「CMP process」を含む例文一覧(357)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 次へ＞- To provide an abrasive recovering device to efficiently recover abrasive particles for re-utilization from polishing process drain containing abrasive discharged from a CMP process used in a semiconductor manufacturing factory.
半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an abrasive recovery device for recycling by efficiently recovering abrasive grains from polishing process drain containing abrasives drained from a CMP process used in a semiconductor manufacturing plant or the like.
半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁 - Alternatively, when there is a marking M at the outer circumference of the wafer 6 and exposure shot over the entire surface cannot be made, the HDP4, which is formed thick at the upper part of marking M, is deleted with the etching process as the other process, before the CMP processing.
または、ウェーハ６外周部にマーキングＭがあり、全面に露光ショットできない場合は、マーキングＭ上方に厚く形成されるＨＤＰ４をＣＭＰ処理前の別工程のエッチングで除去を行ってＨＤＰ４を削除する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing slurry foreign matters to be generated in CMP treatment from remaining in a semiconductor wafer, and for preventing dusts from being generated in a post-process.
ＣＭＰ処理の際に発生するスラリー異物が半導体ウエハに残留することなく、また、後工程において発塵することが無い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a landing plug contact forming method of a semiconductor element capable of preventing a step between a poly-silicon film and a gate hard mask nitride film in a CMP process for forming a landing plug contact.
ランディングプラグコンタクト形成のためのＣＭＰ工程時、ポリシリコン膜とゲートハードマスク窒化膜との間の段差を防止できる半導体素子のランディングプラグコンタクト形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for electric power capable of suppressing the variation in the thickness of an insulating film in a cell region in a planarization process by CMP, and to provide a method of manufacturing the same.
ＣＭＰによる平坦化処理においてセル領域の絶縁膜厚ばらつきを抑制することが可能な、電力用半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide a polishing method capable of suppressing dishing with a low quantity of a polishing liquid in a chemical mechanical polishing (CMP) of a film to be processed in a process of manufacturing a semiconductor device.
半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低い研磨液の使用量で、ディッシングを抑制しうる研磨方法を提供すること。 - 特許庁 - Then the 1st metal film 7 formed on the 1st insulating film 4 is polished away by the CMP process, to form an interlayer connection plug 7a only in the opening part 6.
その後、ＣＭＰ処理により第１の絶縁膜４上に形成されている第１の金属膜７を研磨除去して、開口部６内のみに層間接続プラグ７ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a polishing pad in which a slurry holding function is high- accurately controlled, the variation of polishing performance is reduced and a service life is prolonged in the field of polishing, in particular, in a CMP process.
研磨分野、その中でも特にＣＭＰプロセスにおいて、高精度にスラリー保持機能が制御され、研磨性能ばらつきの小さい、かつライフの長い研磨パッドを提供する。 - 特許庁 - When the single crystal silicon carbide is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal 1, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process is used as the seed crystal 1.
種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。 - 特許庁 - In the method, a hard mask film HM2 is formed on a hard mask film HM1, and while an organic resin film ORF is formed on the hard mask film HM2, a resist CMP process is executed.
ハードマスク膜ＨＭ１上にハードマスク膜ＨＭ２が形成され、このハードマスク膜ＨＭ２上に有機樹脂膜ＯＲＦが形成された状態で、レジストＣＭＰを実施する。 - 特許庁 - A protective layer 52 such as a silicon nitride layer, a silicon oxynitride layer, or the like is separately formed on an MTJ laminate structure 20 before the formation of a silicon oxide layer 53 prior to a CMP process.
ＣＭＰプロセスに先立つシリコン酸化物層５３の形成前に、ＭＴＪ積層構造２０の上に、シリコン窒化物層またはシリコン酸化窒化物層等の保護層５２を別途形成する。 - 特許庁 - A film of a metal raw material is formed, the dips are filled with the metal raw material, planarization is effected using CMP process, and an interlayer film (14) is formed thereon to form noise shield wiring (22).
メタル素材を成膜して凹部にメタル素材を埋め込み、ＣＭＰ法を用いて平坦化し、その上に層間膜（１４）を成膜することで、ノイズシールド配線（２２）が形成される。 - 特許庁 - Next, an upper potion of the polysilicon film 5 that is to be gate electrodes 6, 7 is exposed, and for areas that are to be source and drain portions, the insulating film is left using CMP or an etchback process (ST16).
次に、ＣＭＰもしくはエッチバック法を用いて、ゲート電極６、７となるポリシリコン膜５の上部を露出させ、ソース及びドレイン部分となる領域は絶縁膜を残す（ＳＴ１６）。 - 特許庁 - Next, a conductive material such as Cu is vapor-deposited on the dual damascene structure, and by flattening this by using a CMP process, a via contact of single damascene structure without a recess is formed.
次に、ここにＣｕなどの導電物質を蒸着し、それをＣＭＰ工程を利用して平坦化することによって、リセスのないシングルダマシン構造のビアコンタクトを形成する。 - 特許庁 - To solve the problems that a magnetic domain control layer is chipped off due to a lift off process utilizing a CMP in creating a CPP-GMR (giant magnetorsistance effect) head thereby a reproducing head is hardly created at high stability.
ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドを作成する際に、ＣＭＰを利用したリフトオフプロセスを用いると磁区制御層が削れてしまい、安定性の高い再生ヘッドを作成し難い。 - 特許庁 - To provide a polishing pad conditioner for CMP, which is used in a polishing process of a substrate of a semiconductor device, such as a silicon wafer and which has a long service life and has no coming-off of super-abrasive grains.
シリコンウエハーなどの半導体デバイス基板の研磨工程に用いるＣＭＰ用の研磨パッドのパッドコンディショナーにおいて、寿命が長く、超砥粒の脱落がないものを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device which improves productivity, compared with in the prior art, without needing a substrate polishing process by the CMP method.
ＣＭＰ法による基板の研磨工程を必要とせず、従来に比べて生産性の向上を図ることのできる半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを提供する。 - 特許庁 - To provide a process for producing a semiconductor device in which the surface of a buried wiring layer formed by CMP processing can be cleaned by removing copper complex effectively from the surface.
ＣＭＰ処理により形成された埋込み配線層表面の銅錯体を効果的に除去してその表面を清浄化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for polishing which polishes preferentially a copper film in the CMP working process of a semiconductor device including the copper film and a barrier metal film, and to manufacture the semiconductor device efficiently.
銅膜、バリアメタル膜を含む半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて銅膜を優先的に研磨可能な研磨用組成物が得られ、半導体デバイスを効率的に製造すること。 - 特許庁 - To provide a water-based slurry composition having excellent planarization performance that can be used for chemical mechanical planarization (CMP) for a layer formed in a manufacturing process of a semiconductor device.
半導体素子の製造工程中に形成される層の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）に使用され得る、優れた平坦化性能を有する水性スラリー組成物の提供。 - 特許庁 - To provide a rotary type polishing device including a polishing table which is rotated, in which a polishing pad can be replaced automatically without interrupting the CMP process.
研磨テーブルを回転させるようにした、いわゆるロータリ型ポリッシング装置であって、ＣＭＰプロセスを停止することなく、研磨パッドを自動交換できるようにしたポリッシング装置を提供する。 - 特許庁 - The method comprises a process for performing heating treatment for a semiconductor device with a layer insulation film containing impurities, a process for executing a treatment for making impurity concentration distribution of an upper layer part of the layer insulation film 2 uniform after the heating treatment process and a process for polishing a layer insulation film by CMP after the uniformization treatment of impurity concentration distribution.
不純物を含む層間絶縁膜を有する半導体装置を加熱処理する工程と、その加熱処理工程の後、層間絶縁膜２の上層部の不純物濃度分布を均一にするための処理を行う工程と、不純物濃度分布の均一化処理の後に、層間絶縁膜をＣＭＰにより研磨する工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes.
多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a CMP process metal impurity remover which is excellent in performance for removing metal impurities attached to the surface of a semiconductor substrate subjected to a CMP treatment without having any adverse effect on the semiconductor substrate in the manufacture of semiconductor elements, such as ICs, LSIs and the like, and liquid crystal panel elements.
本発明の目的は、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造における、ＣＭＰ処理後の半導体基板表面の金属不純物除去性能に優れ、半導体基板へ悪影響を与える恐れが少ないＣＭＰ工程用金属不純物除去剤を提供することにある。 - 特許庁 - In accordance with unevenness status on the surface of the insulating film before polish in the CMP planarizing process, style of CMP equipment is selected from the polishing plate rotation type and the belt rotation type, so that both insurance of uniformity in the surface of the insulating film and improvement in global planarity are realized, and effect excellent in polish processing accuracy is obtained.
ＣＭＰ平坦化工程における研磨前の絶縁膜表面の凹凸状態に対応し、ＣＭＰ装置の方式を定盤回転式とベルト回転式から選択することで、絶縁膜の面内均一性の確保とグローバル平坦性の向上を両立し、研磨加工精度に優れた効果を有する。 - 特許庁 - To certainly prevent dropping off of abrasive grains and to align a projected height of the abrasive grains by more strongly gripping the abrasive grains such as diamond by more uniform force, thereby to inhibit dispersion of CMP process performance in the case where they are used, for example, as a dresser additionally provided on the CMP device.
ダイヤモンド等の砥粒をより均一な力でより強固にグリップして砥粒の脱落を確実に防止するとともに、砥粒の突出高さを揃え、これによって、例えばＣＭＰ装置に付設したドレッサとして使用した場合に、ＣＭＰプロセス性能のばらつきを抑えることができるようにする。 - 特許庁 - To provide: a cleaning solution for CMP to easily remove the pad coloring matter caused by an additive of the CMP cleaning solution forming a complex with polishing particles and polishing wastes of a polished film to accumulate in the polishing pad; a washing method using the cleaning solution; and a product produced including a process using the cleaning solution.
ＣＭＰ洗浄液の添加剤が、研磨粒子及び被研磨膜の研磨屑と複合体を形成し、それが研磨パッドに蓄積することにより生じるパッド着色物を簡単に除去するＣＭＰ用洗浄液、これを使用する洗浄方法及びこれを使用する工程を含んで作製した製品を提供すること。 - 特許庁 - To provide a composition for polishing for CMP machining that has superior selectivity where the polishing rate of a tantalum compound is small, even though that of copper is large in the CMP machining process of a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound, and also has smoothness in the surface of the copper film.
銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁 - By utilizing a residue-film-thickness distribution (a pattern-ratio distribution for CMP) which is the assumed-value distribution of residue-film thicknesses after a CMP process; and by using a computer, there is extracted a first region A in a patterning mask, which corresponds to an region X having higher values for the residue-film-thickness distribution than a first threshold.
ＣＭＰ工程後の残膜厚の推定に関する値の分布である残膜厚分布（ＣＭＰ用パターンレシオ）分布を利用して、コンピュータを用いて、この残膜厚分布の値のうち当該値が第１の閾値よりも高い領域Ｘに対応する、パターニング用マスク内における第１領域Ａを抽出する。 - 特許庁 - Dummy patterns used in a CMP process are arranged in a field dummy area, separated by a separation insulating film in a p- well 23 which is potential-fixed by a ground electrode.
接地電極により電位固定されているｐ^-ウェル２３領域内の分離絶縁膜によって分離されたフィールドダミー領域には、ＣＭＰ工程において利用されるダミーパターンが配置されている。 - 特許庁 - To provide a so-called rotary type polishing apparatus having a rotary polishing table and a polishing method, wherein a polishing pad can be automatically changed without stopping a CMP process.
研磨テーブルを回転させるようにした、いわゆるロータリ型ポリッシング装置であって、ＣＭＰプロセスを停止することなく、研磨パッドを自動交換できるようにした研磨装置及び研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of efficiently removing an anti-corrosive for azole-based copper in anti-corrosive-containing water for the azole-based copper such as waste water in the CMP step of a semiconductor device manufacturing process.
半導体デバイス製造プロセスにおけるＣＭＰ工程の排水等のアゾール系銅用防食剤含有水中のアゾール系銅用防食剤を効率的に除去する方法を提供する。 - 特許庁 - In an annealing process preceding CMP, temperature in the range from room temperature (RT) to about 50°C is thrown into heat treatment equipment and organic materials in the metal are not carbonized but discharged to the outside.
ＣＭＰ前のアニール工程において、熱処理装置内への投入する温度を室温（ＲＴ）から５０℃程度の範囲の低温で投入して、金属内の有機物を炭化させないで、外部放出させる。 - 特許庁 - Subsequently, a second copper thin film having sufficient thickness is formed through sputtering on the film 5 in a short time, and then flattened on its surface by a CMP process to form a copper wiring.
続いてスパッタ法により第１銅薄膜５上に短時間で十分な膜厚の第２銅薄膜６を形成した後、ＣＭＰ法により表面を平坦化して銅配線７を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof such that the factor of a decrease in yield such as variance in film thickness after CMP which is caused in a manufacturing process can be removed in a stage of designing.
製造工程で生じるＣＭＰ後の膜厚ばらつき等の歩留まり低下要因を設計段階で取り除くことができる半導体集積回路及びそのレイアウト方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a conductive member is prevented from remaining on an interlayer insulating film when a planarization process is performed by a CMP method.
ＣＭＰ法による平坦化工程を行う際に、層間絶縁膜上に導電部材が残存することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor wafer capable of suppressing film peeling by an oxide film thickness decline at a wafer outer periphery by CMP in a device process while keeping the high flatness of a wafer surface.
ウェーハ表面の高平坦度を保ちつつ、デバイス工程におけるＣＭＰによるウェーハ外周部での酸化膜厚み低下による膜剥がれを抑制することができる半導体ウェーハを提供する。 - 特許庁 - To provide an insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant and high heat resistance and has mechanical strength and adhesiveness high enough to be tolerable to a CMP process.
低い誘電率と高い耐熱性を有し、なおかつＣＭＰ工程に充分に耐えることができる良好な機械強度と密着性能を有した半導体装置の絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning solution for semiconductor substrates having excellent cleaning properties to particular foreign materials and ionic foreign materials on the semiconductor substrates after CMP process, and excellent in temperature dependent stability.
ＣＭＰプロセス後の半導体基板上の粒子状異物やイオン状異物に対する優れた洗浄性を有し、かつ温度に対する安定性にも優れた半導体基板用洗浄液を提供する。 - 特許庁 - To provide a polishing device, a polishing pad, and a polishing method, which polish a semiconductor substrate while discharging slurry used to polish the semiconductor substrate in a satisfactory condition by a CMP process.
ＣＭＰ法により半導体基板を研磨する際に用いるスラリーが、良好に排出されながら半導体基板を研磨することができる研磨装置、研磨パッド、研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor, having high throughput property and its manufacturing method which inserts a minimum required dummy pattern for improving high planarity, after CMP process.
本発明の目的は、必要最小限のダミーパターンの挿入によってＣＭＰ工程後の平坦性が向上でき、又、高いスループット性を有する半導体装置とその製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The method of manufacturing a CMP liquid includes a filtering process which filters a dispersing liquid containing cerium oxide particles, a dispersant and water, with a filtration rate less than 75 L/(min x m^2).
本発明に係るＣＭＰ研磨液の製造方法は、酸化セリウム粒子と分散剤と水とを含む分散液を７５Ｌ／ｍｉｎ・ｍ^２以下のろ過速度でフィルタを用いてろ過するろ過工程を備える。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an image sensor capable of performing fine patterning while enhancing a fill factor even if roughness or uniformity is not improved by a CMP or WET process.
本発明は、フィルファクターを高めながら、ＣＭＰやＷＥＴ工程による粗さやユニフォーミティの改善を施さなくても、微細パターニングすることができるイメージセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the problem that shavings occurring in a field layer during CMP process of an embedded dielectric in an element separation process using an STI method cause the occurrence of the leak current and the thinner line of a gate electrode mask, and thereby cause a decrease in yield and reliability.
ＳＴＩ方式を用いた素子分離工程において、埋め込み絶縁膜の平坦化研磨時にフィールド層で発生する削りこみが、リーク電流発生や、ゲート電極マスクの細線化の原因となり、歩留まり低下や信頼性低下を招いている。 - 特許庁 - The collecting apparatus for collecting polishing material from discharged water in the CMP process comprises a concentrating section for introducing the discharged water in the CMP process in batch-wise way to concentrate the concentration of the polishing material to the extent of given concentration with filtration film and a washing section for adding washing water to the concentrated water obtained by the concentrating section.
ＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、ＣＭＰ工程排水が回分的に導入され、ろ過膜により研磨材濃度が所定濃度まで濃縮される濃縮部、及び、濃縮部で得られた濃縮水に洗浄水が加えられ、ろ過膜により不純物が除去されるとともに、研磨材濃度が所望濃度まで濃縮される洗浄部とを備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁 - To provide a copper-plating device wherein a Cu layer remaining at the edge and near it of a plated substrate formed in a copper-plating process is entirely removed, and possibility of causing Cu contamination (cross- contamination) is eliminated while the next CMP process is performed in a short time after copper plating.
銅めっき処理により形成された被めっき基板のエッジ部及びエッジ部の近傍に残るＣｕ層を完全に除去し、Ｃｕ汚染（クロスコンタミ）が生じる恐れがなく、銅めっき処理後、短時間で次工程であるＣＭＰ処理が実施できる銅めっき装置を提供すること。 - 特許庁 - As a means to solve the fence or the lift-off residue of the resist mask in a track formation process and an element height formation process, lift-off is performed by CMP by forming a 1st stopper layer 41 on the magnetoresistive effect film 3, and a 2nd stopper layer 42 on a refill film 6.
トラック形成工程及び素子高さ形成工程における、フェンスやレジストマスクのリフトオフ残りを解決する手段として、磁気抵抗効果膜３の上に第一のストッパー層４１を、リフィル膜６の上に第二のストッパー層４２を配し、ＣＭＰによってリフトオフを行う。 - 特許庁 - This abrasive recovery device for recovering the abrasives from the CMP process drain containing an organic dispersant is provided with a ceramic film separating means of monolayer honeycomb structure mainly composed of columnar β-type silicon nitride crystal into which the process drain is led.
有機物系の分散剤を含有するＣＭＰ工程排水から研磨材を回収する装置において、該工程排水が導入される主として柱状のβ型窒化珪素結晶からなる単層ハニカム構造のセラミック膜分離手段を備えてなることを特徴とする研磨材の回収装置。 - 特許庁 - To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce process margin necessary for control adjustment of CMP polishing by preventing exposure of a capacitor and short circuit of wiring which become a problem in a surface flattening process of a multilayer wiring type semiconductor device having a DRAM region and a logic region.
ＤＲＡＭ領域とロジック領域とを有する多層配線型の半導体装置の表面平坦化工程で問題となるキャパシタの露出および配線のショートを防止し、ＣＭＰ研磨の制御調整に要するプロセスマージンを低減できる半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁
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