「極上の」を含む例文一覧(1356)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 27 28 次へ＞- この金属ナノインク１００の微液滴を電極上に射出して半導体ダイの電極と基板の電極上にバンプを形成し、半導体ダイを反転して基板の上に位置合わせして重ね合わせた後、各電極間のバンプを加圧するとともに加熱し、バンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させる。
Microdroplets of the metal nano-ink 100 are injected on the electrodes to form a bump on the electrode of the semiconductor die and the electrode of the substrates, and after the semiconductor die is turned over, positioned, and placed over the substrate, the bump between the electrodes is pressed and heated to perform pressure sintering on metal nanoparticles of the bump. - 特許庁 - 少なくとも一方のガス流路は、供給部と接続される供給部近傍領域の形態が、他の領域の形態とは異なって形成されることにより、供給部近傍領域において電極上を流れるガスの流速が、供給部近傍領域以外の領域において電極上を流れるガスの流速よりも遅くなるように形成されている燃料電池。
In the fuel cell, at least one gas passage is formed so that a flow speed of a gas flowing over the electrode in a region near the supply unit is lower than those of gases flowing over the electrodes in the regions except the region near the supply unit by forming the shape of the region near the supply unit, connected to the supply unit, so as to be different from those of the other regions. - 特許庁 - 電子部品の電極上に鉛を含有しないはんだ層を介して電子部品を接合するにあたり、前記電極上には無電解ニッケルめっきからなる第１の金属層および前記第1の金属層上に無電解金めっきからなる第２の金属層が形成され、前記第２の金属層の厚さが０．００５μｍ〜０．０４μｍである電子部品の接合方法。
The method for joining electronic components is characterized by forming the first metal layer of electroless plated nickel and the second metal layer of electroless plated gold on the first metal layer, on the electrode, and giving the second metal layer the thickness of 0.005 μm-0.04 μm, when joining an electronic component on the electrode of another electronic component, through the lead-free solder layer. - 特許庁 - 基板上に設けられた第１のパッシベーション膜と、前記第１のパッシベーション膜上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた無機ＥＬ層と、前記無機ＥＬ層上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極上に設けられた第２のパッシベーション膜とを有する。
The television unit has a primary passivation film attached on a substrate, a primary electrode attached on the primary passivation film, an inorganic EL layer attached on the primary electrode, a secondary electrode attached on the inorganic EL layer, and a secondary passivation film attached on the secondary electrode. - 特許庁 - チップサイズパッケージにおいて、表面に第１および第２の電極が形成された半導体チップと、前記表面を封止する封止樹脂と、前記第１の電極上に設けられた、前記第１の電極と電気的に接続された第１の半田ボール６０１，６０３と、前記第２の電極上から離れた位置に設けられた、前記第２の電極と電気的に接続された第２の半田ボール６０２，６０４，６０５とを含む。
The chip size package comprises a semiconductor chip having first and second electrodes formed on the surface, a resin for sealing the surface, first solder balls 601 and 603 provided on the first electrode and connected electrically therewith, and second solder balls 602, 604 and 605 provided at positions apart from the second electrode and connected electrically therewith. - 特許庁 - 基板電極と、基板電極上に離隔配置された半導体チャンネル層と、半導体チャンネル層と対向するように、基板電極上に離隔配置されたフローティングゲート電極と、フローティングゲート電極上の制御ゲート電極と、を備え、フローティングゲート電極の一部分と基板電極との離隔距離は、電荷のトンネリングを許容するように半導体チャンネル層と基板電極との離隔距離より短い不揮発性メモリ素子。
The nonvolatile memory element includes a substrate electrode, a semiconductor channel layer disposed apart from the substrate electrode, a floating gate electrode apart from the substrate electrode opposite the semiconductor channel layer, and a control gate electrode on the floating gate electrode, wherein a distance between a portion of the floating gate electrode and the substrate electrode is made shorter than a distance between the semiconductor channel layer and the substrate electrode to allow charge tunneling. - 特許庁 - 液体を第１及び第２の励振電極上に供給するという簡易な手法で、第１の振動領域には、試料液中の感知対象物を吸着する吸着物質と、物質の吸着を抑えるブロッキング物質とを吸着させ、第２の振動領域の電極上にはブロッキング物質を吸着させることができる感知装置及び感知方法を提供すること。
To provide a sensor capable of adsorbing an adsorbing substance for adsorbing a sensing target substance in a sample solution and a blocking substance for suppressing the adsorption of the adsorbing substance on a first vibration region and capable of adsorbing the blocking substance on the electrode of a second vibration region by a simple technique for supplying a liquid to the surfaces of first and second excitation electrodes, and a sensing method. - 特許庁 - プラズマを発生させる平行平板型の対向電極１のいずれか一方の電極（上部電極２）を他方の電極（下部電極３）に対して平行移動する移動機構７を設け、その移動機構７の水平フレーム７１に電極（上部電極２）を締結手段（例えば固定ボルト等）により着脱自在に固定する。
A moving mechanism 7 moving in parallel either one electrode (an upper electrode 2) of the parallel flat plate facing electrodes 1 generating plasma to the other electrode (a lower electrode 3) is installed, and the electrode (the upper electrode 2) is detachably fixed to a horizontal frame 71 of the moving mechanism 7 with a joining means (for example, a fixing bolt). - 特許庁 - 本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。
The semiconductor nanowire-based photosensor includes a substrate at least the upper part of which is formed of an insulator, two electrodes separated with a prescribed interval kept therebetween and formed on the substrate, a metal catalyst layer disposed on each of the electrodes, and visible-range semiconductor nanowires grown from the metal catalyst layer on each electrode. - 特許庁 - ゲート電極上にコンタクトホールを形成する領域にはレジスト膜、ゲート電極上にコンタクトホールを形成しない領域には第一の窒化シリコン膜からなるゲート電極形成用のマスク用いてゲート電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法により上記の課題を解決する。
A gate electrode is formed by using a resist film for the region where a contact hole is formed on the gate electrode and a mask for a gate electrode formation made of a first silicon nitride for the region where a contact hole is not formed on the gate electrode. - 特許庁 - その際、第１電極上にセットされた試料チップを加熱した状態で第１電極及び該第１電極に対して所定の間隔をおいて相対配置される第２電極間に電圧を印加して第１電極上にセットされた試料チップの試料プローブを（＋）電荷に帯電させると共に両者間の解析用試料を（−）電荷に帯電させて解析用試料を試料プローブに誘電吸着させる。
The sample probe of the sample chip set on the first electrode is electrified to have the positive charge and simultaneously the analytical sample between both electrodes is electrified to have the negative charge, thereby to cause dielectric attraction of the analytical sample to the sample probe. - 特許庁 - 鉛イオンよりも銅イオンと錯形成しやすい錯形成剤を添加するか、またはそのｐＨを強酸性とした水道水について、作用電極としての導電性ダイヤモンド電極と、対電極とを接触させ、作用電極と対電極との間に、作用電極上に鉛の析出が生じる電圧を印加し、作用電極上に鉛を析出させる。
For city water being added with a complex forming agent susceptible to forming a complex with the cupper ion rather than lead ion or having a pH indicating strong acid, a conductive diamond electrode as a working electrode and a counter electrode are contacted with each other and voltage is applied between the working electrode and the counter electrode for depositing lead on the working electrode. - 特許庁 - 透光性絶縁性基板上のゲート電極上及びソース・ドレイン電極上にコンタクトホールを形成するため、絶縁膜をドライエッチング加工する際、反応性ガスとして、弗素原子含有ガスと酸素ガスとを含み、かつ酸素ガスの混合割合（容積比）が、３０％以上７５％以下の範囲にある混合ガスを用いる。
When an insulating film is dry-etched in order to form the contact hole in a gate electrode and a source/drain electrode on a transparent insultaing board, mixed gas containing a fluorine atom-containing gas and an oxygen gas as reactive gases and a mixing ratio (by volume) of the oxygen gas of 30 to 75% is used. - 特許庁 - そして、Ｓ／Ｄ領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値を求め、この数値化した両者の結果を利用して、ポリシリコン膜の良否を判断する。
Then, the auto-correlating value of the surface image of polysilicon film in an S/D region as well as that on a gate electrode are acquired, and both numerical results is utilized to decide the quality of the polysilicon film. - 特許庁 - 電析表示用電解液中の金属イオンを透明電極上に電気化学的に還元・析出させる、あるいは透明電極上の金属を電気化学的に酸化して電解液中に溶解させることにより、表示・非表示が行われる電析型表示装置において、金属イオンの再溶解性が高い電解液を提供する。
To provide electrolytic solution having high re-dissolving capability of metallic ions for an electrodeposition type display device in which display/no-display is conducted by electrochemically reducing/depositing metallic ions in electrodeposition display electrolytic solution onto transparent electrodes or by electrochemically oxidizing the metal on the transparent electrodes and dissolving it into the electrolytic solution. - 特許庁 - 負極上に設ける負極側電解質は、正極上に設ける正極側電解質よりも高い熱伝導率のセラミックス粉を含むか、もしくは正極側電解質および負極側電解質において同じセラミックス粉を用いる場合には、負極側電解質におけるセラミックス粉の含有量を、正極側電解質におけるセラミックス粉の含有量よりも多くする。
When a negative pole side electrolyte provided on a negative pole includes ceramic powder with higher thermal conductivity than that of a positive pole side electrolyte provided on a positive pole or when the ceramic powder is employed in the positive pole side electrolyte and a negative pole side electrolyte, the negative pole side electrolyte contains a larger amount of ceramic powder than the positive pole side electrolyte. - 特許庁 - 基板上に直接又は他の層を介して下部電極を形成し、該下部電極上に成膜層を積層した上に上部電極を形成する自発光素子の製造において、仮に下部電極上等の被成膜面上に異物や凹凸が存在する場合であっても、成膜欠陥部を形成しない。
To provide a manufacturing method and manufacturing device of spontaneous light emitting element forming a lower electrode on a substrate directly or through the other layer, laminating a film layer on the lower electrode, and forming an upper electrode on the film layer, not forming defective part on the film even if foreign obstacle or indentation are substituent on the face of the film formed on the lower electrode. - 特許庁 - そして、第１電極１２及び第２電極１６に画像情報に応じた信号を印加し、第１電極又は第２電極上の少なくとも一部に金属が電着した状態と、第１電極又は第２電極上の少なくとも一部の金属が解離した状態とに変化させることによって表示を行う。
Then, display is carried out by applying signals according to the image information to the 1st electrode 12 and the 2nd electrode 16, and making the cell change into the states in which a metal is deposited at least on a part of the 1st electrode or the 2nd electrode and at least a part of the metal on the 1st electrode or the 2nd electrode is dissociated. - 特許庁 - 本発明の有機電界発光素子の陰極は、陰極下層１３−１及び陰極上層１３−２から成る２層積層構造を有しており、陰極上層１３−２は陰極下層１３−１が表面に露出しないように、その上面及び周縁面を含む全体を被覆するように成膜されている。
The cathode of the organic electroluminescent element has a two-layered structure constituting of a cathode lower layer 13-1 and a cathode upper layer 13-2, and in order that the cathode lower layer 13-1 is not exposed to the surface, the cathode upper layer 13-2 is film-formed so that the whole including its upper face and peripheral face is covered. - 特許庁 - Ｌａ_1-xＭ_xＣｒＯ_3，Ｍ：Ｃａ、又はＳｒの組成からなるインターコネクターを有する固体電解質型燃料電池の製造方法において、多孔質空気極上に緻密質空気極を成膜し、共焼成を行った後、緻密質空気極上にインターコネクターを成膜、焼成することを特徴とする固体電解質型燃料電池の製造方法。
The method of producing the solid electrolyte fuel cell with the interconnector, composed of La1-xMxCrO3, M:Ca or Sr comprises making a film of a fine air pole on a porous air pole, followed by co-firing, and then firing, and then filming the interconnector on the fine air pole, followed by firing. - 特許庁 - 本発明は、基板に印刷された電極上に試薬層が形成されたバイオセンサの製造方法であり、液体試薬を電極上で乾燥させることによって試薬層を形成する場合に、所定の温度及び湿度を有する雰囲気下にて、基板を水平方向に配置し且つ基板に対して一定方向で一定量の空気流を与える。
In the manufacturing method of a biosensor where a reagent layer is formed on an electrode being printed on a substrate S, when a liquid reagent is to be dried on the electrode for forming the reagent layer under atmosphere with a predetermined temperature and moisture, the substrate S is arranged in the horizontal direction, and at the same time a fixed amount of air flow is given to the substrate S in the fixed direction. - 特許庁 - そして、画素電極の膜厚は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であって、画素電極上の表面と画素電極間の隙間の表面までの距離Ｔが画素電極の画素間の隙間の間隔Ｓより小さい。
The film thickness of the pixel electrodes is not less than 50 nm but not more than 200 nm, and the distance T between the surface of the pixel electrodes and the surface of the gap between the pixel electrodes is smaller than the width S of the gap between pixels of the pixel electrodes. - 特許庁 - そして、Ｓ／Ｄ領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値との差分を求め、この差分値に基づき製造マージンを算出する。
Then the difference between the autocorrelation value of the surface image of the polysilicon film on an SAD region and that of the surface image of the polysilicon film on a gate electrode is found and the manufacturing margin of the polysilicon film is calculated based on the difference. - 特許庁 - 第１の底部電極と前記第２の底部電極上にコア圧電層（１４）を作り、前記コア圧電層は第１の底部電極の上に第１の部分（２４）と前記第２の底部電極の上に第２の部分（３４）とを備える。
A core piezoelectric layer (14) is fabricated on the first and second bottom electrodes, and the core piezoelectric layer is provided with a first part (24) on the first bottom electrode and a second part (34) on the second bottom electrode. - 特許庁 - 一対の主電極を保護膜で覆ったＰＤＰに関し、アドレス時のイオン衝撃による一方の主電極上のみの保護膜の劣化を防止し、これによりパネルの長寿命化を図る。
To lengthen the life of a panel by preventing the deterioration of a protective film only on one side main electrode due to an ion impact at an address time related to a PDP covering a pair of main electrodes with the protective film. - 特許庁 - 有機発光装置は、第１電極と、前記第１電極上に位置し、同一または互いに異なる色を表示する少なくとも二つの発光ユニットを含む発光部材と、前記発光部材上に位置する第２電極と、前記第２電極上に位置し、少なくとも一つの色を表示する発光体を含む封止用充填層と、を含む。
The organic luminescent device includes: a first electrode, a light emitting member located on the first electrode and including at least two light emitting units displaying the same colors or colors different from each other, a second electrode located on the light emitting member, and a sealing filler layer located on the second electrode and including a light emitter displaying at least one color. - 特許庁 - 本発明の有機トランジスタ１０によれば、ソース電極上面１８ａおよびドレイン電極上面２０ａが、有機単分子膜２４で被覆されているので、有機単分子膜２４で被覆されてない場合に比較して、ソース電極１８上およびドレイン電極２０上においても、結晶粒２２ａが大きく成長する。
In the organic transistor 10 of this invention, the upper surface 18a of a source electrode and the upper surface 20a of a drain electrode are covered by an organic monomolecular film 24, so that crystal grain 22a grows largely on the source electrode 18 and the drain electrode 20 unlike a case where they are not covered by the monomolecular film 24. - 特許庁 - ガラス基板に作成したマイクロアレイ電極上に、他のガラス基板に一本の溝を彫ることによって形成した溶液通路を重ね合わせ、該マイクロアレイ電極に高周波電圧を印加し、溶液通路入口から分配剤微粒子溶液を導入すると、微粒子は電極パターンに従って電極上に配列・固定される。
A solution passage formed by engraving one groove in a glass substrate is made to overlap on a microarray electrode prepared on another glass substrate, a high-frequency voltage is impressed on the microarray electrode, then a distribution agent fine particle solution is introduced from a solution passage inlet, and the fine particles are thereby arrayed on the electrode according to an electrode pattern to be immobilized. - 特許庁 - 有機発光素子は基板上に金属酸化物を含む第１電極と、第１電極上にランタン系列とアクチニウム系列の元素からなるグループから選ばれた一つ以上の金属を添加して合金化した銀を含む第２電極と、第２電極上に金属酸化物を含む第３電極を備える画素電極を含む。
The organic light emission element has a first electrode containing a metal oxide formed on the substrate, a second electrode containing a silver alloyed by adding at least a metal selected from a group consisting of elements of lanthanide and actinide series formed on the first electrode, and the pixel electrode provided with a third electrode containing a metal oxide formed on the second electrode. - 特許庁 - 本発明は、下部電極と、前記下部電極の一部を覆うように前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極と、前記上部電極上に形成されたハードマスクパターンと、前記ハードマスクパターン、前記上部電極、及び前記誘電体膜の側壁にスペーサ状に形成された分離膜と、を備えるキャパシタを提供する。
The capacitor includes the lower electrode, a dielectric film formed on the lower electrode to cover a part of the lower electrode, the upper electrode formed on the dielectric film, a hard mask pattern formed on the upper electrode, a separating film which is formed on the sidewalls of the hard mask pattern, upper electrode, and dielectric film like a spacer. - 特許庁 - 陽極と前記陽極上に位置した正孔輸送層とを備えた有機ＥＬ装置の前記正孔輸送層が形成されるように前記陽極上に配置される液状体が、γブチロラクトンと、炭酸エチレンと、αヒドロキシγブチロラクトンと、γバレロラクトンと、εカプロラクトンと、からなる群から選択された少なくとも一つの物質と、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、を含有している。
The liquid body arranged on an anode so that a hole transport layer of the organic EL device equipped with the anode and the hole transport layer positioned at the anode is formed contains at least one substance selected from a group composed of γ-butyrolactone, ethylene carbonate, α-hydroxy-γ-butyrolactone, γ-valerolactone, ε-caprolactone, and contains PEDOT/PSS. - 特許庁 - 容量素子Ｃの一方の電極（下部電極１６）は、メモリセルを構成するフリップフロップ回路の一方の蓄積ノードに接続され、他方の電極（上部電極１９）は他方の蓄積ノードに接続される。
One electrodes (lower electrodes 16) of the elements C are connected to one storage nodes of flip-flop circuits which constitute the memory cell, and the other electrodes (upper electrodes 19) are connected to the other storage nodes of the flip flop circuits. - 特許庁 - 半導体チップの電極への配線にリードフレームを採用し、電極上にはんだ接合のための金属膜を形成し、リードフレームの表面にはんだ接合のためのメッキ層を形成する。
A lead frame is adopted for wiring to the electrode of a semiconductor chip, a metal film for solder joint is formed on the electrode, and a plating layer for solder joint is formed on the surface of the lead frame. - 特許庁 - 本発明の課題は、ゲート電極となる導電膜のエッチバックの際に生じる、半導体基板表面とゲート電極上面との間の段差の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供することである。
To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which level difference can be prevented between the surface of a semiconductor substrate and the upper face of a gate electrode during etch-back of a conductive film as a gate electrode. - 特許庁 - 第一と第二の入力をそなえた第一の比較器Ｕ１を一方の電極４６に電気的に結合し、絶縁素子Ｄ１を第一と第二の入力間に結合して第一入力を一方の電極上のバイアスから絶縁する。
First input is insulated from the bias on one electrode 46 by electrically coupling a first comparator U1 provided with first and second inputs with the electrode 46, and coupling an insulating element D1 between the first and second inputs. - 特許庁 - 第１の透明電極に対向するように第２の基板に第２の透明電極が形成され、この第２の透明電極上に第２の配向膜が形成されている。
A second transparent electrode is formed on a second substrate so as to be opposite to the first transparent electrode, and a second alignment layer is formed on the second transparent electrode. - 特許庁 - 表示パネル１０の電極上の電子部品と押圧ツール４４の間に介装されるテープ９の幅は押圧ツール４４の幅の２倍以上とする。
The width of the tape 9 provided between an electronic component on an electrode of a display panel 100 and the pressing tool 44 should be two times or more the width of the pressing tool 44. - 特許庁 - 積層構造のゲート電極をもつ薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極上の絶縁層のステップカバレージの低下を防止し、かつ、前記第１金属層のヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）の生成を防止する。
To prevent deterioration of insulating layer step coverage on a gate electrode, while preventing generation of a hillock on a first metal layer, in a thin-film transistor with a multilayer structure gate electrode. - 特許庁 - ヒューズ素子の下層と容量素子の下部電極、中層と第１の上部電極、上層と第２の上部電極が、それぞれ同一の材料で形成され、かつ同一の厚さを有する。
The lower layer of the fuse element, the lower layer of the capacitance element, the intermediate layer and the first upper electrode, and upper layer and the second upper electrode, are formed respectively with the same material in the same thickness. - 特許庁 - ＩＣチップ等の半導体装置の所望の電極上のみに、ニッケルめっき膜を高い良品率で形成できる半導体装置の電極の製造方法を提供する。
To provide a method for manufacturing an electrode of a semiconductor device, which can form a nickel-plated film only on a desired electrode of the semiconductor device such as IC chips, in a high non-defective ratio. - 特許庁 - そして、Ｓ／Ｄ領域上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値と、ゲート電極上のポリシリコン膜の表面画像の自己相関値を求め、両者が満足するレーザパワーを算出し、これを製造マージンとする。
Then, the auto-correlation value of the surface image of polysilicon film in an S/D region as well as that on a gate electrode are acquired for calculating the laser power which satisfies both, and this is set as the manufacture margin. - 特許庁 - 本発明による有機発光表示装置及びその製造方法は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、前記第２薄膜上に形成されている第１電極、前記第１電極上に形成されている発光部材、及び前記第１電極上に形成されている第２電極を含む。
The organic luminescent display device includes a substrate; a first thin film formed on the substrate, while having ruggedness portions on the surface thereof; a second thin film formed on the first thin film, while planarizing the ruggedness portions; a first electrode formed on the second thin film, a luminescent member formed on the first electrode; and a second electrode formed on the first electrode. - 特許庁 - 微細炭素繊維を分散した電解液を電解して、カソード電極上に、微細炭素繊維が混入した金属粒子を析出させる工程と、析出した金属粒子をカソード電極上から分離する工程とを含む金属粒子の製造方法において、電解液に、振動または衝撃を与えることを特徴とする。
The method for producing the fine metal particles comprises a step of electrolyzing an electrolyte solution in which fine carbon fibers are dispersed to deposit metal particles mixed with the fine carbon fibers on a cathode and a step of separating the deposited metal particles from the cathode, wherein vibrations or impacts are applied to the electrolyte solution. - 特許庁 - 本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成した後にプラズマ処理をし、前記絶縁膜及び前記露出された陽極上に有機化合物を含む膜を形成し、前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする。
In this method, a positive electrode is formed, an insulation film is formed on the positive electrode, a plasma process is performed after forming an opening so as to expose a part of the positive electrode by etching the insulation film, a film containing an organic compound is formed on the insulation film and the exposed positive electrode, and a negative electrode is formed on the film containing the organic compound. - 特許庁 - 本発明に係る有機電界発光素子は、基板と、前記基板上に形成され、前記基板側に反射膜を含む第１電極と、前記第１電極上に形成され、少なくとも有機発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に形成される第２電極と、前記第２電極上に形成され、１．７以上の屈折率を有する有機キャッピング層と、を備える。
The organic electroluminescent element comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate and having a reflecting film on the substrate side, an organic film layer formed on the first electrode and having at least an organic luminescent layer, a second electrode formed on the organic film layer, and an organic capping layer formed on the second electrode and having a refractive index of 1.7 or more. - 特許庁 - 本発明は有機発光表示装置に関し、本発明の実施形態による有機発光表示装置は基板部材と、前記基板部材上に形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層上に形成された共通電極、及び前記共通電極上に形成されて結晶化された光散乱層を含む。
The organic light-emitting display device includes a substrate member, a pixel electrode formed on the substrate member, an organic light-emitting layer formed on the pixel electrode, a common electrode formed on the organic light-emitting layer, and a light scattering layer crystallized by forming on the common electrode. - 特許庁 - このシリサイド層の形成方法により、半導体素子の例えばＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン拡散層あるいはゲート電極上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成し上記課題を解決する。
With the forming method of the silicide layer, the nickel monosilicide layer containing iridium is formed on a source/drain diffusion layer or a gate electrode of a MISFET for example of a semiconductor apparatus. - 特許庁 - 本発明のＥＬ装置の製造方法は、基板底部電極の形成、および、基板底部電極上へのシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層（ＳｉＯｘ膜層：ｘは０より大きく２未満）の多層形成を含む。
The manufacturing method of the EL device includes formation of a substrate bottom electrode, and formation of a plurality of silicon nanocrystal embedded silicon oxide layers (SiOx film layer: x is larger than 0 and less than 2) on the substrate bottom electrode. - 特許庁 - これらの手段によって、放出電子によって陽極上に形成されるフォーカルスポットの寸法に対する電子エミッタの寸法の比を好ましいものとする。
A dimensional ratio of the electron emitter in relation to the dimension of a focal spot formed on the positive electrode by the emitted electron is set at a desirable value by these means. - 特許庁 - これによって、溶融層の融点近傍で低荷重のもとで剥離を進行させ、電極上への接着剤成分の残存や電極配線の破損を招くことなく、容易に分解処理を行うことが可能になる。
Consequently, peeling proceeds under low load in the vicinity of the melting point of a melting layer, and disassembly processing can be readily performed without leaving an adhesive component residue on the electrode or causing damage to electrode wiring. - 特許庁
- 特許庁
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