「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 次へ＞- The drain pipe has a draining passage whose cross section is blocked, and an energy dissipating inclined surface 5 inclined to an axial direction of the pipe is formed in the draining channel in a state of forming a continuous surface without steps.
本発明にかかる排水管は横断面が閉塞された排水通路を内部に有する排水管において、管軸方向に対して傾斜する減勢用傾斜面５が段差のない連続面となる状態で前記排水通路に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - The peripheral base station periodically monitors the control channel information to detect that the high-load base station 100 has been generated, and performs beam-forming transmission toward the high-load base station 100 that has performed the null transmission if it is not in the high load state, thereby covering the service area.
周辺基地局は、定期的な制御チャネル情報のモニタにより高負荷の基地局１００が発生したことを検知し、高負荷状態にない場合は、ヌル送信した高負荷基地局１００の方向にビームフォーミング送信を行い、サービスエリアをカバーする。 - 特許庁 - To surely join a plurality of laminated sheets, capable of forming an ink channel after lamination and integration, to one another in the state of properly positioning the plurality of laminated sheets, while preventing the plurality of laminated sheets, for example, from being deformed or joined to a positioning member.
積層一体化後にインクの流路を形成可能な複数の積層板が、変形することや、また位置決め用の部材と接合してしまうことなどを防止しつつ、これらの積層板を適切に位置決めした状態で互いを確実に接合する。 - 特許庁 - In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9.
また、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜３をゲート酸化膜として用い、且つ第１のポリシリコン層４と第２のポリシリコン層８を積層してゲート電極９としている。 - 特許庁 - A charge/discharge control circuit 25 of the capacitor 9 composing the simple memory is made by a totem pole type connection circuit of an N channel MOSFET 22, 23, and the back gate of the FET 22, 23 is made to be a ground electric potential, thereby forming a parasitic diode 24 only in a low side.
簡易メモリをなすコンデンサ９の充放電制御回路２５を、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２２及び２３のトーテムポール型接続回路で構成し、ＦＥＴ２２及び２３のバックゲートをグランド電位とすることで、寄生ダイオード２４はロウサイドのみに形成する。 - 特許庁 - To provide a structure for forming a semiconductor element of high performance at a low cost and its manufacturing method by applying selectively sufficient strain to a channel layer in a desired semiconductor element alone, according to required element characteristic without losing effect by means of an SOI structure.
ＳＯＩ構造による効果を失わずに、要求される素子特性に応じて、所望の半導体素子にのみ選択的に十分な歪みをチャネル層に印加し、より高性能な半導体素子を低コストに形成する構造と製造方法を提供する。 - 特許庁 - A body region 15 is formed inside the drain region 121, an N-type source region 16 is formed inside the body region 15, and a gate electrode 20 is disposed on a channel region between the drain region 121 and the source region 16, thereby forming the LDMOS.
ドレイン領域１２１内にボディ領域１５が形成され、ボディ領域１５内にＮ型ソース領域１６が形成され、ドレイン領域１２１とソース領域１６間のチャネル領域上にゲート電極２０が配置され、ＬＤＭＯＳが形成される。 - 特許庁 - The decorative section 55, for example a decorative section arranged around a display device 5, and a projecting decorative section 55f projecting forward of the channel forming face of a rear glass 51 is provided even in at least a part of the decorative section 55.
装飾部５５は、例えば、表示装置５の周囲に配置される装飾部品として構成されるものであり、この装飾部５５の少なくとも一部において後方ガラス５１の流路構成面よりも前方に突出する突出装飾部５５ｆが設けられている。 - 特許庁 - The curvature of a bent portion 34a of a connecting pipe 34 forming a channel for inserting the treatment instrument becomes small so that the curvature radius (r) of a puncture needle 40 projecting from a lead out mouth 32a toward a lesion portion is hardly plastically deformed.
したがって、処置具挿通用チャンネルを形成する接続パイプ３４の屈曲部３４ａの曲率が小さくなって、導出口３２ａから病変部に向かって突出する穿刺針４０の曲率半径ｒが塑性変形し難い形状になる。 - 特許庁 - The ejection opening plate 35 is formed thinner than a level difference part 38 adjacent to the ink ejection opening 32 and forming the ink channel between the ejection opening plate 35 and the substrate 34, except the region of the level difference part 38, with reference to the surface of the the ejection opening plate 35.
吐出口プレート３５は、基板３４との間でインク流路を形成する領域であって吐出口３２に隣接する段差部３８を除く領域が、吐出口プレート３５の表面を基準として、段差部３８の厚みよりも薄く形成されている。 - 特許庁 - The electrode for the fuel cell for forming a fuel electrode and an air electrode is equipped with an electrode substrate; a first channel formed on the electrode substrate; a first hydrophilic interface formed on the inner surface on one side of the first channel and guiding liquid; and a first hydrophobic interface formed so as to face the first hydrophilic interface and guiding gas.
本発明による燃料電池用電極、燃料電池の燃料極と空気極とを形成する燃料電池用電極であって、電極基材と、電極基材に形成される第１チャンネルと、第１チャンネルの一側の内面に形成され液体を誘導する第１親水性界面と、第１親水性界面と対向するように形成され気体を誘導する第１疎水性界面とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - This device has a first dielectric film 21a formed on a semiconductor 10 for forming a channel, a second dielectric film 22a which is to function as a charge storage means, when a charge capture level shows data storage, a third dielectric film 23a formed on the second dielectric film and an electrode 30a formed on the third dielectric film for controlling the channel.
チャネルが形成される半導体１０上に形成された第１の誘電体膜２１ａと、第１の誘電体膜上に形成され、電荷捕獲準位がデータ記憶時に電荷蓄積手段として機能する第２の誘電体膜２２ａと、第２の誘電体膜上に形成された第３の誘電体膜２３ａと、第３の誘電体膜上に形成されチャネルを制御する電極３０ａとを有する。 - 特許庁 - The automatic player is so constituted that only the event of any one part or channel among the different parts or channels to be merged is preferentially supplied in the case the events of the different parts or channels to be merged correspond to the same sound production timing and the events are not compatible with each other in forming the common part or channel by merging the automatic playing data consisting of the plural parts or channels.
複数のパート又はチャンネルからなる自動演奏データをマージして、共通のパート又はチャンネルのデータとする場合、当該マージする異なるパート又はチャンネルのイベントが同じ発音タイミングに相当し、そのイベント同士が互いに相容れない関係にある場合は、該マージする異なるパート又はチャンネルの中のいずれか１つのパート又はチャンネルのイベントのみが優先的に供給されるようにする。 - 特許庁 - To provide techniques for discriminating combinations of electrodes and organic semiconductors of organic TFTs which are improved in electron injection efficiency and hole injection efficiency, to actualize two kinds of TFTs which are n-channel TFTs and p-channel TFTs, and further to provide complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and an organic CTFT array forming desired arbitrary circuit constitution with organic CTFTs.
有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、さらに、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する有機ＣＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁 - The beam forming training method at the service/control point includes: a step of transmitting training sequences to multiple user stations by using switched transmission antenna weight vectors; and a step of determining optimum transmission antenna weight vectors at the service/control point based on channel information related to a channel condition of the own link and cross links of each user station which is fed back from each of the multiple user stations.
本発明のサービス／制御ポイントにおけるビーム形成トレーニング方法は、切り替え型送信アンテナ重みベクトルを使用してトレーニング系列を複数のユーザ局に送信するステップと、複数のユーザ局を構成する各ユーザ局からフィードバックされた、各ユーザ局の自リンクおよびクロスリンクのチャネル状態に関するチャネル情報に基づいて、サービス／制御ポイントの最適送信アンテナ重みベクトルを決定するステップとを含む。 - 特許庁 - The substance analyzing method is composed of a unidimensional separation step of separating the solute molecule in a solvent on the basis of isoelectric point electrophoresis and a sedimentation equilibrium step of forming the concentration gradient depending on a molecular weight during sedimentation equilibrium in a fine channel (112) by applying a centrifugal force to the fine channel (112) into which the unidimensional separate solution obtained from the unidimensional separation step is introduced.
等電点電気泳動に基づいて溶媒中の溶質分子を分離する一次元分離工程と、前記一次元分離工程から得られる一次元分離溶液が導入された微細路（１１２）に遠心力を加えることによって、該微細路（１１２）内に沈降平衡時の分子量に依存した濃度勾配を形成する沈降平衡工程と、を少なくとも行う物質分析方法を提供する。 - 特許庁 - The method comprises the stages of: providing a substrate having semiconductor layer which includes low concentration doping region adjacent to each both sides of channel region, and each source/drain regions adjacent to the low concentration region; and, after forming gate insulating film and conductive film on the substrate in order, forming a gate electrode by patterning the above-mentioned conductive film.
チャンネル領域両側に各々隣接した低濃度ドーピング領域及び低濃度ドーピング領域に各々隣接したソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階及び基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 特許庁 - In the method for fabricating an insulated gate field effect transistor where a channel region, a source region 6, a body contact region 7, an offset region and a drain region 9 are formed on a semiconductor substrate, dosage at the time of ion implantation for forming the body contact region 7 is set less than the dosage at the time of ion implantation for forming the source region 6 and the drain region 9.
半導体基板にチャネル領域、ソース領域６、ボディコンタクト領域７、オフセット領域およびドレイン領域９を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法において、ボディコンタクト領域７形成のためのイオン注入時のドーズ量を、ソース領域６およびドレイン領域９形成のためのイオン注入時のドーズ量より少なくする。 - 特許庁 - To provide a liquid droplet ejection head requiring no limit in design nor lot management when using the press processing capable of inexpensively forming a flow channel unit having a high size accuracy even in a case of increasing the number of the channels of the head and elongating it, miniaturizing the size of the head, and having no variation of ejection characteristics at the end and the central part, a method of manufacturing thereof, and an image forming apparatus.
ヘッドのチャンネル数を増やし長尺化した場合でも寸法精度の高い流路ユニットを安価に形成可能なプレス加工を用いる場合に設計上の制限や、ロット管理が不要であり、かつヘッドサイズの小型化が可能であり、端部と中央部とで吐出特性のバラツキのない液滴吐出ヘッド及びその製造方法、並びに画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor device 100 including a vertical MOS transistor 50 of a trench gate structure, at least impurities are implanted into an implantation region corresponding to n wells 21 forming a channel at not less than a critical implantation quantity in which the implantation region can become a complete amorphous state, thereby forming an amorphous region 20 in a complete amorphous state.
トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。 - 特許庁 - A manifold 7 communicating to a shaping air supplying channel 8, a helical flow forming chamber 9 communicating with the manifold 7 via inclined supplying holes 12 and generating the helical flow S by air flowing in from the inclining supplying holes 12 colliding to the inner peripheral surface of the same, and the shaping air discharging hole 13 communicating with each of the helical flow forming chamber 9 are formed in a shaping ring 5.
シェーピングリング５には、シェーピングエア供給路８に連通するマニホールド７と、マニホールド７と各々傾斜供給孔１２を介して連通し、傾斜供給孔１２から流れ込むエアがその内周面に衝突することにより螺旋流Ｓが発生する螺旋流形成室９と、各螺旋流形成室９に連通するシェーピングエア噴出孔１３とが形成される。 - 特許庁 - The transmitter is provided with a subset matrix setting part for setting a subset matrix about one antenna belonging to one user terminal and an antenna belonging to another user terminal on the basis of a channel matrix, and a beam forming matrix calculating part for calculating a beam forming matrix using inverse matrix operation on the basis of the subset matrix set in each of the antennas.
当該送信装置は、チャネル行列に基づき、一のユーザ端末が有するアンテナの１つと、他のユーザ端末が有するアンテナとに関するサブセット行列を設定するサブセット行列設定部と、前記アンテナ毎に設定された前記サブセット行列に基づき、逆行列演算を用いてビームフォーミング行列を算出するビームフォーミング行列算出部とを備える。 - 特許庁 - The method of producing the ink-jet recording head for ejecting ink droplets perpendicularly to a substrate surface comprises as the following: Firstly, a first photosensitive material layer having a latent image pattern forming an ink channel, is formed on a first substrate having an energy generating element for ejecting the ink droplets.
基板面に対して垂直方向にインク液滴が吐出されるインクジェット記録ヘッドの製造方法として、まず、インク液滴吐出のためのエネルギー発生素子を有する第１の基板上にインク流路となる潜像パターンを有する第１の感光性材料層を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which does not show short-circuit of adjacent contacts even when voids are formed due to the shape of edge of a film, in the semiconductor device where the films generating different stress in the channel forming region are mutually formed through lamination, and also to provide a method of manufacturing the same semiconductor device.
チャネル形成領域に異なる応力を発声させる膜を互いに積層形成した半導体装置において、当該膜のエッジ部形状に起因するボイドが形成された場合であっても、隣り合うコンタクトがショートすることがない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an information distribution system distributing content information by forming a tree-shaped hierarchy structure, and enabling a user of a terminal unit newly participating in a distribution channel hierarchy structure to select the connection destination of the terminal unit.
ツリー状階層構造を形成してコンテンツ情報を配信する情報配信システムにおいて、新規に配信チャンネルの階層構造へ参加する端末装置の接続先をその端末装置の利用者によって選択することができる情報配信システムを提供すること。 - 特許庁 - A multi-channel optical attenuator 1 is constituted by forming eight optical waveguide channels 11 to 18 between an input end face 10a and an output end face 10b, and eight variable optical attenuator channels 21 to 28 corresponding to the respective optical waveguides 11 to 18 on a substrate 10.
基板１０上に、入力端面１０ａと出力端面１０ｂとの間の８チャンネルの光導波路１１〜１８と、光導波路１１〜１８のそれぞれに対応する８チャンネルの可変光減衰器２１〜２８とを形成して、多チャンネル可変光減衰器１を構成する。 - 特許庁 - Channel stoppers 120 are formed at depth with fixed spaces formed with a p-type well layer from the surface of a semiconductor substrate 10, thereby forming routes B for flowing a part of overflow currents in the well layer to a ground GND from the surface of the substrate 10.
チャネルストップ部１２０は、半導体基板１０の表面部からＰ型ウエル層３０と一定の間隔を有する深い位置にかけて形成され、Ｐ型ウエル層３０に流れるオーバーフロー電流の一部を半導体基板１０の表面側から接地部（ＧＮＤ）に流すルートを形成する。 - 特許庁 - A method for forming an organic thin film transistor is characterized in that a channel layer is formed in a range from 3 μm to 200 μm from the end part of an organic semiconductor film that is deposited by supplying and coating a coating solution comprising an organic semiconductor material onto a substrate to dry it.
有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより成膜される有機半導体膜の端部より３μｍ以上、２００μｍ以下の範囲にチャネル層を形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの形成方法。 - 特許庁 - The inner fin revolving type decomposing apparatus 14 comprises a waste gas inlet 10 and a waste gas outlet 11 at both ends of a housing, in such a manner that a fixed shaft 4 is mounted along an axis therein and revolving blades 5 for forming a spiral waste gas channel are provided around the shaft 4.
内フィン旋回型分装置１４は、ハウジングの両端部に廃ガス入口１０と廃ガス出口１１を備え、その内部に軸線に沿って固定軸４が取付けられ、その固定軸４周りで螺旋状廃ガス流路を形成する旋回羽根５が設けられている。 - 特許庁 - To provide a cold electron emitting element which enables preventing the leakage current flowing without going through the channel and allows a stable driving of the FET controlling the emitted electron weight and a manufacturing method which enables forming in the same process a semiconductor layer of the emitter and a semiconductor layer of the FET.
チャネルを介さずに流れるリーク電流を防ぎ、放出電子量を制御するＦＥＴの安定駆動を可能とした冷電子放出素子、及びエミッタの半導体層とＦＥＴの半導体層を同一プロセスで形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁 - The reinforcing frame 65 is provided with an ink passage hole 66 connecting the ink channel forming member 13 and an ink supply opening 81 in the position corresponding to the ink supply opening 81 in the front head unit 21, and an elastic seal member 67 is inserted in a space with the ink passage hole 66.
補強フレーム６５には、フロントヘッドユニット２１におけるインク供給口８１に対応する位置に、インク流路形成部材１３とインク供給口８１とを接続するインク通路孔６６が穿設され、インク通路孔６６との間に弾性シール部材６７が介挿されている。 - 特許庁 - The length in the piston axial direction is shortened by forming the passage cross section of the cooling channel 38 in the wide shape, and vertical behavior of the lubricating oil by inertia caused by piston reciprocating motion is restrained, and the pressure receiving area for receiving a calorific value from a piston crown surface is increased.
そして、クーリングチャンネル３８の通路断面を幅広形状にすることで、ピストン軸方向の長さを短くし、ピストン往復運動に伴う慣性による潤滑油の上下挙動を抑制すると共に、ピストン冠面から熱量を受熱する受熱面積を増大させる。 - 特許庁 - A high-resistance impurity area with low concentration of impurity is formed between the source and drain areas and a channel forming area of a thin-film transistor, and a high-resistance impurity area is added with at least one of nitrogen, oxygen and carbon to increase resistance.
薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域とチャネル形成領域との間に不純物濃度の低い高抵抗不純物領域を設け、かつ高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素の少なくとも１つの元素添加することにより、抵抗を高くする。 - 特許庁 - A gate electrode 5 is provided on the surface side via an insulating film 4 and is removed in a constant shape so as not to cover the channel region 8 at the intersection part of three or four cells, where a plurality of cells adjoin, forming a removal part 10.
その表面側に絶縁膜４を介してゲート電極５が設けられ、このゲート電極５が、前記複数個のセルの隣接する３または４個のセルの交点部分にチャネル領域８上にかからないように一定の形状で除去されることにより、除去部１０が形成されている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device which is free from an increase in electric resistance between a source electrode and a well region and can obtain a stable low-resistance contact region if a silicon carbide layer for forming a channel layer is either over-etched or under-etched.
チャネル層を形成するための炭化珪素層のエッチングが、オーバエッチング又はアンダーエッチングのいずれの場合であっても、ソース電極とウェル領域間の電気抵抗の増大が無い、安定した低抵抗のコンタクト領域を得ることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid state image pickup device with high reliability and improved efficiency for transferring a signal charge at a charge transfer part by forming a charge transfer well, whose electric potential is inclined along a charge transfer direction, in an area under each transfer gate of a charge transfer channel at good accuracy and reproducibility.
電荷転送チャネルの各転送ゲート下の領域に、電荷転送方向に沿って電位が傾斜した電荷転送井戸を精度よくしかも再現性よく形成することができ、これにより電荷転送部での信号電荷の転送効率を改善した信頼性の高い固体撮像装置を得る。 - 特許庁 - The beam-forming X-ray filter (21) is disposed between a subject and an X-ray tube (20) which generates the X-ray, so that X-ray intensity distribution is adjustable in an X-ray radiation range in a channel direction of an X-ray detector (23) disposed to face the X-ray tube over the subject.
ビーム形成Ｘ線フィルタ（２１）は、被検体とＸ線を発生するＸ線管（２０）との間に配置され、被検体を挟んでＸ線管に対向して配置されるＸ線検出器（２３）のチャンネル方向のＸ線照射領域でＸ線強度分布を調整することができる。 - 特許庁 - Forming the narrow part prevents the problem that rainwater led to the headrace channel does not flow on the surface to which rainwater of the face plate is led but flows down from the upper frame material, making it possible to effectively lead rainwater to the surface to which rainwater is led to wash the surface of the face plate.
前記幅狭部を形成させることで、導水路に導かれた雨水が面板の雨水が導かれる面に伝い流れずに上枠材から流れ落ちてしまうような問題が生じず、効果的に雨水が導かれる面上に雨水を導き洗浄させることができる。 - 特許庁 - For that purpose, an oxide semiconductor whose energy gap is ≥2 eV, preferably ≥2.5 eV, more preferably ≥3 eV is used for a semiconductor layer (layer for forming a channel region) of the transistor, and the concentration of an impurity which serves as a carrier donor included in the oxide semiconductor is reduced.
そのために、トランジスタの半導体層（チャネル領域を形成する層）としてエネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体を用い、該酸化物半導体に含まれるキャリア供与体となる不純物の濃度を低減させている。 - 特許庁 - A reference electrode 210 is placed on an element substrate 1 having a heater 2 and an ion sensor 200 comprising an ion selective field effect transistor is attached to a top plate 3 forming a liquid channel 7 communicating with an ejection opening 5 when being bonded to the element substrate 1.
発熱体２を有する素子基板１に参照電極２１０を配置するとともに、素子基板１と接合することにより吐出口５に連通する液流路７を形成することとなる天板３に、イオン選択性電界効果トランジスタからなるイオンセンサ２００を設ける。 - 特許庁 - A waveguide forming region 10, wherein an optical input waveguide 2, a first slab waveguide 3, an array waveguide 4 in which plural channel waveguides 4a are juxtaposed, a second slab waveguide 5 and plural optical output waveguides 6 are connected in order, is formed on a substrate 1.
光入力導波路２と、第１のスラブ導波路３と、複数のチャンネル導波路４ａを並設してなるアレイ導波路４と、第２のスラブ導波路５と、複数の光出力導波路６とを順に接続してなる導波路形成領域１０を基板１上に形成する。 - 特許庁 - This microchemical analyzing system, constituted by forming a flow type microchip 14 having a fine flow channel 18 on a substrate, is equipped with a common platform 13 composed of a transducer layer 12 having the array type ultrasonic transducer 16 and a signal control circuit layer 11.
基板上に微細な流路１８を有して成るフロー型マイクロチップ１４が構成されているマイクロ化学分析システムに於いて、アレイ状の超音波トランスデューサ１６を有するトランスデューサ層１２と、信号制御回路層１１と、から成る共通プラットフォーム１３を具備している。 - 特許庁 - A Schottky diode 1 includes a substrate 2, a channel layer 3 composed of a nitride system chemical compound semiconductor formed on the substrate 2, an anode electrode 4 and a cathode electrode 5 forming the end of a current path of the semiconductor device, and a dummy electrode 11 electrically connected to the substrate 2.
ショットキーダイオード１は、基板２と、基板２上に形成され窒化物系化合物半導体から構成されたチャネル層３と、半導体素子の電流路の端部を構成するアノード電極４及びカソード電極５と、基板２と電気的に接続されたダミー電極１１と、を備えている。 - 特許庁 - To reduce total cost and also to improve yield by eliminating a film forming process and reducing the number of sheets of photo-masks while eliminating the short-circuited place among bus lines of counter electrodes by a final conductive layer in the liquid crystal display device of an IPS(in-plane switching) system provided with channel etched type TFTs.
チャネルエッチ型TFTを具備するIPS方式液晶表示装置において、最終導電層による対向電極バスライン間の短絡箇所をなくすことにより、成膜工程を省き、フォトマスク枚数を削減することでトータルコストを低減し、且つ、歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁 - In the semiconductor device provided with element isolation insulation films which have different depths depending on the locations where they are formed, the decline in the impurity concentration in the semiconductor substrate below the element isolation insulation films can be suppressed by forming a plurality of channel cut layers in the depth direction in one active region.
形成された場所によって異なる深さを有する素子分離絶縁膜を備えた半導体装置において、一つの活性領域に、深さ方向に複数のチャネルカット層を形成することによって、素子分離絶縁膜下の半導体基板中の濃度の低下を抑制する。 - 特許庁 - A pixel TFT part, having a reverse stagger type n-channel type TFT and a liquid crystal display device having holding capacity, can be realized with three-time photolithographic processes by forming a pixel electrode 127, a source region 123 and a drain region 124 by means of three photomasks.
３枚目のフォトマスクにより画素電極１２７、ソース領域１２３及びドレイン領域１２４の形成を行うことにより、３回のフォトリソグラフィー工程で、逆スタガ型のｎチャネル型ＴＦＴを有する画素ＴＦＴ部、及び保持容量を備えた液晶表示装置を実現することができる。 - 特許庁 - The balcony 8 comprises rectangular floor materials 40 forming a sloped floor surface with gradient for water, a handrail wall 41 vertically installed in a channel shape along the upper peripheral edge portions of the floor materials 40, and a metal handrail 42 installed on the handrail wall 41.
バルコニ８は、水勾配を有する勾配床面となる矩形状の床材４０と、床材４０上面の周縁部分に沿ってコ字形状に立設される手すり壁４１と、この手すり壁４１上に沿って設けられる金属製の手すり４２と、を備えて構成される。 - 特許庁 - The injection hole 34 includes an upstream side injection hole 32, and an air gap part 36 connected to a downstream side of the upstream side injection hole 32 and forming cavitation babbles in fuel flowing in the injection hole 34 by immediately expanding a channel in transfer from the upstream side injection hole 32.
噴孔３４は、上流側噴孔３２と、上流側噴孔３２の下流側に連結され、かつ、上流側噴孔３２から移行する際の流路を急拡大させることにより、噴孔３４の内部を流れる燃料にキャビテーション気泡を発生させる空隙部３６とを含む。 - 特許庁 - The fixed valve 10 has a pair of channel forming holes 11 with which the column part 42 of a screw is engaged loosely, and branched channels S are formed between it and the column part 42 by the first projection parts formed in the shape of an inner gear on the downstream side in the axial direction of the holes 11.
固定弁１０は、スクリュの円柱部４２が遊嵌される一対の流路形成孔１１を有し、かつ流路形成孔の軸方向下流側に内歯車状に突設された複数の第１突起部１２によって円柱部４２との間に複数の分岐流路Ｓが形成される。 - 特許庁 - To provide an inkjet head in which processing and forming a fine electrode wiring pattern are easily performed, which has a thermal expansion coefficient close to the thermal expansion coefficient of a head chip, and in which a driving electrode provided in a channel can be connected with the external wiring from the back end of the head chip by using a wiring substrate excellent in ink resistance.
加工や微細な電極配線パターンの形成が容易であり、かつ、ヘッドチップの熱膨張係数に近く、かつ、耐インク性に優れた配線基板を用いて、ヘッドチップの後端からチャネル内に設けた駆動電極と外部配線との接続ができるインクジェットヘッドの提供。 - 特許庁
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