「First layer」を含む例文一覧(24472)
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ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセルは、第１導電性の基板と、前記第１導電性の基板上に形成された第２導電性のフォトダイオード領域と、前記第１導電性の基板上に形成されたトランスファーゲートと、前記第１導電性の基板上の前記第２導電性のフォトダイオード領域と前記トランスファーゲートとの間に形成された浮遊拡散層と、前記第２導電性のフォトダイオード領域上に積層された誘電膜及びキャパシター電極を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of the optical film at least includes a process of preparing a coating solution by dissolving and/or dispersing a mesomorphism compound in a solvent and a process of applying the coating solution onto the surface of a first optical anisotropic layer containing non-liquid crystalline polymer to form a second optical anisotropic layer on the first optical anisotropic layer.
少なくとも液晶化合物を溶剤に溶解及び／又は分散させて塗布液を調製する工程、及び該塗布液を非液晶性ポリマーを含有する第１の光学異方性層の表面に塗布して、該層上に第２の光学異方性層を形成する工程を少なくとも含む光学フィルムの製造方法であって、前記塗布液の調製に用いられる溶剤が、該溶剤のみを第１の光学異方性層の表面に塗布した場合に、下記式（１）及び（２）を満足する溶剤から選択されることを特徴とする光学フィルムの製造方法である。 - 特許庁 - Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.
本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁 - The electrophotographic photoreceptor has a single layer type or multilayer type photosensitive layer containing a hole transport agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein a first polycarbonate resin and a second polycarbonate resin having mutually different molecular structures are contained as the binder resin, and the photosensitive layer contains a triphenylamine compound represented by formula (1) as an additive.
導電性基体上に、正孔輸送剤、及び結着樹脂を含有する単層型あるいは積層型の感光層を備えた電子写真感光体であって、結着樹脂としてそれぞれ分子構造が異なる第１のポリカーボネート樹脂及び第２のポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光層が、添加剤として、下記一般式（１）で表されるトリフェニルアミン化合物を含有する電子写真感光体。 - 特許庁 - This thin film electro-optical deflector consists of a planar optical waveguide containing a thin ferroelectric oxide layer, a first electrode containing a conductive substrate and conductive epoxy, a second electrode connected to the planar optical waveguide, a support substrate, a clad layer adhered to the second electrode deposited on the support substrate, and a hole penetrating through the support substrate and the clad layer and connecting the second electrode to an external voltage source.
薄膜電気光学偏向装置は、薄い強誘電性酸化物層を含むプレーナ光学導波路と、導電性基板及び導電性エポキシを含む第１の電極と、プレーナ光導波路に連結された第２の電極と、サポート基板と、サポート基板に堆積させられた第２の電極に付着されたクラッド層と、サポート基板及びクラッド層を通過し、第２の電極を外部電圧源へ接続する孔と、を有する。 - 特許庁 - A semiconductor element 9 on the lowermost stage in the second element group 13 is stacked directly above a semiconductor element 9 on the uppermost stage in the first element group 12 through an insulating adhesive layer 15 functioning as a spacer layer, and the element side end of a metal wire 14 connected with the semiconductor element on the uppermost stage is buried in the insulating adhesive layer 15.
第２の半導体素子群１３における最下段の半導体素子９は、第１の半導体素子群１２における最上段の半導体素子９の直上に、スペーサ層として機能する絶縁性接着層１５を介して積層されており、かつ最上段の半導体素子に接続された第１の金属ワイヤ１４の素子側端部は絶縁性接着層内１５に埋め込まれている。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a second transistor and a capacitive element provided on a first transistor, the capacitive element includes: a source electrode or the drain electrode and a gate insulating layer of the second transistor; and a capacitive element electrode provided on an insulating layer covering the second transistor, and a gate electrode of the second transistor and the capacitive element electrode are provided at least partially overlapping each other via the insulating layer.
第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、容量素子は、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と、ゲート絶縁層と、第２のトランジスタを覆う絶縁層上に設けられた容量素子用電極を含み、第２のトランジスタのゲート電極と、容量素子用電極とは、絶縁層を介して少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a metallized ceramic substrate includes a first step of forming an organic underlayer on a ceramic substrate, a second step of forming a metal paste layer on the organic underlayer to manufacture a metallized ceramic substrate precursor, and a third step of baking the metallized ceramic substrate precursor in which the organic underlayer absorbs a solvent in the metal paste layer and is thermally decomposed at a temperature for baking the metal paste layer.
セラミック基板上に、有機下地層を形成する第一工程、該有機下地層上に金属ペースト層を形成し、メタライズドセラミック基板前駆体を作製する第二工程、および、該メタライズドセラミック基板前駆体を焼成する第三工程を含むメタライズドセラミック基板の製造方法において、有機下地層が、金属ペースト層中の溶媒を吸収し、金属ペースト層を焼成する温度で熱分解する層とする。 - 特許庁 - A printed circuit board according to the present invention includes: a metal substrate 10; an anodic oxide layer 20 formed by anodizing the metal substrate 10; circuit layers 30, 31 formed on the anodic oxide layer 20; and a first sol-gel layer 50 formed by applying a photocatalytic material between circuit wiring of the circuit layers 30, 31, in which photocatalytic material is exposed, and then curing the applied photocatalytic material.
本発明のプリント基板は、金属基板１０と、金属基板１０を陽極酸化処理して形成される陽極酸化層２０と、陽極酸化層２０に形成される回路層３０、３１と、陽極酸化層２０を露出させる、回路層３０、３１の回路配線の間に光触媒剤でコーティング処理した後、コーティング処理された光触媒剤を硬化させて形成される第１ゾルゲル層５０とを含む。 - 特許庁 - The construction method of a concrete structure comprises a first step of laying an electrode for electric protection on a lower layer-side concrete, a second step of placing a concrete for protection to cover the electrode for electric protection on the lower layer-side concrete, a third step of assembling reinforcements after the concrete for protection is placed, and a fourth step of placing an upper layer-side concrete after the reinforcements are assembled.
コンクリート構造物の施工方法として、下層側コンクリート上に電気防食用電極を敷設する第１の工程と、前記下層側コンクリート上において前記電気防食用電極を覆うように保護用コンクリートを打設する第２の工程と、前記保護用コンクリートの打設後に鉄筋を組み立てる第３の工程と、前記鉄筋の組み立て後に上層側コンクリートを打設する第４の工程とを含む。 - 特許庁 - The memory unit includes: a multilayer structure ML including alternately stacked electrode films WL and interelectrode insulating films 14; a semiconductor pillar SP piercing the multilayer structure; a memory layer 48 between the electrode films WL and the semiconductor pillar; an internal insulating film 42 between the memory layer and the semiconductor pillar; an external insulating film 43 between the electrode films and the memory layer; and a first wire W1 connected to the semiconductor pillar.
メモリ部は、交互に積層された電極膜ＷＬと電極間絶縁膜１４とを有する積層構造体ＭＬ、積層構造体を貫通する半導体ピラーＳＰ、電極膜ＷＬと半導体ピラーと間の記憶層４８、記憶層と半導体ピラーとの間の内側絶縁膜４２、電極膜と記憶層との間の外側絶縁膜４３、半導体ピラーに接続された第１配線Ｗ１、を有す。 - 特許庁 - The method of forming a three-dimensional image includes: a first step of forming a sheet layer by using a photo-curable transparent resin on a recording medium on which an image is formed; a second step of irradiating the sheet layer with light insufficient to completely cure the transparent resin; a third step of forming a lens on the sheet layer by using the transparent resin; and a fourth step of radiating light to completely cure the lens.
画像が形成された記録媒体上に光硬化型の透明樹脂を用いてシート層を形成する第一工程と、シート層に透明樹脂を完全に硬化させるには不十分な光を照射する第二工程と、シート層上に透明樹脂を用いてレンズを形成する第三工程と、レンズを完全に硬化させる光を照射する第四工程と、を含むことを特徴とする立体画像形成方法。 - 特許庁 - A manufacturing method of an epitaxial structure includes: a first step of providing a substrate having at least one epitaxial growth surface; a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of gaps so as to be suspended on the epitaxial growth surface of the substrate; and a third step of causing a growth of an epitaxial layer on the epitaxial growth surface of the substrate so as to include the carbon nanotube layer.
本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 - 特許庁 - The multilayer piezoelectric element comprises a plurality of piezoelectric ceramics layers and a plurality of internal electrode layers including a first phase of conductive material and a second phase of ceramics laid in layers alternately wherein adhesion strength cannot be ensured between the internal electrode layer and the piezoelectric ceramics layer if the second phase is insufficient and the internal electrode layer does not exhibit its function sufficiently if the second phase is excessive.
複数の圧電セラミックス層と、導電材料からなる第１の相及びセラミックスからなる第２の相を含む複数の内部電極層とが交互に積層された積層型圧電素子において、内部電極層は第２の相が少なすぎると内部電極層と圧電セラミックス層の接着強度を確保することができず、逆に第２の相が多すぎると内部電極層がその機能を発揮しがたくなる。 - 特許庁 - The solar cell has a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer of a first compound semiconductor material and at least one quantum well layer of a second compound semiconductor material having a plurality of protrusions between the p- and n-type semiconductor layers, and one or any of a plurality of quantum well layers has protrusions different in size.
太陽電池は、第一の化合物半導体材料からなるｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有し、前記ｐ型半導体層とｎ型半導体層の間に、複数の凸部を表面に有する第二の化合物半導体材料からなる量子井戸層の少なくとも１層を含み、一つの量子井戸層または複数の量子井戸層のいずれかの層に大きさの異なる凸部を有する。 - 特許庁 - In the organic electric field light emitting device wherein a laminated body which includes a thin film layer containing a light emitting layer composed of at least an organic compound and which includes the second electrode formed on the thin layer is sealed by a sealant on the first electrode formed on a substrate, oxygen exceeding 20% and not more than 50% and inert gas exist in the inside of the sealed space.
基板上に形成された第一電極上に、少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む積層体が封止材によって封止されている有機電界発光装置において、封止空間内部に２０％を超えて５０％以下の酸素と、不活性ガスが存在することを特徴とする有機電界発光装置。 - 特許庁 - Besides, the semiconductor device 10 includes a plurality of carbon nanotubes 32 whose first ends 44 and second ends 48 are coupled to the active region 22 and to the conductive layer 34, respectively, and further which extend from the active region 22 to the conductive layer 34 within a via hole 24 of the contact structure 40 to create conductivity between the active region 22 and the conductive layer 34.
半導体デバイス１０はまた、カーボンナノチューブ３２の第１の端部４４が活性領域２２に接続され、カーボンナノチューブ３２の第２の端部４８が導電層３４に接続された、多数のカーボンナノチューブ３２であって、接点構造４０のビア２４内を活性領域２２から導電層３４まで延びて、活性領域２２と導電層３４との間に導電性を付与する前記カーボンナノチューブ３２を含む。 - 特許庁 - The spin valve transistor has a collector region 1 made of a semiconductor, a base region 2 having a first ferromagnetic body layer 12 where a magnetization direction is changed according to the direction of an external magnetic field, a barrier layer 3 made of an insulator formed on the base region 2 or the semiconductor, and an emitter region 4 having a second ferromagnetic body layer 15 where the magnetization direction is fixed.
半導体からなるコレクタ領域１と、コレクタ領域１上に形成され、外部磁界の方向に応じて磁化方向が変化する第１の強磁性体層１２を有するベース領域２と、ベース領域２上に形成された絶縁体又は半導体からなるバリア層と３、ベース領域２上に形成され、磁化方向が固定された第２の強磁性体層１５を有するエミッタ領域４とを備える。 - 特許庁 - The method for processing the inorganic fiber layer formed on the surface of a structure includes a process for allowing the inorganic fiber layer to be impregnated with a first gel solution including an alkali metal silicate and a second gel solution including an aluminum compound to form a gel and separating the inorganic fiber layer on which the gel is formed from the surface of the structure.
構造物の表面に形成された無機繊維層を処理する方法であって、前記無機繊維層に、ケイ酸アルカリ金属塩を含有する第一のゲル原料溶液と、アルミニウム化合物を含有する第二のゲル原料溶液と、を含浸させて、ゲルを形成する工程と、前記ゲルが形成された前記無機繊維層を前記構造物の表面から剥離する工程と、を含む無機繊維層の処理方法とする。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element including at least one light-emitting layer sandwiched between an anode and a cathode has a first organic layer containing, as a ligand, at least one metal complex compound containing at least one partial structure selected from among phenylpyrazole, phenyloxazole and phenylthiazole; and a second organic layer containing a fluorene-based compound.
陽極と陰極により挟まれた少なくとも１層の発光層を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、配位子にフェニルピラゾール、フェニルオキサゾール、またはフェニルチアゾールから選択される少なくとも一つの部分構造を含む金属錯体化合物を少なくとも１つ含有する第１の有機層を有し、且つ、フルオレン系化合物を含有する第２の有機層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁 - This semiconductor substrate manufacturing method comprises a growth process for growing a second monocrystalline semiconductor 12 on a first monocrystalline semiconductor 10, a block layer formation process for forming a block layer 12a on the second monocrystalline semiconductor 12, and a stress relaxation process for producing a defective crystal 15 in a location deeper than the block layer 12, thus relaxing stress to the second monocrystalline semiconductor 12.
半導体基板の製造方法は、第１単結晶半導体１０の上に第２単結晶半導体１２を成長させる成長工程と、第２単結晶半導体１２に阻止層１２ａを形成する阻止層形成工程と、阻止層１２ａよりも深い部分に結晶欠陥１５を発生させて第２単結晶半導体１２に作用する応力を緩和する緩和工程とを含む。 - 特許庁 - In a first step of a step of forming a panel, a bus electrode forming material layer 13 is formed on a dielectric film 12 formed on a support film 11 by the ink jet method, and in a second step, the film 12 formed with the layer 13 is transferred to the surface of the substrate 1, and in a third step, the layer 13 and the film 12 are simultaneously baked.
パネル形成工程の中の第１の工程で、支持フィルム１１上に形成された誘電体フィルム１２の上に、インクジェット法によりバス電極形成材料層１３を形成し、第２の工程で、バス電極形成材料層１３が形成された誘電体フィルム１２を基板１の表面に転写し、第３の工程で、バス電極形成材料層１３及び誘電体フィルム１２を同時焼成する。 - 特許庁 - The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.
酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁 - This organic EL display includes: a substrate 12; the plurality of organic EL elements 16 arranged on the substrate 12; insulation members 14 disposed between the adjacent organic EL elements 16; and a first protection layer 18 which is sequentially formed from a region between the lower layer electrode 24 and the function layer 26 of the organic EL element 16 to the surface of the insulation member 14 and composed by containing fluorine.
基板１２と、基板１２上に配列される複数の有機ＥＬ素子１６と、隣接する有機ＥＬ素子１６間に配置される絶縁部材１４と、有機ＥＬ素子１６が有する下層電極２４と機能層２６との間の領域から絶縁部材１４の表面にかけて連続的に形成され、フッ素を含んで構成される第１保護層１８と、を備えている有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁 - The fuse element 25 comprises a lower side soldering material layer 27 formed by using first soldering material having a higher melting point than a peak temperature under reflow conditions of reflow soldering method to mount the chip fuse on a circuit board, and an upper side soldering material layer 29 directly formed on the lower side soldering material layer 27 by using second soldering material having a lower melting point than the above peak temperature.
ヒューズ素子２５を、チップ型ヒューズを回路基板に実装するリフローソルダリング方法のリフロー条件におけるピーク温度よりも高い融点を有する第１の半田材料を用いて形成された下側半田材料層２７と、前述のピーク温度よりも低い融点を有する第２の半田材料を用いて下側半田材料層２７の上に直接形成された上側半田材料層２９とから構成する。 - 特許庁 - A second metal cathode layer 13 containing thin and long metal particles has low specific resistance in the direction of layers, and its surface in contact with the first metal cathode layer 12 has also low contact resistance, and the resistance of the metal cathode layer, which becomes a problem when charge is extracted from the whole capacitor element and made to pass through a cathode lead-out terminal 6, can be reduced.
また外層側の金属微粒子よりも大きく、細長い形状である金属粒子を含有している第２金属陰極層１３は、層に平行な方向の固有抵抗が低く、第１金属陰極層１２との接触抵抗も低いため、コンデンサ素子全体から容量を引き出して陰極引き出し端子６に電荷を通過させる際に問題となる金属陰極層の抵抗を低減させる。 - 特許庁 - The second layer is formed by coating the second coating liquid by using water vapor as a carrier on the first layer, wherein the second layer contains at least one compound selected from the group consisting of dyes and pigments and has a surface with water contact angle below 60° after the surface is contacted with a mixed solution containing water and vinyl chloride monomer in a weight ratio of 1:1 at 50°C for 1 hour.
前記第二層は第一層の上に第二塗布液をキャリアーとして水蒸気を用いて塗布して形成されたもので、染料及び顔料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有していて、その表面を水と塩化ビニル単量体とを重量比１／１で含む混合溶液と５０℃で１時間接触させた後に水接触角が６０°未満である表面を有するものである。 - 特許庁 - A cured resin layer comprising a blend of a radical polymerizable resin and a cation polymerizable resin is provided to at least one surface of a transparent plastic film or sheet base material as a first hard coat layer 2 and a membrane of a cured resin constituted only of the radical polymerizable resin is further provided thereon to provide a hard coat layer of two-layered constitution.
透明プラスチックフィルムもしくはシート基材の少なくとも一方の面に、第１のハードコート層としてラジカル重合型樹脂とカチオン重合型樹脂のブレンドから成る硬化樹脂層を設けた後、さらに、その上に第２のハードコート層としてラジカル重合型樹脂のみで構成される硬化樹脂の薄膜からなる２層構成のハードコート層を設けることを特徴とするハードコートフィルムもしくはシートである。 - 特許庁 - The method for manufacturing a ferroelectric memory 1000 includes a step (a) wherein a lower electrode layer 20, a ferroelectric layer 30, and a first upper electrode layer 40 are stacked in sequence on a substrate 10; a step (b) to anneal the ferroelectric lamination; and a step (c) to pattern the ferroelectric lamination into a specified shape.
本発明にかかる強誘電体メモリ１０００の製造方法は、（ａ）基体１０の上方に下部電極層２０、強誘電体層３０、および第１の上部電極層４０を順次積層することにより強誘電体積層体を形成する工程と、（ｂ）前記強誘電体積層体にアニール処理を行う工程と、（ｃ）前記強誘電体積層体を所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - In the electrophotographic photoreceptor comprising a conductive support body and a photosensitive layer located on the conductive substrate, wherein this photosensitive layer forms a surface of the photoreceptor, this layer forming the surface of the photoreceptor is formed with a cured product of a mixture containing a first charge transport compound having at least an acryloyloxy group or a methacryloyloxy group and a second charge transport compound having a hydroxyl group.
導電性支持体と、この導電性支持体上に設けられた感光層とを有し、この感光層が感光体の表面を形成する電子写真感光体において、この感光体の表面を形成する層を、少なくともアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を有する第一の電荷輸送性化合物と、水酸基を有する第二の電荷輸送性化合物とを含む混合物の硬化物で形成する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the solar battery cell includes a process of forming a polycrystalline silicon layer by doping impurities of a second conductivity type into the light receiving side-surface of a semiconductor substrate of a first conductivity type, a process of forming a silicon oxide film by oxidizing the polycrystalline silicon layer, and a process of removing the silicon oxide film on the polycrystalline silicon layer.
上記課題を解決するために、本発明は、第１導電型の半導体基板の受光面側に、第２導電型の不純物をドーピングして多結晶シリコン層を生成する工程と、前記多結晶シリコン層を酸化してシリコン酸化膜を生成する工程と、前記多結晶シリコン層上の前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とする太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1.
一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。 - 特許庁 - In a package structure 1 of an electronic component whose inside space is sealed by making first and second package materials 2, 3, of which at least one is constituted of ceramics jointed via a junction material layer 4, the junction material layer 4 is constituted by adding inorganic filler to an epoxy adhesive and the average thickness of the junction material layer 4 is set at 20 μm or less.
少なくとも一方がセラミックスにより構成された第１，第２のパッケージ材２，３が接合材層４を介して接合されて内部空間が封止されている電子部品のパッケージ構造１であって、上記接合材層４が、エポキシ系接着剤に無機質充填剤が含有されて構成されており、かつ該接合材層４の厚みが平均２０μｍ以下とされている、電子部品のパッケージ構造１。 - 特許庁 - In the conductive member applying step, the conductive layer and a terminal for grounding are electrically connected to each other by applying the conductive member to a region from an edge of the extending region side of the protective film to the terminal for grounding of the first substrate.
導電部塗布工程は、保護膜の張り出し領域側の端部から第１の基板の接地用端子にかけて導電部材を塗布することで、導電層と接地用端子とを電気的に接続する。 - 特許庁 - A passing-through direction switching means 5 switches the passing-through direction (hereafter a first direction) of the volatile organic gas passing through the adsorption layer 3 from a supply line 2 and discharged from a discharge line 4, to a reverse direction (hereafter a second direction).
通過方向切換え手段５は供給路２から吸着層３を通過して排出路４から排出する揮発性有機ガスの通過方向（以下、第１方向）を逆方向（以下、第２方向）に切換える。 - 特許庁 - In the grinding apparatus 10, first, the distance from an eddy current sensor 44 to the outer peripheral surface of the belt layer 104 is detected by the eddy current sensor 44 with rotating the tire 100 to be recapped held by a pair of half rims.
研削装置１０では、先ず、一対のハーフリムにより保持された被更正タイヤ１００を回転させつつ、渦流センサ４４により渦流センサ４４からベルト層１０４の外周面までの距離を検出する。 - 特許庁 - In the anisotropic conductive paste layer before removal by the removal device, a first region is removed by a removal device 14 or a second region with the more amount of application is removed by the removal device.
除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 - 特許庁 - A two-layer structure obtained by joining an MgF_2 film having tensile stress and an SiO_2 film having compressive stress is provided to each low-refractive-index film 111 in the first dielectric film group 110 to relieve the internal stress of the film.
第１の誘電体膜群１１０の各低屈折率膜１１１を、引張応力を有するＭｇＦ_2 膜と、圧縮応力を有するＳｉＯ_2 膜を接合した２層構造にすることで、膜内応力を緩和する。 - 特許庁 - Further, at least one of opposite surfaces of the inner container 16 and the outer container 18 has water absorptive property, and a first air layer 35 is formed between the opposite surfaces of the inner container 16 and the outer container 18.
更に、内容器１６と外容器１８の対向面の少なくとも一方が吸水性を有すると共に、内容器１６と外容器１８の対向面間には第一の空気層３５が形成されている。 - 特許庁 - The second release sheet 2 has a non-release region 23 which is near at the end part perpendicular to the release direction in releasing the first release sheet 1 and in which the second release agent layer 22 is not set up.
第２の剥離シート２は、第１の剥離シート１を剥離する際の剥離方向に対して垂直な方向の端部付近に、第２の剥離剤層２２が設けられていない非剥離領域２３を有している。 - 特許庁 - A first reflection layer 32 is formed on a substrate 30 by using a metal material such as Pt and then an optical modulation film 34 using an electrooptical material whose refractive index is changed according to an applied electric field is formed.
基板３０上に、Ｐｔなどの金属材料を用いて第１反射層３２を形成した後、印可する電界に応じて屈折率が変化する電気光学材料を用いた光変調膜３４を形成する。 - 特許庁 - After the upper conductive film, the lower conductive film and the semiconductor layer are subjected to photographic etching, a protective film is vapor deposited and subjected to photographic etching to expose a first part and a second part of the upper conductive film.
次に、上部導電膜、下部導電膜、及び半導体層を写真エッチングした後、保護膜を蒸着し、保護膜を写真エッチングして上部導電膜の第１部分及び第２部分を露出する。 - 特許庁 - In a range of the surface layer 20 corresponding to at least one round second through-holes 32, a plurality of first through-holes 22 communicating with that round second through-holes 32 are formed while being dispersed.
表面層２０の少なくとも一つの一巡第２貫通孔３２に対応する範囲に、その一巡第２貫通孔３２に連通する複数の分散第１貫通孔２２が分散して形成されている。 - 特許庁 - The stepped exposed surface is contiguously formed of a plurality of terraces TR via level differences STP, and the longitudinal direction of this terrace TR and the longitudinal direction G of the groove in the first GaN-based semiconductor layer 1 cross each other.
階段状の露出表面は複数のテラスＴＲが段差ＳＴＰを介して連続してなり、このテラスＴＲの長手方向と、第１のＧａＮ系半導体層１の溝の長手方向Ｇとは交差している。 - 特許庁 - A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.
半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁 - After a first blasting is performed on the surface of the mold to remove a hardened layer produced on the surface and/or to adjust surface roughness, a second blasting is performed to form fine irregularities on the surface.
金型の表面に第１のブラスト処理を行って前記表面に生じた硬化層の除去及び／又は面粗度の調整を行った後，第２のブラスト処理を行って前記表面に微小な凹凸を形成する。 - 特許庁 - The fluid permeable surface material 2 of the throw-away body fluid absorptive wearing article 1 has a plastic thin-film section 6, fluid permeable openings 31 and a first fiber layer 13 joined to the under surface of the thin-film section 6.
使い捨ての体液吸収性着用物品１の透液性表面材２がプラスチック薄膜部６と、透液性開口３１と、薄膜部６の下面に接合する第１繊維層１３とを有する。 - 特許庁 - A via hole 2 penetrating from a first flat surface 1a to a second flat surface 1b is formed in a semiconductor substrate 1, and an electrode pad layer 4 that is a bottom 2a of the via hole 2 is provided on the second flat surface 1b.
半導体基板１には、一方の平面１ａから他方の平面１ｂに貫通するビアホール２が形成され、ビアホール２の底部２ａとなる電極パッド層４が他方の平面１ｂに設けられている。 - 特許庁 - The first recording layer (2) consists of Sn or Bi and contains 0.1 to 5 atomic percent at.% of at least one element selected from Te, Ti, V, Y, Mn, Ni, Pd and Zr.
第一記録層（２）はＳｎ又はＢｉから成り、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一つの元素を０．１原子％以上５原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁 - A bonding region (62) of each lead is urged downward, by engaging a tool (60) with a contact (54) on a chip, while a first or base end (38) of the lead is attached to and held by a dielectric layer structure.
各リードのボンディング領域（６２）は、ツール（６０）をチップの接点（５４）と係合させることにより下方へ付勢され、一方、リードの第１の端部即ち基端部（３８）は誘電体層構造体に取着保持される。 - 特許庁
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