「極上の」を含む例文一覧(1356)

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  • 圧電振動子1の節点線上あるいはその近傍に対応する、帯状電極上に金属支持部材14を半田で固定する。
    Metallic support members 14 are fixed with solder onto belt-like electrodes corresponding to nodal point lines of a piezoelectric vibrator 1 or to the proximity thereof. - 特許庁
  • 下部電極上あるいは下部電極周辺のクリーニングを効率的に行うことができる半導体基板のプラズマ処理方法を提供する。
    To provide a method for plasma processing in a semiconductor substrate, capable of effectively cleaning on a lower electrode or around the lower electrode. - 特許庁
  • このとき、放電電極上に酸化物からなる薄膜を形成し、この上にガラス成分を含むリブを形成する。
    At. this time a thin film made of oxide is formed on the discharge electrodes and the ribs 10 containing a glass component are formed thereon. - 特許庁
  • ディスプレイの一方の電極層を電極上に形成された開口にフリンジフィールド効果を結合するか、或いはバンプ構造を形成する。
    Fringe field effect is coupled with an opening having one electrode layer of the display formed on an electrode or a bump structure is formed. - 特許庁
  • 印加電圧の極性が反転し着目している電極の極性が負となると、電極上には正帯電粒子が捕集される。
    When the polarity of applied voltage is reversed and the polarity of an attracted electrode becomes negative, positively charged particle are captured on the electrode. - 特許庁
  • 穴のない基板の上面から有機ガスが除去され、各電極上面及びキャピラリ、クランパ等を汚すことがない。
    To eliminate contamination on the upper surfaces of electrodes, capillary, clamper or the like by removing organic gas from the upper surface of a substrate having no pore. - 特許庁
  • 透明電極上あるいは前面基板に沿って、外部からの光の入射を遮る遮光部が形成されている。
    A light shutting section which shuts off the light entering from outside is formed on the transparent electrode or along the front substrate. - 特許庁
  • 補集された正帯電粒子と電極上の負帯電粒子は中和し、これ以上の静電凝集は起こらない。
    The captured positively charged particles and the negatively charged particle on the electrodes are neutralized, and more electrostatic aggregation is not caused. - 特許庁
  • PSA技術を用いて反射電極上の液晶分子のプレチルト方位が安定に規定された液晶表示装置を提供する。
    To provide a liquid crystal display device in which the pretilt azimuth of a liquid crystal molecule on a reflective electrode is stably defined by using a PSA technology. - 特許庁
  • また、これらの電極上に配向処理がなされた配向膜4a、4bを設け、その間に液晶層5を挟持させる。
    Furthermore, alignment treated alignment layers 4a, 4b are disposed on the electrodes and a liquid crystal layer 5 is interposed in between. - 特許庁
  • 極上のフレア均一性を高め、かつ端部へのトナー噴出を抑制するフレア現像方式を備えた現像装置を提供する。
    To provide a developing device equipped with a flare developing system enhancing flare uniformity on an electrode and restraining blowing out of toner to an end part. - 特許庁
  • CVD堆積ステップのような基板処理操作中に、粒子が、流体導管内の電極上に収集される。
    The particles are collected on the electrode in the fluid conduit during the substrate treating operation such as in CVD depositing step. - 特許庁
  • 上記第1の電極、上記記憶場所、および上記第2の電極は、ピラー相変化メモリセルを形成している。
    The first electrode, the storage location, and the second electrode constitute a pillar phase change memory cell. - 特許庁
  • ゲート電極上の低抵抗上層配線の形成と同時に,基板にオーミック接続する配線又は電極を形成する。
    To form a wiring or an electrode with ohmic connection to a substrate, simultaneously with the formation of a low resistance upper layer wiring on a gate electrode. - 特許庁
  • 次に、第1の原料ガスを用いたCVD法により、下部電極上に第1の強誘電体膜を形成する(S53a)。
    Next, a first ferrodielectric film is formed on the bottom electrode by a CVD method using a first material gas (S53a). - 特許庁
  • バンプ形成用のはんだボールを半導体ウエハの電極上に確実に搭載できる方法および装置を提供する。
    To provide a method and a device by which a solder ball for bump formation is surely loaded on the electrode of a semiconductor wafer. - 特許庁
  • そして、保護壁の高さは、最も高いカソード電極上のAl配線32よりも、1μm厚くなるようにした。
    In this case, the height of the protective walls is specified so as to be higher by 1μm than the Al wiring 32 on the highest cathode electrode. - 特許庁
  • 大面積のプラズマ処理用電極上に、気泡や皺の発生がなく、かつ簡便に樹脂シートを貼付する方法を提供する。
    To provide a method which allows no air bubble and wrinkle, and simply pastes when pasting a resin sheet on an electrode for treating plasma having a large area. - 特許庁
  • SAWデバイスのIDT電極上に付着させた絶縁膜の上から強固に超音波ボンディングする手段を得る。
    To provide a means for applying strong ultrasonic bonding to an insulation film attached to IDT electrodes of a SAW device. - 特許庁
  • CMOSを用いたロジック回路において、ゲート電極上でのシリサイド膜の成膜不良を防止できるようにする。
    To prevent deposition failure of a silicide film on a gate electrode in a logic circuit using a CMOS. - 特許庁
  • 必要とする量の抗体を電極上に均一に固定できるバイオセンサの形成方法を提供する。
    To provide a forming method of a biosensor capable of immobilizing a required amount of antibody uniformly on an electrode. - 特許庁
  • そして、電極上層16の上面は、平坦化により、強誘電体膜13の表面モホロジーと無関係な平坦面となっている。
    The electrode upper layer 16 has a top surface being a flat surface having no relation with surface morphology of the ferroelectric film 13 by planarizing. - 特許庁
  • 次に、正負極間に直流電圧を印加することにより正極中の第2族元素の酸化物を電解して負極上に析出させる。
    Next, the oxide of the group II element in the positive electrode is electrolyzed by applying DC voltage between electrodes to be deposited on the negative electrode. - 特許庁
  • ニードルの交換後に電極上に接着剤を塗布しても、不良品を出すことが無い圧電デバイスの製造方法を提供する。
    To provide a manufacturing method of a piezoelectric device in which defective products are not generated even when an adhesive is applied onto an electrode after a needle is replaced. - 特許庁
  • そのために共通電極上に絶縁膜を形成しているが、膜の絶縁不良によってショートするという問題がある。
    Wiring for connecting the electrodes is provided to the vicinity of an end part of the substrate of an LED array. - 特許庁
  • 第1電極101及び第2電極103のうち一つ以上の電極上に熱伝導性素材108を積層する。
    A thermal conductive material 108 is laminated on at least one of a first electrode 101 and a second electrode 103. - 特許庁
  • 画素電極上への位置精度が高められた液滴吐出法による有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
    To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element by a droplet discharging method that is improved in positional accuracy on a pixel electrode. - 特許庁
  • 以上の構成により、ゲート電極上に形成されるシリサイド膜の耐熱性を向上させることができ、高い信頼性を得ることができる。
    In such a constitution, the heat resistance of the silicide film formed on the gate electrode can be enhanced, thereby making feasible of providing the semiconductor device with high reliability. - 特許庁
  • 画素電極上に均一かつ極薄の配向膜を有する高品質の液晶表示素子を低コストで量産する。
    To mass-produce a high-quality liquid crystal display, having a uniform and ultra-thin alignment layer on a pixel electrode at low cost. - 特許庁
  • 触媒的に有効な量の触媒蒸気を、該燃料電池電極上の、炭素触媒支持体に堆積する。
    A catalytically effective amount of the catalyst vapor is deposited onto a carbon catalyst support body on the fuel cell electrode. - 特許庁
  • 下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタが、半導体基板の上に配置されている。
    A lower-layer capacitor comprising a lower electrode, an upper electrode and a dielectric film arranged between both electrodes are disposed on the semiconductor substrate. - 特許庁
  • 電界効果トランジスタにおけるゲート電極の汚染を防止し、かつゲート電極上に形成されるマスク膜の膜厚を薄くする。
    To prevent contamination of a gate electrode in a field effect transistor and reduce a film thickness of a mask film formed on the gate electrode. - 特許庁
  • トランジスタのゲート電極上に第1の誘電体層を形成し、かつ金属層と接合したダマシン構造を形成する方法を提供する。
    To provide a method for forming a first dielectric layer over a gate electrode of a transistor and forming a damascene structure coupled with a metal layer. - 特許庁
  • ゲート電極の上部表面を絶縁体からなる保護膜で覆うことにより、ゲート電極上部表面の酸化を防止する。
    The upper surface of a gate electrode is covered with a protection film that is made of an insulator, thus preventing the upper surface of the gate electrode from being oxidized. - 特許庁
  • これにより、半田接着層および半田がソース電極上に平坦に、且つ全面に付着するので、リードとの接着強度が増加する。
    With such a constitution, a solder bonding layer and solder are applied uniformly over the whole surface of the source electrode, so that the bonded strength between the electrode surface and a lead is enhanced. - 特許庁
  • 半導体レーザ素子26の活性層を挟む2電極のうち、活性層に近い電極上に金メッキ層を5μm以上形成する。
    A gold-plated layer, having a thickness of 5 μm or more, is formed on one of two electrodes sandwiching an active layer of a semiconductor laser element 26 which is closer to the active layer. - 特許庁
  • 放電電極上の高温プラズマ原料21に第1のエネルギービーム23を照射して気化させる。
    The high-temperature plasma material 21 on a discharge electrode is irradiated with first energy beams 23 to be evaporated. - 特許庁
  • このような構成によれば、鎖状炭酸エステル系化合物の負極上でのエステル交換反応がビニレンカーボネートにより抑制されるとともに、ビニレンカーボネート自体の正極上での分解がフッ素化鎖状エーテル系化合物によって抑制される。
    In this structure, transesterification on the negative electrode of the chain-like carbonate system compound is suppressed by vinylene carbonate and decomposition on the positive electrode of vinylene carbonate itself is suppressed by the fluorination chain-like ether system compound. - 特許庁
  • 能動デバイスが駆動される時、電流が電極上に形成されて、液晶レンズの温度を上昇させる。
    When the active devices are driven, a current is formed on the electrodes to raise a temperature of the liquid crystal lens. - 特許庁
  • シリコン基板22上の周辺部を除く領域には、柱状電極上に形成された半田ボール33がマトリクス状に形成されている。
    In the region on a silicon substrate 22 except the peripheral part thereof, solder balls 33 formed on columnar electrodes are arranged in matrix. - 特許庁
  • 作用極上には、魚の体液中に含まれる核酸関連物質と反応する酵素試薬が塗布されている。
    On the action electrode, an enzymatic reagent which reacts to the nucleic acid related substance contained in the biological fluid of the fish is applied. - 特許庁
  • 極上にはんだ層を真空蒸着により形成する際、被蒸着物の昇温を抑制する。
    To suppress temperature elevation in a substrate for vapor deposition when depositing a solder layer on an electrode by vacuum vapor deposition. - 特許庁
  • 極上での還元分解反応を抑え、高温保存特性を飛躍的に向上できる非水電解質二次電池を提供する。
    To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of drastically improving the high-temperature preservation characteristics through restraint of reductive decomposition reaction on an anode. - 特許庁
  • 本発明は、細胞を傷めることなく圧電素子の電極上に固定化することができる方法と、細胞本来の特性に基づいた細胞の形状変化を電極上に固定化された細胞の重量変化を測定することによりリアルタイムに測定することが可能な方法とを提供する。
    To provide a method of immobilizing a cell onto an electrode of a piezoelectric element without damaging the cell, and a method of measuring a shape change of the cell based on a characteristic intrinsic to the cell, in real time, by measuring a weight change of the cell immobilized onto the electrode. - 特許庁
  • 柱状電極上に半田ペースト層をずらして印刷することにより、柱状電極上のみに半田パンプを形成するとともに、半田パンプ内へのボイドの発生を抑制し、かつ平面サイズを小さくした半導体装置の製造方法を提供する。
    To provide a method for manufacturing a semiconductor device which forms solder bumps only on columnar electrodes by printing solder paste layers on the columnar electrodes by being shifted, suppresses generation of a void in the solder bump, and reduces a planar size. - 特許庁
  • そして、各下部電極上に2個の熱電素子が接合され、隣接する下部電極上の隣接する熱電素子11が1個の上部電極により接続されていて、これにより、複数個の熱電素子11が下部電極及び上部電極により直列に接続されている。
    Then, two thermoelectric elements are bonded to each lower electrode, and an adjacent thermoelectric element 11 on an adjacent lower electrode is connected by one upper electrode, thus connecting a plurality of thermoelectric elements 11 by the lower and upper electrodes in series. - 特許庁
  • スピント型のエミッタ構造を有する電子放出素子を製造するにあたって、ゲート電極上に剥離層を形成することなく、金属材料の蒸着によりコーン形状の電子放出部を形成した後、ゲート電極上の不要な金属層を素早く除去することができる方法を提供する。
    To provide a method of manufacturing an electron emission element having a Spindt-type emitter structure in which cone-shaped electron emitters are formed by deposition of metallic material, without the need to form separating layer on the gate electrodes, and subsequently unnecessary metallic layer on the gate electrodes can be removed quickly. - 特許庁
  • 電極下部が、半導体基板1上に設けられた絶縁膜3を貫通して半導体基板に電気的に接続され、電極上部は、電極上部の下面が絶縁膜の上面に対して離隔し、絶縁膜との間に空間を有するように、絶縁膜の上方に設けられている。
    The lower portions are electrically connected to the semiconductor substrate through an insulating film 3 provided on the semiconductor substrate 1, and the upper portion is provided above the insulating film 3 so that the lower face of the upper portion is apart from the upper face of the insulating film, and a space is formed between the lower face of the upper portion and the insulating film. - 特許庁
  • さらに、電極部を加熱することにより又は超音波を印加することにより電極上に吸着した水素もしくはハロゲンの脱離を促進する。
    Furthermore, desorption of hydrogen or halogen adsorbed on the electrode is accelerated by heating the electrode part or subjecting the electrode to supersonic treatment. - 特許庁
  • 電極の間隔が狭くなると、電極上に低融点金属層を安定して形成することが困難になる。
    To solve the problem that it becomes difficult to stably form a low-fusion-point metal layer on electrodes as the electrodes decrease in interval. - 特許庁
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