「Dislocation」を含む例文一覧(2158)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 43 44 次へ＞- To provide a base, where an AlGaN crystal layer having reduced dislocation density is grown, even while an LEPS method is being used.
ＬＥＰＳ法を用いながらも、転位密度が低減されたＡｌＧａＮ結晶層が成長した基材を提供すること。 - 特許庁 - A disk part 3 for preventing dislocation of paper is fitted to a pipe on one end of a roller 1 wound with the paper 2.
用紙２が巻回されているロール１の一端には、用紙のずれを防止するための円板部３がパイプに嵌合されている。 - 特許庁 - It is not realistic to consider that the periodic image provides any useful information on the strain field of a dislocation.
周期的な像が転位の歪み場に関する有益な情報を提供すると考える(判断する)ことは非現実的である。 - 科学技術論文動詞集 - By measuring the dislocation in the main scanning direction and the sub-scanning direction of each monochromatic L-shaped pattern, the quantity of adjustment is calculated to make the quantity of the dislocation minimum, and printing timing is adjusted on the basis of the calculated quantity of adjustment.
また、各単色Ｌ字パターンの主走査方向ならびに副走査方向の位置ずれ量を計測することにより当該位置ずれ量が最も小さくなるように調整量を算出し、算出された調整量に基づき印刷タイミングの調整を行う。 - 特許庁 - The first and the second dislocation preventive members 18, 19 are fixed so as to be possible to engage with a gap between the trough floor supporting beams 6, on the lower surface of the square type steel tube 2 for trough floor, and the one sides of the dislocation preventive members 18, 19 are arranged between stoppers 17 in the flowing direction in the trough.
第１と第２のずれ止め部材１８、１９は、樋床用角型鋼管２の下面に、樋床支持梁６との間に間隔を有して係合可能に固着し、ずれ止め部材１８、１９の一方は樋流れ方向ストッパー１７の間に設ける。 - 特許庁 - When a prescribed pattern is overlapped with the divided region formed on an exposed wafer so as to expose them, an interpolation function 413 at dislocation, where the position coordinate of the reference position of the divided region is set to be the variable in dislocation accompanying distortions in the wafer, is decided.
露光済みのウエハ上に形成された区画領域に、所定のパターンを重ね合わせ露光を行う場合に、ウエハに歪等に伴う位置ずれに関し、区画領域の基準位置の位置座標を変数とする位置ずれに関する補間関数４１３を決定する。 - 特許庁 - To provide a method for producing group III nitride crystal and a group III nitride crystal substrate, where the surface dislocation density of a ground substrate is reduced and group III nitride crystal having a low dislocation density and high crystallinity is grown on the ground substrate.
下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁 - The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.
転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁 - To provide an automatic feeding device capable of eliminating the process to correct the dislocation of each piece of small-sized electronic parts such as chip LED on any stage, chip capacitor, etc. by eliminating the dislocation of the piece of parts when it is fed from the feeder to the next stage.
チップＬＥＤやチップコンデンサなどの小型電子部品（パーツ）をフィーダから次のステージに供給するときの位置ずれをなくして、ステージ上でパーツの位置ずれを修正する工程を必要としないような自動供給装置を提供することである。 - 特許庁 - Next, by a measurement result matching part 13, after the molding measurement results 23 and the mold measurement results 24 are compared to obtain the correspondence relationship between them, the mold measurement results 24 are corrected by using the positional dislocation (the quantity and direction of dislocation) by a correction part 14.
次に、測定結果の対応付け部１３により、成形品測定結果２３と金型測定結果２４とを比較して対応関係を求めた後、修正部１４によって上記位置ずれ（ずれ量と方向）を用いて金型測定結果２４を修正する。 - 特許庁 - Even if the assumed rupture pipe 2 is inclined when received by the U rod 3 after rupturing, bending of a root part of the U rod 3 can be prevented by checking dislocation of the U rod 3 in the pipe longitudinal direction by sliding on an outside surface of the pipe 2 by the dislocation preventive tool 10.
破断想定配管２が破断した後、Ｕロッド３で受け止められる際に傾斜しても、Ｕロッド３が配管２の外面を滑って配管長手方向へずれることをずれ防止具１０で阻止することで、Ｕロッド３の根元部分の曲がりを防止させる。 - 特許庁 - When positional dislocation of the car floor surface 18A is detected by the car position detecting sensor 48 when a door of a car 18 opens, the slider 64 lifts in the direction for correcting the dislocation, and a rope 22 connected to the slider 64 is pulled up or pulled down.
カゴ１８の扉が開いているときに、カゴ位置検出センサ４８によりカゴ床面１８Ａの位置ずれが検出されると、前記スライダ６４がずれを修正する方向に昇降し、該スライダ６４に接続されたロープ２２が引き上げ又は引き下げられる。 - 特許庁 - The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion.
１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 - 特許庁 - When a nitride semiconductor crystal is grown in the lateral direction from the seed crystal 105, dislocation density is also reduced directly above the seed crystal 105 as well as in a lateral growth region where dislocation is low originally resulting in a crystal layer 107 having reduced surface defect.
この種結晶１０５から窒化物半導体結晶を横方向成長させると、元々転位の少ない横方向成長領域と併せて種結晶１０５の直上の転位密度も減少し、表面欠陥が少ない結晶層１０７が得られる。 - 特許庁 - When a source/drain regions 12, 14 are formed in CMIS, Argon is implanted into a P-type well layer 4 as a dislocation suppressive element and nitrogen is implanted into a N-type well layer 5 as the dislocation suppressive element, prior to the ion-implantation of impurities into a silicon substrate 1.
ＣＭＩＳにおけるソース・ドレイン領域１２、１４の形成時、シリコン基板１に不純物をイオン注入する前に、Ｐウエル層４には転位抑制元素としてアルゴンを打ち込み、かつＮウエル層５には窒素を転位抑制元素として打ち込む。 - 特許庁 - The temporary assembly device 1 includes a first dislocation preventing member 1g positioned at an upper part of the sending shaft 1b, inserted into the recessed part 1f, and preventing the dislocation of the fins C1 and C2 inserted between the adjacent tubes T from the fin supply part 10 from the adjacent tubes T.
送り軸１ｂの上方に位置させてこの凹部１ｆに挿入し、フィン供給装置１０から隣接したチューブＴ間へ挿入されたフィンＣ１、Ｃ２の、隣接したチューブＴ間からの逸脱を抑止する第１逸脱抑止部材１ｇを備える。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, by which the group III nitride crystal having low dislocation density and high crystallinity can be grown on a ground substrate by reducing the dislocation density in the surface of the ground substrate; and to provide a group III nitride crystal substrate.
下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon carbide wafer which prevents complication of a manufacture process, does not restrict a silicon carbide substrate, and is capable of more surely converting a basal plane dislocation to a threading edge dislocation, and also to provide a silicon carbide semiconductor device using the silicon carbide wafer.
製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。 - 特許庁 - Thus, the presence/absence of positional dislocation of the door striker 20 and the door lock mechanism 16 can be confirmed based on this engaging state.
したがって、この係合状態に基づいて、ドアストライカ２０とドアロック機構１６との位置ズレの有無を確認することができる。 - 特許庁 - To produce a compound raw material which produces a compound single crystal having a stabilized composition with a low dislocation density and a method for producing the same.
転位密度の低い安定した組成の化合物単結晶を製造できる化合物原料と製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the preform is heated and melted at about ≤1,800°C, the dislocation of the fluorine added to the core section of the preform is sufficiently prevented.
プリフォームを約１８００℃以下の温度で加熱溶融すると、プリフォームのコア部に添加されたフッ素の抜けが十分に防止される。 - 特許庁 - To provide a crystal growth method by which a crystal thin film having low dislocation density can be produced, and to provide a crystal growth apparatus.
転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。 - 特許庁 - When end dummy patterns are disposed at both ends of the p^+ diffusion regions 2 and 3 or at a periphery, unbalance of capacitance due to dislocation is prevented.
ｐ^+ 拡散領域２，３の両端または周囲にエンドダミーパターンを設けると，位置ずれによるキャパシティのアンバランスが防止される。 - 特許庁 - To provide a quantitative and nondestructive measuring method of a lattice defect such as dislocation a causing of aged deterioration of strength of an austenitic stainless steel.
小さい磁界強度での非破壊的な測定により、オーステナイト系ステンレス鋼の経年劣化をより正確かつ総合的に評価する。 - 特許庁 - According to this, by regulating the dislocation of the translucent substrate, an optical lens having a desired curvature can be produced.
これによれば、透光性基板の変位量を調整することにより、所望の曲率を有する光学レンズを製造することができる。 - 特許庁 - If a dislocation occurs between the two surfaces 1A and 1B about the cutting line 3 as the boundary, the sleeve reduces in the diameter to allow easy insertion into the pipes.
切断線３を境に両分割面１Ａ，１Ｂの間にずれが生じると、スリーブが縮径して容易に管内に挿入できる。 - 特許庁 - In this case, the quality of the formed film is improved, because low-dislocation regions are formed above the protrusions on which the facet surfaces are formed.
この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 - 特許庁 - To attain positive collecting operations even if dislocation occurs at a carrier jig, in an apparatus of collecting conveyed articles which conveys the carrier jig.
搬送ジグを搬送する搬送物回収装置において、搬送ジグに位置ずれが生じても、確実に回収できるようにする。 - 特許庁 - To provide a thin film deposition system which can prevent the generation of wrinkles in a substrate by securely correcting winding dislocation in a flexible substrate.
可撓性基板の巻きズレを確実に修正することによって基板のシワの発生を防止可能な薄膜形成装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sheet carrying device and an image forming device capable of preventing the occurrence of a skew when correcting lateral dislocation of a sheet.
シートの横ずれを補正する際の斜行の発生を防ぐことのできるシート搬送装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To enable a user to always perform exact and effective exercise by enabling the user himself to exactly grasp dislocation or errors of motions.
利用者自身が動きのずれや誤りを的確に把握できるようにして、常に正確で効果的な運動を行えるようにする。 - 特許庁 - To obtain a distorted silicon wafer with an SiGe layer where a through-dislocation density is reduced and a distortion is relaxed, and a manufacturing method for the distorted silicon wafer.
貫通転位密度が低減され、かつ歪み緩和されたＳｉＧｅ層を有する歪みシリコンウェーハおよびその製造方法を得る。 - 特許庁 - To suppress dislocation of the natural frequency of a vibration-damping body from the natural frequency of a structure even when the displacement amount of the vibration-damping body becomes large.
制振体の変位量が大となる場合にも、制振体の固有振動数の構造物の固有振動数からのずれを抑制する。 - 特許庁 - To provide an optical device in which dislocation due to expansion of air is prevented in fixing an optical element on a holder by high temperature treatment.
光学素子を高温処理にてホルダーに固定する場合に空気の膨張によるずれ浮きを防止した光デバイスを提供する - 特許庁 - To improve measuring accuracy and a measuring speed of a dislocation quantity from a joining target position of a member joined to a measuring object.
測定対象物に接合されている部材の接合目標位置からのずれ量の測定精度および測定速度の向上 - 特許庁 - To provide a means for reducing dislocation by thigh rotation in a prosthetic hip joint system relating to the morphology of thigh components.
本発明は、人工股関節システムの大腿コンポーネントの形態に関するもので、大腿回旋による脱臼を減少させるものである。 - 特許庁 - The resultant metal magnetic particle has ≥11,850 A/m (150 Oe) coercive force before heat treatment and ≤450°C dislocation start temperature.
得られる金属磁性粒子は熱処理前で保磁力が１１８５０Ａ／ｍ（１５０Ｏｅ）以上であり、転位開始温度が450℃以下である。 - 特許庁 - To provide a method for growing a Group III nitride crystal in a liquid phase process wherein the dislocation does not increase when the crystal being grown.
液相法において結晶成長中に転位が増殖しないＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical semiconductor element, which is reduced in the movement of dislocation from a substrate to the other layer, small in an element size, and easy in wiring work.
基板から他の層への転位の移動が少ない、素子サイズが小さい、配線作業が容易な光半導体素子を提供する。 - 特許庁 - To provide an airbag device which stably prevents lateral dislocation to the vehicle outside a pillar cover in an airbag when completing inflation.
膨張完了時のエアバッグにおけるピラーカバー部の車外側への横ずれを、安定して防止できるエアバッグ装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for producing a GaN crystal by an Na flux method, in which dislocation density of a GaN crystal can be decreased.
ＧａＮ結晶の転位密度を減少させることが可能な、Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a crucible and a method for producing a high quality silicon carbide single crystal where the occurrence of dislocation defects is few.
転位欠陥の発生の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造するための坩堝及び製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for preventing generation of a dislocation in a tail portion during growing a silicon single crystal without using a large amount of inert gas.
シリコン単結晶育成時に、大量の不活性ガスを使用することなく、テール部の有転位化を防止する方法を提供する。 - 特許庁 - The active layer 17 is composed of a GaN group semiconductor containing In, and the dislocation density of the substrate 13 is 1×10^7 cm^-2 or less.
活性層１７はＩｎを含むＧａＮ系半導体からなり、基板１３の転位密度は１×１０^７ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁 - To improve a non dislocation rate of a pulled up single crystal rod, by controlling thermal stress of inside of the single crystal rod.
単結晶棒内部の熱応力を制御して、引き上げられた単結晶棒の無転位化率を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - Accordingly, both the compression distortion SiGe layer and the tensile distortion Si layer can be provided, without enhancing the dislocation density.
従って、転位密度が高くなることなく、圧縮歪ＳｉＧｅ層と引っ張り歪Ｓｉ層との両方を提供することができる。 - 特許庁 - To provide a disk playing device which can surely detect a disk dislocation even if a central projecting part of a turntable in a disk playing section is low.
ディスク演奏部のターンテーブルの中央凸部が低い場合でも、確実にディスクずれを検出できるディスク演奏装置を提供する。 - 特許庁 - The abutting segment 12 prevents a rebound and positional dislocation, and can adjust an accurate position of the printing product 2 lowered to the carrying device.
当接セグメント（１２）は、はね返りと位置ずれを防止し、搬送装置に降ろされた印刷製品（２）の正確な位置調整を可能にする。 - 特許庁 - Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur.
このとき、ｐ型歪シリコン層２２の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。 - 特許庁 - To inhibit crystal dislocation resulting from sliding friction between a thermally treated wafer supported by a wafer supporter and the wafer supporter.
ウエーハ支持具により支持されて熱処理されるウエーハの、ウエーハ支持具との間の滑り摩擦に起因する結晶転位を抑制する。 - 特許庁
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