「First layer」を含む例文一覧(24472)
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ここで、第１の凸レンズ５の中心線と開口部３の中心位置とが実質的に一致し、第２の凸レンズ６の中心線と光反射層４の中心位置とが実質的に一致している。 - 特許庁 - To provide a perpendicular magnetic recording head in which phenomenon in which a recorded signal is erased can be suppressed compared to the conventional one by improving a shape of, especially, a rear end plane side of a first magnetic layer.
特に第１の磁性層の後端面側の形状を改良し、従来に比べて記録信号を消去する現象を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供することを目的としている。 - 特許庁 - Along a magnetic layer formed over the circumference of the side edge of a conveying belt, there are arranged in order from an upstream as viewed in the traveling direction of the conveying belt: a first write head 18; a read head 19; and a second write head 20.
搬送ベルトの側縁部に周に渡り形成された磁性層に沿って、搬送ベルトの移動方向上流側から順に、第１書込みヘッド１８、読込みヘッド１９、第２書込みヘッド２０が配置されている。 - 特許庁 - Motor/generator MG1, MG2 are coaxially arranged in a center of a case 1 as a composite current two layer motor, first and second planetary gear groups G1, G2 are coaxially arranged on the right side of the motor/generator, and a third planetary gear group G3 is also coaxially arranged on the left side thereof respectively.
モータ/ジェネレータMG1,MG2を複合電流二層モータとしてケース1の中央に同軸配置し、その右側に第1および第2遊星歯車組G1,G2を、左側に第3遊星歯車組G3をそれぞれ同軸配置する。 - 特許庁 - A magnetic pole layer 12 of a magnetic head comprises a first part 12A, a second part 12B and a third part 12C arranged sequentially from a medium facing surface side along the direction vertical to a medium facing surface ABS.
磁気ヘッドの磁極層１２は、媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向に沿って媒体対向面側から順に配置された第１の部分１２Ａ、第２の部分１２Ｂおよび第３の部分１２Ｃを有している。 - 特許庁 - Then, a punch 4 is caused to approach the dice 2, and at the conduction part 84 of the square rod 8, the insulating coat layer 82 of a pair of second side surfaces 802 which are parallel to each other, being orthogonal to the first side surface 801, are removed.
そして、ダイス２にパンチ４を接近させて、角線８の導通部８４において第１側面８０１に直交する互いに平行な一対の第２側面８０２の絶縁被膜層８２を除去する。 - 特許庁 - To decrease the film thickness without decreasing the thermal stability of an exchange coupling layer by forming a first antiferromagnetic film having high exchange coupling energy per unit area with a second ferromagnetic film to produce a strong exchange bias magnetic field and forming the second antiferromagnetic film having a large anisotropic const. to thermally stabilize the magnetic moment.
交換結合層を有するスピンバルブ型磁気抵抗センサにおいて、固定層のピニング磁界を低下することなくその熱安定性を向上でき、結果として反強磁性膜厚を薄膜化すること。 - 特許庁 - A layer pattern 10, on which a region 7a to be partitioned of a panel 7 is exposed, is formed at least on a principal surface of the panel 7 constructed by bonding a TFT substrate 1 (a first substrate) and a counter substrate 2 (a second substrate) to each other.
ＴＦＴ基板（第１基板）１と対向基板（第２基板）２とを貼り合わせてなるパネル７の少なくとも一主面上に、パネル７の分割領域７ａを露出させた層パターン１０を形成する。 - 特許庁 - The saturation magnetization of a developer is from 20 Am^2/kg to 40 Am^2/kg, and the surface roughness of each resin layer of the first developer carrier 3a and the second developer carrier 3b is set in a predetermined range.
また、現像剤の飽和磁化が２０Ａｍ^2／ｋｇ以上、４０Ａｍ^2／ｋｇ以下であって、第１現像剤担持体３ａ及び第２現像剤担持体３ｂの樹脂層の表面粗さを所定の範囲に設定する。 - 特許庁 - In the first wiring layer, reinforcing wiring 106 for preventing a potential drop in the second diffusion region 104 is provided in the overlaps of the second diffusion region 104 and the VSS wiring 108.
第１の配線層において、第２の拡散領域１０４およびＶＳＳ配線１０８と重なる部分に、第２の拡散領域１０４における電位降下を防ぐための補強用配線１０６が設けられている。 - 特許庁 - The auxiliary capacitance is provided by a first transparent conductive pattern 39 on a gate insulating film 15 in a lower side of the thick type resin film 5, and a second transparent pattern 19 in a lower layer than the gate insulating film 15.
補助容量が、厚型樹脂膜５より下層側で、ゲート絶縁膜１５上の第１透明導電パターン３９と、ゲート絶縁膜１５より下層の第２透明導電パターン１９とにより設けられる。 - 特許庁 - A wiring board 100 comprising, at its center, a metal plate 101, and first and second insulating layers 103 and 105 are formed on its upper and lower surfaces 101a and 101b while an in-hole insulating layer 107 is provided in a through hole 101h.
配線基板１００は、中心に金属板１０１を有し、その上下面１０１ａ，ｂには、第１，第２絶縁層１０３，１０５が形成され、貫通孔１０１ｈ内には、孔内絶縁層１０７を備える。 - 特許庁 - In an optical detection semiconductor device including a photodiode section 1 and an NPN transistor section 2 both integrated into a unit, a first light absorption layer 26 is provided between the photodiode section 1 and the NPN transistor section 2 formed on a silicon substrate 11.
フォトダイオード部１とＮＰＮトランジスタ部２を一体化した受光半導体装置において、シリコン基板１１に形成されたフォトダイオード部１とＮＰＮトランジスタ部２との間に、第１光吸収層２６を設ける。 - 特許庁 - The substrate W comprises a sealing coating 106 covering at least part of a first interface between two layers 100, 102 on the substrate or between each layer and the substrate without extending to a central portion of the substrate.
基板Ｗは、基板上の２つの層１００、１０２の間、又は層と基板の間の第一インタフェースの少なくとも一部を覆い、基板の中心部分まで延在しない密封コーティング１０６を含む。 - 特許庁 - A tension applying means for applying tension to the second sheet is arranged on the upstream side of a separating position for separating releasing paper laminated on an adhesive layer of the second sheet to the first sheet by a bonding means.
貼着手段に依って第１シート材と貼り合わせる第２シート材の粘着剤層に積層された剥離紙を分離する分離位置より上流側に、第２シート材に張力を与える張力付与手段を設ける。 - 特許庁 - The first treatment gas is generally mixed with a second one supplied from a second gas pipeline in a mixing device before being introduced to the chamber to deposit a layer onto a substrate arranged in the chamber.
第１処理ガスは、チャンバ内に配置された基板上に層を蒸着するためにチャンバに導入される前に、一般的に混合デバイス中で第２ガス管路から供給される第２処理ガスと混合される。 - 特許庁 - Light reflected by the first recording layer proceeds to a quartered photodetector 54 via the objective lens 45, the 1/4 wavelength plate 44, the non-polarized beam splitter 42, a polarized beam splitter 51, etc., and utilized for focus control.
第１記録層で反射された反射光は、対物レンズ４５、４分の１波長板４４、非偏光ビームスプリッタ４２、偏光ビームスプリッタ５１などを介して４分割フォトディテクタ５４に進行し、フォーカス制御に利用される。 - 特許庁 - To provide a coating method and a coating apparatus capable of easily uniformly forming a pattern at a desired film thickness in a necessary position on a substrate for a device having a first electrode layer formed thereon.
本発明は、第１電極層を形成した素子用基板に、必要な箇所に所望する膜厚で均一に、且つ、容易にパターン形成可能な塗布方法および塗布装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide an electrooptical device in which electrical resistance of a first transparent electrode as scanning lines or data lines is substantially reduced by utilizing a light reflection layer, and to provide an electronic appliance using the same.
光反射層を利用することにより、走査線あるいはデータ線としての第１の透明電極の電気的抵抗を実質的に低減可能な電気光学装置およびそれを用いた電子機器を提供すること。 - 特許庁 - For instance, when the drain 36 of the driver transistor 30 is kept at a potential of 3V, α-rays penetrate through the P well 18, the first buried layer 11, and a silicon substrate 10, by which electron-hole pairs are broken up.
ドライバトランジスタ３０のドレイン３６が例えば、電圧３Ｖの状態のとき、α線がｐウェル１８、第１の埋め込み層１１及びシリコン基板１０を走ることにより、電子正孔対が切られたとする。 - 特許庁 - An organic EL panel 1 has: a substrate 2; a laminate 3 which has at least a first electrode 4, an organic layer 6, and a second electrode 11, and is formed on the substrate 2; and a cathode terminal 8 connected to the second electrode 11.
有機ＥＬパネル１は、基板２と、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有し基板２に形成された積層体３と、第二電極１１に導通される陰極端子８と、を有する。 - 特許庁 - First, each bump 62 is formed on the surface of a terminal 35 of an individual electrode 32 formed on the surface of a piezoelectric layer 31, and also, a land 52 having a projection 52a and wiring 53 are formed on a base material 51.
まず、圧電層３１の表面に形成された個別電極３２の端子部３５の表面にバンプ６２を形成するとともに、基材５１に張出部５２ａを有するランド５２及び配線５３を形成する。 - 特許庁 - First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.
エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁 - A height h2 of a gate electrode 11 on an isolation film 6 is made smaller than a height h1 of the gate electrode 11 on an element formation region by leaving a first silicon layer 3 in an element formation region without removing it.
第１のシリコン層（３）を除去せずに素子形成領域に残すことで、素子分離膜（６）上のゲート電極（１１）の高さｈ２を素子形成領域上のゲート電極（１１）の高さｈ２に比べて低くする。 - 特許庁 - The first blade spring B_1 on the lowermost layer arranged on the innermost side and the second blade spring B_2 built up thereon are engaged with each other only at their one-end T_1 sides via an uneven engaging portion 20.
最も内側に配置される最下層の第１のブレードスプリングＢ_１とその上に積層される第２のブレードスプリングＢ_２とを、それぞれの一端Ｔ_１側においてのみ凹凸状の係合部２０を介して係合する。 - 特許庁 - Since the first electrode 2d and the second electrode 3a are arranged side by side on virtually the same flat surface, the battery B or the electric double layer capacitor easy in flat surface packaging and superior in productivity of a circuit board is provided.
第一の電極２ｄと第二の電極３ａとが略同一平面に並んで配置されるので、平面実装が容易で回路基板の生産性に優れる電池Ｂまたは電気二重層キャパシタを提供できる。 - 特許庁 - In the organic EL element having a light emitting part in which the organic EL layer is pinched between a pair of electrodes and an element board carrying the light emitting part, a first inorganic film has been installed on the light emitting part and the element board.
一対の電極間に有機ＥＬ層が挟持された発光部と、発光部を担持する素子基板とを有する有機ＥＬ素子において、発光部および素子基板上に第１の無機膜を設けた。 - 特許庁 - One principal plane of a p-type semiconductor substrate 1a comprises a region where a first p well 2 of the same conductivity type is formed and a region where an n type epitaxial layer 4 of a different conductivity type is buried.
ｐ型半導体基板１ａの一主面に同一導電型の第１のｐウェル２が形成された領域と、異なる導電型のｎ型エピタキシャル層４が埋め込まれた領域を備えた構成とする。 - 特許庁 - A first light diffusion layer 1 provided on the incident side of projection light includes polarized light diffusion particles, a dispersion medium for dispersing light diffusion particles, and a hold member holding for light diffusion particles.
投写光の入射側に設けられた第１の光拡散層１は極性を帯びた光拡散粒子と光拡散粒子を分散させる分散媒と光拡散粒子を保持する保持部材とを有する。 - 特許庁 - To provide a print circuit board which can reduce process time and cost by using a first insulation layer as an etching resist instead of a dry film and not removing it after etching as well as the method of manufacturing the same.
エッチングレジストとしてドライフィルムの代わりに第１絶縁層を使用し、エッチング後にも除去しないことにより、工程費用および工程時間が節減できるプリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The each LED substrate is flip-chip mounted on a first side 30 of a mounting substrate 3 in such a direction that the side of the light-emitting layer 22 where a pair of electrodes 21 is mounted and the mounting substrate 3 face each other.
各ＬＥＤ基材は、発光層２２における一対の電極２１が形成された面を実装基板３に対向させる向きで、実装基板３の第１の面３０上にフリップチップ実装されて構成される。 - 特許庁 - According to various embodiments, a system includes a turbine engine component (212) that includes a first material having a surface (215) exposed to a fluid flow path and a sacrificial anode layer (214) disposed on the surface (215).
種々の実施形態によれば、システムは、流体流経路に曝される表面（２１５）を有し、第１の材料を含むタービンエンジン部品（２１２）と、表面（２１５）上に配置された犠牲アノード層（２１４）と、を備える。 - 特許庁 - A potential barrier layer (PBL 11) is configured as a p type semiconductor region with much higher concentration formed between the first photo-diode PD1 and the body region 10 to form a potential barrier against the body region 10.
電位障壁層（ＰＢＬ１１）は、第１のフォトダイオードＰＤ１とボディ領域１０との間に形成された、より高濃度なｐ型半導体領域であり、ボディ領域１０に対し電位障壁を形成する。 - 特許庁 - An element part is made of aluminum foil, and impregnation of a cathode part of the element part alternately with a polymerizing monomer and an oxidizer solution is repeated multiple times to form a first solid electrolyte layer 3 on the cathode part.
アルミニウム箔より素子部を作製し、素子部の陰極部を、重合性モノマーと酸化剤溶液に交互に含浸することを複数回繰り返し、陰極部に第１の固体電解質層３を形成する。 - 特許庁 - After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.
他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁 - The flexible integrated circuit board includes a first flexible integrated circuit board 20 bonded to the support substrate 22 by using an adhesion layer 24 and a second flexible integrated circuit board 19 disposed on the support substrate 22.
フレキシブル集積回路基板は、接着層２４を用いて支持基板２２と接着された第１のフレキシブル集積回路基板２０と、支持基板２２上に配置された第２のフレキシブル集積回路基板１９と、を含む。 - 特許庁 - To provide a carpet tile having a first layer of a non-woven primary backing having pile elements tufted through the backing to form loops on the underside of the backing.
パイル要素を有した不織の主支持体を有した層であって、前記パイル要素が前記支持体に房で取り付けられて当該支持体の裏面でループを形成した第１の層を有するカーペットタイルはが記載される。 - 特許庁 - The electromechanical transducer comprises a first electromagnetic element 12 and a second electromagnetic element 15 which are electrodes and such disposed facing to each other on both sides of a sealed cavity 13 which is formed by encapsulating after removing a sacrifice layer.
電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the semiconductor device, a semiconductor substrate SUB is prepared first, wherein the semiconductor substrate SUB has a configuration formed by stacking a support substrate SS, a buried insulating film BOX, and a semiconductor layer SL, in this order.
本発明の半導体装置の製造方法では、まず支持基板ＳＳと、埋め込み絶縁膜ＢＯＸと半導体層ＳＬとがこの順で積層された構成を有する半導体基板ＳＵＢが準備される。 - 特許庁 - In the case of using an optical disk D1 having a thin protective layer, a laser beam with a short wavelength emitted from a first laser module 21 is made incident on the objective lens 10 as a parallel light beam through a collimator lens 24 and converged on a recording surface.
保護層が薄い光ディスクＤ1の使用時、第１のレーザーモジュール２１から発した短波長のレーザー光は、コリメートレンズ２４を介して平行光として対物レンズ１０に入射し、記録面に集光される。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of leakage current due to a crystal defect, in a semiconductor device having a plurality of second-conductivity-type regions that are selectively formed in a surface portion of a first-conductivity-type semiconductor layer.
第１導電型の半導体層の表面部分に選択的に形成された複数の第２導電型領域を備える半導体装置において、結晶欠陥に起因するリーク電流の発生を抑える。 - 特許庁 - In the preprocessing, the device exposes the photoconducting layer 20, by using writing light with the first intensity lower than the second intensity required for an initializing process in which the writing process is performed without the preprocessing.
また、前処理では、初期化処理において前処理を行わずに書込処理を行う場合には必要であった第２の強度より小さい第１の強度の書込光を光導電層２０に露光する。 - 特許庁 - A semiconductor chip 15 is mounted on the first insulation layer 12, and after a chip electrode 16 and the second wiring pattern 14 are connected, the semiconductor chip 15 and a bonding wire 17 are sealed by a sealing resin 18.
半導体チップ１５を第１の絶縁層１２上に搭載し、チップ電極１６と第２の配線パターン１４とを接続した後に、封止樹脂１８によって半導体チップ１５及びボンディングワイア１７を封止する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an impurity atom pair of a first impurity atom 106 and a second impurity atom 107 introduced to a semiconductor layer 101 in a region between a p-type region 102 and an n-type region 103.
ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域の半導体層１０１に導入された第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７からなる不純物原子対を備える。 - 特許庁 - The semiconductor device 10 is provided with a structure where a transformer part 13 formed of a circuit forming layer 16, a magnetic core 17 and coil bodies 18a and 18b is formed on a first semiconductor element 11.
本発明に係る半導体装置１０においては、第１半導体素子１１上に、回路形成層１６と磁性コア１７とコイル体１８ａ，１８ｂとからなるトランス部１３が形成された構造を有している。 - 特許庁 - The protection layer 103 preventing water/oxygen intrusion from the outside is arranged over the organic element 101 formed on a substrate 100 and including a first electrode 103, an organic compound 104, and a second electrode 105.
基板１００上に形成された、第１電極１０３、有機化合物１０４、第２電極１０５を含む有機素子１０１上に、外部の水分や酸素の侵入を防ぐための保護層１０２を設ける。 - 特許庁 - The display device comprises a cholesteric liquid crystal layer which is laminated on a display surface displaying the first information by the display medium and displays the second information in the region of invisible light (for example, ultraviolet light, infrared light).
また、表示媒体にて第一の情報を表示する表示面上に積層され、不可視光（例えば、紫外光や赤外光）の領域で第二の情報を表示するコレステリック液晶層を備える。 - 特許庁 - The second internal electrode layer 26 includes: a third internal electrode 28 extended while being extracted to first and second sides 4, 6; and a fourth internal electrode 30 extended while being extracted to a fourth side 10.
第２の内部電極層２６は、第１及び第２の側面４、６に引き出されるように伸びる第３の内部電極２８と、第４の側面１０に引き出されるように伸びる第４の内部電極３０とを有する。 - 特許庁 - The decoder is operative to implement a method including receiving a code word stored on a page of the memory, and the code word includes data and a check symbol of a first layer generated in accordance with the data.
デコーダは、メモリにおけるページ上に記憶されたコードワードを受信することを含む方法を実行するためのものであり、コードワードは、データおよびこのデータに応じて発生された第１の層のチェック・シンボルを含む。 - 特許庁 - The first portions 10A of the channel impurity layer 10 are formed along the side faces 2S of the grooves 2 near the opened ends of the grooves 2 and positioned in source-drain layers 6, more specifically, in N+-type layers 6B.
チャネル不純物層１０の第１部分１０Ａは溝２の開口端付近に溝２の側面２Ｓに沿って形成されており、ソース・ドレイン層６内に、より具体的にはＮ^+型層６Ｂ内に設けられている。 - 特許庁
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