「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The PTC layer 2 is molded to have an outer shape that includes almost all end faces of two unit cells 1 connecting the first and the second electrodes, and opens through-holes 2B located at end part electrodes 1A of the unit cells.
    ＰＴＣ層２は、第一電極３と第二電極４を接続するふたつの素電池１の端面のほぼ全体を含む外形に成形され、素電池１の端部電極１Ａに位置して貫通孔２Ｂを開口している。 - 特許庁
  • After the gettering layer 7 is removed, the crystallized semiconductor film 5a is irradiated with second laser light or strong light of energy density lower than that of the first laser light, so that a pin hole on the surface of the crystallized semiconductor film 5a is buried.
    ゲッタリング層７を除去した後、結晶化半導体膜５ａに、第１のレーザー光よりエネルギー密度が低い第２のレーザー光又は強光を照射することにより、結晶化半導体膜５ａの表面のピンホールを埋める。 - 特許庁
  • Thereby, the first multi-layer portion 10a having a higher dielectric constant is positioned between the coil L1 and the external electrodes 12, 14, then, the floating capacitance produced between the coil L1 and the external electrodes 12, 14 becomes larger.
    そのため、高い誘電率を有する第１の積層部１０ａがコイルＬ１と外部電極１２，１４との間に位置することとなるので、コイルＬ１と外部電極１２，１４との間で生じる浮遊容量が大きくなる。 - 特許庁
  • A part of the movable electrode 1 and that of the electrode 2 are first contacted through the dielectric layer 3 in the central section because the movable electrode 1 is convex if the distance between both the electrodes 1, 2 is gradually reduced (b).
    両電極１，２間の距離を短くしていった場合、可動電極１が凸状となっているため、まず、中央部分において、可動電極１の一部と可動電極２の一部とが誘電体層３を介して接触される（ｂ）。 - 特許庁
  • The semiconductor device 100 includes: an insulation film 154 formed on a substrate (not shown); and a MIM capacitor 200 including first and second electrodes formed in the same layer and oppositely disposed via the insulation film 154.
    半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された絶縁膜１５４、同層に形成されるとともに、絶縁膜１５４を介して対向配置された第１の電極および第２の電極、を有するＭＩＭキャパシタ２００とを含む。 - 特許庁
  • In a cathode 22 as an electrode catalyst layer, Pt carrying carbon particles 50 and Pt non-carrying carbon particles 51 are mixed in a state coated, respectively, with a first electrolyte resin 71 and a second electrolyte resin 72.
    電極触媒層であるカソード２２は、Ｐｔ担持カーボン粒子５０とＰｔ未担持カーボン粒子５１の両粒子をそれぞれ第１電解質樹脂７１と第２電解質樹脂７２で被膜した状態で混在させている。 - 特許庁
  • A cobalt film and a titanium nitride film are formed on the semiconductor substrate to cover the gate electrode, and a CoSi layer is formed by reacting Co of the cobalt film with Si of the semiconductor region through a first anneal processing.
    半導体基板上にゲート電極を覆うようにコバルト膜および窒化チタン膜を形成し、第１のアニール処理を行ってコバルト膜のＣｏとゲート電極および半導体領域のＳｉとを反応させてＣｏＳｉ層を形成する。 - 特許庁
  • Ar gas is then flown into the sputtering chamber to deposit by sputtering a first refractory metal-silicon-nitrogen layer 14 on the substrate from a refractory metal silicide target, or from two targets of a refractory metal and a silicon.
    次に、Ａｒガスがスパッタリング・チャンバ内に流し込まれ、耐熱金属ケイ化物のターゲットから、または耐熱金属及びケイ素の２つのターゲットから、第１の耐熱金属−ケイ素−窒素の層１４が基板上にスパッタ付着される。 - 特許庁
  • A multi-layer structure is manufactured by cold bonding first and second layers 2 and 3, at least one of which is made of single crystalline material via a metallic film 1 such as an Al film containing one or more sorts of metals.
    １種類以上の金属を含む層、例えばＡｌ膜のような金属膜１を介して、少なくとも一方が単結晶材料からなる第１の層２および第２の層３を常温接合して多層構造体を製造する。 - 特許庁
  • The method of designing the semiconductor integrated circuit layout includes arranging a plurality of dummy diffusion patterns in a substrate area and right below the wire of a first wiring layer among automatically arranged wires.
    本発明の半導体集積回路レイアウト設計方法は、自動配置配線のうちの第１配線層の配線に対して、基板領域にて且つ上記配線の直下にて、複数のダミー拡散パターンを配置することを特徴とする。 - 特許庁
  • One layer formed on the first metal film 22 is a second metal film 24 composed of any one of materials in a group composed of molybdenum, tungsten, chrome, titanium, indium tin oxide, indium zinc oxide, and indium tin zinc oxide or the alloy of the material.
    第１金属膜２２の上の１層は、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛及び酸化インジウムスズ亜鉛からなるグループのいずれか１つの材料又は材料を含む合金からなる第２金属膜２４である。 - 特許庁
  • The gate insulating film 19 contains nitride atoms therein, and includes first portions 191 contacting the epitaxial layer 8 outside the body regions 12, second portions 192 contacting the body regions 12, and third portions 193 contacting the source regions 15.
    ゲート絶縁膜１９は、膜中に窒素原子を含み、ボディ領域１２外のエピタキシャル層８に接する第１部分１９１、ボディ領域１２に接する第２部分１９２およびソース領域１５に接する第３部分１９３を含む。 - 特許庁
  • The second impurity layer 110 has a second peak in the impurity concentration distribution in the depthwise direction, and the second peak is located in a region deeper than the first peak but shallower than the junction depth of the source-drain region 108.
    第２の不純物層１１０は深さ方向の不純物濃度分布に第２のピークを持つと共に、該第２のピークは第１のピークよりも深く且つソース・ドレイン領域１０８の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁
  • Inserted floating electrodes 8 formed of a transparent conductive material and maintaining insulating property, abutting on neither transparent electrodes 3 nor metal electrodes 12 are provided in a first insulating layer 5 of this inorganic thin film electroluminescent element 1.
    無機薄膜エレクトロルミネッセンス素子１の第一絶縁層５の中に、透明な導電性材料から成り、透明電極３および金属電極１２に接することがなく、絶縁性が保たれている内挿フローティング電極８を設ける。 - 特許庁
  • A MOS type semiconductor integrated circuit device comprises diodes 14 directly connected with metal wirings 131, 132 of a first layer to both gate electrodes of MOS transistors 11, 12 paired in an analog circuit, respectively.
    ＭＯＳ型半導体集積回路装置において、アナログ回路の互いにペアとなるＭＯＳトランジスタ11、12の双方のゲート電極に、第１層の金属配線131、132 で直接接続されるダイオード14を各々有することを特徴とする。 - 特許庁
  • The electron device is provided with a conductive organic molecule layer which contains a principal chain constituting a first conjugate π electron system, and an organic molecule as a main component comprising the end group combined with at least one edge of a principal chain.
    導電性の有機分子層を備え、有機分子層は、第１の共役π電子系を構成する主鎖と、主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含む。 - 特許庁
  • This surface-emitting laser has an active layer between a first multilayer film mirror and a second multilayer film mirror.
    第１の多層膜ミラーと第２の多層膜ミラーとの間に活性層を有する面発光レーザであって、第１の多層膜ミラーは、反射帯域の内に共振モードと、該共振モードとは異なる第１の縦モードが含まれるように構成されている。 - 特許庁
  • For example, a record (the Kofukuji Ruki [Records of Kofuku-ji Temple]) shows that a group of sozo (a statue made from a wood core, coated with clay) that depicted the Pure Land of Shaka, Amida, Miroku and Yakushi were placed in the first layer of the five-storey pagoda of the Kofuku-ji Temple in Nara built in 730.
    たとえば天平2年（730年）に建立された奈良・興福寺五重塔の初層には釈迦、阿弥陀、弥勒、薬師の浄土を表現した塑像群が安置されていたことが記録（興福寺流記）から知られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The resin pipe 20 is provided with a pipe body 22 formed of first resin material (PPS), and a reinforcement layer 24 laminated as tightly applied to an inner circumferential part of a connection end 20b, and formed of second resin material.
    樹脂パイプ２０は、第１樹脂材料（ＰＰＳ）から形成されたパイプ本体２２と、上記接続端２０ｂの内周部に密着した状態で積層されかつ第２樹脂材料から形成された補強層２４とを備えている。 - 特許庁
  • A phenol resin adhesive is coated on a surface of a fixture 1 of a shape used for a pressure regulator of a brake unit at one end face side, and dried in an atmosphere at 70°C for 5 min to form a first adhesive layer 2.
    制動装置の圧力調整装置に用いられる形状の金具１の一端面側表面にフェノール樹脂系接着剤を塗布し、７０℃の温度雰囲気下で５分間乾燥させて第１接着剤層２を形成する。 - 特許庁
  • Of the wiring layer 35, a first connecting section 36F which is extended from the cavity 11 through the outside surface of the electronic component storing container 10 is formed in a narrower width than a second connecting section 36S not exposed in the cavity 11.
    配線層３５のうちキャビティ１１から電子部品収納容器１０の外面まで貫通する第１の接続部３６Ｆは、キャビティ１１に露出しない第２の接続部３６Ｓと比べて線幅が狭く形成されている。 - 特許庁
  • A comb-shaped periodic irregular structure 8 is provided on a surface of a semiconductor layer 3, a first electrode 1 is disposed on an upper face of a projection of the periodic irregular structure 8, and a second electrode 2 is disposed on a bottom face of the dented part.
    半導体層３の表面に櫛形の周期的凹凸構造８を設け、周期的凹凸構造８の凸部の上面上に第１の電極１を配置し、凹部の底面上に第２の電極２を配置する。 - 特許庁
  • An emitter film 15 is formed on the surface layer and on the side spacer so that a flat surface is formed on a bottom part of the hole, and then a surface of the substrate 10 is exposed by etching back the emitter film and removing the first gate film on the bottom part of the hole.
    孔の底部に平坦面が形成されるように表面層とサイドスペーサの上にエミッタ膜（１５）を形成し、さらにエミッタ膜をエッチバックして孔の底部の第１のゲート膜を除去して基板面を露出させる。 - 特許庁
  • In the liquid crystal device, a reflecting polarizing layer equipped with a plurality of first metal reflecting films which are formed in parallel with each other with a predetermined gap in between, is disposed on the outside surface of at least one substrate of the two substrates.
    液晶装置は、２枚の基板のうち、少なくとも一方の基板の外面上には、所定の間隙を有して互いに平行に形成された複数の第１の金属反射膜を備える反射偏光層が設けられている。 - 特許庁
  • The second alignment layer has a plurality of partitioned second alignment regions respectively made to correspond, and be opposite, to the plurality of first alignment regions, and mutually different alignment directions are respectively imparted to the mutually neighboring second alignment regions.
    第２の配向膜は、複数の第１の配向領域に夫々対応して対向され、区画された複数の第２の配向領域を有し、互いに隣接する第２の配向領域には、異なる配向方向が与えられている。 - 特許庁
  • The present invention relates to the manufacturing method of the display device 1, having a first substrate 10, a second substrate 20 disposed opposite to it, and an electro-optical substance layer 30 held between those substrates.
    本発明の表示装置の製造方法は、第１基板１０と、これに対向して配置された第２基板２０と、これら基板間に挟持された電気光学物質層３０と、を備えた表示装置１の製造方法である。 - 特許庁
  • On this DRAM (dynamic random access memory) chip, a polysilicon wiring layer (p-Si) is used to form a line 3 of an external ground voltage ext.VSS, and first and second aluminum wiring layers (Al1, Al2) are used to form lines 4 and 5 of an external power voltage ext.VCC.
    このＤＲＡＭチップでは、ポリシリコン配線層（ｐ−Ｓｉ）で外部接地電位ｅｘｔ．ＶＳＳのライン３を形成し、第１および第２のアルミ配線層（Ａｌ１，Ａｌ２）で外部電源電位ｅｘｔ．ＶＣＣのライン４，５を形成する。 - 特許庁
  • A substrate (wafer W) having a trench 100 formed on a porous insulating layer (SiOC film 11) containing absorbed moisture in the air is placed in a processing chamber, and the substrate is coated with a first base film (Ti film 13) made of a bubble metal.
    大気中の水分を吸収した多孔質の絶縁層（ＳｉＯＣ膜１１）にトレンチ１００の形成された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、バルブメタルからなる第１の下地膜（Ｔｉ膜１３）を被覆する。 - 特許庁
  • Moreover, a through-hole 55 is formed at an outside region of the pressure chamber-forming hole 53a of the first cavity plate 41 which is an upper layer among the two cavity plates 41 and 42 and has the diaphragm 70 joined to its surface.
    さらに、前記２枚のキャビティプレート４１，４２のうち、上層に位置してその表面に振動板７０が接合される第１キャビティプレート４１の、圧力室形成孔５３ａの外側領域には、貫通孔５５が形成されている。 - 特許庁
  • A first resin material layer 11 is formed on an element substrate 1 in a form in which a peripheral region 'b' with a terminal electrode 5 is disposed therein is arranged outside to surround a display region 'a' with an organic electroluminescent element 3 disposed therein.
    有機電界発光素子３が設けられた表示領域ａを囲み端子電極５が設けられた周辺領域ｂを外側に配置する形状で、素子基板１上に第１樹脂材料層１１を形成する。 - 特許庁
  • The "periodic structure layer 21" is constituted by two-dimensionally periodically arranging micropatterns consisting of a material of the refractive index different from the refractive index of the substrate 22 with a pitch of about the wavelength of light within the plane parallel to the first major face.
    「周期構造層２１」は、基板２２の屈折率とは異なる屈折率の材料からなる微細パターンを、第１主面に平行な面内において、光の波長程度のピッチで、２次元の周期的配置をして構成されている。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a high quality color filter substrate at low cost for a liquid display device composed of a plurality of patterned layers composed of a first layer of non-photosensitive resin and a photosensitive resin.
    本発明は、非感光性樹脂からなる第１の層と感光性樹脂からなる複数のパターン化層からなる液晶表示装置用カラーフィルタ基板を低コスト、かつ高品質に得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Discharge loss due to centrifugal force is eliminated by providing two pieces of sprockets 12 to transfer from a scraping part 7 to a carrier part 8 and making a bucket 9 diagonally upward while the bucket 9 is in its layer scraping a bulk material M by a first sprocket 14.
    掻取部７から搬送部８へ移行させるスプロケット１２を二個とし、第一スプロケット１４でバケット９がばら物Ｍを掻取りながらその層内に在る間に斜め上向きとして遠心力による放出ロスをなくした。 - 特許庁
  • The method for producing the spherical grain is characterized by comprising a first step of rounding edges of the crystal grain, and forming the central core grain, and a second step of fixing a coating layer on the surface of the central core grain.
    本発明の球形粒の製造方法は、結晶粒の角を削って中心核粒子を形成する第１の工程と、前記中心核粒子の表面に被覆層を固定する第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a method for producing a color filter by which occurrence of residues on development attributable to insufficient rinse by the effect of irregularity made by formation of a first layer can be prevented, each color pattern is configured into a proper rectangular geometry, and to provide a color filter with high planarity can be produced.
    第１層が形成されてできた凹凸の影響によるリンス不足に起因する現像残渣の発生を防止し、各色パターンが良好な矩形状に構成され、平坦性の高いカラーフィルタを作製する。 - 特許庁
  • In a peak position shoulder part 18 having the highest pressure on a ground surface of a tread 31 for a road surface, a cushioning layer 51 made of a rubber ribbon is provided between the body ply 21 and a width end part of a first belt 22.
    路面に対するトレッド３１の接地面において、最も圧力の高いピーク位置ショルダー部１８において、前記ボディプライ２１と第１ベルト２２の幅端部との間には、ゴムリボンよりなる緩衝層５１が設けられている。 - 特許庁
  • In the first element A, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 4, a solid electrolyte 5, and a conductive member 6 is provided on a connection surface of a valve action metal substrate 1 to a mounting substrate, and cathode parts b1 to bn are formed.
    第１の素子Ａは、弁作用金属基体１の実装基板への接続面に誘電体酸化被膜４と、固体電解質５および導電性部材６からなる陰極電極層を設けて、陰極部ｂ１〜ｂｎを形成する。 - 特許庁
  • Preferably, a plurality of the second grooves 48 having a larger groove depth than the thickness of the compound semiconductor layer to be epitaxially grown are further formed in parallel to each other on the surface of the film-forming substrate of the wafer in the direction crossing the first grooves.
    また、好適には、エピタキシャル成長させる化合物半導体層の膜厚より深い溝深さの複数本の第２の溝４８を、相互に平行に、かつ第１の溝に交差する方向でウエハの成膜基板面に形成する。 - 特許庁
  • A welding step (250) deposits at least a first weld repair layer on a surface of the article (100), and the article (100) is repaired by building up at least a portion of a surface of the article to a desired shape or profile.
    溶接するステップ（２５０）は、物品（１００）の表面上に第１の溶接補修層を堆積させ、該物品（１００）は、物品の表面の少なくとも一部を所望の形状又は輪郭に肉盛りすることによって補修される。 - 特許庁
  • The first coating layer is preferably formed by means of coating an aqueous solution including silica sol of 10-100 pts.wt., and the phosphonic acid compound of 1-100 pts.wt. against the primary phosphate of a polyvalent metal of 100 pts.wt., and drying it.
    第１層皮膜が、多価金属第一リン酸塩１００重量部に対してシリカゾルを１０〜１００重量部、ホスホン酸化合物を１〜１００重量部含有した水溶液を塗布乾燥したものであることが望ましい。 - 特許庁
  • The magnetic convergence plate 12 is arranged on the Hall elements 14a and 14b on a second metallic film 16b through a first metallic film 16a arranged on the protection layer 15.
    磁気収束板１２は、保護層１５上に設けられた第１の金属膜１６ａを介して、さらにその上に設けられた第２の金属膜１６ｂ上で、かつホール素子１４ａ，１４ｂの上方に配置されるように設けられている。 - 特許庁
  • At the temperature where a mixture layer 2 is not melt, the first and second temperature indicating labels cannot be distinguished; but when irradiated with UV light by a black light, they are distinguished by the respective color development into red and green which are the respective color development color tones of the temperature indicating labels.
    第一およぴ第二の示温ラベルは、混合物層２が融解しない温度では、区別はつかないが、ブラックライトでＵＶ光をあてるとそれぞれ示温ラヘレルの発色色調である赤と緑に発色するので、区別できる。 - 特許庁
  • The first and second electrode are formed so as to inject electric currents, which are different from each other in intensity, into the parts of the active layer 24 which are corresponding to the diamond-shaped route 32 and divided by the diagonal lines of the diamond-shaped route 32.
    第１および第２の電極は、活性層２４のうち経路３２に対応する部分であって経路３２の対角線で分割される複数の部分に、異なる量の電流を注入できるように形成されている。 - 特許庁
  • The power module is constituted by stacking an underlay conductive member 28 formed by a melt-spraying process (cold spraying process), a solder layer 14, and a semiconductor chip 11 in order on a metal wiring 23 made of a first material (Cu).
    パワーモジュールは、第１の材料（Ｃｕ）からなる金属配線２３の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された下敷き導電部材２８と、半田層１４と、半導体チップ１１とを順次積層して構成されている。 - 特許庁
  • The electronic ink layer 600 is arranged between the first substrate 100 and the second substrate 500 and includes a plurality of charged particles 614 and the display state of the display device is determined in accordance with the distribution state of the charged particles 614.
    電子インク層６００は、第１の基板１００と第２の基板５００の間に配置されて複数の帯電粒子６１４を含み、帯電粒子６１４の分布状態により表示装置の表示状態が決定される。 - 特許庁
  • According to the outside insulation constructing method, the skeleton 1 allows the heat insulating material 8 to be stuck to an outer surface thereof by means of a foamed adhesive 7, and mortar 11 containing short fibers is trowelled on a surface of the heat insulating material 8 as a first layer.
    躯体１の外面に発泡系接着剤７で断熱材８を張り付けた後、断熱材８の表面に短繊維入りのモルタル１１をコテ塗りし、その上にネット２０を重ね、次いで、第２層目のモルタル１２をコテ塗りする。 - 特許庁
  • First, a flat base plate 30 like a metal plate is prepared (a step S100), and metal powder suspended slurry (nickel slurry) is applied on a gas diffusion layer forming area of the base plate (namely, the separator) by a screen printing method (a step S120).
    まず、金属プレート等の平板状の基板３０を準備し（ステップＳ１００）、その基板（即ち、セパレータ）におけるガス拡散層の形成箇所に、金属粉懸濁スラリー（ニッケルスラリー）をスクリーン印刷手法にて塗布する（ステップＳ１２０）。 - 特許庁
  • The first conductor wires 121-127 and the second conductor wires 111-116 are electrically connected to each other via through-hole conductors 131-155 for the formation of a coil surrounding the third insulating layer 103.
    第１の導体配線１１１〜１１６及び第２の導体配線１２１〜１２７は、スルーホール導体１３１〜１５５によって電気的に接続され、第３番目の絶縁層１０３の周りを周回するコイルが構成されている。 - 特許庁
  • In addition, the first pressure-sensitive adhesive layer 11 which is formed into the same shape and the same size as those for the main resin sheet 12 and has a thickness of 80-1,000 μm, is provided on the back surface 12b of the main resin sheet 12 so as to stick the main resin sheet 12 on the windowpane.
    またメイン樹脂シート１２と同形同大に形成された厚さ８０〜１０００μｍの第１粘着層１１は、メイン樹脂シート１２を窓ガラスに貼付するためにメイン樹脂シート１２の裏面１２ｂに設けられる。 - 特許庁
  • A cutting device to cut a laminate member by abutting the cutting blade 32 to a receptacle 31 is furnished with a recess 31b at the receiving surface 31a of the receptacle 31 and having a depth corresponding to the thickness of the first or the second layer of the laminate member.
    受台３１に切断刃３２を押し当てて積層部材を切断する切断装置において、受台３１の受面３１ａに積層部材の第１層又は第２層の厚さに相当する深さの凹部３１ｂが形成される。 - 特許庁
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