「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 432 433 434 435 436 437 438 439 440 .... 489 490 次へ＞- The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 1; an insulating film 3 formed on the semiconductor substrate; and an inductor 4 formed in the insulating layer and connected between a first terminal 101 and a second terminal 102.
半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜中に形成され、第１の端子１０１と第２の端子１０２との間に接続されたインダクタ４と、を備える。 - 特許庁 - To easily discriminate an optical disk having an identification mark displayed on an information recording surface, the mark being unseen or difficult to be seen because of the color of a substrate or the semi-transmission film of a first layer, from other optical disks.
情報記録面に表示された識別標識が基板の色や１層目の半透過膜等で見えないか又は見えにくくなっている光学ディスクを、その他の光学ディスクから容易に識別できるようにする。 - 特許庁 - On an N type silicon substrate (first substrate) 110, an epitaxial silicon layer (second substrate) 111 is formed at an impurity concentration lower than that of the silicon substrate 110, e.g. a concentration of 1E14 or less, thus completing a silicon substrate.
Ｎ型シリコン基板（第１基板）１１０の上に、このシリコン基板１１０より不純物濃度の低い、例えば１Ｅ１４以下の濃度でエピタキシャルシリコン層（第２基板）１１１を形成してシリコン基板を完成する。 - 特許庁 - The semiconductor device furthermore includes a source region and a drain region, wherein one of these regions is electrically coupled to the metal carrier substrate and includes a conductive region extending through the first semiconductor layer.
半導体デバイスはさらに、ソース領域およびドレイン領域を含み、これらの領域のうちの一方が金属キャリア基板と電気的に接続され、第１の半導体層を介して延在する導電性領域を含む。 - 特許庁 - This first pattern 6 is a periodic high density pattern which adds a dummy pattern to an aperture pattern which should finally be formed in the processed layer 4, and super-resolving technology, such as an optimal deformed illumination, etc. is used at the time of exposure.
この第１のパターン６は被加工層４に最終的に形成すべき開口パターンにダミーパターンを付加した周期密集パターンであり、露光時にこれに最適な変形照明等の超解像技術を用いる。 - 特許庁 - The layer 12 is formed by a method, where calcined material powder, consisting of a second aggregate and the like different from the calcined material powder consisting of the first aggregate and the like are mixed with the calcined material powder consisting of the matrix material to bake the powders.
第２誘電体磁器材料層は第１骨材の仮焼体粉末等とは異なる第２骨材の仮焼体粉末等と、上記マトリックス材の仮焼体粉末とを混合して焼成してなる。 - 特許庁 - When a diffraction limit δ2, determined by the numerical aperture NA2 and the second wavelength λ2, is defined as δ2=0.61×λ2/NA2, a track pitch Tp1 of a track formed on the first information recording layer is Tp1<δ2.
開口数ＮＡ２と第２の波長λ２とで決まる回折限界δ２を、δ２＝０．６１×λ２／ＮＡ２とすると、第１の情報記録層に形成されたトラックのトラックピッチＴｐ１は、Ｔｐ１＜δ２となる。 - 特許庁 - A first electrode 2 is deposited on a base body 1, a piezoelectric laminate 5 is formed of 3 layers where an intermediate layer 4 is inserted between piezoelectric bodies 3 made of e.g. zinc oxide and the like, and a second electrode 2 is deposited on it.
基体１に第１の電極２を成膜し、例えば酸化亜鉛等の圧電体３の間に中間層４を挟んだ３層の圧電積層体５を形成し、その上に第２の電極２を成膜する。 - 特許庁 - Laser beams L using non-oxidizing gas as assist gas are scanned from the side of the mixed powder 40 and irradiated to heat and fix the powder 40 to the copper foil 50 and the first layer of the negative active material 41b is formed.
そして、非酸化性ガスをアシストガスとしたレーザ光Ｌを混合粉体４０の側からスキャンしながら照射・加熱して銅箔５０に粉体４０を固着させ１層目の負極活物質４１ｂを形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes: a first electrode 120 and a second electrode 124, both provided on an element substrate 100; and a third electrode 218 provided on a counter substrate 200 that faces the element substrate 100 through a liquid crystal layer 300.
第１電極１２０と第２電極１２４とは素子基板１００に設けられ、素子基板１００と液晶層３００を介して対向する対向基板２００に第３電極２１８が設けられている。 - 特許庁 - The inside of a fine flow passage 12 formed on one surface of the small sized first substrate 11 is coated with a wetting body 13a for forming a porous layer such that it is slightly projected from the flow passage 12 by the surface tension.
小型の第一基板１１の一面に形成された微小な流路１２内に多孔質層形成用の湿潤体１３ａをその表面張力により流路１２上にやや盛り上がるように塗布する。 - 特許庁 - Thus the single-layer winding parts 5a, 6a of the windings 5, 6 are wound around first sides of magnetic cores 3, 4 and the multilayer winding parts 5b, 6b are wound around one side of the core 3.
こうして、巻線５，６の単層巻きされた部分５ａ，６ａが磁性体コア３，４の一辺の周囲に巻き回され、多層巻きされた部分５ｂ、６ｂが磁性体コア３の一辺の周囲に巻き回されることになる。 - 特許庁 - On the surface of a transparent substrate 2, a first flat plane 12 to mount a light emitter 1, and slopes 13 and 14 which form an angle of not less than 45°and less than 90° with respect to a light emitting layer 7 of the light emitter 1, are formed.
透明基板２の表面に、発光部１を取り付ける第１平面部１２と、発光部１の発光層７に対して４５度以上９０度未満の角度をなす斜面１３,１４を形成する。 - 特許庁 - The surface treatment layer 12 is formed on the surface of the lens substrate 11, and a first film 121, a second film 122, a third film 123, a fourth film 124, and a fifth film 125 are stacked in this order.
表面処理層１２は、レンズ基材１１の表面に形成され、レンズ基材側から第一膜１２１、第二膜１２２、第三膜１２３、第四膜１２４、および第五膜１２５の順に積層されている。 - 特許庁 - The sand pump, the slime removing machine, the first feed pipe, the auxiliary sand pump, the second feed pipe connected as above are inserted from the upper part of a surface layer casing 3 toward the lower part of an excavated hole 2 in the direction of an arrow.
前記のように連結されたサンドポンプ、スライム処理機、第１の送出管、補助サンドポンプ及び第２の送出管を、表層ケーシング３の上部から掘削孔２の下部に向って矢印方向に挿入する。 - 特許庁 - The first semiconductor layer 12A mainly contains a Se mixed crystal without containing Te, and is formed by containing, for instance, Be_x1Mg_x2Zn_x3Se mixed crystal (0≤x1≤1, 0≤x2≤1, 0≤x3≤1 and x1+x2+x3=1).
第１半導体層１２Ａは、Ｔｅを含まないＳｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ１Ｍｇ_ｘ２Ｚｎ_ｘ３Ｓｅ混晶（０≦ｘ１≦１，０≦ｘ２≦１，０≦ｘ３≦１，ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１）を含んで構成されている。 - 特許庁 - The optical pickup device is tested by evaluating a reproduction signal using at least two or more types of test disks of a first test disk with one recording layer and a second test disk with two recording layers.
記録層が１層である第１のテストディスクと、記録層が２層である第２のテストディスクとの少なくとも２種類以上のテストディスクを用いた再生信号評価により光ピックアップ装置を検査するようにする。 - 特許庁 - In forming the organic functional layer of the organic electroluminescent element 110, the liquid composition is filled into a recess part 150, formed by the first barrier rib 105a and the second barrier rib 105b, and is solidified.
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の有機機能層を形成する際には、第１の隔壁１０５ａおよび第２の隔壁１０５ｂにより形成された凹部１５０内に液状組成物を充填し、固化させる。 - 特許庁 - A first elastic layer 20 made of a material more flexible than the other portion is provided at the outside portion of the boundary section 12 between the central face 4 and front bottom face 8 astride the boundary section 12.
中央面４と前底面８との境界部１２の外側部分に、その境界部１２に跨るように、他の部位に比べて柔軟性を有する材料からなる第１の弾性層２０が設けられている。 - 特許庁 - A compound with hole transport unit and a dopant for oxidizing the hole transport unit are added so that the hole exceeding 20 mA/cm2 can be injected under an electric field of 3×10E5V/cm for the first clad layer 12, thus obtaining an organic semiconductor laser for oscillating a laser with a short wavelength with a simple process.
即ち、非常に簡便な工程で短波長のレーザー発振が可能な有機半導体レーザーが実現され、もってその性能向上、生産性向上、応用範囲の拡大に寄与するものである。 - 特許庁 - Each of the first and second LCD panels 11 and 12 includes a pair of transparent substrates, a liquid crystal layer sandwiched therebetween, and a pair of polarizing films sandwiching therebetween the pair of transparent substrates.
第１及び第２の液晶表示素子１１、１２は、それぞれ、一対の透明基板と、透明基板間に挟み込まれた液晶層と、一対の透明基板を外側から挟み込む一対の偏光板とを有する。 - 特許庁 - This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions.
シリコンからなる半導体基板１０１に窒素（ｎ）イオンを注入する工程と、窒素（ｎ）イオンをアニールすることにより、半導体基板１０１中に窒素を含むクラスター含有層１０３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - Here, the fuel gas circulation part is constituted to have hydrophilicity and can supply liquid water to be supplied together with the fuel gas efficiently to the first catalyst layer by this hydrophilicity.
ここで、燃料ガス流通部は親水性を有するように構成されており、その親水性によって燃料ガスと共に供給される液体水を効率的に第１の触媒層へ供給することができる。 - 特許庁 - Alternatively, phosphor fine particles 24 each coated with a coating film of a film compound reacting with the first coupling reaction group and the reactive phosphor fine particles 42 are alternately bonded and fixed on the phosphor fine particle layer.
あるいは、さらにその上に第１のカップリング反応基と反応する膜化合物の被膜で被覆された蛍光体微粒子２４及び反応性蛍光体微粒子４２が交互に結合固定されている。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a step of forming a pixel electrode (13) on a substrate, a step of cleaning a surface of the pixel electrode, and a step of forming a first hole injection layer (181a) to cover the pixel electrode.
本発明は、基板上に画素電極（１３）を形成する工程と、この画素電極の表面を洗浄する工程と、この画素電極を覆うように第１正孔注入層（１８１ａ）を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - A gas turbine blade (20) previously put to practical use is protected by purifying the blade and then covering both the wing-shaped portion (22) and platform (28) of the blade with the first layer of platinum.
以前実用に供されたガスタービンブレード（２０）が、該ガスタービンブレード（２０）を清浄化し、次ぎに該ガスタービンブレード（２０）の翼形部（２２）及びプラットホーム（２８）上に白金第１層の第１の付着を施すことによって保護される。 - 特許庁 - Floating gate electrodes 16 formed of n-type polysilicon are formed respectively between side wall films 13 on device separating films 12 on a substrate 11 of p-type silicon and on first-layer gate oxide films 15.
Ｐ型シリコンからなる基板１１上の素子分離膜１２に設けられたサイドウォール膜１３同士の間で且つ第１層ゲート酸化膜１５の上には、ｎ型ポリシリコンからなるフローティングゲート電極１６が形成されている。 - 特許庁 - In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.
ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁 - After the second substrate 1 with two ion implantation layers 4 and 6 formed together is joined with a first substrate 7, a joint silicon single crystal thin film 5 is peeled off from the second substrate 1 by using the ion implantation layer 4 for peeling.
そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成された第二基板１を第一基板７に結合した後、第二基板１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁 - Thus, the optical switch 1 having the InP substrate 11, the InGaAs layer 12, the first electrode 13, and the second electrode 14 generates terahertz waves by using light having a wavelength of 1.55 μm used for communication.
そのため、ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＧａＡｓ層１２と、第１の電極１３と、第２の電極１４とを備える光スイッチ１は、通信で用いられている波長１．５５μｍの光を用いてテラヘルツ波を発生する。 - 特許庁 - The first heat treatment is performed at a temperature where the diffusion coefficient of Pt is larger than the diffusion coefficient of Ni while preserving a portion of the alloy film unchanged on the metal silicide layer 13a.
この際、Ｎｉの拡散係数よりもＰｔの拡散係数の方が大きくなる熱処理温度で、かつ、金属シリサイド層１３ａ上に合金膜の未反応部分が残存するように、第１の熱処理を行う。 - 特許庁 - The alloyed reaction between a material forming a first electrode 3A and the solder 56 when the semiconductor laser device 1 is connected to an object 55 to be connected by using the solder 56, thereby stops at the barrier metal layer 34.
したがって、半導体レーザ素子１を半田５６によって被接続体５５に接続したときの、第１電極部３Ａを形成する材料と半田５６との合金化の反応は、バリアメタル層３４で止まる。 - 特許庁 - By forming a photocatalyst-containing layer on a surface and further bonding a hydrophilic agent such as a lubricant to the surface thereof, in an initial stage, antistaining properties are imparted at first by the hydrophilicity due to the hydrophilic agent.
表面に光触媒含有層を形成し、さらにその表面に滑剤等の親水性剤を付着させることにより、初期の段階においてはまず親水性剤による親水性によって防汚性が付与される。 - 特許庁 - The capacitive element 10 has a sandwich structure in which the dielectric layer 12 is sandwiched between the first electrode 11 and the second electrode 13, and concavity and convexity are provided on the outer surface of the second electrode 13.
容量素子１０は、誘電体層１２を第１電極１１と第２電極１３とにより挟むようにしたサンドイッチ構造になっており、第２電極１３の外表面に凹凸が設けられている。 - 特許庁 - The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate.
ｐ導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。 - 特許庁 - The inner electrode layer obtained from the conductive particles is composed of a first metal part with the nickel as a main component and a second metal part having at least one kind of element selected from the above elements as a main component.
この導電性粒子により得られる内部電極層は、ニッケルを主成分とする第１金属部と、上記元素から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として有する第２金属部とを有する。 - 特許庁 - Then, by using a second blade 26 where the cutting depth reaches the dicing tape base material 23 and the width is narrower than that of the first blade 25, the adhesive layer 22 is cut along with one portion of the dicing tape base material 23.
次いで、切り込み深さがダイシングテープ基材２３に達すると共に、第１のブレード２５より幅が狭い第２のブレード２６を用いて、接着剤層２２をダイシングテープ基材２３の一部と共に切断する。 - 特許庁 - The antireflection film 7 is removed by this way, and the time of subsequent wet etching is shortened and the spread to a substrate plane direction is suppressed by film thinning of the first insulating layer 2 by dry etching.
これにより反射防止膜７を除去すると共に第１の絶縁膜２をドライエッチングにより薄膜化することによってその後のウェットエッチングの時間を短くして基板面方向への広がりを抑制する。 - 特許庁 - To improve insulation and reliability of an insulating cap for distributing first and second internal electrodes in a dielectric layer provided between a pair of conductor layers of a capacitor to the pair of conductor layers.
コンデンサの一対の導電体層間に設けられた誘電体層中の第１及び第２の内部電極を、前記一対の導電体層に振り分けるための絶縁キャップの絶縁性及び信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - Among the plurality of image forming units 50, the image forming unit 50 having the thickest low concentration toner particle layer on the developer roller 56 is arranged so that the toner image formed in the unit may be transferred to the intermediate transfer belt 63 at first.
複数の画像形成ユニット５０のうち、現像ローラ５６上のトナー粒子低濃度層の厚さが最も厚いものが、最初にトナー像を中間転写ベルト６３に転写するように配置されている。 - 特許庁 - The silicon oxide layer 102 includes a first top surface 102a whose distance from the main surface 100a is relatively large and a second top surface 102c whose distance from the main surface 100a is relatively small.
シリコン酸化物層１０２は、主表面１００ａからの距離が相対的に大きい第１の頂面１０２ａと、主表面１００ａからの距離が相対的に小さい第２の頂面１０２ｃとを含む。 - 特許庁 - The first resin layer contains at least one kind selected from a group of, for example, a (meth)acryl polymer, a cycloolefin polymer, and a cellulosic, and the α,β-unsaturated monomer unit is, for example, a vinyl carbazole unit.
第１の樹脂層は、例えば（メタ）アクリル重合体、シクロオレフィン重合体およびセルロース誘導体から選ばれる少なくとも１種を含み、α,β−不飽和単量体単位は、例えばビニルカルバゾール単位である。 - 特許庁 - The reflection layer 3 is provided with a second reflection film 3a formed on the substrate 2 and subjected to nitriding treatment and a first reflection film 3b formed on the second reflection film 3a and subjected to no nitriding treatment.
反射層３は、基板２上に形成され、窒化処理が施されている第二の反射膜３ａと、第二の反射膜２ａ上に形成され、窒化処理の施されていない第一の反射膜３ｂとを備えている。 - 特許庁 - In this semiconductor integrated circuit, a first insulating film 26 comprises an organic polymer film 1a and a silicon nitride film 2a, and a second insulating layer 27 comprises a silicon polymer film 3 and a silicon nitride film 2b.
本発明に基づく半導体集積回路は、第一絶縁層２６が有機高分子膜１ａと窒化シリコン膜２ａとからなり、第二絶縁層２７は、シリコーン高分子膜３と窒化シリコン膜２ｂとからなる。 - 特許庁 - Symmetry of the alignment mark formed in the second resist layer is improved by suitably adjusting thicknesses, coating process parameters, and baking process parameters of the first and the second resist layers.
第２のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第１および第２のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 - 特許庁 - An active layer 300 comprising polycrystalline silicon that is formed on an insulating substrate is formed of a first MILC crystallization region and a second MILC crystallization region by carrying out an MILC method with different temperatures.
絶縁基板上に形成される多結晶シリコンからなる活性層３００を、異なる温度のＭＩＬＣ法を実行することで第１ＭＩＬＣ結晶化領域及び第２ＭＩＬＣ結晶化領域により形成する。 - 特許庁 - Using barium titanate strontium, for example, an oxide dielectrics film 7 of 300-600 Å is formed, over which a first platinum layer 81 is deposited, for example, by a sputtering method at 250°C or lower to 250-500 Å.
チタン酸バリウムストロンチウムを用いて例えば３００〜６００オングストロームの酸化物誘電体膜７を形成し、その上に第１白金層８１を例えばスパッタリング法で２５０℃以下にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁 - The optical element has multilayer film configuration in which crystalline substrate and its first layer are amorphous films having optical film thickness of 0.480 to 0.520λ0 when the λ0 is defined as the center wavelength of design.
結晶質基板とその第一層目がλ０を設計中心波長とすると０．４８０〜０．５２０λ０の光学的膜厚の非晶質膜である多層膜構成を特徴とする光学素子を提供する。 - 特許庁 - Among an MR thin film 7, a bias layer 8 and a lead electrode 15 constituting a lead structure, the lead electrode 15 is formed by laminating first and second lead electrode layers 9 and 10.
リード構造体１６を構成するＭＲ薄膜７、バイアス層８、及びリード電極１５のうち、リード電極１５を、第１のリード電極層９及び第２のリード電極層１０によって積層して形成する。 - 特許庁 - Thereafter, the first N-type polysilicone film 12 in the emitter electrode forming area and an emitter base separating and oxidizing film 10 in the emitter electrode forming area are removed by etching to expose the surface of a bipolar element forming semiconductor layer.
その後、エッチングにより、エミッタ電極形成領域にある第１のＮ型ポリシリコン膜１２とエミッタ・ベース分離酸化膜１０とを除去して、バイポーラ型素子形成用半導体層の表面を露出させる。 - 特許庁
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