「Defect」を含む例文一覧(18306)

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  • These profiles of defect degrees calculated respectively along the X-axis and the Y-axis are displayed at positions close to the measurement region 342, respectively corresponding to the X-axis and the Y-axis of the measurement region 342.
    これらの算出されたＸ軸およびＹ軸のそれぞれに沿った欠陥度のプロファイルが、計測領域３４２の近接した位置に、計測領域３４２のそれぞれＸ軸およびＹ軸に対応付けて表示される。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a liquid developer which is free of fogging of images, image density unevenness, the defect on the images occurring in fine impurities, etc., and is capable of realizing high image quality and the liquid developer.
    画像のカブリ、画像濃度ムラ、微細な不純物に起因する画像上の欠陥等のない、高度な画像品質を実現することができる液体現像剤の製造方法及び液体現像剤を提供する。 - 特許庁
  • The defect removing device 1 controls an X-directional positioning mechanism 15, a Y-directional positioning mechanism 16 and a θ-directional positioning mechanism 18 and performs relative positioning between a substrate 3 and a water column laser irradiation device 7.
    欠陥除去装置１は、Ｘ方向位置決め機構１５、Ｙ方向位置決め機構１６、θ方向位置決め機構１８を制御し、基板３と水柱レーザ照射装置７との相対的位置決めを行う。 - 特許庁
  • In the cavity, the reaction admixture is loaded with a high pressure sufficient to close the defect occurring by the reactive shrinkage and/or the thermal shrinkage and/or the air pocket by means of a pressure medium.
    キャビティ内でポリウレタン反応混合物に、圧力媒体によって反応性収縮及び／又は熱的収縮及び／又は空気ポケットによって生じる欠陥を閉じさせるのに十分高い圧力をかける。 - 特許庁
  • To provide an epitaxial silicon carbide single crystal substrate having a silicon carbide single crystal thin film with a high quality and a few defect on the silicon carbide single crystal substrate with a small off-angle and to provide its manufacturing method.
    オフ角度の小さな炭化珪素単結晶基板上に、高品質で欠陥の少ない炭化珪素単結晶薄膜を有するエピタキシャル炭化珪素単結晶基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for producing an epitaxial wafer, and an epitaxial wafer, having an extremely high gettering capacity in which LPD does not increase even if doped quantity of nitrogen is increased and crystal defect in an epitaxial layer is reduced extremely.
    窒素ドープ量を増やしてもＬＰＤが増加せず、極めて高いゲッタリング能力を有するとともにエピ層中の結晶欠陥が極めて少ないエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁
  • To make compatible both of a high-performance classification function and a high-throughput image collection function in a defect observation device for automatically collecting and classifying defective images existing on a sample such as a semiconductor wafer.
    半導体ウェハ等の試料上に存在する欠陥の画像を自動収集かつ自動分類する欠陥観察装置において、その高性能分類機能と高スループットな画像収集機能の両立を実現する。 - 特許庁
  • When there is a defect in the image signal for gain setting or the image signal used for the white reference data, the line for reading the image signals is changed and thereafter, the image signal at the revised line is read.
    ゲイン設定のための画像信号や白基準データとなる画像信号に異常があるときには、これら画像信号を読み取るラインを変更し、以後、変更したラインでかかる画像信号の読取りを行なう。 - 特許庁
  • Then, the introduction of the raw material gases is stopped, and an etching gas is introduced into the crucible 4 through the gas-feeding pipe 13 to etch the growing crystal 20 in a growing atmosphere until the observed defect D appears.
    その後、原料ガスの導入を停止するとともにガス導入管１３を通してエッチングガスをルツボ４内に導入して、観察した欠陥Ｄの発生以前まで成長結晶２０を成長環境下でエッチングする。 - 特許庁
  • Inverting the PXLED to expose the pattern of the masking layer or using the Talbot effect to create an aligned second patterned masking layer allows the formation of PXLEDs with low defect density.
    マスク層のパターンを露出させるためにＰＸＬＥＤを逆にするか、又は、「タルボット」効果を用いて整列した第２のパターン化マスク層を作り出すことにより、欠陥密度の低いＰＸＬＥＤを形成することができる。 - 特許庁
  • To provide a defect detection method, capable of precisely, easily, and quickly confirming and evaluating a defective part of a transparent gas barrier film, having a transparent inorganic oxide evaporation layer laminated on a transparent plastic base member.
    透明プラスチック基材に透明無機酸化物蒸着層を積層した透明ガスバリアフィルムの欠陥箇所を、正確に、簡便且つ迅速に確認し、評価することができる欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for inexpensively forming a circuit on a printed- wiring board by reducing defect in a circuit pattern due to dirt, and by shortening processes in circuit formation and exposure time.
    プリント配線板の回路形成にて、塵埃にる回路パターンの欠陥を低減させ、回路形成の工程を短縮し、露光時間を短縮し、廉価に回路を形成するプリント配線板の回路形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an electromagnetic stirring method which can produce a cast slab effectively reducing non-metallic inclusion defect on the surface layer part by suitably controlling molten steel flow in a mold for continuous casting.
    連続鋳造における鋳型内の溶鋼流を、適切に制御することによって、表層部の非金属介在物欠陥を効果的に低減した鋳片を製造することのできる電磁攪拌方法を提供する。 - 特許庁
  • To manufacture a single crystal silicon ingot having homogeneous vacancy defect density and distribution in a radial direction by removing minute vacancy defects not larger than a critical size that adversely affects the voltage-resistance characteristics of an oxide film.
    酸化膜耐圧特性に悪影響を及ぼす臨界サイズ以下の微細なベイカンシ欠陥を除去し、半径方向に均一なベイカンシ欠陥密度及び分布を有するシリコン単結晶インゴットを製造すること。 - 特許庁
  • To provide a telescope-type lift column which avoids defect in a widely known apparatus, and guarantees an exact and stable guide of the lift column simply and in a compact space at the time of bigger load.
    公知の装置における欠点を回避すると共に、特に簡単かつ省スペースに、リフトコラムの確実かつ安定な案内をより大きな荷重時にも保証することができるテレスコープ形リフトコラムを提供する。 - 特許庁
  • To provide an electrostatic charge image developing toner capable of effectively preventing the occurrence of photoreceptor contamination and flaws on a photoreceptor surface, suppressing an image quality defect for a long period, and providing excellent fixability and blocking resistance.
    感光体汚染や、感光体表面の傷の発生を効果的に防止でき、画質欠陥を長期にわたって抑制するとともに、定着性、耐ブロッキング性に優れた静電荷像現像用トナーと提供する。 - 特許庁
  • To provide an epitomical wafer for a hetero junction bipolar transitory for prolonged service life of HBT by reducing the crystal defect of a collector contact layer and a contact layer cow sing beta to increase and reliability.
    コレクタコンタクト層及びコレクタ層の結晶欠陥を減少させてベータを増加させると共に、信頼性を向上させてＨＢＴの寿命を延ばすことができるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing an optical film where an optical film with high quality, no defect and high productivity can be manufactured by suppressing the peeling of cured resin from both ends area of a coating layer after curing.
    硬化後の塗工層の両端部領域から硬化樹脂が剥がれることが抑えられることにより、高品質で欠陥なく、かつ生産性よく光学フィルムを製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The host CPU 21 controls the drive capability of each of the output buffers 22a, 22b so as to prevent or reduce generation of a defect such as blunting of waveform, overshoot, undershoot in the supplied signals to each slave device.
    ホストＣＰＵ２１は、各スレーブデバイスへの供給信号に波形鈍り，オーバーシュート，アンダーシュート等の欠陥が生じることを防止または軽減するように各出力バッファ２２ａ，２２ｂのドライブ能力を制御する。 - 特許庁
  • To prevent satisfactory ohmic contact between a p-type nitride semiconductor and metal even if a defect occurs on the surface of the p-type nitride semiconductor worked by using a dry etching method and metal is deposited.
    ドライエッチング法を用いて加工したｐ型の窒化物半導体の表面に欠陥が発生し、金属を蒸着しても、ｐ型の窒化物半導体と金属の間には良好なオーミック性接触が形成されない。 - 特許庁
  • To obtain a projection defect repair device where a tension force acting on a polishing tape is maintained in a predetermined value, and the occurrence of the polishing defects is effectively prevented from mounting a new tape cassette to the finishing of the polishing tape.
    新品のテープカセットを装着してから研磨テープが終了するまで、研磨テープに作用するテンション力が所定の値に維持され、研磨不良の発生が有効に防止された突起欠陥補修装置を実現する。 - 特許庁
  • To suitably suppress yellowing and defect of the surface of a formed glass substrate by properly controlling the supply quantity of hydrogen in a float bath according to formation conditions such as temperature distribution or the like in the float bath.
    フロートバス内の水素供給量を当該フロートバス内の温度分布等の成形条件に合わせて適正に調整することで、成形されたガラス基板表面の黄変及び欠陥を好適に抑制する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus for a resin composition solution which can effectively remove particulates contained in the resin composition solution, which could become a defect factor, and can suppress the generation of defects.
    樹脂組成物溶液中に含まれるディフェクト要因となり得る微粒子を効果的に除去できディフェクトの発生を抑制することができる樹脂組成物溶液の製造方法、及び製造装置を提供する。 - 特許庁
  • The method includes also a step for determining a reference value to be a function of burst signals for many sectors and a step for identifying a potential defect by comparing the burst measuring value of at least one sector with the reference value.
    その方法はまた，多数のセクタのバースト信号の関数である基準値を決定する段階と，少なくとも一セクタのバースト計測値を基準値と比較して潜在的欠陥を識別する段階とを含む。 - 特許庁
  • To provide an imaging unit and image sensor which prevents the occurrence of white non-gradation pixel or color reproducibility defect by complementing a sensitivity difference between a white pixel and a color pixel and can perform photographing that is not inferior in image quality, either.
    白画素と色画素との感度差を補うことで白とびや色再現性不良の発生を防止し、かつ、画質的にも遜色ない撮影が行える撮像ユニットおよび撮像装置を提供すること。 - 特許庁
  • A defect classifying means 7 is for classifying images of semiconductor chips SC determined to be non-defectives into a plurality of levels of rank according to the size of characteristic quantities representing the degree of anomalies of the semiconductor chips SC.
    欠陥分類手段７は、良品と判断された半導体チップＳＣの画像を対象として、半導体チップＳＣの異常の程度を表す特徴量の大きさに応じて複数段階の等級に分類する。 - 特許庁
  • The laser beam machining section reads out the bit of identification information marked on the object to be machined and restores the defective part of the object to be machined on the basis of the defect information corresponding to the bit of identification information.
    レーザ加工部は、加工対象物に刻印されている識別情報を読み取り、該識別情報に対応する不良情報に基づいて該加工対象物の不良個所の修復を行うことができる。 - 特許庁
  • Thus, damage on the pixel electrode layer such as scratch by the mask does not occur and the shape defect of the pixel electrode layer does not occur; therefore, a highly reliable display device performing highly fine display can be manufactured.
    よって、画素電極層にはマスクによる傷などの損傷が生じず、画素電極層は形状不良とならないので、高繊細な表示を行う、高信頼性な表示装置を作製することができる。 - 特許庁
  • To provide a method for molding a correction lens for the exposure of a cathode ray tube excellent in ultraviolet permeable characteristics, the adhesion of an ultraviolet cured resin and a substrate thin plate, and optically having no defect by simple constitution.
    簡単な構成で紫外線の透過特性に優れ、紫外線硬化樹脂と基体薄板との接着性に優れ、光学的にも欠陥の無いブラウン管露光用補正レンズの成形方法を提供すること。 - 特許庁
  • To improve a compaction defect in filling paving involved in a method (AL method) in which, when a manhole lid is installed, paving precedes and after its completion, a receiving frame of the manhole lid is installed in accordance with the height of the paving.
    人孔蓋を設置する場合、舗装を先行させ、舗装完了後その舗装高に合わせて人孔蓋の受け枠を設置する工法（ＡＬ工法）に伴う間詰舗装における締め固め不良を改善する。 - 特許庁
  • To provide a stringing suction device for an injection molding machine for removing the resin stringing causing molding defect of the injection molding, and a manufacturing method of the molded product using the stringing suction device.
    射出成形の成形不良の原因となる樹脂の糸ひきを除去するための射出成形機用糸ひき吸引装置および該糸ひき吸引装置を用いた成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an image processing device capable of suppressing an image quality defect caused by a droop phenomenon relating to a semiconductor laser based on pulse width information indicating the pulse width of laser light emitted by the semiconductor laser.
    半導体レーザから発光されたレーザ光のパルスの幅を示すパルス幅情報に基づき、当該半導体レーザにかかわるドループ現象による画質欠陥を抑制することのできる画像処理装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a solid imaging apparatus and its driving method to control an image defect caused by a coupling occurred during operating a read transistor to control the read of a signal charge obtained from a photodiode.
    フォトダイオードからの信号電荷の読み出しを制御する読み出しトランジスタの動作時に起こるカップリングに起因する画像不良を抑制することが可能な固体撮像装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a nitride semiconductor device having a high performance by forming a high quality nitride crystal layer having a small defect such as a through transition or the like and further having no unnecessary strain on a sapphire substrate.
    貫通転移などの欠陥が少なく、さらに不要な歪みのない高品質窒化物結晶層をサファイア基板上に形成することにより、高性能な窒化物半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • When an SiGe layer is relaxed at an enough temperature, the property of its dislocation movement is such that strain release defect moves down into the thin Si layer when an embedded oxide shows semi-viscosity behavior.
    十分な温度でＳｉＧｅ層を緩和すると、その転位運動の性質は、埋込み酸化物が半粘性挙動を示すときにひずみ解放欠陥が薄いＳｉ層内に下方移動するようなものである。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a capacitor which can improve electrical characteristics by minimizing interface defect between a lower electrode and a dielectric film caused by invagination of impurities such as polymer during electrochemical deposition.
    電気化学蒸着の時、ポリマーなどの不純物の陷入による下部電極と誘電体膜との間の界面欠陥を最小化して電気的特性を向上させることのできるキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To suppress such a defect that the light emitted from the rear surface of a laser chip is scattered on the inside wall of a laser stage, and a part of the scattered light passes through a laser window to irradiate the scanning surface as outside disturbance light.
    レーザーチップの裏面から射出された光がレーザー基台の内壁で散乱され、散乱光となってその一部がレーザー窓を通過し、被走査面に外乱光として照射されるという問題を解消する。 - 特許庁
  • To provide a burner for powder combustion capable of favorably burning even waste plastics roughly crashed, available comparatively at low cost with none of defect such as nozzle clogging, etc.
    本発明は、比較的安価に入手することができる粗粉砕した廃プラスチックであっても、ノズル詰まり等の不具合が無く良好に燃焼が可能な粉体燃焼用バーナを提供することを主目的とする。 - 特許庁
  • A defect which is not repaired even after the forward bias Va and the reverse bias Vb are alternatively repeated several times onto the organic EL element 104, is repaired by emitting on it a third harmonic frequency of YAG laser from a laser device 24.
    有機ＥＬ素子１０４に順バイアスＶａと逆バイアスＶｂを交互に複数回印加してもリペアされない欠陥に対して、レーザー装置２４からＹＡＧレーザーの第３高調波を出射してリペアする。 - 特許庁
  • In the method for correcting the semiconductive belt, the shape defect part 1a of the semiconductive belt 1 containing a conductive material in a resin is subjected to a heating process, and is then flattened by polishing.
    本発明は、樹脂中に導電性物質を含有する半導電性ベルト１の形状的な欠陥部分１ａを加熱処理した後、研磨して平坦化させる半導電性ベルトの修正方法である。 - 特許庁
  • To provide a bath agent having an excellent effectiveness by utilizing the advantage of tuff as the bath agent, also by supplementing the defect in making the tuff as the bath agent by utilizing the adsorptive property of maifanshi.
    入浴剤としての凝灰岩の利点を生かし、且つ麦飯石の吸着性を利用して、凝灰岩を入浴剤とすることの欠点を補うことにより、効能優れた入浴剤を明らかにするものである。 - 特許庁
  • A TFT 30 forming the single crystal silicon layer as a channel region 1a' is formed on the insulator layer and at least one line defect D exists within the single crystal silicon layer forming the channel region 1a'.
    そして、絶縁体層上に単結晶シリコン層をチャネル領域１ａ'としたＴＦＴ３０が形成され、チャネル領域１ａ'をなす単結晶シリコン層内に少なくとも一つの線欠陥Ｄが存在している。 - 特許庁
  • The memory device includes a list of grown defect that identifies a plurality of data sectors stored along a track between the first servo wedge and the second servo wedge on a selected track as data sectors which may not be written to.
    メモリ装置は、選択されたトラック上の第１サーボウェッジと第２サーボウェッジ間のトラックに沿って記憶された複数のデータセクタを書き込み不能なデータセクタとして特定するための後発欠陥のリストを含む。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device packaging method capable of reducing the rate of trouble generation, a semiconductor repairing method capable of easily repairing a defect of a solder junction, and a semiconductor device capable of performing these methods.
    不具合発生率を低減できる半導体装置の実装方法、半田接合部の不良を容易に修理することができる半導体装置のリペア方法、これら方法を実施可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • On October 20, 1745, Yoshimune TOKUGAWA ceded the post of shogun to his eldest son Ieshige TOKUGAWA, but a speech defect which left him unable to govern meant that Yoshimune held onto actual power until his death.
    延享2年（1745年）9月25日、将軍職を長男・徳川家重に譲るが、家重は言語不明瞭で政務が執れるような状態では無かったため、自分が死去するまで大御所として実権を握り続けた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The lithium secondary battery is maintained as the battery performance is kept high without causing structural defect because even if lithium in the lithium-manganese skeleton is eluted, it is replaced by lithium borate by using lithium borate as the boron source.
    硼素源として硼酸リチウムを使用するため、リチウム−マンガン骨格のリチウムが溶出しても、前記硼酸リチウムで置換されるため構造欠陥が生ずることがなく、電池性能が高いまま維持される。 - 特許庁
  • To provide a polyester polymerization catalyst for obtaining a polyester by making use of high polymerization activities, a merit of a titanium compound, while inhibiting coloration caused by thermal deterioration, a defect of the titanium compound.
    本発明の目的は、チタン化合物の長所である重合活性を生かし、かつ、欠点である熱劣化に伴う着色の問題を抑えたポリエステルを得るためのポリエステル用重合触媒を提供することにある。 - 特許庁
  • This plasma resistant member consists substantially of a sintered yttrium aluminate garnet compact and is characterized in that fluorine elements are bonded to the oxygen defect ion site in the crystal and the yttrium in the surface region.
    耐プラズマ性部材の発明は、実質的にイットリウムアルミン酸ガーネット燒結体から成り、かつ結晶中の酸素欠陥イオンサイトおよび表面領域のイットリウムにフッ素元素が結合していることを特徴とする。 - 特許庁
  • ETCHANT NOT CONTAINING CHROMIUM FOR Si SUBSTRATE AND SiGe SUBSTRATE, METHOD FOR REVEALING DEFECT BY USING THIS ETCHANT, AND PROCESS OF PROCESSING Si SUBSTRATE AND SiGe SUBSTRATE BY USING THIS ETCHANT
    Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、そのエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびそのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセス - 特許庁
  • Because the maintaining electrodes 54 and the writing electrodes 56 are formed of the conductive wires, an electrode defect and generation of outgas caused by electrodes formed by thick film printing technique are suitably suppressed.
    そのため、維持電極５４および書込電極５６が導線で構成されることから、それらを厚膜印刷技術で形成することに起因する電極欠陥やアウト・ガスの発生が好適に抑制される。 - 特許庁
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