「Defect」を含む例文一覧(18306)
＜前へ 1 2 .... 292 293 294 295 296 297 298 299 300 .... 366 367 次へ＞- To provide a laminated ceramic capacitor such as chip capacitor or the like, which prevents the occurrence of structural defect upon calcination and is small in the deterioration of electrostatic capacitance value, while having temperature stability of an excellent capacitance value and being excellent in reliability.
焼成時の構造欠陥の発生を抑制した、静電容量値の低下の小さい、優れた容量値の温度安定性を有し、信頼性に優れたチップコンデンサなどの積層セラミックコンデンサを提供することができる。 - 特許庁 - To provide a high strength porous body to obtain a metal ceramic composite material by a pressure infiltration method and to manufacture the metal-ceramic composite material which is inexpensive and has high rigidity without causing crack, the formation of a metal-enriched layer or infiltration defect.
加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属−セラミックス複合材料の作製を可能とする。 - 特許庁 - To provide an inspection device for optical lens capable of precisely performing inspection of optical defect or optical performance of an optical lens used for a small CCD camera or the like in a short time, and reducing the inspection cost.
小型ＣＣＤカメラ等に使用される光学レンズの光学的欠陥の有無や光学性能の検査を短時間に正確に行うことができ、また、検査コストも低減させることのできる光学レンズの検査装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a photoelectric converter that will not fail as a whole, due to a defect of a pixel or the like due to an over-voltage of a capacitive element and affected by an after image or the like, even if the incident luminous quantity is very much intensified.
容量素子の過電圧による画素の欠陥などにより装置全体が故障することがなく、また、入射光量が極度に強められた場合にも残像などの影響がない光電変換装置を提供する。 - 特許庁 - The method for inspecting a mask defect includes a process of generating referential data from the corrected mask design data D2 obtained by correcting (S10) data according to the exposure transfer pattern, and a process of measuring the actual pattern of the mask based on the corrected mask design data D2 to generate sensor data.
露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）補正後マスク設計データＤ２から、参照データを作成し、補正後マスク設計データＤ２に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。 - 特許庁 - Resist patterns corresponding to at least two exposure shots are extracted, and the resist pattern corresponding to at least one shot is compared with a master pattern as an inspection reference so as to inspect whether a defect is present in the resist pattern or not and to extract a defective portion.
ここでは、レジストパターンを少なくとも２ショット分取り出し、この内の少なくとも１ショット分のレジストパターンと、検査の基準となるマスタパターンとを比較して上記レジストパターンの欠陥の有無を検査し欠陥個所を抽出する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable liquid crystal display device by hardening an end-sealing material having entered between a pair of glass substrates so as to leave no unhardened portion for the purpose of preventing occurrence of a display defect caused by an unhardened end-sealing material.
封止材の未硬化に起因する表示の不良の発生を防止するため、一対のガラス基板間に侵入した封止材を未硬化部分が残らないように硬化させ、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - One method for selecting defects for defect analysis includes binning defects into group(s) based on proximity of the defects to each other and spatial signatures formed by the group(s).
欠陥解析のために欠陥を選択する一方法は、これらの欠陥の互いの近接性、及び、グループ（１つ又は複数）により形成される空間シグネチャに基づいて、欠陥をこのグループ（１つ又は複数）にビン分類することを含む。 - 特許庁 - A laser beam emitted from the light source 510 of a pickup 500 is diffracted to be an RF signal light, a focus signal light, a tracking signal light or a defect detection light by the diffraction grating 522 of a diffraction element 520.
ピックアップ５００における光源５１０から出射したレーザ光は、回折素子５２０における回折格子５２２によってＲＦ信号光、フォーカス信号光、トラッキング信号光、及び欠陥検出光に回折される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device and an apparatus for manufacturing a silicon carbide semiconductor device which can apply a resist to a silicon carbide wafer in which a non-flatness defect exists without coating unevenness.
本発明は、非平坦欠陥が存在する炭化珪素ウエハに対して塗布ムラなくレジストをコーティングすることが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法及び炭化珪素半導体装置の製造装置の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device with superior performance, protecting from crystal defect being introduced in a semiconductor film, as well as repeatedly and controllably etching the semiconductor film used for the semiconductor apparatus.
半導体装置に用いられる半導体膜を再現性よく、かつ制御性よくエッチングするとともに、半導体膜中に結晶欠陥が導入されるのを防ぎ、優れた性能を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnet which can reduce dispersion in bonding strength, realize large bonding strength and realize effective bonding operation by effectively eliminating setting defect of adhesive which is inactive to a nickel plating film.
ニッケルメッキ膜に対して反応不活性な接着剤の硬化不良を効果的に解消し、接着強度のバラツキが小さく、しかも大きな接着強度を得ることができ、接着作業の効率化を実現できる磁石を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an epitaxial wafer of high surface flatness while reducing crystal defect in an SiC epitaxial wafer, the SiC epitaxial wafer obtained by it and a semiconductor device produced on the wafer.
ＳｉＣエピタキシャルウエハ中の結晶欠陥を低減しながら表面の平坦性の高いエピタキシャルウエハを作製する方法、これによって得られたＳｉＣエピタキシャルウエハ、及び同ウエハ上に作製された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a high quality substrate having multi-planes for color filters and its manufacturing method in which no defect is generated caused by the contacts made among members themselves and contact made to the manufacturing device during the production.
本発明は、製造の際に、部材どうしの接触や製造装置との接触によって欠陥等が生じることのない、高品質なカラーフィルタ用多面付け基板、およびその製造方法を提供することを主目的としている。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a silicon nitride film with little defect in the film and having little leak current wherein the concentration and the distribution of other atoms such as oxygen in the film and the film thickness are controlled.
膜中の酸素等、他の原子の濃度及び分布、更には膜厚まで制御されて、膜中の欠陥が少ないシリコン窒化膜を有し、ひいてはリーク電流の少ない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The center 1 supplies the defect content of a designated content to a demandant in response to a viewing request from the demandant and, at the same time, performs charging processing to the demandant.
ダウンロード課金センタ１は、受信装置７からのコンテンツの視聴要求に応答して、その視聴要求により指定されたコンテンツの欠損コンテンツを要求元に供給するとともに該要求元に対する課金処理を行う。 - 特許庁 - To provide an electrostatic countermeasure component which hardly causes a short defect even when an electrostatic pulse of high voltage is applied, does not requires a high peak voltage, and operates at a low peak voltage.
本発明は、高電圧の静電気パルスが印加されたとしても、ショート不良が発生し難く、かつピーク電圧も高いものを必要とせず、低いピーク電圧で動作する静電気対策部品を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can suppress the occurrence of crystal defect in a semiconductor substrate even if heat treatment is conducted after a groove for isolating elements is formed in the semiconductor substrate and which can obtain a high reliability.
半導体基板に素子分離用の溝を形成した後に熱処理を行うようにしても、半導体基板に結晶欠陥が発生するのを抑制することができ、高い信頼性を得ることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - Whether or not the thread has defective register/array is discriminated by separately testing functions of the respective threads, access to the register/array intrinsic to the thread is selectively disabled when a defect or some other reasons are present.
各々のスレッドの機能を別々にテストして、スレッドが、欠陥のあるレジスタ／アレイを有するかどうかを識別し、もし欠陥があれば、又は他の理由によって、そのスレッドに固有のレジスタ／アレイへのアクセスを選択的に不能にする。 - 特許庁 - The black defect is removed by the same method as anodic oxidation by using that DLC is oxidized by partial VUV light irradiation from a scanning proximity place optical microscope probe in an ozone atmosphere, it becomes the volatile component and is removed.
またはオゾン雰囲気下での走査近接場光学顕微鏡探針からの局所VUV光照射でDLCが酸化され揮発性成分となって除去されることを利用し、陽極酸化と同様な方法で黒欠陥を除去する。 - 特許庁 - In the process of the increase, the power of the laser light source of the 1st microscope 21A is gradually decreased to make electrons (current) based upon internal photoelectron effect flow, thus obtaining an abnormal point based upon an actual crystal defect, etc.
この上げていく過程で、同時に、第１マイクロスコープ２１Ａのレーザ光源のパワーをゆっくり下げていき、内部光電子効果に基づく電子（電流）が流れるようにして、実際の結晶欠陥等に基づく異常点を得る。 - 特許庁 - To provide a photographic processing chemical package that particularly functions on a conventional processing device without further mounting other devices, has no defect in stability of one-component preparation, and brings about better reproducibility of a processing.
特に、更なる取り付けを伴なわずに従来の処理装置上で機能し、１成分調製物の保恒性の欠点をもたず、そして処理のより良い再現性をもたらす、写真処理化学薬品のパッケージを提供すること。 - 特許庁 - If excess halogen is contained in the photoconductive layer, a dissociation of halogen is suppressed in the heavy metal halide crystal structure easy to be produced at the X-ray irradiation time and the generation of a crystal defect associated with the dissociation of this halogen.
光導電層中に余剰なハロゲンが含まれると、Ｘ線照射時に生じやすい重金属ハロゲン化物結晶構造中のハロゲンの解離と、このハロゲンの解難に伴う結晶欠陥の発生が抑えられる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor wafer inspecting apparatus and method capable of performing defect inspection for each chip region over the whole wafer without interrupting the inspection, and to provide a semiconductor device formed after using the apparatus and the method.
検査が中断されることなくウェハ全面の検査対象の各チップ領域について欠陥検査が可能な半導体ウェハ検査装置及びその検査方法及びその利用を経て形成された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a peritoneal dialysis liquid reducing an adverse effect on a living body by glucose being the defect of existing peritoneal dialysis liquids and useful for supplying L carnitine lacking in a dialysis patient.
腹膜透析液内の主浸透圧剤としてブドウ糖を用いることに対する欠点の克服、及び慢性腎不全患者に不足するL-カルニチンの補給の２つを同時に満たすことができる腹膜透析液はまだ存在していない。 - 特許庁 - In the storage unit 3, the inspection software stored in it performs defect determination by comparing reference values G1min to G1max stored in the inspection software and the evaluation value G2 transmitted from the substrate of the object of inspection.
記憶装置３では、格納されている検査ソフトがその内部に保存されている基準値Ｇ１ｍｉｎ〜Ｇ１ｍａｘと検査対象のプリント基板から送られてきた評価値Ｇ２とを比較することにより不良判定を行う。 - 特許庁 - To provide a developing device which prevents a partial charging defect of toner, a density decrease, etc., by forcibly consuming toner corresponding to toner consumptions by axial areas of a developing roller, and an image forming apparatus mounted with the same.
現像ローラの軸方向領域ごとのトナー消費量に対応した強制消費を行うことによって、部分的なトナーの帯電不良、濃度低下等を防止する現像装置、及びこれを使用する画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy having good forgeability, excellent wear resistance and heat resistance, little surface defect at the continuous casting time and easily controlling the size of intermetallic compound and excellent in the uniformity in the inner structure.
鍛造性が良く、耐摩耗性及び耐熱性に優れ、連続鋳造時に表面欠陥が少なく、金属間化合物の大きさを小さく制御するのが容易で内部組織の均一性に優れたアルミニウム合金の提供を目的とする。 - 特許庁 - To provide a thin electrode catalyst layer with high catalyst utilization efficiency and high output performance by restraining deterioration of performance due to coating defect in forming an electrode catalyst layer and a cost hike due to complicated processes.
電極触媒層を形成する際の塗工性不良による性能低下および煩雑な工程によるコスト増大を抑制し、薄く、触媒利用効率が高く、高出力性能の得られる電極触媒層を提供すること。 - 特許庁 - To provide an etchant not containing chromium for a Si substrate and SiGe substrate, a method for revealing a defect by using this etchant, and a process for processing the Si substrate and the SiGe substrate by using this etchant.
Ｓｉ基板およびＳｉＧｅ基板用のクロムを含まないエッチング液、このエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびこのエッチング液を使用してＳｉ基板およびＳｉＧｅ基板を処理するプロセスを提供する。 - 特許庁 - To provide a composite semiconductor substrate that lowers defect density in a nitride semiconductor layer and at the same time, an amount of warpage of the composite semiconductor substrate by reducing stress between an Si substrate and a nitride semiconductor layer.
複合半導体基板において、Ｓｉ基板とその上の窒化物系半導体層との応力を低減することにより、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低くするとともに、複合半導体基板の反り量を小さくする。 - 特許庁 - Subsequently, the metal oxide is subjected to heat treatment to release a part of oxygen in the metal oxide through an oxidation-reduction reaction, and an oxygen defect is generated in the metal oxide, thereby manufacturing the metal oxide semiconductor.
次いで、前記金属酸化物に加熱処理を施し、前記金属酸化物中の酸素の一部を還元反応を通じて離脱させ、前記金属酸化物中に酸素欠陥を生ぜしめて金属酸化物半導体を作製する。 - 特許庁 - Defect information for each cluster consisting of continuous 4ECC blocks is stored in an area from BPO to BP9209 in the first half out of area from first byte position BPO to 18420th byte position BP18419.
１番目のバイト位置ＢＰ０から１８４２０番目のバイト位置ＢＰ１８４１９までのうち、前半分のＢＰ０からＢＰ９２０９までのエリアには、連続する４ＥＣＣブロックからなるクラスタ毎の欠陥情報が格納される。 - 特許庁 - To prepare molded articles with required shapes without defect and flash when the molded articles with different vol. each other are simultaneously prepd. by using a tandem type injection molding apparatus provided with the first to the third molds.
第１乃至第３の金型を備えるタンデム型射出成形装置を使用して互いに体積の異なる成形品を同時に製造する場合に、欠損部分やバリ部分等のない所望の形状の成形品を製造する。 - 特許庁 - To provide a metal soap grease composition not only having excellent lubricant characteristics but also capable of suppressing softening even when water is invaded and eliminating a lubricant defect due to softening outflow and having excellent water resistance.
優れた潤滑特性を有するだけでなく、水が進入しても軟化を極めて少なく抑えることができ、軟化流出による潤滑不良なくすことが可能な耐水性に優れた金属石鹸グリース組成物を提供する。 - 特許庁 - The defect of a pattern formed on an inspection object is detected by comparing two images of corresponding patterns of the inspection object acquired by imaging the inspection object, by using a scattergram acquired from the two images.
被検査対象を撮像して得た被検査対象の対応するパターンの２枚の画像を、この２枚の画像から得られる散布図を用いて比較することにより被検査対象に形成されたパターンの欠陥を検出する - 特許庁 - To provide a device and a method for coating with a polyimide film capable of improving pinhole defect and line stain by completely removing residue left on an inkjet head in an inkjet-system polyimide coating process.
インクジェット方式のポリイミド膜塗布工程においてインクジェットヘッド上に残存する残留物を完全にとり除いてピンホール不良や線染みなどを改善することができるポリイミド膜塗布装置及び方法を提供することである。 - 特許庁 - In a system like this, laser equipment having a proper pulse frequency and wavelength is selected and an irradiation system or diffusion system using a slit is used to effectively repair a pixel defect of the display device.
このような方式で、適切なパルス周波数及び波長を有するレーザ装備を選択し、スリットを使用した照射方式または拡散方式を使用することによって、表示装置の画素不良を効果的に修理することができる。 - 特許庁 - To provide a defect correction method for a photomask using a scanning probe microscope, the method giving less damage on the photomask, and to provide a method for manufacturing a photomask using the method.
本発明は、走査型プローブ顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥修正方法であって、フォトマスクへのダメージが少ないフォトマスクの欠陥修正方法、およびそれを用いたフォトマスクの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device that has two ohmic electrodes and a gate electrode disposed therebetween, and can be manufactured without any defect in gate electrode formation due to fluctuations of an electron beam for the gate electrode formation.
２つのオーミック電極、及び、それらの間に配置されたゲート電極を備えた、ゲート電極形成用電子線の揺らぎに起因するゲート電極形成不良が生じない形で製造できる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction.
繰り返しｐｎ接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。 - 特許庁 - To provide an α-zirconium phosphate crystal type heavy metal ion adsorbent overcoming the defect of α-zirconium phosphate crystals, having a porosity and material configuration suitable for the separation operation of heavy metal ions and repeatedly usable by regeneration.
α‐リン酸ジルコニウム結晶の欠点を克服し、重金属イオンの分離操作に適した多孔性と材料形態を有し、再生により繰り返し使用できるα‐リン酸ジルコニウム結晶系重金属イオン吸着材を提供する。 - 特許庁 - There provided are the method for processing a semiconductor surface by using the etchant, and the new etchant suitable for featuring a defect on the surface of a semiconductor containing silicon germanium on the surface.
本発明は、本明細書で開示されたようなエッチング液を用いて半導体表面を処理する方法だけでなく、シリコンゲルマニウム表面を含んだ半導体表面の欠陥を特徴付けるのに適した新規なエッチング液に関する。 - 特許庁 - To uniformly disperse a pigment as a colorant in toner and to obtain an image with sufficient image density and no hollow defect or toner scattering even when the particle diameter of the toner is decreased.
トナー中に着色剤となる顔料が均一に分散されるようにし、トナーの粒径を小さくした場合においても、十分な画像濃度を有すると共に、中抜けやトナー飛散等のない良好な画像が得られるようにする。 - 特許庁 - Thereby, on the ashing process of a photosensitive layer, etching ratio on a part where wiring is positioned is equalized to the etching ratio on a part where the wiring is not positioned and, therefore, the advantage of preventing a defect from occurring on the surface of the wiring can be obtained.
ここれにより、感光層をアッシングする工程で、配線が位置した部分と、そうではない部分に対するエッチングの比率を合わせることができるために、配線の表面に欠陥が発生する不良を防げる長所がある。 - 特許庁 - To provide a center defect reducing method of a continuously cast steel slab at a low cost without performing low-temperature casting with inferior operational consistency or high-temperature soaking diffusion of the slab at excessive cost under the low rolling reduction at the end of solidification with high equipment load.
操業安定性に欠ける低温鋳造や、設備負荷の高い凝固末期軽圧下、コストが過剰に掛かるスラブ高温均熱拡散を行わず、安価に連続鋳造鋳片の中心欠陥低減方法を提供する。 - 特許庁 - The defect is introduced in the surface oxide film by allowing the aluminium foil which is useful in etching to be subjected to a bending process or a repetitive bending process suitably at the curvature of 0.5 mm-7 mm by use of bending rollers 2, 2a, and 2b.
エッチングに供されるアルミニウム箔に、曲げローラ２、２ａ、２ｂなどにより好適には曲率０．５ｍｍ〜７ｍｍで曲げ加工あるいは繰り返し曲げ加工を施してその表面酸化皮膜に欠陥を導入する。 - 特許庁 - The defect-checking device obtains a mean luminance value of an image of a size decided based on a repeating pattern or an exposure shot size for a photographs image, and checks the detect based on the mean luminance value and previously decided inspection conditions.
撮像画像に対して繰返しパターン寸法又は露光ショット寸法に基づいて定められたサイズの画像の平均輝度値を求め、該平均輝度値と予め定められた検査条件とに基づいて欠陥を検査する。 - 特許庁 - To provide an optical scanner in which the shielding of laser light due to dust entering into the optical scanner or attaching on a dust proof glass is suppressed and a fatal image defect is suppressed.
本発明は、塵埃が光学走査装置内に侵入したり防塵ガラスに付着してレーザ光を遮ることを抑制し、重大な画像欠陥を引き起こすことを抑制できる光学走査装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To dissolve a trouble for extending/contracting an antenna with a manual operation by using hands and a defect that call quality deteriorates if a reception field level drops when a call is made without extending the antenna, which a conventional portable telephone set has.
在来の携帯電話機の有する、両手を用いて手動でアンテナを伸縮させる煩わしさや、アンテナを伸ばさず通話している時受信電界レベルが低下した場合に通話品質が劣化する等の欠点を解消する。 - 特許庁
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