「極上の」を含む例文一覧(1356)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 次へ＞- 本発明の液晶表示装置は、絶縁体からなる透明基板（１）上に複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形態となっており、各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電極に連結されている複数の画素電極（３３）と、画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶表示装置において、電圧維持用コンデンサが、基板上に形成されたコンデンサの共通電極（２０）と、コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜（２４）と同一に形成された導電膜と、導電膜に形成された導電体膜からなるコンデンサの貯蔵電極（２７’、３３−１）と、貯蔵電極上に形成された透明電極からなるものである。
The voltage keeping capacitor comprises the common electrode (20) of capacitors formed on the substrate, a conductive film simultaneously formed with a gate insulating film (24) formed on the common electrode of the capacitor, a storage electrode (27', 33-1) of the capacitor, comprising the conductive film formed in the conductive film, and a transparent electrode formed on the storage electrode. - 特許庁 - 第１の電極、第１の電極上に形成された絶縁層、絶縁層上に形成される少なくとも１つの支持フレーム、および第１の電極から間隔をおいて形成された第２の電極を含む容量性超音波振動子、ここで、第１の電極と第２の電極が、容量性超音波振動子の振動の有効範囲を規定し、振動の有効範囲を規定する第１の電極と第２の電極のそれぞれの長さが、実質的に同じである。
The capacitive ultrasonic oscillator includes a first electrode, an insulating layer formed on the first electrode, at least one support frame formed on the insulating layer, and a second electrode formed spaced apart from the first electrode, wherein the first electrode and the second electrode define an effective area of oscillation of the capacitive ultrasonic oscillator, and the respective length of the first electrode and the second electrode defining the effective area of oscillation is substantially the same. - 特許庁 - 第１の実装端子は、第１の内部電極層に電気的に接続され、誘電体層の積層方向に沿って設けられた第１のビア導体の一部を、前記積層方向にほぼ垂直な２つの最外面のうち、少なくとも一方の最外面上に突出させることにより、前記第１のビア導体とほぼ同一の外径を有するように形成された第１の端子電極と、前記第１の端子電極上に形成された第１の半田ボールとを備える。
A first packaging terminal comprises: a first terminal electrode connected electrically with a first internal electrode layer and formed to have an outside diameter substantially identical to that of a first via conductor by projecting a part of the first via conductor provided along the laying direction of a dielectric layer above at least one of two outermost surfaces substantially perpendicular to the laying direction; and a first solder ball formed on the first terminal electrode. - 特許庁 - 上方の面を基板載置面とする、炭素を含有した板状の窒化アルミニウム焼結体（窒化アルミニウム基板２）と、窒化アルミニウム焼結体中の略同一平面内に埋設された、線状または面状の導電体の電極３とを有し、炭素には、遊離炭素が含まれ、略同一平面内の電極上方Ａに存在する窒化アルミニウム焼結体中の遊離炭素の濃度が、電極間Ｃ及び電極下方Ｂに存在する窒化アルミニウム焼結体中の遊離炭素の濃度と異なることを特徴とする。
The carbon contains free carbon and the concentration of the free carbon in the aluminum nitride sintered compact existing in the upper part A of the electrode in the nearly same plane is different from that of free carbon in the aluminum sintered compact existing between electrodes C and in the lower part B of the electrode. - 特許庁 - 絶縁表面上に透光性の電極及び非透光性の電極を形成し、前記透光性の電極の端部及び前記非透光性の電極の端部を覆うように有機樹脂膜を形成し、前記有機樹脂膜、前記透光性の電極、及び前記非透光性の電極上にエレクトロルミネセンス材料を含む層を形成し、前記エレクトロルミネセンス材料を含む層上に透明電極を形成し、前記透光性の電極の上方に、前記透明電極に接するように反射電極を形成する。
A layer, containing an electroluminescent material, is formed on the organic resin membrane, the translucent electrode and the non-translucent electrode, a transparent electrode is formed on the layer containing the electroluminescent material, and a reflecting electrode is formed above the translucent electrode so as to be brought into contact with the transparent electrode. - 特許庁 - 半導体装置は、下部電極と、前記下部電極上に形成されたＰｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第１の強誘電体層と、前記第１の強誘電体層上に形成され、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された上部電極と、を含み、前記第２の強誘電体層のＴｉの組成比は、前記第１の強誘電体層のＴｉの組成比より大きいことを特徴とする。
The semiconductor device includes a lower electrode, a first ferroelectric layer formed on the lower electrode and containing Pb, Zr and Ti, a second ferroelectric layer formed on the first ferroelectric layer and containing Pb, Zr and Ti, and an upper electrode formed on the second ferroelectric layer, the composition ratio of Ti of the second ferroelectric layer being larger than that of the first ferroelectric layer. - 特許庁 - 本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。
The nitride based compound semiconductor light emitting element comprising a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer and a second ohmic electrode formed in this order on a conductive substrate is provided with a nitride based compound semiconductor layer on the second ohmic electrode, and one surface of the second ohmic electrode is exposed. - 特許庁 - 本発明のＤＬC膜の形成方法は、有機溶媒中に、少なくとも先端が針形状のアノード電極と、カソード電極とを配置して、前記針形状のアノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加することにより、カソード電極上に窒素及び前記有機溶媒の構成元素とを含んでなるＤＬC膜を合成すること及びアノード電極あるいはカソード電極を動かすことにより任意のパターンを形成すること特徴とする。
In the method for depositing the DLC film: an anode electrode in which at least its tip has a needle-like shape and a cathode electrode are disposed in an organic solvent and prescribed voltage is applied between the needle-like anode electrode and the cathode to synthesize the DLC film which contains nitrogen and elements constituting the above organic solvent; and an arbitrary pattern is formed by moving the anode electrode or the cathode electrode. - 特許庁 - メモリセル領域とロジック領域を備えた半導体メモリ装置とその製造方法において、メモリセル領域のアクセストランジスタのソース、ドレインをそれらの面積に拘わらず充分な厚さの絶縁膜で覆った状態で、そのゲート電極上にシリサイド膜を形成し、アクセストランジスタのソース、ドレインにシリサイド形成金属が拡散するのを阻止し、リフレッシュ性能の低下を防止する。
To prevent lowering of refresh performance by forming a silicide film on a gate electrode and preventing silicide formation metal from dispersing on the source and the drain of an access transistor in a state that the source and the drain of the access transistor of a memory cell area is covered with a sufficient thick insulation film regardless of the areas in a semiconductor memory device and its manufacturing method provided with a memory cell area and a logic area. - 特許庁 - 超臨界状態のアルゴン、二酸化炭素または窒素を雰囲気流体とする密閉容器内に炭素源となる原料化合物を供給しつつ、前記密閉容器内に設けられた２つの電極に電圧を印加することで前記２つの電極間に生起させた放電プラズマによって前記原料化合物を分解し、前記２つの電極のうちの少なくとも一方の電極上に膜状の炭素材料を形成する炭素材料の製造方法。
In this method of manufacturing a carbon material, while a feed compound as carbon source is supplied in a closed vessel in which argon, carbon dioxide or nitrogen in supercritical state is contained as an ambient fluid, discharge plasma is generated by applying a voltage between the two electrodes set in the closed vessel and the feed compound is decomposed by the discharge plasma and a membranal carbon material is formed at least on one of the two electrodes. - 特許庁 - 半導体基板表面の絶縁膜上に積層されたチタン及び白金の積層膜からなる下部電極と、下部電極上に積層された金属酸化物からなる高誘電体膜と、高誘電体膜上に積層された上部電極とを備えた薄膜高誘電体キャパシタにおいて、チタンの膜厚が、絶縁膜と白金との接着性を保ち、かつ白金の膜厚の１２％以下とし、かつＢａＳｒＴｉＯ_３からなる高誘電体膜の厚さを２３０〜３１０ｎｍの範囲に設定する。
The film thickness of titanium is set to maintain the bonding performance of the insulating film and platinum, and set so as to be not more than 12% of the film thickness of platinum, and the thickness of the high dielectric film configured of BaSrTiO_3 is set so as to be ranging from 230 to 310nm. - 特許庁 - 半導体チップＩＣの電極上に複数の突起電極ＢＰを形成するためのバンプ形成部２０と、複数の前記突起電極ＢＰの高さを調節するためのレベリング部３０を有する突起電極形成装置１００において、前記レベリング部３０には、前記半導体チップＩＣ及び前記突起電極ＢＰを冷却するための冷却装置３３が配置されている突起電極形成装置１００により、達成される。
In this bump electrode forming apparatus, having a bump forming part for forming a plurality of bump electrodes BP on the electrodes of a semiconductor chip IC, and a leveling part 30 for adjusting the heights of the bump electrodes BP, a chiller 33 for cooling the semiconductor chip IC and the bump electrodes BP is disposed on the leveling part, thereby attaining the purpose. - 特許庁 - 基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。
A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode. - 特許庁 - 半導体基板１２上に形成した電極パッド１４と、半導体基板を覆い電極パッド部分に開口部を有する絶縁膜１６と、ストレートウォール形状の突起電極２２を備えた半導体装置の製造方法において、突起電極上面部をエッチングにより除去することにより突起電極下部よりも小さい凸部電極４４を形成する半導体装置の製造方法方法、その製造方法で製造された半導体装置、及びその半導体装置の実装構造を提供する。
The upper surface of the projecting electrode is removed by etching, so that a convex electrode 44 smaller than the lower side of the projecting electrode is formed. - 特許庁 - 本発明によるメモリ構造は、ａ）基板と、ｂ）上記基板上に設けられた複数の下部電極と、ｃ）上記下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、上記上部電極は、上記下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、ｄ）各クロスポイントにおける上記複数の上部電極と上記複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む。
This memory structure comprises (a) a substrate 12, (b) lower electrodes 14 provided on the substrate, (c) upper electrodes 18 provided on the lower electrodes so as to cross the lower electrodes and form cross points at positions where they cross one another, and (d) active layers of perovskite material arranged between the upper electrodes and the lower electrodes at the cross points. - 特許庁 - 基板上に少なくとも、１対の電極に挟持された、発光領域を有する１層以上の有機発光層と、前記有機発光層に正孔を注入する正孔輸送層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記電極のうちの陽極上で電解重合を行うことで生成した導電性高分子を正孔輸送層とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
The manufacturing method for an organic electroluminescence device provided, on a substrate, with at least: one or more organic light emission layer having a light emission area, sandwiched by a pair of electrodes; and a hole transport layer for doping the organic light emission layer with holes, is characterized in that the hole transport layer is based on electro conductive polymer produced by electropolymerization on a positive electrode of the electrodes. - 特許庁 - 本発明によるメモリ構造は、ａ）基板と、ｂ）上記基板上に設けられた複数の下部電極と、ｃ）上記下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、上記上部電極は、上記下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、ｄ）各クロスポイントにおける上記複数の上部電極と上記複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む。
This memory structure comprises (a) a board, (b) lower electrodes provided on the board, (c) upper electrodes provided on the lower electrodes so as to cross the lower electrodes and form cross points at positions where they cross one another, and (d) active layers of perovskite material arranged between the upper electrodes and the lower electrodes at the cross points. - 特許庁 - 電界型電子放出素子は、基板上に形成されたカソード電極、開口がカソード電極上に位置する孔を有し、基板上に形成された絶縁膜、孔の開口が囲繞されるように絶縁膜上に形成されたゲート電極およびカソード電極から林立するように孔内に成長された複数のカーボンナノチューブを有する電界型電子放出素子において、複数のカーボンナノチューブは、孔の内側壁から所望の距離以上離れて林立している。
A plurality of the carbon nanotubes stand close together away from the inside wall of the hole by a desired distance or longer. - 特許庁 - 半導体基板上に第１の絶縁膜を介して形成されている下部電極と、この下部電極の周囲に形成され、下部電極の表面よりも高い表面を有するダミー電極と、下部電極上にダミー電極の最上表面よりも表面が低い位置にある誘電体膜を介して形成された上部電極と、ダミー電極に周囲を囲まれた窪みを埋める第２の絶縁膜とを具備して成る半導体装置を構成する。
A semiconductor device comprises: a lower electrode formed on a semiconductor substrate via a first insulating film; dummy electrodes that are formed around the lower electrode and have a higher surface than a surface of the lower electrode; an upper electrode formed on the lower electrode via a dielectric film whose surface is located below the topmost surfaces of the dummy electrodes; and a second insulating film filling a recess whose circumference is surrounded by the dummy electrodes. - 特許庁 - バイオセンサーにおいて生体成分中の目的とする被検出物質を捕捉して検出するセンサーチップは陽電極及び陰電極が所定の間隔をおいて相対配置され、該陰電極上に被検出物質からなるチップ素材が電気的絶縁状態で配置された反応容器内に有機又は無機化合物の原料ガスを導入して所定のガス圧に調整した状態で陽電極及び陰電極間に印加された電圧により発生するグロー放電により原料ガス中の有機又は無機物質をプラズマ化してチップ素材に付着堆積させて製膜した後、チップ素材を溶解除去して被検出物質に一致する凹部を有して形成する。
Organic or inorganic substance in the material gas, in the form of plasma, is deposited on the chip material to form a film and then the chip material is dissolved and removed to form a recess matching the substance being detected. - 特許庁 - 第１電極を備えた基板を、正又は負の極性に帯電しうる官能基を有する発光層、電子注入輸送層又は正孔注入輸送層の形成用材料の水溶液中に浸漬し、泳動電着により形成用材料を第１電極上に積層することで発光層、電子注入輸送層又は正孔注入輸送層を形成することを特徴とする発光表示素子の製造方法により上記の課題を解決する。
In this method of manufacturing the luminescent display element, a substrate provided with a first electrode is dipped in an aqueous solution of material forming the luminescent layer with a functional group which can be charged to positive or negative polarity, an electron injection transport layer and the forming material is laminated on the first electrode by migration electrodeposition to form the luminescent layer, electron injection transport layer or hole injection transport layer. - 特許庁 - 抵抗スイッチ素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に、セット電圧を印加することにより、前記誘電体膜の状態を第１の抵抗状態から、より高抵抗の第２の抵抗状態に遷移させるセット電圧源と、を含み、前記誘電体膜は、非ドープまたは深い不純物でドープされたペロブスカイト膜より構成される。
The resistance switch element includes a lower electrode, a dielectric film formed on the lower electrode, an upper electrode formed on the dielectric film, and a set voltage source that changes the state of the dielectric film from a first resistance state to a second resistance state of higher resistance by applying a set voltage between the lower electrode and the upper electrode, wherein the dielectric film is formed of a perovskite film which is not doped or doped with a deep impurity. - 特許庁 - 基材と、この基材上に、第一電極と、有機発光層を含む有機発光媒体層と、該有機発光媒体層、第二電極を形成し、第二電極上に無機封止層を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、バリア性に優れた欠陥のない無機封止膜を提供することにより、長期にわたり欠陥の発生、拡大のない有機エレクトロルミネセンス素子を製造することにある。
To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element forming a base material; a first electrode, an organic light emitting media layer including an organic light emitting layer, and a second electrode formed on the base material; and an inorganic sealing layer formed on the second electrode; prevented from generation and spread of defect for a long period by providing the inorganic sealing layer excellent in a barrier property and free from defect. - 特許庁 - 第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。
The substrate treatment device for forming on a treatment substrate light-emitting elements made by forming an organic layer including a light-emitting layer between a first electrode and a second electrode is provided with an organic layer forming device for forming the organic layer on the first electrode formed on the treatment substrate, an electrode forming device for forming the second electrode on the organic layer, and an etching device for etching the organic layer. - 特許庁 - 第１ドレイン領域と第１ソース領域との間に第１チャネル領域が形成された第１半導体領域と、第１チャネル領域上に形成された第１ゲート絶縁膜と、第１ゲート絶縁膜上に形成された第１ゲート電極と、第１ゲート電極上に形成された感応膜と、を含む感応素子、及び、感応素子の第１ゲート電極の電位を制御し且つフローティング化する制御機構を具備する。
The chemical sensor includes a sensitive element containing a first semiconductor region with a first channel region formed between a first drain region and a first source region, a first gate insulting film formed on the first channel region, a first gate electrode formed on the first gate insulating film, a sensitive film formed on the first gate electrode, and a controlling mechanism to control and float the potential of the first gate electrode of the sensitive element. - 特許庁 - 本発明のプラズマディスプレイパネルは、放電ギャップを介して配した複数の表示電極対と、表示電極対を覆うように誘電体層を形成し、誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルにおいて、少なくとも表示電極間に電圧を印加して保護層上に放電痕を生じるエージング放電を行い、表示電極上の放電痕よりも放電ギャップ上の放電痕を深く形成したことを特徴とする。
In a plasma display panel including a plurality of pairs of display electrodes arranged with a discharge gap between them, forming a dielectric layer to cover the pairs of display electrodes and forming a protective layer on the dielectric layer, a voltage is applied at least between the display electrodes to perform aging discharge to generate discharge marks on the protective layer, whereby the discharge mark on the discharge gap is formed deeper than that on the display electrode. - 特許庁 - 第１の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられたエネルギー付与により新／疎水性領域を形成し得る表面と、該表面に画像様にエネルギー付与を行って、前記第１の電極上に親水性領域を形成させた後、該親水性領域上に設けられた有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層と、該有機化合物層上に設けられた第２の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。
The organic EL element comprises a substrate having a first electrode, a surface of the substrate on which a hydrophilic/hydrophobic region can be formed by granting energy thereto, at least one organic compound layer containing an organic luminous layer, provided on the hydrophilic region after forming the hydrophilic region on the first electrode by granting the energy to the surface in an imaging manner, and a second electrode provided on the organic compound layer. - 特許庁 - 本発明の薄膜トランジスタ及びその製造方法は絶縁基板と；基板上に形成されたゲート電極と；ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に形成されて、ＳＧＳ結晶化法で結晶化された多結晶シリコーン層；及び基板上の所定領域に形成されたソース／ドレイン領域及びソース／ドレイン電極を含んで構成された薄膜トランジスタ及びその製造方法に技術的特徴がある。
The thin film transistor according to the manufacturing method comprises the insulating board, the gate electrode formed on the board, the gate insulating film formed on the gate electrode, the polycrystalline silicon layer which is formed on the gate insulating film through a crystallization process employing the SGS crystallization method, and the source/drain areas and the source/drain electrodes which are formed in given areas on the board. - 特許庁 - 対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、ブラックマトリックスまたは透明電極上に画素境界を設ける絶縁部を含まず、かつ、少なくとも１つの画素の黒化銀析出領域を、隣接画素領域とオーバーラップさせるように設けることを特徴とする表示素子。
In the display element having an electrolyte containing silver or a compound containing silver in its chemical structure between opposed electrodes and performing driving operation of the opposed electrodes so as to generating dissolution and deposition of silver, an insulating part wherein a pixel boundary is provided on a black matrix or a transparent electrode is not included and a blacked silver deposition region of at least one pixel is provided so as to overlap with an adjacent pixel region. - 特許庁 - 基板とは反対側に発光光を出射する有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基板と、前記基板上に設けられた陽極と、前記陽極上に設けられた発光層を含む機能層と、前記機能層上に設けられた陰極と、を含み、前記機能層と陰極との間に前記陰極を構成する材料のバンドギャップエネルギーよりも小さく、かつ光透過性を有する保護層が設けられたことを特徴とする。
This organic electroluminescent device to emit luminescent light toward the opposite side with respect to a substrate includes the substrate, an anode provided on the substrate, an functional layer containing a luminescent layer provided on the anode, and a cathode provided on the functional layer, and a protective layer having band gap energy smaller than that of a material composing the cathode and light transmissibility is provided between the functional layer and the cathode. - 特許庁 - 基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも低分子発光材料からなる有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記第一電極に対向するように形成された第二電極と、を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機発光層はウェットプロセスで形成され、前記ウェットプロセスは前記基板を加熱しながら行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたもの。
In the method of manufacturing the organic electroluminescent element provided with a first electrode formed on a substrate, an organic emission medium layer including an organic light-emitting layer made of at least low-molecule light-emitting materials formed on the first electrode, and a second electrode formed in opposition to the first electrode, the organic light-emitting layer is formed in a wet process, which is carried out as the substrate is heated. - 特許庁 - カソード配線１２０を表面上に含む基板１０と、基板上に形成され、カソード配線１２０と電気的に絶縁されたアノード電極１３０と、アノード電極上に形成され、複数の単位画素を形成する有機物質層１４０と、有機物質層を覆うカソード電極１６０と、カソード配線とカソード電極とを電気的に連結する少なくとも一つの電気的連結部１５０と、を備える有機発光表示装置である。
The organic light-emitting display comprises a substrate 10 including cathode wiring 120 on a surface thereof; an anode electrode 130 formed on the substrate, and electrically insulated from the cathode wiring 120; an organic material layer 140 formed on the anode electrode, and forming a plurality of unit pixels; a cathode electrode 160 covering the organic material layer; and at least one electric coupling portion 150 electrically coupling the cathode wiring and the cathode electrode. - 特許庁 - アクチュエータ装置の製造方法において、アクチュエータ装置の製造方法において、酸化ジルコニウム膜上に、ＳＯＧ膜を形成する工程と、ＳＯＧ膜が積層された酸化ジルコニウム膜を、酸化ジルコニウム膜が平坦になるまでエッチバックする工程と、平坦化された酸化ジルコニウム膜上に下電極を形成する工程と、記下電極上に圧電体膜を形成する工程と、を備える、アクチュエータ装置の製造方法である。
The process for fabricating an actuator comprises a step for forming an SOG (Spin-On Glass) film on a zirconium oxide film, a step for etching back the zirconium oxide film on which the SOG film is formed until the zirconium oxide film is planarized, a step for forming a lower electrode on the planarized zirconium oxide film, and a step for forming a piezoelectric film on the lower electrode. - 特許庁 - 本発明は、基板、および、基板上に形成されたゲート電極と、上記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、上記ゲート絶縁層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極およびドレイン電極の間のみに形成され、有機半導体材料からなる有機半導体層とを有する有機半導体トランジスタを有することを特徴とする有機半導体素子を提供することにより上記課題を解決するものである。
The organic semiconductor element comprises an organic semiconductor transistor comprising a substrate, a gate electrode formed on it, a gate insulating layer formed on the gate electrode, a source electrode and drain electrode formed on the gate insulating layer, and an organic semiconductor layer of organic semiconductor material which is formed only between the source electrode and the drain electrode. - 特許庁 - 裏面電極と、前記裏面電極の上に形成される光電変換部と、前記光電変換部の上に形成され、第１メッシュパターンを有する表面電極と、前記表面電極上に形成され、前記表面電極とは電気的に絶縁されるとともに接地され、平面視において前記表面電極の第１メッシュパターンと少なくとも一部が重複する第２メッシュパターンを有するシールド電極と を含む、太陽電池モジュール。
The solar cell module includes a back electrode, a photoelectric conversion portion formed on the back electrode, a surface electrode formed on the photoelectric conversion portion and having a first mesh pattern, and a shield electrode which is formed on the surface electrode, is electrically insulated from the surface electrode and grounded, and has a second mesh pattern which is at least partially overlapped with the first mesh pattern of the surface electrode in plan view. - 特許庁 - 活性領域に第１電極が配列された基板と、前記第１電極上に形成され、少なくとも１層以上に形成される有機物層と、前記有機物層上に形成され、不活性領域の基板上にまで形成されて素子内部の熱を外部に放出する第２電極と、前記第２電極に対向して配置され、シールラントを介して前記シールライン上の第２電極とシール連結されるシールカップと、を備える有機ＥＬ素子を提供する。
The organic EL device has a substrate arranged on a first electrode in an active region, an organic material layer comprising at least one layer on the first electrode, a second electrode formed on the substrate in the active region to emit outside the heat in a device, and a seal cup seal-connected with the second electrode on the seal line through a sealant. - 特許庁 - 基板上に形成された第１電極２７と、前記第１電極上に形成されたビスマスを含む強誘電体２９と、前記ビスマスを含む強誘電体上に形成された第２電極３１と、前記第１電極と前記ビスマスを含む強誘電体との間、または前記ビスマスを含む強誘電体と前記第２電極との間の中、少なくともいずれか１個所に介在された非晶質ビスマス酸化膜２８、３０とを含む。
The capacitor contains a first electrode 27 formed on a substrate, ferroelectric substance 29 which is formed on the electrode 27 and contains bismuth, a second electrode 31 formed on the ferroelectric substance containing bismuth, and amorphous bismuth oxide films 28, 30 which are interposed at least in one portion between the first electrode and the ferroelectric substance containing bismuth or between the ferroelectric substance containing bismuth and the second electrode. - 特許庁 - 本発明は、第１基板及び第２基板と、前記第１基板上の所定領域に形成された薄膜トランジスタと、前記第１基板上の画素領域に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成されたカラーフィルター層と、前記画素電極を除外した領域に形成されたブラックマトリックスパターンと、前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層とを有する液晶表示装置を提供する。
The liquid crystal display device has a first substrate and a second substrate, thin film transistors formed on a specified region on the first substrate, pixel electrodes formed on a pixel region of the first substrate, a color filter layer formed on the pixel electrodes, a black matrix pattern formed on regions excluding the pixel electrodes and a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate. - 特許庁 - 半導体紫外線受光素子は、ＩＩ族酸化物半導体またはＩＩＩ族窒化物半導体で形成された半導体層３と、半導体層３上に形成された紫外線透過性の有機物電極５と、半導体層３上に、有機物電極５の外側に形成された絶縁層と、有機物電極上から絶縁層上に延在し、絶縁層上方にボンディング領域を確保するワイヤーボンディング用金属電極６とを有する。
A semiconductor ultraviolet light receiving element comprises a semiconductor layer 3 formed of a group II oxide semiconductor or a group III nitride semiconductor; an ultraviolet-transmitting organic electrode 5 formed on the semiconductor layer 3; an insulating layer formed outside of the organic electrode 5 on the semiconductor layer 3; and a metal electrode 6 for wiring-bonding extending from the organic electrode to the insulating layer and ensuring a bonding region above the insulating layer. - 特許庁 - 基板と、該基板上に設けられた一対の電極と、該電極の間に設けられた有機化合物層とを有する有機ＥＬ素子が、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられたガスバリア層とを有するガスバリアフィルムで封止された有機ＥＬ素子を製造する方法であって、前記ガスバリアフィルムを、電極上に、該ガスバリアフィルムの基材フィルムが電極側面に位置するように設けることを特徴とするガスバリアフィルムで封止された有機ＥＬ素子を製造する方法。
In a method of manufacturing the organic EL device having a substrate, a pair of electrodes disposed on the substrate and an organic compound layer disposed between the electrodes, and sealed with a gas barrier film having a base material film and a gas barrier layer formed on the base material film, the gas barrier film is disposed on the electrodes to position the base material film of the gas barrier film on side faces of the electrodes. - 特許庁 - 電解重合法を用いたポリピロール膜の製造方法であって、電解重合法に用いられる電解液はピロール及び／又はピロール誘導体をモノマー成分として含み、前記電解重合法は芳香族エステルを溶媒として含む電解液を用い、前記電解液は過塩素酸イオンを含み、作用電極及び対極に電圧を印加することにより作用電極上に導電性高分子膜が形成されることを特徴とするポリピロール膜の製造方法を用いる。
The method for preparing a polypyrrole film by an electrolytic polymerization comprises formation of a conductive polymer film on a working electrode by impressing a voltage between the working electrode and the counter electrode using an electrolyte containing pyrrole and/or a pyrrole derivative as a monomer component, an aromatic ester as a solvent and the perchlorate ion as the electrolyle. - 特許庁 - 基板と、隔壁によって区画された第一電極が形成された前記基板上に、少なくとも有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記有機発光媒体層を挟んで前記第一電極と対向するように第二電極とを具備する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記第一電極を区画する前記隔壁の前記第一電極上への乗り上げ部に、前記隔壁を欠切した液溜まり部が設けてある。
The organic electroluminescent element includes: the substrate; the organic luminescent medium layer containing at least an organic light emitting layer on the substrate formed with a first electrode thereon partitioned by the barrier rib; and a second electrode facing the first electrode across the organic luminescent medium layer, wherein an overlapping portion of the barrier rib partitioning the first electrode on the first electrode is provided with a liquid reservoir portion formed by notching the barrier rib. - 特許庁 - Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。
In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid. - 特許庁 - 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されてなる、少なくとも作用極および対極を含む電極と、前記電極上に形成されてなる試料供給部と、を有するバイオセンサであって、前記試料供給部が、少なくとも補欠分子族としてピロロキノリンキノン（ＰＱＱ）、フラビンアデニンジヌクレオチド（ＦＡＤ）またはフラビンモノヌクレオチド（ＦＭＮ）を含む酸化還元酵素と、電子伝達体と、界面活性剤と、グルコースを基質とする非酸化還元酵素と、を含む反応層を有する、バイオセンサ。
In the biosensor including an insulating substrate; an electrode formed on the insulating substrate and containing at least a working electrode and a counter electrode; and a sample supply part formed on the electrode, the sample supply part has a reaction layer containing an oxidoreductase containing at least pyrroloquinoline quinone (PQQ), flavin adenine dinucleotide (FAD), or flavin mononucleotide (FMN) as a prosthetic group, an electron carrier, a surfactant, and a non-oxidoreductase having glucose as a substrate. - 特許庁 - 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成されてなる、少なくとも作用極および対極を含む電極と、前記電極上に形成されてなる試料供給部と、を有するバイオセンサであって、前記試料供給部が、少なくとも補欠分子族としてピロロキノリンキノン（ＰＱＱ）、フラビンアデニンジヌクレオチド（ＦＡＤ）またはフラビンモノヌクレオチド（ＦＭＮ）を含む酸化還元酵素と、電子伝達体と、界面活性剤と、グルコースと、を含む反応層を有する、バイオセンサ。
In the biosensor having an insulating substrate, an electrode including at least one active pole and a counter pole formed on the insulating substrate, and a sample supply section formed on the electrode, the sample supply section has a reaction layer that includes an oxidation-reduction enzyme containing at least a prosthetic group as a pyrroloquinoline quinone (PQQ); a flavin adenine dinucleotide (FAD) or a flavin mononucleotide (FMN); and an electron carrier, an interfacial active agent and a glucose. - 特許庁 - メモリセルで用いる半導体デバイスにおいて、半導体基板、前記半導体基板に形成された多数のトランジスタ及び前記トランジスタに電気的に接続された導電性プラグを備える活性マトリックスと、前記導電性プラグ上に形成された多数の下部電極と、前記下部電極上に形成された合成膜と、前記合成膜上に形成されているアルミニウムオキサイド（Ａｌ_２Ｏ_３）膜を含むことを特徴とする。
The semiconductor device used in memory cells comprises a semiconductor substrate, an active matrix comprising many transistors formed on the semiconductor substrate and conductive plugs, connected electrically to the transistors, many lower electrodes formed on the conductive plugs, a synthetic film formed on the lower electrodes, and an aluminum oxide (Al2O3) film formed on the synthetic film. - 特許庁 - 本発明に係る電界発光表示装置においては、基板上に形成された第１電極、該第１電極上に形成された発光部、該発光部上に形成された第２電極を含むピクセル回路部；該ピクセル回路部内に位置し、前記基板と前記第２電極の間に内在されて前記発光部より高く突出形成されたスペーサ；及び該スペーサの上部と接触するシールドキャップを含むことを特徴とする。
The electroluminescent display device comprises a pixel circuit section including a first electrode formed on a substrate, a light emitting part formed on the first electrode, a second electrode formed on the light emitting part, a spacer which is located in the pixel circuit and is formed protruding high from the light emitting part interposed between the substrate and the second electrode, and a shield cap contacting the upper part of the spacer. - 特許庁 - 本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。
A plasma processing device according to the invention comprises: a chamber; a gas supply part for supplying required gas to inside the chamber; a first electrode which is disposed in the chamber and to which high frequency power is applied; capacitor parts formed above the first electrode and electrically connected with the first electrode; and a plurality of second electrodes formed above the capacitor parts and electrically connected with the capacitor parts. - 特許庁 - 本発明は、基板と、上記基板上に形成された共通電極と、上記共通電極上に形成された接着剤充填用隔壁部と、を有する液晶表示素子用基板であって、上記接着剤充填用隔壁部に、上記接着剤充填用隔壁部の内側に充填される接着剤量を調整する接着剤量調整用開口部が形成されていることを特徴とする液晶表示素子用基板を提供することにより上記課題を解決するものである。
The substrate for the liquid crystal display element has a substrate, a common electrode formed on the substrate, and a partition wall part for filling an adhesive therein formed on the common electrode, wherein an opening for adjusting an amount of the adhesive to adjust the amount thereof filled inside the partition wall part for filling the adhesive therein is formed on the partition wall part for filling the adhesive therein. - 特許庁 - 第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に光触媒層を形成する工程と、前記光触媒層上に光分解有機層を形成する工程と、前記光分解有機層にパターン露光を行い、パターン形成を行う工程と、前記露光部に、有機ＥＬ化合物層形成液を付着させて硬化させることにより、有機ＥＬ化合物層の少なくとも１層を形成する工程と、前記有機ＥＬ化合物層上に第２電極を形成する工程から少なくともなる有機ＥＬ素子の製造方法。
The producing method comprises at least steps of forming a primary electrode, forming a photocatalyst layer on the primary electrode, forming a organic photodecomposition layer on the photocatalyst layer, performing pattern exposure to the photodecomposition layer to form a pattern, applying organic EL compound layer forming solution on the exposed section and making it to harden, form at least one of organic EL compound layer, and forming a secondary electrode on the organic EL compound layer. - 特許庁
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