i) by adding the name of any patented product that may be used to address public health problems afflicting many developing and least-developed countries, especially those resulting from HIV/AIDS, tuberculosis, malaria and other epidemics and, if the Governor in Council considers it appropriate to do so, by adding one or more of the following in respect of the patented product, namely, a dosage form, a strength and a route of administration, and by removing any entry listed in it; (b) on the recommendation of the Minister of Foreign Affairs, the Minister for International Trade and the Minister for International Cooperation, amend Schedule 2 by adding the name of any country recognized by the United Nations as being a least-developed country that has,  - 特許庁
  • 開示されるのは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、マンガン、アンチモン、ビスマスを含む一群の三価金属錯体、及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、銅、亜鉛、カジウムを含む一群の二価金属錯体である。
    There are disclosed families of trivalent metal complexes including scandium, yttrium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, aluminum, gallium, indium, manganese, antimony, bismuth; and of divalent metal complexes including magnesium, calcium, strontium, barium, manganese, cobalt, iron, nickel, ruthenium, copper, zinc, cadium. - 特許庁
  • 超砥粒焼結体の研磨面に並んだ研磨単位を有する研磨用焼結体は、超砥粒焼結体表面の加工をレーザーカットにより行うため、研磨単位を緻密に、鋭いエッジを保ったままで形成することが可能であり、その高密度研磨単位列によって、ＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を提供することができる。
    The sintered body for polishing with polishing units aligned on a polishing surface of a super-abrasive sintered body processes the surface of the super-abrasive sintered body by laser cutting, thereby the polishing units can be formed precisely while maintaining sharp edges, and with its high density polishing unit lines, the polishing tool for conditioning the CMP polishing pad which polishes the surface of the semiconductor material for LSI etc. can be provided. - 特許庁
  • ヘッドユニットのアライメントマスクおよびこれがセット可能なヘッドユニットの組立装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、ＰＤＰ装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機ＥＬの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
    ALIGNMENT MASK OF HEAD UNIT, ASSEMBLY DEVICE OF HEAD UNIT SETTABLE THEREOF, METHODS FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY, ORGANIC EL DEVICE, ELECTRON EMISSION DEVICE, PDP DEVICE, ELECTROPHORETIC DISPLAY DEVICE, COLOR FILTER AND ORGANIC EL, AND METHODS FOR FORMING SPACER, METAL WIRING, LENS, RESIST, AND OPTICAL DIFFUSER - 特許庁
  • 本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。
    The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen. - 特許庁
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