「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 次へ＞- The resistance value of the resistor 20 is set to that with which voltage forming a channel in the semiconductor region confronted with the gate insulating film of the switching structure 12 is generated in the gate electrode G, even if the capacitor 18 is shorted when prescribed on-voltage is applied to gate wiring GW.
抵抗２０の抵抗値は、ゲート配線ＧＷに所定のオン電圧を印加したときに、コンデンサ１８が短絡していても、スイッチング構造１２のゲート絶縁膜に対向している半導体領域にチャネルを形成する電圧をゲート電極Ｇに発生させる抵抗値に設定されている。 - 特許庁 - To provide an array substrate of a liquid crystal display device, etc., which can omit mask patterns for forming channel protective films and an aligning process step for the same and can prevent the occurrence of step cutting at points where signal lines intersect with scanning lines and a method of manufacturing the same.
液晶表示装置等のアレイ基板及びその製造方法において、チャネル保護膜の形成のためのマスクパターン及びその位置合わせ工程を省くことができるとともに、信号線が走査線と交差する個所での段切れの発生を防止できるものを提供する。 - 特許庁 - A polyimide film 20 which surrounds the outer periphery of the region to be occupied by each of a source/drain region 22, the color filter 23 and pixel electrode 24 and the source line 26 with the wall is formed on a glass substrate 10 after forming a gate electrode 13, a gate insulation film 16 and a channel region 18.
ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１６及びチャネル領域１８を形成した後のガラス基板１０上に、ソース／ドレイン領域２２、カラーフィルタ２３及び画素電極２４、ソース線２６の各々を形成すべき領域の外周を壁で囲むポリイミド膜２０を形成する。 - 特許庁 - This stent for the vascular channel is constituted of a plurality of stent constitution members 4, 14 and 24 formed of threads 3, or serially continuing striate bodies, wherein a plurality of tubular body forming elements 5, 15 and 25 are formed into multiple stages by bending parts of threads into a zigzag state and constituting a part of a tubular body 2.
一連に連続した線条体である糸３によって形成され、糸の一部がジグザグ状に折り曲げられて管状体２の一部を構成する複数の管状体形成エレメント５，１５，２５が多段状に形成された複数のステント構成部材４，１４、２４により構成されている。 - 特許庁 - The gate length of this gate electrode is measured (S5), and an ion-implantation dose for forming source and drain regions is set variedly according to the measured value of the gate length, so that the transistor characteristics on a short-channel effect of a transistor reach a prescribed level (S7, F1).
このゲート電極のゲート長を測定し（Ｓ５）、短チャネル効果に関するトランジスタ特性が所定のレベルになるように、ソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入のドーズ量を上記ゲート長の測定値に応じて可変して設定する（Ｓ７，Ｆ１）。 - 特許庁 - A module is composed forming a light path in which the beam made to exit from the fiber collimator passes through the 1st windows and is sequentially reflected by the 2nd mirrors and the 1st mirrors, and is made to exit outside through the 2nd windows, and a multi-channel optical switch is composed by facing two pieces of the modules to each other.
ファイバーコリメータから射出されたビームが第１の窓を通過し、第２のミラー、第１のミラーの順に反射して、第２の窓を通過して外部に射出される光路を形成するモジュールを構成し、本モジュールを２つ対向させて多チャンネルの光スイッチを構成する。 - 特許庁 - The thin-film transistor comprises an oxide semiconductor thin-film layer composed of zinc oxide as the main component, deposited on a substrate, and forming a channel; a gate insulating film; and a gate electrode at least, wherein hydrogen is contained at least in the oxide semiconductor thin-film layer.
基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタである。 - 特許庁 - According to need, the contaminated underground water that is pumped up from the closed conduit-type catchment facility 1 is decontaminated by a water decontamination plant 2 and then it is made to infiltrate into the ground inside the contaminated soil area 1 from a water pouring well 3, thus forming a circulation channel of the contaminated underground water to enable a gradual decontamination of the contaminated soil.
必要に応じて、暗渠型集水施設１から揚水した汚染地下水を処理プラント２で浄化処理し、注水井戸３から汚染地区Ｉ内の地盤に浸透させるようにし、汚染地下水の循環経路の形成により、汚染土壌を徐々に浄化して行く。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first transistor which includes a first channel formation region including a first semiconductor material, and a first gate electrode; and a second transistor which includes one of a second source electrode and a second drain electrode combined with the first gate electrode, and a second channel forming region, including a second semiconductor material and electrically connected to the second source electrode and the second drain electrode.
第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a thin film transistor having a channel region connected to at least a source region and a drain region and a gate electrode opposite to the channel region through a gate insulation film on a substrate, the process of forming the gate insulation film is to form a silicon oxide by the plasma chemical vapor deposition method with the substrate 205 fixed by a retaining member 206 above plasma generating electrodes 203.
基板上に少なくともソース領域およびドレイン領域に接続するチャネル領域と、該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記基板２０５をプラズマ発生させるための電極２０３上に押さえ部材２０６により固定した状態で、プラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化物を形成する。 - 特許庁 - The thin film transistor manufacturing method comprises irradiating an amorphous semiconductor film on an insulating surface with a laser beam scanned over the irradiated region to crystalline the amorphous semiconductor film and forming an active layer including a source region, a drain electric and a channel forming region, using the crystallized semiconductor film.
絶縁表面上の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は、固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁 - This method includes steps of: forming first and second field-effect transistors of an integrated circuit; forming a stress layer over the first and second field-effect transistors, the stress layer inducing strain in channel regions of the first and second field-effect transistors; and selectively thinning the stress layer over at least a portion of the second field-effect transistor.
この方法は、集積回路の第１及び第２の電界効果トランジスタを形成するステップと、第１及び第２の電界効果トランジスタの上に応力層を形成するステップであって、応力層は第１及び第２の電界効果トランジスタのチャネル領域内に歪みを誘起する、ステップと、第２の電界効果トランジスタの少なくとも一部の上の応力層を選択的に薄層化するステップとを含む。 - 特許庁 - The color display apparatus for forming, on a display surface, a color image of superimposed color images has a first color modulation channel for forming a first color two-dimensional image using a laser light source for providing a first color source beam, a linear spatial light modulator for modulating the first color source beam, and a scanning element for scanning the modulated light beam to form a first color two-dimensional image.
ディスプレイ面上に、重畳カラー画像のカラー画像を形成する、ディスプレイ装置は、第１のカラーソース光線を供給するためのレーザー光源を用いて、第１カラーの二次元画像を形成する第１のカラー変調チャンネル、第１のカラーソース光線を変調する線形空間光変調器、および、第１カラーの二次元画像を形成するために変調された光線をスキャンするスキャン要素を有している。 - 特許庁 - The image coding method of compressing and coding input image data, composed of a plurality of components comprises a step of adding an alpha channel having mask information recorded per pixel for forming a composite image to the input image data as a new component, coding image data, containing a plurality of components and the new component after converting the resolutions thereof in an hierarchical form, thereby forming an integrated image file.
複数のコンポーネントから構成される入力画像データを圧縮符号化する画像符号化方法において、前記入力画像データに、画像の合成に用いるマスク情報を画素毎に記録されたアルファチャンネルを新たなコンポーネントとして追加し、前記複数のコンポーネントと前記新たなコンポーネントとを含む画像データを、その解像度を階層化して符号化処理し、一体化した画像ファイルを生成する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a thin film transistor, capable of reducing etching defects generated at the time of opening a part of a passivation film by optimizing manufacture conditions, after removing fluorine stuck to the back channel part of the thin film transistor, until forming the passivation film covering the back channel part.
オフリーク特性悪化の原因となるバックチャネル部に付着しているフッ素を除去するために、バックチャネル部に対して水素プラズマを用いた低プラズマ密度処理を行うと、バックチャネル部を覆う窒化膜が、下地膜との界面においてＳｉ−Ｈ結合が増加した膜質となり、特に、窒化膜の下にＩＴＯ膜が在って、ＩＴＯ膜上の窒化膜に開口部を形成する場合には、バッファード弗酸（ＢＨＦ）によるエッチングで窒化膜が逆テーパー状にエッチングされるエッチング異常（開口部の外観不良）が生じる。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a semiconductor layer 10 that has a channel-forming region in its surface portion; an insulating film 4 that is provided on the semiconductor layer 10 and contains silicon, germanium, and oxygen; and a charge storage layer 5 that is provided on the insulating film 4 and can store charges supplied from the semiconductor layer 10 via the insulating film 4.
表層部にチャネル形成領域を有する半導体層１０と、半導体層１０の上に設けられ、シリコンとゲルマニウムと酸素とを含む絶縁膜４と、絶縁膜４の上に設けられ、絶縁膜４を介して半導体層１０から供給される電荷を蓄積可能な電荷蓄積層５と、を備えている。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor device with improved device characteristics by extremely easily forming (at least either of) a source/a drain at a shallow junction depth without using ion implantation, and inhibiting the generation of short-channel effect when making fin an element by reducing a gate length in a semiconductor device using a compound semiconductor.
化合物半導体を用いた半導体装置において、イオン注入を用いることなく極めて容易にソース／ドレイン（の少なくとも一方）を浅い接合深さに形成し、ゲート長を短縮して素子の微細化を図る際にショートチャネル効果の発生を抑止するデバイス特性に優れた半導体装置を実現する。 - 特許庁 - To improve the characteristics of a TFT(thin film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, specially a channel formation region, and an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit, consisting of a semiconductor element having uniform characteristics, and the manufacturing method of the device.
本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁 - In a trench-gate IGBT of the so-called "thinned structure", wherein a channel region is thinned, a gate insulating film 6 and a gate electrode 7 are formed within a trench 5 forming a trench gate, the gate electrode 7 is made of a material, such as SiC having thermal conductivity higher than that of PolySi.
トレンチゲート型であって、チャネル領域が間引かれたような構造である、いわゆる間引き構造のＩＧＢＴにおいて、トレンチゲートを構成するトレンチ５の内部に形成されたゲート絶縁膜６と、ゲート電極７のうち、ゲート電極７をＰｏｌｙＳｉよりも高熱伝導率である材料、例えば、ＳｉＣで構成する。 - 特許庁 - Accordingly, an arithmetic means 6 can determine both the volume fraction of each fluid component and the flow rate of the mixed fluid with high responsiveness, based on the pressure losses in a diaphragm 22 and a laminar flow forming channel 31 instantaneously detected by first and second pressure loss detecting means 4 and 5.
従って、演算手段６は、第１および第２の圧力損失検出手段４，５によって瞬時に検出される絞り２２および層流形成流路３１での圧力損失に基づいて、各流体成分の体積分率および混合流体の流量を、共に応答性よく求めることができる。 - 特許庁 - A plurality of pressure generating chambers 16 communicating with the plurality of nozzle openings 25 in a nozzle plate, a common liquid chamber 18 for storing liquid being supplied thereto, and a plurality of liquid supply openings 17 for interconnecting the plurality of pressure generating chambers 16 with the common liquid chamber 18 are formed in a channel forming plate 12.
流路形成板１２には、ノズルプレートの複数のノズル開口２５に連通する複数の圧力発生室１６、これらに供給する液体が貯留される共通液体室１８、及び複数の圧力発生室１６と共通液体室１８とを連通する複数の液体供給口１７が形成される。 - 特許庁 - The inkjet head 21 comprises an actuator part 2 provided with a piezoelectric element PE as an energy generating means, a liquid channel forming part 3 and a nozzle plate 4 arranged sequentially on a head substrate 1 wherein a plurality of nozzle holes Nz for ejecting aqueous pretreatment liquid containing a metal salt are made in a row in the nozzle plate 4.
インクジェットヘッド２１は、ヘッド基板１上に、エネルギー発生手段としてピエゾ素子ＰＥを備えるアクチュエータ部２、液路形成部３及びノズルプレート４を順次設けてなり、ノズルプレート４に、金属塩を含有する水性前処理液を吐出するノズル孔Ｎｚが１列に複数形成されている。 - 特許庁 - That is, the n+a-Si:H layer 5 is etched by a pure chemical etching depending upon the chemical reaction substantially only by the radical species 24 with no physical reaction to the n+a-Si:H layer 5 and an a-Si:H layer 4 by ion species, and the a-Si:H layer 4 is exposed in the channel forming region.
つまり、イオン種によるｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５及びａ−Ｓｉ：Ｈ層４に対する物理的反応を伴わない、実質的にラジカル種２４のみによる化学的反応に依拠する純化学的エッチングによって、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５がエッチングされ、チャネル形成領域のａ−Ｓｉ：Ｈ層４が露出されることになる。 - 特許庁 - Since the light shielding layer 24 is arranged, the light emitted from below the substrate is shielded while maintaining the pixel opening ratio of the semiconductor device without largely forming the lower light shielding film 22 more than needed and light leakage in a channel region constituting the TFT is suppressed.
この遮光層２４が設けられていることによって、必要以上に下部遮光膜２２を大きく設けることなく、半導体装置の画素開口率を維持しつつ、基板の下方から照射される光を遮光して、ＴＦＴを構成するチャネル領域における光リークの発生を抑制することができる。 - 特許庁 - A liquid ejection head comprises an orifice plate 40 provided with an orifice (ejection opening) 41, a channel 401 communicating with the orifice 41 and a head body constituted by bonding a heater board 100 provided with a heater 101 to a top plate 400 integrally provided with a groove for forming a liquid chamber.
液体吐出ヘッドは、オリフィス（吐出口）４１が設けられたオリフィスプレート４０と、オリフィス４１に連通する流路４０１および液室（不図示）を形成するための溝が一体的に形成された天板４００にヒータ１０１が設けられたヒータボード１００を接合することによって構成されるヘッド本体とを有している。 - 特許庁 - To realize a TFT capable of a high-speed operation by manufacturing a crystalline semiconductor film the positions and sizes of whose crystalline grains are controlled by a simple method, and by using the crystalline semiconductor film as the semiconductor layer of the TFT wherein its channel forming regions, its source region, and its drain region are included.
簡便な方法で結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いることにより、高速動作が可能なＴＦＴを実現する。 - 特許庁 - Electrodes for driving the heating resistors 8 formed to head chips 6, and a wiring member 19 for supplying signals are set to a gap between a head frame 4 which supports a nozzle-forming member 2 where the head chips 6 are arranged, and a channel plate 12 which constitutes channels for ink to be supplied to ink pressure chambers 9.
ヘッドチップ６に形成された発熱抵抗体８を駆動する電極や信号を供給する配線部材１９を、このヘッドチップ６が配設されたノズル形成部材２を支持するヘッドフレーム４と、インク加圧室９に供給するインクの流路を構成する流路板１２との間隙に配設する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including a thin film transistor having excellent electric characteristics without an increase in the number of processes in the case where a gate electrode is provided via a gate insulating film at the upper and lower sides of a channel forming region of the thin film transistor in order to control a threshold voltage of the thin-film transistor.
薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得ることを課題の一つとする。 - 特許庁 - To provide a water-repellent film forming method, a nozzle plate provided with the formed water repellent film, an ink jet head and an electronic device which can eliminate foreign substance on the water repellent film of a nozzle discharge surface or the residue of the water repellent film and further can prevent the removed objects from entering into a nozzle or channel.
ノズル吐出面の撥水膜上の異物また撥水膜の残渣を除去し、かつ、この除去物がノズル内または流路内に侵入することを防止することができる撥水膜形成方法、形成された撥水膜を備えるノズルプレート、インクジェットヘッド、電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a soil hardener for lightweight banking, having decreased own weight, satisfying strength standard of application use standard Class 3 of construction sludge treatment soil in the case of constructing a road crossing an inclined slope, in the case of constructing a building on a soft ground or forming a slope of a water channel, and free from generation of hydrogen sulfide.
傾斜斜面を横切る形で道路を建設する場合や、軟弱地盤に建築物を構築する場合、あるいは水路の法面に求められる、自重を軽量化しかつ建設汚泥処理土の適用用途標準第３種の強度標準を満たし、硫化水素の発生がない軽量盛土固化材を提供する。 - 特許庁 - In the channel protective film forming process, light is emitted from the lower surface side of a transparent substrate and the upper surface side of the mask sheet, thereby developing a positive photoresist of a part superposed on the light-shielding part for the protective film and a gate electrode and a part superposed on the light-shielding part for the terminal and the input terminal to remain.
チャネル保護膜形成工程では、透明基板の下面側及びマスクシートの上面側からそれぞれ光を照射して保護膜用遮光部及びゲート電極に重ねられた部分と端子用遮光部及び入力端子に重ねられた部分とのポジ型フォトレジストを現像し残存させる。 - 特許庁 - The nozzle 31 (cleaning liquid spraying device 30) is disposed on at least one of a diffuser front wall 12a and a diffuser rear wall 12b forming a diffuser 12 in the channel 4 and is arranged so as to spray cleaning liquid toward the another of the diffuser front wall 12a or the diffuser rear wall 12b.
ノズル３１（洗浄液噴射装置３０）は、流路４中のディフューザ１２を形成するディフューザ前壁１２ａとディフューザ後壁１２ｂとのうちの少なくとも一方に設けられるとともに、ディフューザ前壁１２ａとディフューザ後壁１２ｂとのうちの他方に向けて洗浄液を噴射するように、配置されている。 - 特許庁 - After forming the source and drain (n+ type semiconductor regions) of an MISFET, a p-type semiconductor region 10 is formed to suppress the short channel effect and the p-type semiconductor region 10 is formed at a minimum essential region by suppressing an impurity from diffusing due to the heat history of the process.
ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン（ｎ^+型半導体領域）を形成した後に、短チャネル効果を抑制するためのｐ型半導体領域１０を形成し、プロセスの熱履歴による不純物の拡散を抑えることによって、必要最小限の領域にｐ型半導体領域１０を形成する。 - 特許庁 - To improve the characteristics of a TFT(thin-film transistor) by forming the interface between a region constituting an active layer, especially a channel formation region, and to make an insulating film into a satisfactory interface and also provide a semiconductor device provided with a semiconductor circuit consisting of a semiconductor element, having uniform characteristics and the manufacturing method of the device.
本発明は、活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域と絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体素子からなる半導体回路を備えた半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁 - A body region 32 forming a channel is formed as a low concentration region where an impurity concentration is low by applying a voltage to a gate electrode 30, and also a high concentration region 34 having high impurity concentration of the same conductivity as the body region 32 is formed in a layered manner at a predetermined depth within the body region 32.
ゲート電極３０に電圧を印加することによりチャネルを形成するボディ領域３２を不純物濃度の低い低濃度領域として形成すると共に、ボディ領域３２内の所定の深さにボディ領域３２と同一の導電型の不純物濃度の高い高濃度領域３４を層状に形成する。 - 特許庁 - A diaphragm part 20 used to stop down the flow of the air to be measured flowing near the sensor part 4 is formed on a sidewall inside the flow channel 3 forming the sensor part 4, and a plane part 20a parallel to the surface of the sensing part 4 is formed at the diaphragm part 20 at least on the upstream side from the sensor part 4.
センシング部４に対向した流路３内の側壁に、センシング部４近傍を流れる被測定空気の流れを絞るための絞り部２０が形成され、絞り部２０にはセンシング部４の表面と平行な平面部２０ａが少なくともセンシング部４より上流側に形成されている。 - 特許庁 - To provide economical and safe fishpass forming members and a water channel type fishpass capable of providing a shelter against foreign enemy such as birds and a rest place and living places and bait places by adding them to a dam and a drop which become obstacles for the movement of aquatic life such as fishes in a river.
河川において魚類などの水棲生物の移動の障害となる堰や落差工などに付設することにより、鳥類などの外敵からの避難場所や休息場を有し、棲み処や餌場を提供し、更に経済性や安全性を追求した、魚道形成用部材およびこれを用いた水路式魚道を提供する。 - 特許庁 - The member 23 is constituted separately from elements 22, 21 to be mounted for forming at least the parts of the material 19, and mounted at the elements 21, 22 in the form for selecting one from a plurality of types in response to the flow rate to be set of the gas to be sensed flowing to the gas channel.
流量調整部材２３は、流路形成体１９の少なくとも一部をなす被取付体２２，２１とは別体に構成され、ガス流路を流れる被検知ガスの設定すべき流量に応じて、複数種類のものの中から一つを選択する形で、被取付体２１，２２に取り付けられる。 - 特許庁 - The device 10 for germ cells is provided with a hollow fiber 11 opened at both ends, an injection needle 12 connected to an end of the hollow fiber 11 and forming a flow channel by continuing the inner space of the needle to the inner space of the hollow fiber 11, and a syringe 14 applying a suction pressure to the inner space of the injection needle 12.
生殖細胞用デバイス１０は、両端が開口された中空糸１１と、中空糸１１の一端に接続されて、その内部空間が中空糸１１の内部空間と連続して流路となる注射針１２と、注射針１２の内部空間に対して吸引圧を付与する注射筒１４とを具備する。 - 特許庁 - To provide a liquid ejecting head comprising a liquid ejecting unit capable of ejecting a liquid, a liquid supply unit for forming a liquid channel, and a sealing member provided therebetween, capable of certainly bonding the units in a short time, a method for producing a liquid ejecting head, and a liquid ejecting recording apparatus.
液体を吐出可能な液体吐出ユニットと、液体流路を形成する液体供給ユニットと、の間にシール部材を介在させつつ、それらのユニットを短時間で確実に接着させることができる液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドの製造方法、および液体吐出記録装置を提供することにある。 - 特許庁 - To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.
ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁 - This solenoid valve is constituted by forming a partitioning member 21 having partitions 213, 214 retaining a filter 20 closely connected with a suction opening 112 for sucking the atmospheric air and allowing a fluid flow channel to the filter 20 to snake, and a deflector 25 for swirling the water intruding to a filter unit 3, integrally with a valve driving portion 2.
大気を吸い込む吸気口１１２に密着して接続するフィルタ２０を保持すると共に、フィルタ２０までの流体の流路を蛇行させる隔壁２１３，２１４を有する隔壁部材２１と、フィルタユニット３に侵入する水を旋回運動させるディフレクタ２５を、弁駆動部２と一体に形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid droplet jet head wherein plastic deformation is prevented from occurring on a thin plate in a process for forming a pattern by physically removing a part of an unnecessary adhesive corresponding to an opening section of a nozzle, a liquid reserve chamber, a liquid channel or the like from a layer of the adhesive formed on the plate.
薄板プレート上に形成された接着剤の層から、ノズル、液体貯留室又は液体流路等の開口部に対応する不要な接着剤の部分を物理的に除去してパターン化する工程で、プレートに塑性変形を生じないようにした液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The cooling unit 6 of the projector 1 is constituted of a rib 641 erected on the inner surface of the base part 12A of an external case 2; and a discharge side duct main body 642, engaged with the rib 641 and forming a channel through which cooling air flows in order to guide introduced cooling air to a liquid crystal panel 441.
プロジェクタ１の冷却ユニット６は、導入した冷却空気を液晶パネル４４１へ導くために、外装ケース２の底面部１２Ａの内面に立設されたリブ６４１と、リブ６４１と係合して冷却空気が流れる流路を形成する吐出側ダクト本体６４２と、を含んで構成されている。 - 特許庁 - Insulating films 7A, 7B for dielectric strength improvement formed of the films for forming channel protective films 14 are arranged between the overlapping part of a data signal line 3 and an extended part 6b including a straight line part 6a of an auxiliary capacitance electrode 6 and between the crossing part of the data signal lines 3 and a scanning signal line 2.
データ信号ライン３と補助容量電極６の直線部６ａを含む延出部６ｂとの重合部間およびデータ信号ライン３と走査信号ライン２との交差部間には、チャネル保護膜１４形成用膜からなる絶縁耐圧向上用絶縁膜７Ａ、７Ｂが設けられている。 - 特許庁 - A hydrophilic TFT pattern 19 surrounded by a hydrophobic region 14 is formed on a substrate, and spontaneous movement is generated in a fluid containing the organic molecules or nano wires dropped on a channel 12, by characteristically forming the TFT pattern.
基板上に撥液性の領域１４に囲まれた親液性のＴＦＴパターン１９を形成し、そのパターンの形状に特徴を持たせることによりチャネル部１２に滴下した有機分子やナノワイヤを含む流体に自発的な運動を生じさせ、その運動によりチャネル部に有機分子やナノワイヤを配向させる。 - 特許庁 - The equipment for producing a semiconductor substrate comprises a processing chamber for containing at least one semiconductor substrate and processing the semiconductor substrate by using processing liquid, and a section for activating the processing liquid by forming an electric field in a processing liquid channel.
半導体基板を製造する装置であって、少なくとも一つの半導体基板を収容し、処理液を使用して半導体基板上に処理を実行する処理室と、前記処理液が流れる流路に電場を形成して前記処理液を活性化させる電場形成部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 特許庁 - The followings are formed on a substrate 1, i.e., optical input waveguides 2, a first slab waveguide 3, array waveguides 4 in which a plurality of channel waveguides 4a having mutually different lengths that are beforehand set is arranged in parallel, a second slab waveguide 5 and a waveguide forming section 10 in which optical output waveguides 6 are successively connected in parallel.
光入力導波路２と、第１のスラブ導波路３と、互いの長さが設定量異なる複数のチャンネル導波路４ａを並設してなるアレイ導波路４と、第２のスラブ導波路５と、複数の並設した光出力導波路６とを順に接続してなる導波路形成部１０を基板１上に形成する。 - 特許庁 - An MPD (Multi-Path Diversity) compatible terminal discrimination section 422 discriminates whether or not a terminal requesting common packet channel connection is a multi-path diversity compatible MIMO terminal that transmits a transmission signal with a high modulation multivalue number by forming a space-time code through the combination between the transmission signal and the delay component intentionally attached thereto.
ＭＰＤ対応端末判定部４２２は、共通パケットチャネル接続要求している端末装置が意図的に付加した遅延成分との組み合わせで時空間符号を形成して高い変調多値数の信号を伝送するマルチパスダイバーシチ対応のＭＩＭＯ端末装置であるか否かを判定する。 - 特許庁 - An image forming apparatus provided with a fixing device 50 for fixing an image on a recording medium by heating the recording medium comprises a suction port 92 for suctioning air from outside the apparatus, and a flow channel for guiding the suctioned air from the suction port 92 into devices 4K and 9 disposed around a fixing device 50.
記録媒体を加熱して当該記録媒体に画像を定着する定着装置５０を備えた画像形成装置において、外部から空気を吸入するための吸気口９２と、吸気口９２から吸入された空気を定着装置５０の周囲に配設された装置４Ｋ，９へ案内する流路を備える。 - 特許庁
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