「First layer」を含む例文一覧(24472)
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電気ヒューズ１０１は、切断後に、シリサイド層１０４が、第２の金属コンタクト１１２直下および第２の金属コンタクト１１２と第１の金属コンタクト１０８との間の領域に存在しない構成となる。 - 特許庁 - The hybrid optical element 10 includes: a glass base material 1 having a first optically functional surface 11 and a second optically functional surface 16; and a resin layer 2 bonded to the second optically functional surface 16.
上記課題を解決する複合光学素子１０は、第１光学機能面１１および第２光学機能面１６を有するガラス基材１と、第２光学機能面１６に接合された樹脂層２を備える。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting device according to an embodiment includes: a light-emitting part 17; a translucent part 60; a wavelength conversion part (phosphor layer 70); a first conductive part 31; a second conductive part 32; and an encapsulation part 50.
実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。 - 特許庁 - After an opening 17A (first opening) is formed in the liquid-repellent layer 17 and a hollow 18 of the same size is formed in the gate insulating film 13, the opening 17A is widened to form an opening 17B (second opening).
撥液層１７に開口１７Ａ（第１開口）を形成すると共にゲート絶縁膜１３に同じ大きさの窪み１８を形成したのち、開口１７Ａを拡幅して開口１７Ｂ（第２開口）を形成する。 - 特許庁 - In the electro-optical device 100 with an input function, the translucent cover 90 is bonded to a whole first face 20a of the translucent substrate 20 used for an input panel 2, by an adhesive layer 40.
入力機能付きの電気光学装置１００において、入力パネル２に用いた透光性基板２０の第１面２０ａの側全体には、透光性カバー９０が接着剤層４０により接着されている。 - 特許庁 - The conductive layer includes a wiring region 26 serving as an inductor, a first end region 22 to which one end of the wiring region 26 is connected, and a second end region 24 to which the other end of the wiring region 26 is connected.
導電層は、インダクタとなる配線領域２６と、配線領域２６の一端が接続される第１端部領域２２と、配線領域２６の他端が接続される第２端部領域２４を備えている。 - 特許庁 - A second laminate 14b is created by laminating a second electrolyte film 12b and a cathode side catalyst layer 13b; the first laminate 14a and the second laminate 14b are arranged such that those electrolyte film sides face each other; and a reinforcing frame 20 with reinforcing and short circuit prevention functions is arranged.
第１積層物１４ａと第２積層物１４ｂとを互いの電解質膜側が対向するようにして配置し、その間に、補強および短絡防止の機能を持つ補強枠２０を配置する。 - 特許庁 - The first connection portion 51 is pinched between the current collectors 22b, 22c adjacent in lamination direction, and conductive layers 51b, 51c which are in contact with the current collectors 22b, 22c are formed on the both sides of an insulating layer 51a.
第１接続部５１は、積層方向に隣り合う集電体２２ｂ，２２ｃの間に挟持され、絶縁層５１ａの両面に集電体２２ｂ，２２ｃと接する導電層５１ｂ，５１ｃが形成される。 - 特許庁 - The elastic layer 100B spirally arranged is provided with a second edge portion 100C_2 that comes in contact with a surface to be cleaned at an angle different from that of each of first edge portions 100C_1 located at both ends in the spiral width direction thereof.
そして、螺旋状に配置された弾性層１００Ｂに、螺旋幅方向の両端部に位置する第１エッジ部１００Ｃ_１とは異なる角度で被清掃面に接触する第２エッジ部１００Ｃ_２を設ける。 - 特許庁 - The armature includes the coil 23, including a plurality of layers wound around a tooth covering unit 32 of an insulator 22, and the leading line 23s, drawn out of the first layer of the coil 23, is connected to a terminal (connection terminal 52) at a power supply side.
インシュレータ２２のティース被覆部３２に巻回された複数層からなるコイル２３を備え、コイル２３の第１層目から引き出された引き出し線２３ｓが電源側端子（接続端子５２）に接続される。 - 特許庁 - Surface treatment for increasing a coupling force between the conductive particles 22A and the insulating base material 10 is performed on the laminated surface 10A of the insulating base material 10 on a side where the first conductive layer 21 is laminated.
第１導電層２１が積層されている側の絶縁性基材１０の積層面１０Ａは、導電体粒子２２Ａと絶縁性基材１０との結合力を高める表面処理が行われている。 - 特許庁 - When the conductive layer is viewed in a plane, a circumference of the first end region 22 is not surrounded with the wiring region 26, and a circumference of the second end region 24 is not surrounded with the wiring region 26.
導電層を平面視したときに、第１端部領域２２の周囲が配線領域２６によって取囲まれておらず、かつ、第２端部領域２４の周囲が配線領域２６によって取囲まれていない。 - 特許庁 - A first active region 9a and a second active region 9b include central top surfaces 9t of a (100) crystal plane and inclined edge surfaces 9e extending from the central top surfaces 9t to the device isolation layer 14.
第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂは（１００）面の中心上面９ｔ及び中心上面９ｔから素子分離膜１４に向けて延びる傾斜エッジ面９ｅを有する。 - 特許庁 - A through hole DTH is formed to penetrate the interlayer insulating films II2 and II3 and reach the stopper film AL1, and a first cavity CAV is formed in the top surface of a conductive layer DT in the through hole DTH.
層間絶縁膜ＩＩ２、ＩＩ３を貫通してストッパ膜ＡＬ１に達するスルーホールＤＴＨが形成され、スルーホールＤＴＨ内の導電層ＤＴの上面に第１の凹部ＣＡＶが形成される。 - 特許庁 - The stamp material layer of a cupola hearth 22 consists of first layers 24a and 24b on the upper surface side formed of a material high in corrosion resistance, and second layers 26a and 26b on the under surface side formed of a material high in heat insulation property.
キュポラ炉床２２におけるスタンプ材層は上面側の耐食性の高い素材にて構成された第１層24a, 24bと下面側の断熱性の高い素材にて構成された第２層26a, 26bとから構成される。 - 特許庁 - An intermediate layer 42 refers to a managed table and determines whether a command received by a communication unit 41 is a command directed to a first operating system 43 or a command directed to a second operating system 44.
中間層４２は、通信部４１で受信されたコマンドを、管理しているテーブルを参照し、第１オペレーティングシステム４３に対するコマンドであるか、第２オペレーティングシステム４４に対するコマンドであるかを判定する。 - 特許庁 - First, a rear face side (transparent) plate 3 and a middle layer forming body 11 are stuck together via a side wall 17 of a flat grid shape rear face side, composed of thermosetting resin interposed between them and a rear face side space 22 is formed.
まず、裏面側（透明）板３と中間層形成体１１とをその間に介在された熱硬化性樹脂からなる平面格子状の裏面側側壁１７を介して貼り合わせ、裏面側空間２２を形成する。 - 特許庁 - The optical portion 14 comprises a transparent base body 141 having a first convex surface 141a on the display portion 13 side and a second convex surface 141b on the concave mirror 15 side, and a semipermeable layer 142 covering the second convex surface 141b.
また、光学部１４は、表示部１３側の第１凸面１４１ａと凹面ミラー１５側の第２凸面１４１ｂとを有する透明基体１４１と、第２凸面１４１ｂを覆う半透過層１４２とを有する。 - 特許庁 - A multilayer structure has a semiconductor element 15 which is mounted on a first major surface 11a and a conductive layer 13 which is arranged on a second major surface 11b of a substrate 11 and recedes from a side surface 11s of the substrate 11.
積層構造体は、第１主面１１ａに搭載された半導体素子１５と、基板の第２主面１１ｂに設けられ、基板１１の側面１１ｓから後退した導電層１３と、を有する。 - 特許庁 - A contact plug 112 is formed at a contact hole formed in the first interlayer insulating film 104, and an upper layer wiring 113 is formed in a wiring groove formed in the second interlayer insulating film 105.
第１の層間絶縁膜１０４に形成された接続孔には接続プラグ１１２が形成されていると共に、第２の層間絶縁膜１０５に形成された配線溝には上層配線１１３が形成されている。 - 特許庁 - Since the first electrode layer 4a is made to swell in a protrusion state, a resin 42 coating a part 24 of the end face 2a of the laminate 2 is transferred to a base 21 in a relatively large amount.
第１電極層４ａが凸状に張り出しているため、積層体２の端面２ａの中央部分２４に塗布されている導電性樹脂４２が、相対的に多く金属ベース４１に転写される。 - 特許庁 - In a fourth step, the first insulating layer 131 is bonded onto a second insulating adhesive 132a, and both of them are heated and pressed, thus performing the flip-chip bonding of the semiconductor chip 110 to the interposer 120.
第４の工程で、第１の絶縁層１３１を第２の絶縁性接着剤１３２ａ上に貼り合わせ、両者を加熱加圧することで半導体チップ１１０をインターポーザ１２０にフリップチップ接合させる。 - 特許庁 - The adhesive sheet is manufactured first forming the non-adhesive pattern on the peeling sheet by coating a non-adhesive pattern forming agent, then coating an adhesive, and pasting the sheet substrate on the thus formed adhesive layer.
この粘着シートは、剥離シート上に非粘着パターン形成剤を塗布して非粘着パターンを形成し、次いで粘着剤を塗布し、形成された粘着剤層上にシート基材を貼着することによって作製される。 - 特許庁 - In such a semiconductor device, propagation of noise between the first and second element formation areas 20, 30 can be suppressed by a depletion layer configured between the PNP junction or the NPN junction.
このような半導体装置では、ＰＮＰ接合またはＮＰＮ接合の間に構成される空乏層により、第１、第２素子形成領域２０、３０の間でノイズが伝播することを抑制することができる。 - 特許庁 - This cutting device, cutting a seal having an adhesive layer in at least one surface, is provided with a first blade having a blade edge abutting to the seal to cut it successively from one point of a cut position of the seal.
少なくとも１面に粘着層を有するシールを切断する切断装置であって、シールの切断位置のうち一点から順に、シールに当接してシールを切断する刃先を有する第１刃を備える。 - 特許庁 - Besides, at least, either of the first surface or the second surface includes a formed mirror surface layer.
第１コアは第１面を有し、第２コアは第２面を有し、第１面と第２面とは成型空間を挟んで対向していて、第１面と第２面のうちの少なくとも一つに形成されている鏡面層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a multi-layered fiber-reinforced sheet containing a permeable fiber-reinforced thermoplastic core layer with the first surface and the second surface for an automobile inner structure-constructing element as an embodiment.
例示としての実施形態の場合には、第１の面と第２の面を有する浸透性繊維強化熱可塑性コア層を含む自動車内部構造構成要素用の多層繊維強化シートを提供すること。 - 特許庁 - According to the method of manufacturing a communication apparatus, in a step of laminating a plurality of constituting layers on a board for constituting a laminate structure, communication elements 100 are dropped and laid on a first signal layer 40.
本発明の通信装置の製造方法によると、積層構造体を構成する複数の構成層を基板上に積層する工程において、第１信号層４０に通信素子１００を落下させて配置する。 - 特許庁 - First and second portions 17a and 17b of an active layer 17 formed on the arrangement of the steps 25 are respectively grown on the faces 25a and 25b of the step 25 and generate light of different luminous wavelengths.
ステップ２５の配列上に形成された活性層１７の第１及び第２の部分１７ａ、１７ｂは、それぞれ、ステップ２５の面２５ａ、２５ｂ上に成長され、また異なる発光波長の光を発生する。 - 特許庁 - A first target 2, a second target 3, a moderate layer 4, and a third target 5 are successively formed from the axial center part of a center axis of a cylindrical radioactive waste treating target 1 to the radial outside of the center axis.
円柱形状の放射性廃棄物処理用ターゲット１の中心軸の軸心部から第一ターゲット２、第二ターゲット３、モデレート層４、及び第三ターゲット５を前記中心軸の径方向外側に順次形成する。 - 特許庁 - In an ineffective display region b outside the effective display region a and inside a seal region c in a planar view, a first conductive pattern 131 made of the same layer with the pixel electrodes 118 is provided.
平面視したときに有効表示領域ａよりも外側であってシール領域ｃよりも内側の無効表示領域ｂには、画素電極１１８と同一層からなる第１導電パターン１３１を設ける。 - 特許庁 - For example, in a semiconductor element, formation of a channel (current path) in vicinity of a bottom surface (first surface) of the oxide semiconductor layer and formation of a channel in vicinity of a top surface (second surface) are independently controlled.
例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面（第１の面）近傍におけるチャネル（電流経路）の形成と、上面（第２の面）近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。 - 特許庁 - At inner surface of the second substrate facing the first substrate 3, the second luminous display part B, having a phosphor layer 15 formed in the shape of various data display pattern on an anode electrode 14, is formed.
第１基板３と対面する第２基板の内面には、陽極電極１４上に各種データ表示のパタン形状に形成された蛍光体層１５を有する第２発光表示部Ｂが設けられる。 - 特許庁 - Then, after removing the non-reacting Ni-Pt alloy film therefrom, a second heat treatment having a higher heat-treatment temperature than the one of the first heat treatment is so performed as to form the Pt addition Ni silicide layer 33 of PtNiSi phase.
続いて未反応のニッケル−白金合金膜を除去した後、１回目の熱処理よりも熱処理温度が高い２回目の熱処理を行い、ＰｔＮｉＳｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。 - 特許庁 - In a process for alternately laminating a plurality of insulating layers and a plurality of conductor layers successively, a conductor layer that is formed first is formed by metal foil whose thermal dimension change rate R is ±100 ppm.
複数の絶縁層と複数の導体層とを、順次、交互に積層する工程において、最も最初に形成する導体層を、熱寸法変化率Ｒが±１００ｐｐｍである金属箔によって形成する。 - 特許庁 - The second pole piece has a ferromagnetic second pole piece structure 232 magnetically connected to the pole chip 216 and the first pole piece and extended to the full surface of the second coil layer 230.
第２の磁極片は、ポール・チップ２１６および第１の磁極片の各々に磁気的に接続するとともに、第２のコイル層２３０の全面に伸びる強磁性の第２の磁極片構造体２３２を備えている。 - 特許庁 - When an N-type semiconductor layer is epitaxilally grown, a second gas flow F2 flowing from a second gas flow port 12 via the sequential containers 1, and zinc crucible 3 to the first gas flow port 11 is generated.
Ｎ型半導体層をエピタキシャル成長させるときには、第２気体流通口１２から、処理容器１群および亜鉛壺３を順に通って第１気体流通口１１に至る第２気流Ｆ２が形成される。 - 特許庁 - The first and second rollers 15, 16 are relatively rotated in association with an axial reciprocating movements via cam mechanisms 25, 29 to smooth the ink I layer transferred to the roller 15.
これらの第１の振りローラー１５と第２の振りローラー１６は、カム機構２５，２９を介して軸方向への往復移動を伴って相対回転し、第１の振りローラー１５に転写されたインキＩの層を均すようになっている。 - 特許庁 - The wirings L11, L12 are adjacently wired by alternately deviating the arrangement positions of inverters IV 111-IV 122 and a shield wire S11 is wired adjacently to the wiring L12 concerning the first wiring layer M1.
第１配線層Ｍ１には、インバータＩＶ１１１〜ＩＶ１２２の配置位置を交互にずらして配設しながら配線Ｌ１１、Ｌ１２を隣接させて配線し、配線Ｌ１２に隣接させて、シールド線Ｓ１１を配線する。 - 特許庁 - The gas diffusion layer 3 for the fuel cell is composed of a first particle material 4 being high-hardness carbon particles, and a second particle material 5 obtained by performing granulation from a mixture of carbon particles (a) and a resin (b).
燃料電池用のガス拡散層３を、高硬度のカーボン粒子である第１の粒子材料４と、カーボン粒子ａと樹脂ｂの混合体から造粒して得られた第２の粒子材料５とで構成する。 - 特許庁 - A threshold voltage in a V-T curve representing relationships between a voltage applied to the liquid crystal layer of the first region (SPa) and the transmission differs from a threshold voltage in a V-T curve of the second region (SPb).
第１領域（ＳＰａ）の液晶層に印加される電圧と透過率との関係を示すＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧は第２領域（ＳＰｂ）のＶ−Ｔ曲線におけるしきい値電圧と異なる。 - 特許庁 - To avoid or alleviate the problem caused by a contrast loss, that is induced by radiations reflected first from the dark part of a mask and second from the other absorbing layer in a lithographic apparatus.
第１にマスクの暗部で反射され、第２にリソグラフィ装置中の他の吸収層によって反射される放射によって引き起こされるコントラストの損失による問題の回避または軽減を提供すること。 - 特許庁 - To provide a heat treatment method of steel member which can suppress the generation of an abnormal carburized layer and, at the same time, can suppress quench distortion in regard to the heat treatment method having a first hardening method and a second hardening method.
第１焼入れ工程と第２焼入れ工程とを有する熱処理方法において、浸炭異常層の生成を抑制するとともに、焼入れ歪みを抑制できる鋼部材の熱処理方法を提供する。 - 特許庁 - A boundary region 10C between both of them is set to a two-stage structure of a first level difference section 31 in a p-type cladding layer 13 and a second level difference section 33 straddling over a pn junction section 14 with a flat section 32 in between.
両者の間の境界領域１０Ｃを、平坦部３２を間にして、ｐ型クラッド層１３内の第１段差部３１と、ｐｎ接合部１４をまたぐ第２段差部３３との２段構造とする。 - 特許庁 - The first layer 11, in an overlap process part 112, executes an overlap process on the overlap process region, and holds image data about a residual process region which cannot be frequency-converted.
第１階層１１は、オーバーラップ処理部１１２において、オーバーラップ処理領域についてオーバーラップ処理を実行して、周波数変換が実行されることができない残存処理領域について画像データを保持する。 - 特許庁 - The first flange part 4b and the second flange part 4d is connected to each other to communicate with a ventilating space provided under the heat insulting layer 2, and lead to the outdoor space through a clearance between the outer pipe 4c and inner pipe 4a of the drain pipe 4.
そして、この第１のフランジ部と第２のフランジ部との間を、断熱層の下に設けられた通気空間に連通させるとともに、排水管の外管と内管との間から屋外空間に通じるものとする。 - 特許庁 - At this time, an image on the substrate 1 is detected by a line CCD camera, and a first layer pattern on the substrate is taken as a reference pattern to detect whether the exposure pattern of the mask 3 coincides with the reference pattern or not.
このとき、基板１上の画像をラインＣＣＤカメラにより検出し、基板上の第１層パターンを基準パターンとして、マスク３の露光パターンがこの基準パターンと一致しているか否かを検出する。 - 特許庁 - To provide a wired circuit board excellent in long term reliability in which, while the transmission loss can be reduced by simple lamination, the adhesiveness is improved in a first insulating layer and a metal foil.
簡易な層構成により、伝送損失を低減させることができるとともに、第１絶縁層と金属箔との密着性を向上させて、長期信頼性に優れる配線回路基板を提供すること。 - 特許庁 - With this configuration, heat generated from the light-emitting device 20 is laterally diffused by the first interconnection layer 14 for conducting to the metal substrate 12, thus improving the heat radiation properties of the entire module.
この構成により、発光素子２０から発生した熱は、第１配線層１４により横方向に拡散された後に、金属基板１２に伝導されるので、モジュール全体の放熱性を向上させることができる。 - 特許庁 - First, a crucible filled with high-purity silicon is introduced into a high-temperature furnace, and the crucible is heated to a temperature exceeding a melting point of silicon so as to convert the surface layer part of a graphite member in the high-temperature furnace into silicon carbide.
始めに、高温炉内に高純度シリコンを充填した坩堝を導入し、坩堝をシリコンの融点以上の温度に加熱することにより、高温炉内の黒鉛部材の表層部を炭化ケイ素化する。 - 特許庁
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