「極上の」を含む例文一覧(1356)

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  • 化合物半導体基板上の誘電体膜をプラズマエッチングする際に、電極上の電界分布を均一化させて、そのエッチング深さの面内均一性を向上できるエッチング方法及び装置を提供する。
    To provide a method and equipment for etching, where the uniformity of the etching depth in a surface can be improved by uniforming an electric field distribution over an electrode when plasma-etching a dielectric film on a compound semiconductor substrate. - 特許庁
  • 生体成分測定時の夾雑物の電極表面への吸着による影響を低減のために、高分子ポリマーを金電極上に物理吸着させて使用する。
    In order to reduce the effect of adsorption of impurities on the electrode surface, a high-molecular weight polymer is physically adsorbed on the gold electrode and used when a biological component is measured. - 特許庁
  • 単一画素内、及び画素電極層101の導電体は、互いに平行で、その角度が45°から90°間で画素電極上の光度を保持して、信号ライン103の抵抗値を減少する。
    Conductors in a single pixel and the pixel electrode layer 101 are parallel to each other, and maintain luminous intensity on the pixel electrode between 45° to 90° of the angle, and reduce a resister value of a signal line 103. - 特許庁
  • 出光側の電極が抵抗値の高い透明電極である場合に、その透明電極上に補助電極を容易且つ安定して形成することができる有機EL素子の製造方法を提供する。
    To provide a method of manufacturing an organic EL element, by which even in the case of a light output side electrode composed of a transparent electrode having a high resistance value, an auxiliary electrode can be readily formed on the transparent electrode with stability. - 特許庁
  • 発光特性の低下を抑制しつつ、第一電極上の異物による電界集中や上下電極間の短絡が生じにくい有機EL素子及び有機EL素子の製造方法を提供すること。
    To provide an organic EL device and its production process about which electric field concentration resulting from foreign objects on a first electrode and short circuit between upper and lower electrodes are hard to occur while controlling deterioration of a luminescence characteristic. - 特許庁
  • 電極との電子的な相互作用が強くすることによって効率のよい電子輸送を実現するとともに、電極上の分子ワイヤの数を制御し得る分子ワイヤを提供する。
    To provide a molecular wire that effective electron transportation is realized by enforcing an electronic interaction with an electrode and of which the number of molecular wires on an electrode is controllable. - 特許庁
  • このような光硬化型導電性組成物を前面ガラス基板の透明電極上に塗布し、所定のパターン通りに露光し、現像、焼成することにより、PDPの下層(黒層)電極回路が形成される。
    The composition is applied on the transparent electrode of a front glass substrate, exposed according to a prescribed pattern, developed and fired to form the lower layer (black layer) electrode circuit of PDP. - 特許庁
  • 垂直転送路15及び読み出しゲート14の略直上位置に転送電極が設けられており、この転送電極上を覆い、かつ受光部12の直上位置の一部を開口するように遮光膜が設けられている。
    A transfer electrode is provided nearly right above the vertical transfer path 15 and readout gate 14, and a light shield film is provided covering the transfer electrode and partially having an opening right above the photodetection portions 12. - 特許庁
  • また、生体成分測定時の夾雑物の電極表面への吸着による影響を低減のために、直鎖高分子ポリマーを金電極上に物理吸着させて使用する。
    In addition, a straight-chain polymer is physically adsorbed on the gold electrode to be used in order to reduce an influence by adsorption of a contaminant to the surface of the electrode in measurement of the biogenic substance. - 特許庁
  • 複数のパッドについてバンプ電極を形成し、そのバンプ電極上にワイヤをステッチボンディングする場合に、まず、第1工程として、複数のパッドの1つにバンプ電極を形成する。
    In order to form a bump electrode for a plurality of pads on which a wire is stitch-bonded, firstly a bump electrode is formed on one of a plurality of pads in a first process. - 特許庁
  • この場合、前記下部電極上部面の前記x軸方向の幅はフォトリソグラフィ工程の限界解像度によって決まる幅よりも狭い幅を有するように形成する。
    In this case, the dimension along the x axis of the top surface of the bottom electrodes has less width than that determined by a resolution limit of a photolithography process. - 特許庁
  • 従来の下部電極上の層間絶縁膜によって形成された凹凸の下地上に強誘電体膜を成膜する工程では、安定した強誘電体膜の膜特性を得ることが困難となる。
    To enable a ferroelectric film excellent in film quality to be formed by a method in which a ferroelectric film is formed on a flat substrate which is kept free from roughness caused by a lower electrode. - 特許庁
  • また該組成物を電極上に具備したバイオセンサを用いることにより、従来低濃度であるため測定が不可能であった試料中の物質濃度の測定が可能となる。
    The concentration of the substance in a sample impossible to measure heretofore because of low concentration can be measured using the biosensor constituted by providing the carbon nanotube composition on an electrode. - 特許庁
  • また、半導体材料20の電極上に、金属ワイヤー(12)を使用し、金属ボール24を形成した後、その金属ボール24の上に、金属ワイヤー48を使用し、異種の金属ボール50を積み重ねてバンプを形成した。
    On the electrode of the semiconductor material 20, a metallic wire is used to form the metallic ball 24, and then, on the metallic ball 24, a metallic wire 48 is used to stack the other metallic ball 50 so as to complete the bump. - 特許庁
  • 電力用半導体チップの一主面上にある電極上に、接続用の開口部をもつ絶縁性かつ半田濡れ性のない保護膜を有し、前記開口部を通して外部から線状の配線が、半田によって接続している。
    An insulating protective film without solder wettability including a connection opening portion is provided on an electrode located on one principal surface of an electric power semiconductor chip, and a linear wiring is connected with the aid of a solder through the opening portion. - 特許庁
  • 別途ゲート電極上の絶縁膜を除去するための工程を追加することなしに、ゲート電極と拡散領域のコンタクト部の電気的な耐圧劣化を抑制することを課題とする。
    To suppress electrical breakdown voltage deterioration at the contact part of a gate electrode and a diffusion region, without separately adding processes for removing an insulating film on the gate electrode. - 特許庁
  • リフロー中に、実装基板の電極上の溶融半田が接続部材の外周を這い上がって、パッケージ基板の電極に到達し、表面張力で鼓型形状をとる。
    Molten solder on the electrode of the package board creeps on the outer circumference of the connecting member during reflow, and takes a hand-drum type shape due to surface tension. - 特許庁
  • 従来のペーストの供給方法では困難であった高アスペクト比のペーストを基板の電極上に供給することができるペースト供給装置及びペースト供給方法を提供することを目的とする。
    To provide a paste supplier and a paste supply method, capable of supplying a paste having a high aspect ratio onto an electrode of a substrate, which was difficult with a conventional paste supply method. - 特許庁
  • Al電極層(第1電極および第2電極)上のそれぞれのバンプ電極の形成領域となる絶縁膜の開口部(第1開口部および第2開口部)を、異なる大きさに設ける。
    Openings of an insulating film (first opening and second opening) which become formation regions for a bump electrode on an Al electrode layer (first electrode and second electrode) are formed different sizes. - 特許庁
  • 極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
    To provide a method of cleaning a film formation device that can speedily remove deposits on a member provided in the vicinity of an outer periphery of an electrode as well as deposits on the electrode. - 特許庁
  • 内部部品や金型の寸法を厳しく管理する必要のない、電極上出し構造の電力用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
    To provide an electric power semiconductor device of electrode upward extraction structure, free from severe management of dimensions of an internal component and a die; and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁
  • 極上に超音波探触子の他の部材を加圧接着しても、振動子に割れ等の損傷を抑制する超音波探触子及びその製造方法を提供する。
    To provide an ultrasonic probe and a method for manufacturing the same for suppressing damage, such as split of a vibrator, even when another member of the ultrasonic probe is pressed and adhered onto an electrode. - 特許庁
  • そして、このバンク部112によって囲まれた画素電極上の位置に発光層110bを含む機能層110を配置し、このバンク部112及び機能層110を覆うように対向電極12を設ける。
    Then, a functional layer 110 containing a luminous layer 110b is arranged at the location on the picture element electrode surrounded by the bank section 112, and a counter electrode 12 is provided so as to cover the bank section 112 and the functional layer 110. - 特許庁
  • シリサイド構造を有する半導体装置に関し、電極上のシリサイド層と半導体基板上のシリサイド層との短絡を防止するとともに、シリサイド層の膜厚制御を容易にすること。
    To provide a semiconductor device which includes a silicide structure, in which a short-circuit between a silicide layer on an electrode and a silicide layer on a semiconductor substrate is prevented, and the thickness of the silicide layer is controlled easily. - 特許庁
  • 保護膜30は、光が出射される領域にのみ選択的、且つ自己形成的に作製されるので、保護膜の電極上部への回り込みが防止される。
    Since the protective film 30 is selectively and internally formed only in a region for emitting the light, the film is prevented from extending onto an electrode. - 特許庁
  • MOSFET素子の表面ソース電極上に接続されるストラップ構造の信頼性を向上させるとともに、素子のゲートの素子内部抵抗を低く維持する。
    To improve the reliability of a strap structure connected to a surface source electrode of a MOSFET element and, at the same time, to maintain the device internal resistance of the gate of the element at a low level. - 特許庁
  • トレーリングシールド形成プロセスにおいて、主磁極上のアルミナを平坦化するCMP工程の際、ディッシングによる主磁極端部エッジの欠落及び主磁極膜厚の減少を防止する。
    To prevent dropping-out of an edge of a main magnetic pole end and reduction of the thickness of a main magnetic pole film due to dishing for a CMP process of flattening alumina on a main magnetic pole in a trailing shield forming process. - 特許庁
  • このときエアーの力がハンダボール6にかかっても、ハンダボール6はくぼみに入り込んでいるので位置ズレが起きることなく、電極上の所定位置に精度よく搭載することができる。
    Even if the force of the air is applied to the solder ball 6 at that time, the solder ball 6 will not be displaced, because the solder ball 6 is entrapped into the dig, and its accurate mounting at a prescribed position on the electrode can be made. - 特許庁
  • ゲート電極上のシリサイド膜の断線や一部未形成を防ぎ、ゲート電極の細線抵抗の低減と微細化を同時に実現する。
    To simultaneously realize both a reduction in thin wire resistance of a gate electrode and the scale down of the gate electrode by preventing the occurrence of disconnection or a partially unformed state in a silicide film provided on the gate electrode. - 特許庁
  • 半導体装置の製造において、細線化したゲート電極上のシリサイドにおける凝集の防止および当該シリサイドの薄膜化を両立する。
    To prevent the agglomeration in a silicide on a thinning gate electrode and, at the same time, thin the silicide, in the manufacture of a semiconductor device. - 特許庁
  • トナー担持体の電極上のフレアトナーの均一性を高め、トナー飛散やムラ画像を抑制することが可能な画像形成装置を提供することである。
    To provide an image forming device which can improve the uniformity of the flare toner formed on the electrodes of the toner carrier, and reduce the scattering toner and uneven images. - 特許庁
  • 前記ハロゲン化物イオンが電極表面を被覆して酸素還元による過酸化水素生成を防止して、電極上でのヒ素の酸化溶解のみを生じさせる。
    The electrode surface is coated by halide ions, and thereby generation of hydrogen peroxide by reduction of oxygen is prevented, and only oxidation dissolution of arsenic is generated on the electrode. - 特許庁
  • 絶縁体30上に形成される第2のキャパシタ電極27と共に絶縁体は前記第1のキャパシタ電極上に形成されるのが好ましい。
    It is preferable that an insulator 30 may be formed over the first capacitor electrode together with a second capacitor electrode 27 formed over the insulator. - 特許庁
  • 次いで、各可動電極上に第4の接着剤を塗布し、第4の接着剤上に複数のヒンジプレートを有するヒンジプレートフレームを載置する。
    A fourth adhesive is then applied on respective movable electrodes, and a hinge-plate frame with a plurality of hinge plates is placed and held on the fourth adhesive. - 特許庁
  • 絶縁基板の片面に電極を配置して、かつその電極上に熱電変換素子を積層する構造をしており、製造工程が簡単でかつ薄膜化が可能なの片面電極型熱電変換モジュールを提供することができる。
    To provide a one-side electrode thermoelectric conversion module which has electrodes disposed on one side of an insulating substrate, has thermoelectric transducers stacked on the electrodes, and has a small thickness with a simple manufacturing process. - 特許庁
  • 本発明は、電極上の一定位置を確実に反応部で覆うことができるとともに、製造コストが嵩むことのないバイオセンサの製造方法を提供することを目的とする。
    To provide a method for manufacturing a biosensor by which a fixed position on an electrode is certainly covered by a reaction part and whose manufacturing costs do not increase. - 特許庁
  • 細胞を伝導性透明電極上で培養し、細胞に均質に電気刺激を与え、かつ生きたままの状態での光学的観察が可能でハイスループット化が容易な装置の提供を目的としている。
    To provide apparatus for culturing cells on a transparent conductive electrode and imparts uniform electrical stimulations on the cells and enabling an optical observation on the live cells and easy to achieve a high throughput. - 特許庁
  • このため、アノード電極上の蛍光体において、ゲート電極の開口部以外に対応する部位であっても電子を衝突させることができ、発光ムラを抑えることができる。
    Thereby, electrons can be collided in a phosphor on an anode electrode even at a portion corresponding to a part except for the opening part of the gate electrode to suppress light emission unevenness. - 特許庁
  • 量子効率向上デバイスは、ICCDの前に配置され、光電陰極上に入射する入射光線の入射角の増大を可能にするかまたは容易にするように構成されている。
    The quantum efficiency improvement device is disposed in front of an ICCD, and is configured to increase an incidence angle of incident rays incident onto the photocathode or to facilitate the increase. - 特許庁
  • これにより、パッド電極上に形成したバンプ電極の先端部端面の窪み24を例えば1ミクロンメータのような小さな値にすることが可能になる。
    Thus, the recess 24 on the end face of the top of the bump electrode formed on the pad electrode can be turned to a small value such as 1 micrometer or the like. - 特許庁
  • これらのオーミック電極のいずれか一方の電極上に、水素原子を有する分子から水素原子を解離する金属触媒成分を含有する触媒層を設ける。
    A catalyst layer containing a metal catalyst component which dissociates the hydrogen atoms from the molecules comprising the hydrogen atoms is formed on one electrode among the ohmic electrodes. - 特許庁
  • イオン性液体のカチオンおよびアニオンが電極に吸着し、負極上においてホスファゼン化合物の吸着をブロックして、その分解を抑止する。
    Cation and anion of the ionic liquid adsorbs to an electrode, and an adsorption of the phosphagen compound on the negative electrode is blocked to restrict the decomposition thereof. - 特許庁
  • 画信号制御電極と背面支持体上の画素電極間の距離精度を必要とせずに、背面電極上におけるトナーの偏向量を高精度に制御すること。
    To control the deflection quantity of toner on a back side electrode with high accuracy eliminating the need for the distance accuracy between image signal control electrodes and pixel electrodes on a back side support. - 特許庁
  • これらの電極上及び電極間に金属性のカーボンナノチューブを分散させた液を被着させた後、電極間に交流電圧を印加して、電極間を架橋するようにカーボンナノチューブを配置する。
    After liquid with the distribution of a metallic carbon nanotubes is stuck to a part between the electrodes, an AC voltage is applied on the part between the electrodes, so that the carbon nanotubes are arranged to perform cross-linking between the electrodes. - 特許庁
  • 当該有機化合物層は、マトリクス状に配列した画素電極上に形成するものであり、複数の画素電極に渡って連続して有機化合物層を形成するものである。
    The organic compound layer is formed on pixel electrodes arranged in the form of a matrix, and the organic compound layer is continuously formed across plural picture element electrodes. - 特許庁
  • 一方の電極上に光電変換層、他方の電極および励起子発生移動層が順次積層されてなることを特徴とする光電変換素子により、上記の課題を解決する。
    The photoelectric conversion device has a photoelectric conversion layer, the other electrode, and an exciton generation/migration layer formed sequentially on one electrode. - 特許庁
  • 透明電極14a〜14dの内の特定の電極上に帯電粒子16を集積させることで、レンズ1に入射される光量を調光する。
    By accumulating the particles 16 on the specified electrode out of the electrodes 14a to 14d, the quantity of light made incident on a lens 1 is controlled. - 特許庁
  • 光電極10は透明電極1と、当該透明電極上に配置された第一の半導体層5と当該第一の半導体層上に配置された第二の半導体層6とからなる半導体電極とを有する。
    This optical electrode 10 has a transparent electrode 1 and a semiconductor electrode composed of a first semiconductor layer 5 arranged on the transparent electrode and a second semiconductor layer 6 arranged on the first semiconductor layer. - 特許庁
  • スタッドバンプの形成やワイヤボンディングによる接合を行うにあたって、電極上に金属ボールを固着するための方法において、半導体素子へのストレスを軽減する。
    To reduce stress to a semiconductor device in a method for sticking a metal ball onto an electrode when forming a stud bump or performing junction by wire bonding. - 特許庁
  • センサ電極と、該センサ電極上に形成され、単結晶のナノロッドを含むナノ繊維のネットワーク構造を有する多孔性金属酸化物薄層とを金属酸化物ガスセンサが備えるように構成する。
    This metal oxide gas sensor is provided with a sensor electrode, and a porous metal oxide thin layer formed on the sensor electrode and having network structure of a nano fiber containing the nano rod of a single crystal. - 特許庁
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