「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 .... 489 490 次へ＞- In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another, is provided on a low- resistance silicon substrate 11.
低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁 - The light emission from an organic compound layer 20 is reflected at the slope of the first electrodes 18c, 18d, and the total extraction amount of light emission in the arrow-direction shown in Fig. 1 (A) is made increased.
有機化合物層２０からの発光を第１の電極１８ｃ、１８ｄの斜面で反射させて、図１（Ａ）中に示した矢印方向におけるトータルの光の取り出し量を増加させる。 - 特許庁 - The p-type contact layer 7 is formed, by first lowering the temperature of a substrate 1 to 870°C and then supplying N_2 at 10 liters/min, NH_3 at 10 liters/min, TMG at 100 μmol/min, and CP_2Mg at 60 μmol/min.
このｐ型コンタクト層７は、基板１の温度を８７０℃に降温し、Ｎ_2 を１０リットル／分、ＮＨ_3 を１０リットル／分、ＴＭＧを１００μmol ／分、ＣＰ_2 Ｍｇを６０μmol ／分で供給して形成した。 - 特許庁 - In that case, a first layer 11 arranged on the back face side comprises cloth which uses yarn having a diameter of 10 to 100 μm, is worn with 100 to 1,000 meshes and has an opening dimension of 5 to 200 μm.
その場合、背面側に配置される第一層１１は、線径が１０〜１００μｍの糸を用いて、１００〜１０００メッシュで織り上げ、開口の寸法を５〜２００μｍとしたクロスにより構成される。 - 特許庁 - By rotating a member (32) to be processed for which an alignment mark is formed on a first layer, scanning it by a fine beam spot (21) and detecting (22) the reflected light quantity, the position (AL) of the alignment mark is detected.
第１の層にアライメントマークが描かれた被処理部材(32)を回転させ、微少なビームスポット(21)で走査し、その反射光量を検出する(22)ことによってアライメントマークの位置(AL)を検出する。 - 特許庁 - A backlight unit 2, two prism films 4a, 4b, a first polarizing plate 5, a liquid crystal cell 1 configured by providing a liquid crystal layer between a pair of substrates, and a second polarizing plate 6 are disposed in this order.
バックライト装置２と、２枚のプリズムフィルム４ａ，４ｂと、第１偏光板５と、一対の基板の間に液晶層が設けられてなる液晶セル１と、第２偏光板６とをこの順で配置する。 - 特許庁 - In this method, first, a dispersion in which a powder is dispersed in a binder is applied on one or both surfaces of a non-magnetic support to form a lower non-recording layer 3.
本発明の磁気記録媒体の製造方法においては、まず、非磁性支持体の一方の面又は両面に、粉末を結合剤中に分散させた分散液を塗布して下層非記録層を設ける。 - 特許庁 - A first layer containing the luminescent material to generate visible light adheres to a front plate 1, or to the front plate 1 and a carrier plate 2.
更に、アドレス電極を被覆する発光材料がＲＧＢで異なるために、異なるプラズマセルに対してプラズマとはっ好材料との間の相互作用が異まり、従ってアドレス電圧が異なる欠点がある。 - 特許庁 - By this, it turns stably adhered and the cooling effect by evaporation of water in the water-containing gel layer 13 through the first sheet body 14 and the second sheet body 16 acts on the lesion.
これによって貼付け状態が安定すると共に、第１シート体１４及び第２シート体１６を通しての含水ゲル層１３の水分の気化による冷却効果が患部に働くことになる。 - 特許庁 - The first fiber layer 21 consists of a compressive stress region 21A which is an upper region with respect to the neutral axis Sa and a tensile stress region 21B which is a lower region with respect to the neutral axis Sa.
第１繊維層２１は、中立軸Ｓａに対する上側領域である圧縮応力領域２１Ａと、中立軸Ｓａに対する下側領域である引張応力領域２１Ｂを有している。 - 特許庁 - A color filter layer 21 is partially removed on a first repair cutting portion 26 and a second repair cutting portion 31, where a main TFT 8 and a pixel electrode 17 can be electrically insulated from each other by irradiation with a laser beam.
レーザビームの照射にてメインＴＦＴ８と画素電極17とが電気的に絶縁可能な第１のリペア切断部26上および第２のリペア切断部31上のカラーフィルタ層21を部分的に除去する。 - 特許庁 - The magnetic recording medium comprises a substrate, first, second and third underlayers formed on the substrate, and a magnetic data recording layer formed on the underlayers.
本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板と、前記基板の上に形成される第１、第２、及び第３の基層と、前記基層の上に形成される磁気データ記録層と、を含んでいる。 - 特許庁 - An opening 33 is provided in the barrier layer 32, and an observer views a first image by a pixel 4L or a second image by a pixel 4R through the opening 33 in response to a visual angle.
バリア層３２には開口部３３が設けられており、観察者は、視角に応じて、開口部３３を通じて画素４Ｌによる第１の画像、又は画素４Ｒによる第２の画像を視認する。 - 特許庁 - A contact hole 11 formed at the inter-layer insulating film 10 penetrates the second silicon oxide film 10b with an almost vertical side wall while penetrating the first silicon oxide film 10a with a forward tapered surface.
層間絶縁膜１０に形成されたコンタクト孔１１は、第２のシリコン酸化膜１０ｂを略垂直側壁をもって貫通し、第１のシリコン酸化物膜１０ａを順テーパ面をもって貫通する。 - 特許庁 - The semiconductor device has an input/output terminal 5 for inputting and outputting signal to and from the semiconductor circuit formed on the semiconductor chip, and a first insulation layer 2 formed on a circuit forming surface 1c of the semiconductor chip.
半導体チップに設けられた半導体回路に信号を入出力する入出力端子５と、半導体チップの回路形成面１ｃ上に設けられた第１絶縁層２を備えている。 - 特許庁 - A second insulating film is formed on the underlying electrode pad layer, and a resist mask having a plurality of openings is formed in each region belonging to the first and second regions on the second insulating film.
下層電極パッド層の上に第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の第１および第２領域に属する各領域に複数の開口部を有するレジストマスクを形成する。 - 特許庁 - The lens group 110 includes: a first lens element 111, a buffer layer 112; a transparent body 113; and a second lens element 114, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 130.
レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１３０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、バッファ層１１２、透明体１１３と、第２レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁 - Then, position adjustment of a recording optical system is performed based on the acquired recording condition, the first lightwave and the second lightwave are radiated to the hologram recording layer, and the plurality of holograms are sequentially recorded.
そして、取得された記録条件に基づいて、記録光学系の位置調整を行い、第１の光波及び第２の光波をホログラム記録層に照射して、複数のホログラムの各々を順次記録する。 - 特許庁 - In a second region 12 including the sidewall nearer on the semiconductor substrate 101 side rather than the first region 11, the metal-containing substrate film 13 has a metal layer 105 at the interface with the Cu film 107.
第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。 - 特許庁 - Such an abutment absent overlap provides for enhanced manufacturing flexibility when forming a contact to a silicide layer upon a source/drain region within one of the first transistor and the second transistor.
こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁 - The first electrode and the second electrode contain strip-shaped collectors each having end edge parts along a length direction and a width direction and an active material layer formed on both faces of the collector.
第１電極および第２電極は、いずれも長手方向および幅方向に沿う端縁部を有する帯状の集電体と、集電体の両面に形成される活物質層とを含む。 - 特許庁 - The light-emitting device includes an organic layer 13 between a first electrode 11 and a second electrode 12, and organic EL elements D1 to D3 emitting light of single colors of different visible light regions.
発光装置は、第１の電極１１と第２の電極１２との間に有機層１３を有し、可視光領域の異なる単色の光を発光する有機ＥＬ素子Ｄ１〜Ｄ３を有する。 - 特許庁 - An electrolytic liquid as a layer shape lamina flow Wr having a width wider than a sheet width of the metal band 1 is injected from the first electrode 31 and the second electrode 33 to the cleaning surface 1a of the metal band 1.
第１電極３１及び第２電極３３から金属帯１の洗浄面１ａに金属帯１の板幅以上の幅をもつ層状のラミナー流Ｗｒとしての電解液を噴射する。 - 特許庁 - A contact hole having a larger upper opening diameter is formed through an interlayer dielectric 8A on a diffusion layer and a first film 9A having such a film thickness that the film 9A does not fill up completely the contact hole is formed in the hole.
層間絶縁膜８Ａを介して拡散層上にその上部の開口径が広いコンタクト孔を形成し、当該コンタクト孔内が完全に埋まらない膜厚で第１の膜９Ａを形成する。 - 特許庁 - A photoelectric conversion device includes an organic photoelectric conversion layer 12 containing a mixture of an organic photoelectric conversion dye, a fullerene or a fullerene derivative, and a fullerene polymer between a first electrode 11 and a second electrode 15.
第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。 - 特許庁 - Each of the first capacitor electrode and the semiconductor layer includes the impurity-doped polycrystalline silicon film, and the second capacitor electrode is relatively thinner than the gate electrode.
そして、前記第１キャパシタ電極及び前記半導体層は、各々不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含み、前記第２キャパシタ電極は前記ゲート電極より相対的に厚さが薄い。 - 特許庁 - An insulating surface coating the top face (first surface) of the base material 100 and the internal side face (second surface) of the circular hole 101 is constituted of the spray-coated film 110, the sleeve 120 and the insulator layer 130.
そして、溶射皮膜１１０と、スリーブ１２０と、絶縁体層１３０とによって、基材１００の上面（第１の面）と、円孔１０１内側面（第２の面）を覆う絶縁面が構成されている。 - 特許庁 - The POF cable 12 formed by arranging the second coating layer and, the tensile strength fibers 13 and 14 and POF cord 10 and 11 respectively, is immersed in water of first and second cooling tanks 25 and 26 to be gradually cooled.
各ＰＯＦコード１０，１１に抗張力繊維１３，１４及び第２被覆層を形成してなるＰＯＦケーブル１２を第１及び第２冷却槽２５，２６の水に浸漬して徐々に冷却する。 - 特許庁 - An organic electroluminescence element 13 as a light-emitting point 14 is formed on the translucent substrate 12, and an individual connecting part 15 is formed on the first electrode layer 21 for each organic electroluminescent element 13.
透光性基板１２上に発光点１４として有機電界発光素子１３を形成し、有機電界発光素子１３ごとに第１の電極層２１上に個別接続部１５を形成する。 - 特許庁 - A conductive plug and an overlying electrode pad layer are formed by depositing the conductive film to fill the through-hole in each region belonging to the first and second regions on the second insulating film.
第２の絶縁膜上の第１および第２領域に属する各領域に貫通孔を埋め込むように導電膜を堆積させて導電性プラグおよび上層電極パッド層を形成する。 - 特許庁 - As for the capacity element, a first poly-silicon layer 4 and a silicon nitride film 5 used in a step for forming a field oxide film are left, and used as a lower electrode 14 and a capacity insulating film 13 respectively.
容量素子については、フィールド酸化膜形成工程で用いた第１のポリシリコン層４、シリコン窒素化膜５を残存させ、それぞれ下層電極１４、容量絶縁膜１３として用いている。 - 特許庁 - A light-emitting layer 214 of the light-emitting element 212 is divided into a first region (R) for emitting red light, a second region (G) for emitting green light, and a third region (B) for emitting blue light.
発光素子２１２の発光層２１４は、赤色光を発光する第１領域（Ｒ）と、緑色光を発光する第２領域（Ｇ）と、青色光を発光する第３領域（Ｂ）とに分かれている。 - 特許庁 - This thermal transfer sheet has the thermal transfer laminated film 10, an ink layer 31 formed in the first face S1 side, and for forming the image by thermal transfer, on the base material film 11.
また、前記基材フィルム１１に、前記熱転写ラミネートフィルム１０と、前記第１面Ｓ１側に形成されていて熱転写により画像を形成するインク層３１とを有する熱転写シートである。 - 特許庁 - According to this method, the first substrate and the second substrate are peeled under a negative pressure to enlarge the gap in the inside or interface of the peeling layer, so that peeling can be facilitated.
かかる方法によれば、負圧状態下で、前記第１基板と前記第２基板とを剥離することにより、剥離層の層内又は界面の隙間が膨張し、剥離を容易に行うことができる。 - 特許庁 - The second etching liquid treated is injected into the first treatment container, and a third etching liquid is prepared by adding the HF liquid, and then the metal impurity in the sample surface layer is included in the third etching liquid.
処理後の第２エッチング液を第１処理容器に注入し、ＨＦ液を添加して第３エッチング液を調製し、サンプル表層の金属不純物を第３エッチング液中に含ませる。 - 特許庁 - In this surface-emitting laser, at least a first multilayered semiconductor mirror 103, an active layer 105, and second multilayered semiconductor mirrors 109 and 113 are laminated upon another in this order or in the reverse order.
面発光レーザ装置は、少なくとも第１の半導体多層膜ミラー１０３、活性層１０５、第２の半導体多層膜ミラー１０９、１１３がこの順もしくはこの逆順に積層されている。 - 特許庁 - Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; a P channel type drive transistor DR; a first capacitor section Ck; and a second capacitor section.
各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｐチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、第１容量部Ｃｋと、第２容量部とを有している。 - 特許庁 - A device 3, a photosensitized insulating layer 4, and a wiring 5 are provided on a device embedding side of a semiconductor substrate 2, and a first through micro conductor 6 is provided on a substrate end side.
半導体基板２のデバイス埋設側にデバイス３、感光性絶縁層４および配線５が設けられていると共に、基板端部側に第１の貫通微細導電体６が設けられている。 - 特許庁 - In second and subsequent films, since internal stress can be offset between the dielectric film 31 which is the first layer and the films, the occurrence of distortion in the laser device P is suppressed and operation reliability can be assured.
また、第２層目以降の成膜では、第１層目の誘電体膜３１との間で内部応力を相殺できるので、レーザ素体Ｐの歪みの発生が抑えられ、動作信頼性を確保できる。 - 特許庁 - Thinely formed thin-walled parts 211 and 212 are provided to both ends of the first surface layer 21 and thickly formed thick-walled part 213 is provided so as to be held between the thin-walled parts 211 and 212.
第一の表面層２１の両端には、薄く形成された薄肉部２１１および２１２を備え、薄肉部２１１と２１２に挟まれて厚く形成された厚肉部２１３を備えている。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit includes: a first electrode; a transistor formed on a semiconductor substrate and having a second electrode: and third and fourth electrodes formed on the same wiring layer.
半導体集積回路であって、第１の電極と、半導体基板上に形成され、第２の電極を有するトランジスタと、同一の配線層に形成された第３及び第４の電極とを有する。 - 特許庁 - The separator for the lithium battery has a first protection layer which is stable to the aqueous electrolyte formed with a thickness of 5 μm or less on one of the surface of a lithium ion conductive inorganic solid electrolyte.
リチウムイオン伝導性無機固体電解質の一方の表面に、水溶液電解質に対して安定な第１の保護層が５μｍ以下の厚さで形成されているリチウム電池用セパレーター。 - 特許庁 - A reflection mirror 21 reflects part of laser beams deviated from the wavelength selection layer 15 among the laser beams with the wavelength λ1 from the first light source 11, and guides them to the optical monitor 17.
更に、反射ミラー２１は、第１光源１１からの波長λ１のレーザー光のうちの波長選択膜１５から外れた一部を反射し、このレーザー光の一部を光モニター１７へと導く。 - 特許庁 - The first hole transport layer 3 is constituted at least one of organic compound materials of 4,4',4"-tris[biphenyl-2-yl(phenyl) amino]triphenylamine and 4,4',4"-tris[biphenyl-4-yl(3-methylphenyl) amino]triphenylamine.
そして、第１の正孔輸送層３を、4,4',4''-トリス［ビフェニル-2-イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン及び4,4',4''-トリス［ビフェニル-4-イル（3-メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミンなる有機化合物材料の少なくとも一方から構成する。 - 特許庁 - The second semiconductor multilayer film reflector region 16b is formed on the phase regulation layer 25 and the uppermost surface of the exposed first semiconductor multilayer film reflector region 16a.
また、この位相調整層２５上と、露出されたままの上記第１の半導体多層膜反射鏡領域１６ａの最上面とに、第２の半導体多層膜反射鏡領域１６ｂが形成される。 - 特許庁 - The first oxide layer 12 contains a silsesquioxane-containing acrylamide based polymer of a copolymer [p(DDA/SQ)] (the introduction ratio of SQ being 22%) of N-dodecyl acrylamide and a silsesquioxane and includes silicon.
第１酸化物層１２は、シルセスキオキサンを含むアクリルアミド系ポリマーの、Ｎ−ドデシルアクリルアミドとシルセスキオキサンとの共重合体［ｐ（ＤＤＡ／ＳＱ）］（ＳＱの導入率２２％）から成り、ケイ素を含んでいる。 - 特許庁 - The alignment between the substrate layer and the reticles are offset by a predetermined amount (235), the photoresist is subjected to a second exposure (240), and at least one of the photoresist lines printed by the first exposure is branched.
基板層とレチクル間の整列を所定量だけオフセットして（２３５）、フォトレジストは２回目の露光がされ（２４０）、第１の露光によってプリントされたフォトレジストラインの少なくとも１つを分岐させる。 - 特許庁 - The multilayer label 10 is heat-processed to reduce adhesive strength between the layers of the laminated film 16 and the first resin film 14 is peeled, so that the second design printing layer 18 can be displayed.
多層ラベル１０の加熱処理を行うことによって、積層フィルム１６の層間の接着強度が低下し、第一樹脂フィルム１４を剥離して第二デザイン印刷層１８を表示することができる。 - 特許庁 - A wiring layer 10 is formed, which is connected to the backside of the first pad electrode 3 through a viahole 8 that penetrates through the semiconductor substrate 1 and extended from the viahole 8 to the backside of the semiconductor substrate 1.
そして、半導体基板１を貫通するビアホール８を通して第１のパッド電極３の裏面に接続され、ビアホール８から半導体基板１の裏面に延在する配線層１０が形成される。 - 特許庁 - Particularly in the TFT array substrate, a light-shielding layer for shielding light emitted from a backlight is disposed on positions adjoining the respective island like electrode parts on the first and the second transmission display regions.
特に、ＴＦＴアレイ基板において、第１及び第２の透過表示領域の各島状電極部に隣接する位置には、バックライトから出射された光を遮光する遮光層が設けられている。 - 特許庁
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