「Dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 43 44 次へ＞- The correcting section 51 corrects dislocation (pulse-number) equivalent to fractional part of the deceleration ratio of reduction gear 55 at every predetermined rotating number.
補正部５１は、減速装置５５の減速比の端数分に相当する位置ずれ（パルス数）を所定の回転数ごとに補正する。 - 特許庁 - To provide a method for constructing an underground continuous wall for causing no dislocation of core materials even if a soil mortar is placed, and the underground continuous wall.
ソイルモルタルを打設しても、芯材の位置ズレを起こさない地下連続壁の構築方法および地下連続壁を提供する。 - 特許庁 - To reduce or eliminate dislocation when a sheet-like object is gripped and abrasion powder produced when an opening/closing guide and a lever are contacted with each other.
シート状物を把持する際のズレ及び開閉ガイドとレバーが接触する際に発生する摩耗紛を軽減またはなくす。 - 特許庁 - To provide a process for producing a large-size Group III nitride crystal in which the dislocation density of at least the surface thereof is wholly low.
少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To absorb dislocation of the axis of an input shaft and an outer race, without generating an abnormal sound, in a speed increaser of a supercharger.
過給機の増速機において、異音を生じさせることなく、入力軸と外輪の中心軸のずれを吸収すること。 - 特許庁 - To improve fuel economy, by achieving restarting of an optimal engine for preventing the movement of positional dislocation by an idle stop on a slope road.
勾配路でのアイドルストップによる位置ずれの移動を防止する最適なエンジンの再始を実現し、燃費の向上を図る。 - 特許庁 - To provide a low-dislocation buffer which can be formed by a simple process and in a short time and in which no crack is in danger of occurring.
簡単なプロセスにより短時間で形成可能であり、かつ、クラックの発生する恐れのない低転位バッファーを提供する。 - 特許庁 - To provide an epitaxial wafer preventing occurrence of dislocation even when LSA (Laser Spike Anneal) processing is performed in a device process.
デバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for growing a silicon single crystal having reduced dislocation density and a crystal axis orientation of [110] by a CZ method.
転位密度を低減した、ＣＺ法による結晶軸方位が［１１０］のシリコン単結晶を育成する方法を提供する。 - 特許庁 - To easily suppress introduction of crystal defects, such as dislocation, etc., which are produced on SOI layer in conducting the annealing processing of a silicon substrate.
シリコン基板をアニール処理する際に発生するＳＯＩ層への転位等の結晶欠陥導入を容易に抑制し得る。 - 特許庁 - To provide an image forming method capable of stably giving a proof image of high image quality with little dislocation of the balance of neutral gray.
ニュートラルグレーのバランスのずれの小さい、高画質なプルーフ画像を安定して得ることのできる画像形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a strained silicon substrate wafer having a layer which is further reduced in dislocation and relieved in strain.
より転位が少なく、かつ歪み緩和された層を有する歪みシリコン基板ウエハを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of positional dislocation by performing accurate positioning in the circumferential direction of a lock piston and a lock hole in installation.
組付時におけるロックピストンとロック穴の円周方向の正確な位置決めを行って位置ずれの発生を防止する。 - 特許庁 - To propose a coaxial connector with a floating mechanism capable of coping with large core dislocation, and capable of maximizing a floating quantity.
大きな芯ずれにも対応可能なフローティング量を大きくとることのできるフローティング機構付き同軸コネクタを提案すること。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor wafer having both of a low dislocation density and a wide wafer area; and a method for producing the same.
低い転位密度と広いウエハ面積を両立可能な窒化物半導体ウエハ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for forming a nitride based semiconductor in which dislocation can be reduced in both longitudinal and lateral directions.
縦方向および横方向の両方の転位を低減することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a device for manufacturing an epitaxial wafer that suppresses dislocation at a contact part between the epitaxial wafer and a susceptor, or the like.
エピタキシャルウェーハとサセプターとの接触部における転位発生を抑制可能なエピタキシャルウェーハの製造装置等を提供する。 - 特許庁 - When this metal mask 1 is used, dislocation of the wiring board 12 installed on a stage 10 can be corrected when the metal mask is lowered.
このメタルマスク１を用いると、メタルマスク降下時にステージ１０上に設置された配線基板１２の位置ずれが矯正される。 - 特許庁 - To suppress the dislocation between substrates and the variation of a cell gap caused by the variation of the position of a columnar spacer due to the application of external force.
外力の印加による柱状スペーサの位置変動に起因する基板間の位置ずれやセルギャップの変動を抑制する。 - 特許庁 - PACKAGED BODY, METHOD OF PACKAGING PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD OF PREVENTING EDGE FUSION OF PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD OF PREVENTING WINDING DISLOCATION OF PHOTOSENSITIVE ELEMENT
梱包物、感光性エレメントの梱包法、感光性エレメントのエッジフュージョン防止法及び感光性エレメントの巻きずれ防止法 - 特許庁 - To support a brush holder to a motor base via an elastic support and also to prevent the dislocation of the brush holder, in an electric motor.
電動モータにおいて、ブラシホルダをモータベースに弾性支持部を介して支持するとともに、ブラシホルダの位置ずれを防止すること。 - 特許庁 - To enable to treat a surgical neck of humerus fracture with dislocation safely and easily with a pin which is easy to insert to fix firmly and has a mechanism of that back out of the pin after an operation is prevented.
転位を伴う上腕骨外科頚骨折に対する髄内釘（ラケットピン）を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for growing high quality seed quartz for artificial quartz, which has a low dislocation density.
本発明の目的は、転移密度の低い、高品質の人工水晶の種水晶の育成方法を提供することである。 - 特許庁 - To simplify the structure of a preform means and to obtain an insert molding free from deformation of a three-dimensional insert material and positional dislocation.
プレフォーム手段の構造を簡略化するとともに、立体インサート材の変形や位置ズレのないインサート成形品を得る。 - 特許庁 - To provide a structure for causing little dislocation in the positional relationship between a pulley 7a, a sleeve 8, ball bearings 9 and 9 and a roller clutch 10.
プーリ７ａ及びスリーブ８、玉軸受９、９、ローラクラッチ１０の位置関係にずれが生じにくい構造を実現する。 - 特許庁 - To provide an image display capable of smoothly displaying state of dislocation of an object in a virtual three-dimensional space.
仮想３次元空間におけるオブジェクトの変位の様子をスムーズに表示することができる画像表示装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent dislocation of information after file recompilation and to perform a file recompiling work without accompanying shutdown of a system.
ファイル再編成後の情報配置ずれを防ぎ、ファイル再編成作業をシステム停止を伴わずに実施することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a frame structure, which is composed of a small number of components with less dislocation, and dispenses with finish machining to improve workability.
少ない部品点数で位置ずれの小さなフレーム構造とし、また仕上げ加工を省略して作業性を向上する。 - 特許庁 - To absorb center dislocation between an output shaft of a motor and a rotating shaft of a revolution detector without increasing the number of parts.
部品点数を増加させずに電動機の出力軸と回転検出器の回転軸との間の芯ずれを吸収する。 - 特許庁 - As a result, the fuel tank 4 is fixed on the bracket 11 completely, therefore it is possible to suppress dislocation in the front/rear direction caused when external force works.
以上により、燃料タンク４はブラケット１１に確実に固持され外力作用時の前後方向のズレが低減される。 - 特許庁 - Since merely observation using X-rays from a surface is required, a non-destructive inspection for dislocation amount is possible in a manufacturing process.
また、表面よりＸ線にてマークを観察すれば良いので、製造工程内での位置ズレ量の非破壊検査が可能となる。 - 特許庁 - In some embodiments, the average dislocation density of the p-type layer in the active region is lower than approximately 5×10^8 cm^-2.
いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０^8ｃｍ^-2よりも小さい。 - 特許庁 - By the semiconductor substrate, the semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device, edge dislocation in the GaN layer is reduced, thus improving characteristics in the semiconductor device.
本発明によれば、ＧａＮ層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善することができる。 - 特許庁 - To obtain a III nitride semiconductor thin film having a small through hole dislocation density and suitable as a light-emitting element, and a method of manufacturing the same.
貫通転位密度の小さく、発光素子に適したIII 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a quartz pipe having little dislocation of the center, a uniform thickness and lower surface roughness of the inner face.
芯ずれが少なく、肉厚が均一で、かつ内面の表面粗さのより小さな石英パイプの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a GeSn semiconductor device which is good in quality hardly including mismatching dislocation and impurities, and can be utilized as an optical device.
不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element that is improved in crystal quality by the reducing dislocation density and to provide an epitaxial substrate used for the element.
転位密度を低減させて結晶品質に優れた半導体素子、及びこれに使用するエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁 - Moreover, a group III nitride crystal substrate has a dislocation density obtained by the manufacturing method of 1×10^7/cm^2 or less.
また、上記製造方法により得られた転位密度が１×１０^7個／ｃｍ^2以下のＩＩＩ族窒化物結晶基板。 - 特許庁 - The material composing the first part 11 has dislocation density of 1×10^3 or more but smaller than 1×10^7 cm^-2.
第１の部分１１を構成する材料は、１×１０^3ｃｍ^-2以上１×１０^7ｃｍ^-2未満の転位密度を有する。 - 特許庁 - To produce a group III nitride single crystal substrate which has low dislocation density and a large area for each crystal face.
いずれの結晶面についても低転位密度であり大面積であるＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する。 - 特許庁 - The angle material 1 supports an under surface of the floorboard panel 50, and prevents lateral dislocation by contacting even with a side surface of the floorboard panel 50.
アングル材１は、床板パネル５０の下面を支持するとともに、床板パネル５０の側面にも接して横ずれを防ぐ。 - 特許庁 - To provide a method of forming a semiconductor layer which enables formation of a thin semiconductor layer of low dislocation on a base.
下地上に低転位の半導体層を薄い膜厚で形成することが可能な半導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁 - Next, a linear dislocation texture is uniformly formed on the surface of the nitride layer by shot blasting for jetting an injection material.
次に、噴射材を噴射するショットブラスト処理により、窒化物層の表面に直線状の転位組織を均一に形成させた。 - 特許庁 - The substrate layer is formed on the buffer layer, has a dislocation density of 5×10^8 cm^-2 or less, and contains a nitride semiconductor.
下地層は、バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０^８ｃｍ^−２以下であり、窒化物半導体を含む。 - 特許庁 - To provide gallium-arsenic single crystals which have small dislocation density, a gallium-arsenic wafer, and a method for producing the gallium-arsenic single crystals.
転位密度が小さいガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a nitride semiconductor substrate in which dislocation defect is reduced by growing a nitride semiconductor on a substrate.
基板上に窒化物半導体を成長させ、転位欠陥を低減させた窒化物半導体基板を得ることを目的とする。 - 特許庁 - Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.
したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁 - Mismatching dislocation and impurities are hardly included in the dot 3 of the semiconductor, and hence it can be utilized as the optical device.
該半導体のドット３は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。 - 特許庁 - To suppress the deterioration of element characteristics caused by Basal Plane dislocation existing on a semiconductor substrate in a semiconductor element.
半導体素子において、半導体基板に存在するＢａｓａｌ Ｐｌａｎｅ転位に起因する素子特性の低下を抑制する。 - 特許庁 - Thus, dislocation in the width direction of a carrying position of the carrying original fabric 12 can be restrained without using the sensor.
これにより、センサーを用いることなく、搬送される原反１２搬送位置の幅方向のずれを抑制することができる。 - 特許庁
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