「CMP process」を含む例文一覧(357)
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ＣＭＰプロセス - 特許庁 - POLISHING SOLUTION FOR CMP PROCESS
ＣＭＰプロセス用研磨液 - 特許庁 - POLISHING LIQUID FOR CMP PROCESS
ＣＭＰプロセス用研磨液 - 特許庁 - ABRASIVE COMPOSITION FOR CMP PROCESS
ＣＭＰプロセス用研磨組成物 - 特許庁 - POLISHING COMPOSITION FOR CMP PROCESS
ＣＭＰプロセス用研磨組成物 - 特許庁 - HIGH THROUGHPUT LOW TOPOGRAPHY COPPER CMP PROCESS
高スループット低形状銅ＣＭＰ処理 - 特許庁 - SLURRY SUPPLY SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR CMP PROCESS
半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システム - 特許庁 - CMP PAD CONDITIONER IN SEMICONDUCTOR PLANARIZATION CMP PROCESS
半導体平坦化ＣＭＰプロセス（化学機械的研磨）におけるＣＭＰパッドコンディショナー。 - 特許庁 - ADJUSTING PROCESS FOR POLISHING CLOTH, CMP DEVICE, CMP POLISHING PROCESS, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR DEVICE
研磨クロスの調整方法、ＣＭＰ装置、ＣＭＰ研磨方法、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁 - CMP PAD CONDITIONER IN SEMICONDUCTOR PLANARIZATION CMP PROCESS (CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING)
半導体平坦化ＣＭＰプロセス（化学機械的研磨）におけるＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁 - THIN GROOVE PROCESSING MACHINE OF PAD FOR SEMI-CONDUCTOR CMP PROCESS AND MANUFACTURING METHOD OF PAD FOR SEMI-CONDUCTOR CMP PROCESS
半導体ＣＭＰ加工用パッドの細溝加工機械及び半導体ＣＭＰ加工用パッドの製造方法 - 特許庁 - The CMP process is performed using low selectivity slurry having the same polishing rate as all materials.
CMP工程は全ての物質に対する研磨率が同一の低選択比スラリを用いて実施する。 - 特許庁 - CMP PROCESS SIMULATING METHOD, PROGRAM THEREOF AND STORAGE MEDIA
ＣＭＰ工程のシミュレーション方法、プログラムおよび記録媒体 - 特許庁 - To obtain a low erosion, low scratch CMP process.
低エロージョンおよび低スクラッチのＣＭＰプロセスを実現すること。 - 特許庁 - By means of the CMP process, the seams formed on the top of the contact material by bowing are removed.
その際、CMP工程によってコンタクト物質の上部にボーイングにより発生したシームが除去される。 - 特許庁 - To prevent unevenness of polished amount of CMP in device-element isolation process.
素子分離工程におけるＣＭＰ研磨量むらを抑制する。 - 特許庁 - To make a polishing pad for CMP containing defective parts generated in manufacturing process applicable for CMP processing to lower CMP processing cost.
製造過程に於いて生じた欠陥部位を含むＣＭＰ用研磨パッドの、ＣＭＰ処理への適用を可能として、ＣＭＰ処理の低コスト化を図る。 - 特許庁 - In this film forming system 1, after a copper film is formed on a wafer W in a copper forming process chamber 20, a CMP process is applied to the wafer W in a CMP process chamber 30.
成膜装置１では、銅形成処理室２０にてウェハＷ上に銅膜を形成した後、ＣＭＰ処理室３０にてＣＭＰ処理がウェハＷに施される。 - 特許庁 - To improve processing rates in wrapping and CMP of hard-to-process materials such as aluminum oxide (sapphire) and silicon carbide, namely SiC.
アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。 - 特許庁 - A dressing process or brushing process is executed by use of a dresser 12 so that the polishing cloth used for the CMP process can again be CMP-processed, and the hydrophile processing can also be executed in the above process.
ＣＭＰ処理に使用した研磨布を再びＣＭＰ処理できるようにドレッサー１２を用いてドレッシング処理又はブラッシング処理を行い、この処理中に親水性処理を行うこともできる。 - 特許庁 - CMP PROCESS PRESSURE DISTRIBUTION MEASURING APPARATUS, PRESSURE-MEASURING SHEET AND ITS METHOD OF MANUFACTURE, CMP PROCESS PRESSURE DISTRIBUTION MEASURING METHOD, ND TEMPERATURE DISTRIBUTION MEASURING METHOD
ＣＭＰ加工圧力分布測定装置、圧力測定シート及びその製造方法、ＣＭＰ加工圧力分布測定方法、並びに温度分布測定方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for avoiding a heading process to expose a dummy gate electrode by CMP and a forming process of a metal gate electrode by CMP.
ＣＭＰによるダミーゲート電極の頭出し工程およびＣＭＰによるメタルゲート電極の形成工程を回避できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a process solution for removing processing residuals from a semiconductor substrate following CMP processing, and a method of using the process solution.
CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a lapping plate, reducing the load of CMP and shortening the machining time of CMP, in a lapping plate in the pre-process of CMP.
ＣＭＰの前工程におけるラッピング定盤において、ＣＭＰの負担を軽減し、ＣＭＰの加工時間を短縮することができるラッピング定盤を提供する。 - 特許庁 - A polishing process is polishing the single cell generated in the scribing/breaking process by a CMP method or the like.
研磨工程では、スクライブ・ブレイク工程において生成された単セルをＣＭＰ法等により研磨する。 - 特許庁 - To provide a polishing composition for a CMP process which is superior in step-difference reducing performance.
段差緩和性能に優れたＣＭＰプロセス用研磨組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a low dielectric constant interlayer insulating film, suppressing peeling during an assembly process and a CMP process, and to provide a semiconductor device using the low dielectric constant interlayer insulating film.
組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress the generations of the global steps caused by unbalance in the residue-film thicknesses after a CMP process, when making semiconductor elements by performing an STI-CMP process.
ＳＴＩ−ＣＭＰ工程を行って半導体素子を製造するに当たり、ＣＭＰ工程後の残膜厚の不均衡によるグローバル段差の発生を抑制する。 - 特許庁 - To uniformly polish an entire wafer in a CMP process before forming transistors.
トランジスタを形成する前のＣＭＰプロセスによりウエハ全体を一様に研磨する。 - 特許庁 - Also disclosed is a method for reducing the number of defects on a plurality of post-CMP processed substrates employing the process solution of the present invention.
さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 - 特許庁 - Further, a method of reducing the number of defects on a substrate after a plurality of CMP treatments using the process solution is disclosed.
さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 - 特許庁 - Further, a method of reducing the number of certain defects on a substrate after a plurality of CMP treatments using the process solution of the invention is disclosed.
さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 - 特許庁 - The polishing is performed using a washed polishing pad by adding a polishing pad cleaning process in the CMP process.
ＣＭＰプロセス時に、研磨パッド洗浄プロセスを追加し、洗浄された研磨パッドを用いて研磨を実施する。 - 特許庁 - To provide a polishing head for a CMP apparatus for manufacturing semiconductor elements enabling the measurement of a step height difference between a wafer and a retainer ring in a CMP process, and the CMP apparatus including the same.
ＣＭＰ過程にリテーナリングとウェーハ間の段差を測定できるようにする半導体素子製造用ＣＭＰ装置の研磨ヘッド及びこれを備えたＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing composition for metal CMP excellent in non-selectivity and flatness in the second stage polishing of CMP, especially the CMP in copper-based wiring formation by a damascene process.
ＣＭＰ、特にダマシン法による銅系配線形成におけるＣＭＰの第２段研磨において、非選択性、平坦性に優れた金属ＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device provided with a CMP treatment process for performing CMP treatment on the insulating inter-layer film 8 is provided with a process for forming an erosion induction part N producing erosion during a CMP treatment process on an area corresponding to a projection face M out of the irregular face formed on the insulating inter-layer film 8 before the CMP treatment process.
絶縁層間膜８にＣＭＰ処理を行うＣＭＰ処理工程を備える半導体装置の製造方法であって、ＣＭＰ処理工程の前に絶縁層間膜８上に形成される凹凸面のうちの凸面Ｍに対応する領域に、ＣＭＰ処理工程時にエロージョンを発生させるエロージョン誘引部Ｎを形成する工程を備える。 - 特許庁 - The CMP process controls the spatial variation of the local concentration of a polishing slurry grains 118.
ＣＭＰ処理は研磨用スラリー粒子の局部濃度の空間的変動を制御する。 - 特許庁 - The sacrifice layer functions as a stop layer in the following CMP metal removal process.
この犠牲層は後続のＣＭＰ金属除去プロセスにおいて停止層として機能する。 - 特許庁 - To provide a slurry supply system for semiconductor CMP process in which secondary particles of slurry are supplied to a CMP equipment while being dispersed into unit particles.
スラリの二次粒子を単位粒子に分散してＣＭＰ装備に供給する半導体ＣＭＰ工程のスラリ供給システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing method of an SiC single crystal substrate by which the presence of an affected layer can be grasped in a CMP (chemical mechanical polishing) process and the continuation and finish of the CMP process can be easily determined.
ＣＭＰ工程中に加工変質層の有無を把握でき、ＣＭＰ工程の継続か終了を容易に判断できるＳｉＣ単結晶基板の研磨方法を提供する - 特許庁 - To detect a final point highly accurately and to improve flatness of CMP process by carrying out highly accurate film thickness measurement by specifying a measurement position in-situ measurement during CMP process.
ＣＭＰ加工する際、in-situで計測位置を特定して高精度に膜厚計測を行ない、高精度な終点検出を行うとともに、ＣＭＰ加工の平坦性の向上を図ること。 - 特許庁 - To provide a device for an endpoint detecting method based on ammonia gas in a proceeding CMP cycle using acid CMP slurry and for a CMP process producing no ammnonia gas, in order to detect the endpoint of chemical mechanical polishing (CMP).
化学機械研磨（ＣＭＰ）の終点検知を行うために、酸性のＣＭＰスラリを使用する進行中のＣＭＰサイクルにおいてアンモニアガスに基づいた終点検出方法、およびアンモニアガスを生成しないＣＭＰプロセスの為の装置を提供する。 - 特許庁 - Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened.
その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。 - 特許庁 - The CMP process is carried out by using the nitride CMP slurry whose solid content of slurry is adjusted and pH of slurry is varied.
スラリーの固形分含量を調節すると共にスラリーのｐＨを変化させたナイトライド用ＣＭＰスラリーを用いることによって、ＣＭＰ工程を行う。 - 特許庁 - Further, since the margin of the CMP process is large in a manufacturing step, manufacturing can be easy.
さらに、製造工程において、ＣＭＰプロセスのマージンが大きくなるので、製造が容易となる。 - 特許庁 - To suppress the errosion or dishing in the case of forming a wiring or a plug by CMP process.
ＣＭＰ法により配線またはプラグを形成する際のエロージョンまたはディッシングを抑制する。 - 特許庁 - Therefore, the second interlayer film becomes constant in thickness after a CMP process, and a residual film gets uniform in thickness.
従ってＣＭＰ後の膜厚のばらつき（場所依存）が無くなり、残膜厚が均一になる。 - 特許庁 - SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SLURRY
化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程用スラリー及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a dummy process suitable for chemo-mechanical polishing (CMP) and a polishing pad conditioning method.
化学機械研磨（ＣＭＰ）に適したダミープロセス及び研磨パッドコンディショニング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR SECOND PROCESS POLISHING IN COPPER CMP USING POLISHING FLUID NOT CONTAINING OXIDANT
酸化剤を含有しない研磨流体を用いる銅ＣＭＰにおける第二工程研磨の方法 - 特許庁
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