「極上の」を含む例文一覧(1356)

<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 27 28 次へ>
  • 極上での窒素酸化物の分解を十分抑制することができる。
    To provide a sensor electrode capable of sufficiently suppressing decomposition of a nitrogen oxide on an electrode. - 特許庁
  • Au電極の結晶粒よりも結晶粒の小さいAu微細結晶膜をAu電極上に形成する。
    An Au fine crystal film having smaller crystal grains than Au electrode crystal grains is formed on the Au electrode. - 特許庁
  • 一対のライン電極上に位置する複数のセル内において放電を実行するパネル
    PANEL EXECUTING DISCHARGE IN MULTIPLE CELL POSITIONED ON LINE ELECTRODE PAIR - 特許庁
  • 金電極上でのDNAプローブ12の固定化密度は4×10^12個/cm^2に最適化した。
    The immobilization density of the DNA probe 12 on the gold electrode is optimized to 4×10^12 number/cm^2. - 特許庁
  • 電荷担体となるイオンの負極上での偏りを抑制する二次電池を提供する。
    To provide a secondary battery capable of restraining deviation of ions used as charge carriers on a negative electrode. - 特許庁
  • 第2の電極上に形成された第2の金属膜5a上に補強層7,8aが形成される。
    Reinforcement layers 7, 8a are formed on the second metal film 5a which is formed on the second electrode. - 特許庁
  • プリント基板8の配線電極上9に電子部品5のリード端子6を設置する。
    A lead terminal 6 of an electronic component 5 is installed on a wiring electrode 9 of a printed circuit board 8. - 特許庁
  • そして通常プロービング検査は、パッド電極上の別の領域を用いて行う。
    And the usual probing inspection is conducted with the use of the other region on the pad electrode. - 特許庁
  • その上にパターン化絶縁膜を形成し、ゲート電極上の領域110を除去する。
    An organic semiconductor film is vapor-deposited on the removed region. - 特許庁
  • 電極524,528が基板上で形成され、ディスプレイ部分の残りが電極上で形成される。
    Electrodes 524 and 528 are formed on the substrate and the remainder of the display section is formed on the electrodes. - 特許庁
  • 電極と関連付けられた複数のレールは、電極上に基板を支持すべく協働する。
    The plurality of rails associated with the electrodes cooperate to support the substrates on the electrodes. - 特許庁
  • ガラス−エポキシ実装基板の電極上に異方導電性接着剤を塗布した。
    The anisotropic conductive adhesive is applied on electrodes on a glass epoxy mounting substrate. - 特許庁
  • レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金属膜を形成する。
    The pixel electrode and the metal film, in contact with a portion of the pixel electrode, are formed by using the resist pattern. - 特許庁
  • 基板(ゲート電極)上の残膜厚ばらつきに起因するイオン注入量ばらつきを抑止する。
    To suppress dispersion of quantity of ion implantation caused by variability of the thickness of remaining film on a substrate (gate electrode). - 特許庁
  • 次いで、次の成膜装置において、下部電極上に光電変換層を形成する。
    Then a next film forming apparatus forms a photoelectric conversion layer on the lower electrode. - 特許庁
  • このAu微細結晶膜が形成されたAu電極上にAuバンプを圧着する。
    The Au bump is pressure bonded to the Au electrode on which the Au fine crystal film is formed. - 特許庁
  • 調整回路は、共通電極上の電圧分布に基づいて分布パラメータを出力する。
    The adjustment circuit outputs a distribution parameter on the basis of a voltage distribution on the common electrode. - 特許庁
  • 前記第1および第2バンプ電極上に形成される前記導電層は、ダミーの導電層を含む。
    The conductive layers formed on the first and second bump electrodes include dummy conductive layers. - 特許庁
  • 保護層は第2電極上に配置され、第2電極の少なくとも一部をカバーする。
    The protective layer is disposed on the second electrode and covers at least a part of the second electrode. - 特許庁
  • さらに、近接場光発生素子はこのように湾曲した主磁極上に形成している。
    Furthermore, the near-field light generating element is formed on the main magnetic pole curved in such a way. - 特許庁
  • 電極室の気液俳出口を電極上端とほぼ同じ位置で上向に開口する。
    The gas-liquid outlet of the electrolyzing chamber is opened upward at about the same position as the upper end of an electrode. - 特許庁
  • 細胞を2次元投影した形で基板あるいは電極上に、細胞の内容物を捕捉する。
    This chip is provided by catching the content of the cell on a substrate plate or an electrode in a shape of two dimensionally projecting the cell. - 特許庁
  • (2)透明電極上にピンホールのない絶縁性に優れた絶縁膜を高温で積層できる。
    (2) An insulating film excellent in insulating property without pinholes can be laminated at high temperature on the transparent electrode. - 特許庁
  • ゲート電極の径を越えるコンタクトホールを該ゲート電極上に形成する。
    To form a contact hole on a gate electrode of a semiconductor device whose diameter exceeds the diameter of the gate electrode. - 特許庁
  • コンデンサ素子1は第二の陰極上面端子24に同じく搭載される。
    A capacitor element 1 is also mounted to the second cathode upper terminal 24 in the same manner. - 特許庁
  • 電子部品の電極上に電気的接続用構造体を形成する方法を提供する。
    To provide a method for forming a structure for electric connections on the electrode of an electronic component. - 特許庁
  • 非水電解質二次電池は正極、上述の負極及び非水電解質を備える。
    The non-aqueous electrolyte second battery includes a positive electrode, the above negative electrode, and a non-aqueous electrolyte. - 特許庁
  • 本ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、電極上部2aと、電極上部の下面2dから下方に延在し、半導体基板に平行な横断面積が電極上部より小さい電極下部2b、2cとを有する、T型ゲート電極2を備えている。
    This heterojunction field-effect transistor includes a T-shaped gate electrode 2, comprising the upper portion 2a of the electrode, and the lower portions 2b and 2c of the electrode which extends downwardly from the lower face 2d of the upper portion of the electrode has smaller transversal area parallel to a semiconductor substrate than the upper portion of the electrode. - 特許庁
  • 第1電極上に少なくとも発光層を有する有機機能膜が位置する。
    The organic function film having at least a luminous layer is positioned on the first electrode. - 特許庁
  • ナノスケールでモルフォロジー制御された粗い電極上に成長した有機感光性電池
    ORGANIC PHOTOSENSITIVE BATTERY GROWN ON COARSE ELECTRODE WHICH IS MORPHOLOGY-CONTROLLED IN NANOSCALE - 特許庁
  • 画素電極上には、発光領域12を除く領域に絶縁層が形成されている。
    An insulated layer is formed on the pixel electrode at a range excluding light-emitting zones 12. - 特許庁
  • 有機薄膜トランジスタ(OTFT)のゲート絶縁層、あるいは金属−絶縁体−金属(MIM)キャパシタの絶縁体として、電子グレード・シルク溶液を基板上に形成されたゲート電極上、あるいはキャパシタ電極上にコートし乾燥させ、ゲート電極上あるいはキャパシタ電極上にシルクプロテインで作られたゲート絶縁層あるいはキャパシタ絶縁体を得る。
    This electronic grade silk solution is made to coat a gate electrode or a capacitor electrode formed on a substrate to be dried as an insulator of a gate insulating layer of an organic thin-film transistor (OTFT) or a metal-insulator-metal (MIM) capacitor to provide a gate insulating layer or a capacitor insulator made of silk protein on the gate electrode or the capacitor electrode. - 特許庁
  • また、シート状の半田材を半導体素子の第1の電極及び第2の電極に対向させ、ポスト電極の下端を、半田材を介して、第1の電極上及び第2の電極上に対向させる。
    Next, a sheet-like solder material is disposed so as to face the first and second electrodes of the semiconductor element, and lower ends of post electrodes are disposed above the first and second electrodes, respectively, so that the lower ends are opposed to the first and second electrodes through the sheet-like solder material. - 特許庁
  • 極上に膜(水素バリア膜、バリアメタル)が形成される場合に、電極上での膜のカバレッジ不良の発生を防止することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
    To provide a semiconductor device capable of preventing failure in coverage of a film on an electrode when the film (hydrogen barrier film, barrier metal) is formed on the electrode; and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁
  • すなわち、母基板2に近い部分の電極上の電極開口8を大きくし、母基板2から遠い部分の電極上の電極開口8ほど小さく形成する。
    Namely, the openings 8 on the electrodes nearer to the mother board 2 are formed in larger sizes and the openings 8 farther from the substrate 2 are formed in smaller sizes. - 特許庁
  • 電圧印加によって、電気泳動粒子5が一方の電極上に堆積すると同時に、分散液6中の逆極性イオンが反対の電極上に堆積するので、電気泳動分散液50は分極することになる。
    By virtue of voltage application, electrophoretic particles 5 in a dispersion liquid 6 are deposited on the one side electrode, at the same time, ions of reversed polarity are deposited on the opposite electrode and, therefore, the electrophoretic dispersion liquid 50 is made polarized. - 特許庁
  • この突出極は、それぞれ、磁極に対応し、少なくとも一つの磁石が、少なくとも一つの突出極上に配置されて、対応する突出極上で、補助磁極を生成し、ローターの駆動を補助する。
    These salient poles respectively correspond to magnetic poles, and at least one magnet is arranged on at least one salient pole and generates a sub magnetic pole on the corresponding salient pole so as to assist the driving of the rotor. - 特許庁
  • 透明電極基板の透明電極上に成膜されたSiO_2膜(無機配向膜)と、画素電極基板の画素電極上に成膜されたSiO_2膜(無機配向膜)のそれぞれをアンモニア処理する(ステップS2)。
    An SiO_2 film (inorganic alignment film) formed on a transparent electrode of a transparent electrode substrate and an SiO_2 film (inorganic alignment film) formed on a pixel electrode of a pixel electrode substrate are subjected to ammonia treatment (step S2). - 特許庁
  • また、充電時に負極上にアルカリ金属を0.4mA/cm^2以下の電流密度で析出させ、放電時に負極上のアルカリ金属を0.2〜3.0mA/cm^2の電流密度で溶解させる。
    In charging, alkali metal is deposited on the negative electrode at a current density of 0.4 mA/cm2 or less, and in discharging, the alkali metal on the negative electrode is dissolved at a current density of 0.2-3.0 mA/cm2. - 特許庁
  • 透明電極上に生体細胞を培養し、透明電極と対向電極の間に電気パルスを与えることにより透明電極上の生体細胞に遺伝子などの外的物質を導入する。
    This method for performing the electroporation of the cell is provided by culturing a living body cell on a transparent electrode, and introducing a foreign material such as a gene, etc., into the living cell on the transparent electrode by giving an electric pulse between the transparent electrode and a counter electrode. - 特許庁
  • ソース電極上またはエミッタ電極上にソースまたはエミッタ端子を半田を介して接続したトレンチゲート型半導体装置においてゲート配線を被覆する絶縁膜でのクラックの発生を抑制する。
    To suppress cracking of an insulating film covering gate wiring in a trench gate type semiconductor device having a source or emitter terminal connected onto a source electrode or emitter electrode through solder. - 特許庁
  • 第1金属電極上に低融点の材料を含浸させることで、第1金属電極表面の密着性を向上させ、絶縁性を有する接着剤層を第1金属電極上に形成する際、より高い接着力を得る。
    To improve adhesion of a first metal electrode surface by impregnating the first metal electrode with a low-melting-point material and to realize large adhesive force when an adhesive layer with insulation property is formed on the first metal electrode. - 特許庁
  • 櫛歯電極上では横電界成分が小さいために液晶の回転が小さく、また、縦電界成分により液晶が立ち上がってリタデーションが減少するため、透明櫛歯電極上の光透過率が低下すること。
    To solve problems that rotation of liquid crystal is small since a lateral electric field component is small on a comb-teeth electrode and optical transmissivity above a transparent comb-teeth electrode decreases since the liquid crystal is raised with a longitudinal electric field component to cause a decrease in retardation. - 特許庁
  • 主磁極上のアルミナ膜30をCMPで研磨するとき直接主磁極に接しないため、主磁極上部エッジの欠落及び主磁極消失が生じない。
    When an alumina film 30 on the main magnetic pole is ground by CMP, the CMP tool does not contact the main magnetic pole directly, so that the dropping-out of the edge of the main magnetic pole end nor elimination of the main magnetic pole never occurs. - 特許庁
  • 作用極上に酵素とメディエーターからなり、酵素を固定化した酵素反応膜を設けるとともに、対極上にメディエーターと水溶性樹脂からなる対極反応膜を設ける。
    An enzyme reaction film that is made of enzyme and mediator and has fixed enzyme is disposed on a working electrode, and the counter electrode reaction film made of mediator and water soluble resin is disposed on the counter electrode. - 特許庁
  • 低融点金属材料でめっき処理を施した電極上に、導電性フィラーと有機バインダとを含む導電性接着剤を配し、加熱して有機バインダを硬化させるとともに、電極上のめっき層を溶融させる。
    On the electrode, to which plating treatment is applied by a low fusing point metal material, the conductive adhesive containing the conductive filler and an organic binder is provided, the organic binder is hardened by heating, and a plating layer on the electrode is fused. - 特許庁
  • 放電電極上に結露させて水を放電電極に直接供給し、静電霧化させるための水が放電電極上にあるかないかは放電異常として検出して、無駄な放電動作を抑止する。
    Since moisture in the air is made to condense into water on the discharge electrode and the water is supplied directly to the discharge electrode, whether there is the water to be atomized electrostatically on the discharge electrode is detected as the abnormal discharge to restrain a useless discharge operation. - 特許庁
  • 順次に積層された下部電極、絶縁層及び上部電極、上部電極上に形成されたナノ構造層を備える表面電子放出素子。
    The surface electron emission element has a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially laminated, in this order, and a nanostructure layer which is formed on the upper electrode. - 特許庁
  • 表示素子を構成する一対の基板のいずれかの基板のクロス電極上へのクロス材の塗布を、正確にしかも能率良く行なう。
    To precisely and efficiently apply a cross material on a cross electrode of one of a pair of substrates constituting a display element. - 特許庁
  • ゲート電極に対してカソード電極上への電子放出素子形成の際に必要な触媒形成のためのマスクとしての機能を付与させる。
    A gate electrode is imparted a function as a mask for catalyst formation necessary in forming an electron emission element on a cathode electrode. - 特許庁
<前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 27 28 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.