「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33- To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁 - The method for reducing the crosstalk between the channels includes steps for: generating a set of code words corresponding to a first channel for acknowledging transmission based on a first matrix that is a binary quadrature matrix; forming the first matrix where the first matrix is a permuted H12 matrix interleaved with a base vector of the fast Fourier transform of a specific length; and using a second matrix smaller than the first matrix to perform spreading using a spreading function.
二値直交行列である第１の行列に基づいて、伝送に確認応答するための第１のチャネルに対応する１組の符号語を生成することと、第１の行列を形成することと、なお、前記第１の行列が、特定の長さの高速フーリエ変換の基底ベクトルでインターリーブされた置換されたＨ１２行列である、前記第１の行列より小さい第２の行列を使用して、拡散関数を使用して拡散することとを含む。 - 特許庁 - In a combine having the above structure, the fuel inlet pipe 35 of an oil-supplying channel 350 of a fuel tank 30 placed under the floor 19 is protruded upward through the floor 19 in front of the foot board 191 and inside of the floor edge 19c forming the outer edge of the machine body.
運転操作部４が運転者の足場をなす床面１９、運転座席１７及びステアリングコラム２３を備え、このステアリングコラム２３の左右何れかの側で機体外側となる床面１９部分を足載せ部１９１となしたコンバインにおいて、前記床面１９の下側に設けられた燃料タンク３０の給油通路３５０の燃料入り口管部３５を足載せ部１９１の前側で機体外側となる床面側縁１９ｃの内側に床面１９下方から床面１９上方へ突出するように設ける。 - 特許庁 - A method of wireless communication comprises: receiving a downlink signal from a first node; forming a preliminarily-processed downlink signal by demodulating the received downlink signal; generating a channel quality measurement (CQM) value of the preliminarily-processed downlink signal; determining the CQM value exceeding a first threshold; form a processed downlink signal by modulating the demodulated downlink signal; and cooperatively transmitting the processed downlink signal with the first node to a wireless device.
ワイヤレス通信方法であって、第１のノードからダウンリンク信号を受信することと、該受信されたダウンリンク信号を復調して、事前処理されたダウンリンク信号を形成することと、該事前処理されたダウンリンク信号のチャネル品質測定（ＣＱＭ）値を生成することと、第１の閾値を超える該ＣＱＭ値を決定することと、該事前処理されたダウンリンク信号を変調して、処理されたダウンリンク信号を形成することと、該第１のノードと協働して、該処理されたダウンリンク信号をワイヤレスデバイスに伝送することとを包含する、方法。 - 特許庁 - Where, the transmission device conducts the reception and delivery of the microwave signal of the channel cassette through a push-on connector by forming the local oscillator and the filter to one replaceable cassette in order to switch the specified microwave frequencies (channels).
規定マイクロ波周波数からＩＦ周波数分だけ低い周波数で発振するローカル発振器と、ＩＦ信号とローカル発振器出力を混合する周波数混合器と、該混合器出力からＩＦ信号と局部発振周波数と加算されたＲＦ周波数成分のみを取り出すための帯域濾波器と、該濾波器出力を規定レベルに増幅する電力増幅器で構成されるマイクロ波送信回路において、規定マイクロ波周波数（チャンネル）を切り換えるために、上記局部発振器と上記濾波器を交換可能な一つのカセットとし、チャンネルカセットのマイクロ波信号の受け渡しをプッシュオンコネクタで行う伝送装置である。 - 特許庁 - A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film.
本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 特許庁
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