「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 446 447 448 449 450 451 452 453 454 .... 489 490 次へ＞- The method includes steps of: rubbing a long plastic film F; applying and fixing liquid crystalline molecules on the surface of the rubbed film to form a first optical compensation layer 13 satisfying nx>ny=nz; and laminating a second optical compensation layer 14 satisfying nx>ny>nz and 1.2≤Nz≤2 thereon.
本発明は、長尺のプラスチックフィルムＦをラビング処理する工程と、ラビング処理されたフィルムの表面に液晶性分子を塗工し固定して、ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚの第１の光学補償層１３を形成する工程と、この上に、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚで１．２≦Ｎｚ≦２を満足する第２の光学補償層１４を積層する工程とを含む。 - 特許庁 - The surface of the first cleaning roller 365A is formed of a fiber layer (surface layer) containing conductive fibers, in the normal cleaning control, a bias voltage of -300V is applied from a cleaning roller bias power source 651A, toner positively charged is electrostatically adsorbed and retained and the discharge product or the like on the photoreceptor drum 31 is removed.
第１クリーニングロール３６５Ａは表面が導電性繊維を含む繊維層（表面層）によって形成されており、通常クリーニング制御時には、クリーニングロールバイアス電源６５１Ａから−３００Ｖのバイアス電圧が印加され、プラス極性に帯電したトナーを静電吸着して保持すると共に、感光体ドラム３１上の放電生成物等を除去する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a multilayer circuit board including the flexible part having flexibility, a first laminate 110 having at least an insulating base film is stacked through an interlayer adhesive layer 200 having a opening 22 at least at a surface of a side where the terminal 20a is exposed in the internal-layer circuit board 100 in which the terminal 20a is exposed.
可撓性を有するフレキシブル部を備えた多層回路基板の製造方法において、端子２０ａを露出させた内層回路基板１００の少なくとも端子２０ａの露出側の面に、開口２２を有する層間接着層２００を介して、少なくとも絶縁ベースフィルムを有する第１の積層板１１０を積層する。 - 特許庁 - To irradiate nearly all of recordable regions of a second information recording layer with a light of uniform intensity without using an intricate recording and reproducing system even when the transmittance of the light in the recordable regions of the first information recording layer on a light incident side varies according to whether the recordable regions are already recorded or not.
光入射側の第１の情報記録層の記録可能領域での光の透過率がその記録可能領域が記録済であるか否かにより異なる場合であっても、複雑な記録再生システムを用いることなく、第２の情報記録層のほぼ全ての記録可能領域に対して、均一な強度で光を照射できるようにする。 - 特許庁 - Material having dielectric constant lower than that of a front substrate is used for a first dielectric layer between the front substrate and a bus electrode and for a second dielectric layer between the bus electrode and a protective film, and a substrate component of XY inter-electrode capacity is thereby reduced; and electric field smearing to an electric discharge space is increased to reduce electric discharge sustaining voltage.
前面基板とバス電極との間の第１誘電体層、バス電極と保護膜との間の第２誘電体層に、前面基板よりも低誘電率の材料を用いることで、XY電極間容量の基板成分を軽減し、かつ放電空間への電界染み出しを増加させることで放電維持電圧を低減する。 - 特許庁 - A conduction portion which electrically connects the first and second electrodes through an opening formed in a gate insulating film is provided in a region from a nearly center portion of the grounding electrode to one end of the grounding electrode disposed on the side of the conductive layer, and the portion of the conductive layer and the conduction portion are covered with a conductive member.
ゲート絶縁膜に形成された開口を介して第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する導通部は、接地用電極の略中央部から導電層側に位置する接地用電極の一端に至るまでの間の領域に設けられており、導電層の一部と導通部は導電部材により覆われている。 - 特許庁 - The electrooptical device has, on a substrate, a semiconductor layer, the floating gate provided on the semiconductor layer with a first insulating film interposed, a thin film transistor constituted including a gate electrode provided on the floating gate with a second insulating film interposed, and a pixel electrode electrically connected to the floating gate of the thin film transistor.
電気光学装置は、基板上に、半導体層と、該半導体層上に第１の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、該フローティングゲート上に第２の絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含んで構成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのフローティングゲートに電気的に接続される画素電極とを備える。 - 特許庁 - This manufacturing method of an actuator includes: a first process of forming a bonding layer formed of glass mainly including mobile ions on at least one of a substrate 2 mainly composed of silicone and a counter base plate 3 mainly composed of silicone; and a second process of anodic bonding the substrate 2 and the counter base plate 3 through the bonding layer 4.
シリコンを主材料として構成された基体２と、シリコンを主材料として構成された対向基板３との少なくとも一方に、主として可動イオンを含むガラスで構成された接合層４を形成する第１の工程と、接合層４を介して基体２と対向基板３とを陽極接合する第２の工程とを有する。 - 特許庁 - This organic EL panel 9 has: a substrate 10; the layered product 11 having first electrodes 13, a luminescent layer 15a and second electrodes 16 stacked and formed on the substrate 10; a sealing member 12 installed on the substrate 10 through an adhesive G for airtightly covering the luminescent layer 15a; and the absorbent K attached to the sealing member 12.
有機ＥＬパネル９は、基板１０と、基板１０に積層形成された第一電極１３と発光層１５ａと第二電極１６とを有する積層体１１と、接着剤Ｇを介して基板１０上に配設され発光層１５ａを気密的に覆う封止部材１２と、封止部材１２に配設された吸湿剤Ｋとを有する。 - 特許庁 - The optical compensation sheet used is produced by laminating a transparent supporting body, a first optical anisotropic layer consisting of discotic liquid crystal molecules aligned at 0 to 50° average tilt angle, and a second optically anisotropic layer consisting of discotic liquid crystal molecules aligned at 50 to 90° average tilt angle.
透明支持体、０乃至５０度の平均傾斜角で配向しているディスコティック液晶性分子から形成された第１光学的異方性層、および５０乃至９０度の平均傾斜角で配向しているディスコティック液晶性分子から形成された第２光学的異方性層が積層されている光学補償シートを使用する。 - 特許庁 - The organic TFT has a source electrode/drain electrode and a source bus which are formed separately and discontinuously on a first base layer, an organic semiconductor film formed by dripping an organic semiconductor solution onto the source electrode/drain electrode, and a conductive pattern formed on a second base layer, the source electrode and source bus being electrically connected to each other through the conductive pattern.
第１の下地層の上に分離して不連続に形成されたソース電極・ドレイン電極およびソースバスと、ソース電極・ドレイン電極の上に有機半導体溶液を滴下し形成された有機半導体膜と、第２の下地層の上に形成された導電パターンと、を有し、ソース電極とソースバスは、導電パターンを介して電気的に接続されている。 - 特許庁 - Forming an image in a predetermined area of the backside of the base material comprised of a synthetic resin having transparency using the flat parts and the engraved concave parts formed sculpture-like with the flats parts remaining therearound, a first decoration layer comprised of at least one layer film chosen from the coating film and the evaporation film is formed in the flat parts excluding the engraved concave parts in the predetermined area.
透明性を有する合成樹脂製の基材の裏面の所定領域に、平坦部と、周辺にこの平坦部を残して彫刻状に形成された刻設凹部により図柄を形成し、所定領域の、刻設凹部を除いた平坦部に塗膜と蒸着膜から選ばれる少なくとも一層の膜からなる第１の加飾層を形成する。 - 特許庁 - The moisture-permeable watertight coated fabric with the excellent tear strength is obtained by forming a nonporous film having <8 g/m^2 weight of the dried resin film comprising a mixed resin of an acrylic resin and a polyurethane resin as the first layer, and a fine porous film having 8-25 g/m^2 weight of a dried resin film consisting essentially of a polyurethane resin as the second layer.
繊維布帛上に、第１層としてアクリル樹脂とポリウレタン樹脂との混合樹脂からなる乾燥樹脂膜質量が８ｇ／ｍ^2 未満の無孔質膜、第２層としてポリウレタン樹脂を主体とする乾燥樹脂膜質量が８〜25ｇ／ｍ^2 の微多孔質膜を形成している引裂強力の優れた透湿防水性コーティング布帛。 - 特許庁 - A surface area of the main sheet 1 is made larger than that of the sub sheet 2, and a light-transmitting adhesive layer 3a is formed either at the main sheet 1 or the sub sheet 2 for bonding the main sheet 1 and the sub sheet 2 interposed between the other face of the first light-transmitting film 1a and the light-transmitting conductive layer 2b.
主シート１の平面積は、副シート２の平面積以上に形成されており、主シート１と前記副シート２との少なくとも一方には、第１の光透過性フィルム１ａの他面と光透過性導電層２ｂとの間に介在して主シート１と副シート２とを接着する光透過性接着層３ａが形成されている。 - 特許庁 - The columnar spacer (401) is installed on at least one substrate out of first and second substrates sandwiching a liquid crystal layer in between and on a surface, to install the spacer thereon, of the side opposite to the liquid crystal layer of the one substrate and concurrently is provided with a slope part (410) having a face smoothly connected to the surface to install the spacer thereon formed at the basal portion thereof.
本発明に係る柱状スペーサ（４０１）は、液晶層を挟持してなる第１基板及び第２基板の少なくとも一方且つ該少なくとも一方における液晶層に対向する側の被設置面に設けられるとともに、その根元に前記被設置面と滑らかに接続される面を有するスロープ部（４１０）が形成されている。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises transistors QP1 to QP6 connected in series, wirings 1 to 7 made of aluminum or the like formed on the transistors QP1 to QP6 via a first insulating layer, and wirings 8 to 9 made of aluminum or the like formed on the transistors QP1 to QP6 and the wirings 1 to 7 via a second insulating layer for supplying a ground potential VSS.
直列接続されたトランジスタＱＰ１〜ＱＰ６と、トランジスタＱＰ１〜ＱＰ６上に第１の絶縁層を介して形成されたアルミニウム等の配線１〜７と、トランジスタＱＰ１〜ＱＰ６及び配線１〜７上に第２の絶縁層を介して形成され接地電位Ｖ_SSを供給するアルミニウム等の配線８〜９とを具備する。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises heating the steel material in a heating furnace having an atmosphere of a low oxygen concentration to form a scale layer formed of only a wustite layer, and to evaporate/dissipate molten Cu existing in the interface between the scale/matrix; or alternatively heating the steel material, extracting it from the heating furnace, and carrying out descaling treatment on it twice or more times during the first hot rolling process.
また、その製造方法は、加熱炉での加熱を低酸素濃度雰囲気条件で行ってウスタイト層のみからなるスケール層とすることでスケール／地鉄界面の溶融Ｃｕを蒸発・飛散させるか、または、鋼材を加熱し加熱炉から抽出した後、最初の熱間圧延の間に２回以上のスケール除去処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁 - This organic EL display device 10 is characterized in that a first transparent electrode 12, a light emitting layer 13, and a second electrode (back plate) 14 are stacked on one surface of a glass substrate 11 in this order, an opposed substrate 16 is fixed by a spacer 15 and adhesive 17 to seal its internal space, and a moisture absorbent layer 18 is disposed on the opposed substrate 16.
有機ＥＬ表示装置１０はガラス基板１１の一表面に第１の透明電極１２、発光層１３、第２の電極（背面電極）１４が順に積層され、対向基板１６がスペーサ１５および接着剤１７で固定されて内部空間が封止され、対向基板１６上に吸湿剤層１８が配置されることを特徴とする。 - 特許庁 - The emission gas cleaning catalyst 1 comprises a carrier substrate 2 having a plurality of cells 2C which are divided by a partition 2' and penetrate in a predetermined direction, a first catalyst layer 2_C1 carried on at least one of the wall faces among the wall faces of the partition 2' which divide the same cell 2C and a second catalyst layer 2_C2 carried on the other wall face.
本発明の排ガス浄化用触媒１は、隔壁２’で区画され所定の方向に貫通する複数のセル２Ｃを有する担体基材２と、同一のセル２Ｃを区画する隔壁２’の壁面のうちの少なくとも１つの壁面に担持された第一触媒層２_C1と、他の壁面に担持された第二触媒層２_C2と、を有する。 - 特許庁 - The passing-through direction switching means 5 switches the passing-through direction of the volatile organic gas switched in the passing direction to the second direction to the first direction, the volatile organic gas is passed from the discharge line 4 to the return line 6, a part of the supply line 2 from a communication point of the return line 6 to the adsorption layer 3, the adsorption layer 3 and the discharge line 4.
さらに通過方向切換え手段５は通過方向を第２方向に切り換えた揮発性有機ガスの通過方向を第１方向に切り換え、その揮発性有機ガスを排出路４から戻し路６、その戻し路６の連通箇所から吸着層３までの供給路２の一部、吸着層３及び排出路４へと通過させる。 - 特許庁 - In this temperature rise suppressing structure of the building provided with coat formed on a surface of an exterior face of the building and a means for supplying water to the surface of the coat, a first coating layer in which steam absorption and desorption property has hysteresis characteristic and a finish coating layer whose contact angle for water on the surface of the coat is 70° or less are provided as the coat.
建築物外装面の表面に形成された被膜、及び該被膜表面に水を供給する手段を備えた建築物の温度上昇抑制構造において、該被膜として、水蒸気吸脱着性がヒステリシス特性を有する下塗層、及び被膜表面の水に対する接触角が７０°以下である上塗層を設ける。 - 特許庁 - The semiconductor device also comprises a third region of a second conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer, a fourth region of the first conductivity type formed on the surface of the semiconductor layer within the third region, and a gate electrode disposed on the surface of the third region between the second and the fourth region via a gate insulating film.
また、半導体層の表面に形成された、第２導電型の第３領域と、第３領域内の前記半導体層の表面に形成された、第１導電型の第４領域と、第２領域と前記第４領域との間の第３領域の表面上にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁 - The purpose is attained by the actively driven organic electroluminescence display panel for forming the second electrode in a matrix by using an organic electroluminescence element having the element constitution, a substrate, the first electrode, an organic layer including at least a light emitting layer, and the second electrode, and taking out the emitting light from the second electrode side for the picture element light emitting parts.
素子構成が基板／第一電極／少なくとも発光層を含む有機物層／第二電極であり、かつ第二電極側より発光を取り出す有機エレクトロルミネッセンス素子を画素発光部に用い、第二電極がマトリックス型に形成されてなるアクティブ駆動型有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁 - The light reflecting plate is constituted by integrally laminating a second light reflecting layer, containing 100 pts.wt. of thermoplastic resin and 5-70 pts.wt. of anatase type titanium oxide on one surface of a first light reflecting layer containing 100 pts.wt. of the thermoplastic resin and 10-100 parts by weight of rutile type titanium oxide.
本発明の光反射板は、熱可塑性樹脂１００重量部及びルチル型酸化チタン１０〜１００重量部を含有する第一光反射層の一面に、熱可塑性樹脂１００重量部及びアナターゼ型酸化チタン５〜７０重量部を含有する第二光反射層が積層一体化されてなることを特徴とする。 - 特許庁 - The liquid sensing unit 100 has a unit body 10 which includes at least an ultrasonic wave outputting section 1 and a first acoustic impedance matching layer 21 fixed thereto, and further has a replacement second acoustic impedance matching layer 22 which is detachably fixed to the unit body 10 through a liquidity binder 6.
液体検知ユニット１００であって、少なくとも超音波出力部１と、これに固定される第一音響インピーダンス整合層２１とを備えるユニット本体１０を有するとともに、該ユニット本体１０に対し流動性結合剤６を介して着脱可能に固定される交換用の第二音響インピーダンス整合層２２を設ける。 - 特許庁 - The transparent electrode 60 and an orientation film 40 are formed on the first transparent substrate 50, the partition 35 and a Fresnel lens 100 are integrally formed in an imprint process as an imprint resin layer 30 on the second transparent substrate 51, and a transparent electrode 41 and an orientation film 61 are formed on the imprint resin layer 30.
第１の透明基板５０上には透明電極６０と配向膜４０が形成されており、第２の透明基板５１上にはインプリント樹脂層３０として隔壁３５とフレネルレンズ１００がインプリント工程にて一体に形成されており、インプリント樹脂層３０の上に透明電極４１と配向膜６１が形成されている。 - 特許庁 - A manufacturing process for a corrugated mattress structure comprises a step of disposing a stack of plant fiber long members 25 at least between a first layer 24 and a second layer 21 of plant fiber sheets to form a precompressed assembly, and a step of compressing the precompressed assembly to form a corrugated mattress structure.
波形マットレス構造体の製造工程であって、該工程には、植物繊維細長体２５のスタックを、少なくとも植物繊維シートの第１層２４と第２層２１と間に配置して、予圧縮した組立体を形成するステップ；及び、該予圧縮した組立体を圧縮して、波形マットレス構造体を形成するステップを備える。 - 特許庁 - As for the conductive particulates with a low-melting-point metal layer formed on the surface of base material particulates, in case an XRD measurement is carried out, the low-melting-point metal layer contains tin having 6 or more of crystal orientations in which an intensity ratio has a peak intensity of 30% or more against that of the first preferential orientation.
基材微粒子の表面に、低融点金属層が形成されている導電性微粒子であって、上記低融点金属層は、ＸＲＤ測定を行った場合に、第一優先配向のピーク強度に対して強度比が３０％以上のピーク強度を有する結晶方位を６以上有する錫を含有する導電性微粒子。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.
半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁 - When an impurity layer of a region shallow from the front surface of a wafer 1, for example a p^+ collector layer 8 in an FS type IGBT and an NPT type IGBT is activated by laser annealing, a particle 20 on the front surface of the wafer 1 is blown away by irradiating a first laser with pulse laser having irradiation energy density of 1.0 J/cm^2 or greater.
ウエハー１の表面から浅い領域の不純物層、例えばＦＳ型ＩＧＢＴやＮＰＴ型ＩＧＢＴにおけるｐ^+コレクタ層８をレーザーアニールによって活性化する際に、１台目に照射エネルギー密度が１．０Ｊ／ｃｍ^2以上のパルス状のレーザーを照射することで、ウエハー１の表面のパーティクル２０を吹き飛ばす。 - 特許庁 - A first resin layer 50 made of a cured liquid resin is provided at bonding portions of the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R to the substrate 20; and a second resin layer 60 made of a cured soft sheet-shaped resin adhered to a rear surface of the flat yoke 10 is provided around the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R.
フェライト・磁石素子３０及び素子ＣＳ１，Ｒの基板２０に対する接合部には液状樹脂が硬化した第１の樹脂層５０が設けられ、フェライト・磁石素子３０や素子ＣＳ１，Ｒの周囲には平板状ヨーク１０の裏面に貼着された軟質シート状樹脂が硬化した第２の樹脂層６０が設けられている。 - 特許庁 - A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.
ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁 - While adjoining an electrode H1, forming the branching of the charge transfer channel 1, a pair of transfer electrodes connected to a first-layer electrode 2 and a second-layer electrode 3 are arranged, as well as, the horizontal shift register before branching, on each charge transfer channel 1, to form transfer electrodes HLa and HLb, respectively, of the horizontal shift register of the transfer channel 1.
電荷転送経路１の分岐を形成する電極Ｈ１に隣接して、それぞれの電荷転送経路１上には分岐前の水平シフトレジスタと同様に第１層目の電極２と第２層目の電極３が接続された電送電極が１対配置され、それぞれの転送経路1の水平シフトレジスタの転送電極ＨＬａ、ＨＬｂを形成する。 - 特許庁 - Among a plurality of power source lines 103R, 103G and 103B which are provided at the outside of an effective region, the power source line 103B, located at the outermost side, comprises a conductive film provided at a first wiring line layer 135 and a conductive film provided at a second wiring line layer 136, thereby narrowing the width of the power source line.
有効領域の外側に設けられた複数の電源線１０３Ｒ,１０３Ｇ,及び１０３Ｂのうちの最も外側に位置する前記電源線１０３Ｂが第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜の双方により構成することにより、電源線の線幅を狭くすることができる。 - 特許庁 - The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.
絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁 - After that, the barrier film 13 and unreacted metal elements of the metal film 12 are removed and then a second heat treatment of higher temperature than the first heat treatment is carried out to form a metal silicide layer of an MSi phase thinner than the metal silicide layer of the MSi phase, formed on the surface of the n^+ type semiconductor region 9b, in the p^+ type semiconductor region 10b.
続いて、バリア膜１３、未反応の金属膜１２の金属元素を除去後、第１の熱処理より高温の第２の熱処理を行って、上記ｐ^＋型半導体領域１０ｂに、上記ｎ^＋型半導体領域９ｂの表面に形成されたＭＳｉ相の金属シリサイド層よりも薄いＭＳｉ相の金属シリサイド層を形成する。 - 特許庁 - In an FFS type transflective and reflective liquid crystal display device 100, each of a plurality of pixels 100a is provided with a transmissive region 100t for emitting transmissive display light and a reflective region 100r for emitting reflective display light, and the reflective region 100r is provided with a retardation layer 27 formed between the liquid crystal layer 50 and a first polarizer 51.
ＦＦＳ方式の半透過反射型の液晶表示装置１００において、複数の画素１００ａは、透過表示光を出射する透過領域１００ｔ、および反射表示光を出射する反射領域１００ｒを備え、反射領域１００ｒは、液晶層５０と第１の偏光板５１との間に位相差層２７を備えている。 - 特許庁 - Of two base surfaces adjacent on the upper surface 5c, the lower surface 5d and side surfaces 5e, 5f of the ceramic base 5, the base surface having a smaller distance to the inner electrode layer disposed nearest in the plurality of first and second inner electrode layers 7, 8 has a surface roughness larger than the surface roughness of the base surface having a larger distance to the inner electrode layer.
セラミック素体５の上面５ｃ、下面５ｄ、及び側面５ｅ，５ｆにおいて隣り合う２つの素体面のうち、複数の第１及び第２の内部電極層７，８の中で最も近くに配置された内部電極層との間の距離が小さい方の素体面の表面粗さは、その距離が大きい方の素体面の表面粗さより大きい。 - 特許庁 - Further as the transparent resin body 40 has a refrigerant flow channel 44 of a three-layered structure formed by integrating a transparent core portion 41 penetrating through a shaft center portion, a first transparent reinforcement layer 42 and a second transparent reinforcement layer 43, a problem on sink can be solved by successively molding the same from the transparent core portion 41 toward the outer side.
また、透明樹脂製ボディ４０は、冷媒流路４４が軸心部を貫通した透明コア部４１と第１透明補強層４２と第２透明補強層４３とを一体に有した三層構造をなしているので、透明コア部４１から外側に向かって順番に成形していけば、従来の「ヒケ」の問題も解決される。 - 特許庁 - When the coin C falls by its own weight from the second coin drop hole 16a, the drop direction of the coin C receives interference from an interfering body 29 varied, according to the denominations identified in the denomination identifying part, and the coin C selectively reaches either the first coin storage part 8y on the lower layer side or the second coin storage part 8x on the upper layer side.
硬貨Ｃが第２の硬貨落下穴１６ａから自重で落下した場合、その硬貨Ｃの落下方向は金種識別部で識別された金種に応じて変動する干渉体２９によって干渉を受け、下層側の第１の硬貨収納部８ｙと上層側の第２の硬貨収納部８ｘとのいずれかに選択的に到達する。 - 特許庁 - The liquid crystal device has an air layer 52 between a first substrate 7 and a light guide plate 29 on the opposite side of at least one substrate from a display side, and a heat radiation plate 34 which is in contact with a light source 28 and made of a metal material partially exposed so as to be able to emit heat from the light source 28 to the air layer 52.
少なくとも一方の基板である表示側と反対側の第１の基板７と導光板２９との間の空気層５２と、光源２８に接触しており、その一部がその光源２８からの熱を当該空気層５２に放出可能なように露出している金属材料からなる放熱板３４とを備えることとした。 - 特許庁 - An n^+-type impurity region 52 is formed in an n^--type semiconductor layer 2 in a high potential island region 201 partitioned by a p-type impurity region 3, and first field plate 55a-55e and a plurality of second field plates are formed in multiplex above the n^--type semiconductor layer 2 between the n^+-type impurity region 52 and the p-type impurity region 3.
ｐ不純物領域３で区分された高電位島領域２０１内のｎ^-半導体層２にはｎ^+不純物領域５２が形成されており、ｎ^+不純物領域５２とｐ不純物領域３との間のｎ^-半導体層２の上方には第１フィールドプレート５５ａ〜５５ｅと複数の第２フィールドプレートとが多重に形成されている。 - 特許庁 - When the phase difference compensation element 400 is used for a liquid crystal projector which performs projection of an image by means of the base color light of RGB, the thicknesses d1, d2 of the first optical anisotropic layer 401 and the second optical anisotropic layer 402 are adjusted in accordance with respective base color light and the phase difference compensation most suitable for respective base color light is performed.
この位相差補償素子４００をＲＧＢの基本色光によって画像の投影を行なう液晶プロジェクタに使用するにあたり、各基本色光に合せて第１光学異方性層４０１と第２光学異方性層４０２との厚みｄ１，ｄ２を調整し、各基本色光に最適な位相差補償を行なう。 - 特許庁 - The structure of each electrode is the laminated structure comprising a first layer made of the nitride or composite nitride of periodic-table IVa-group elements, the nitride or composite nitride of periodic-table Va-group elements, or the nitride or composite nitride of periodic-table VIa-group elements, and comprising a second layer made of periodic-table IVa-, Va-, or VIa-group elements.
前記電極の構造は、周期律表ＩＶａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物、周期律表Ｖａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物、又は周期律表ＶＩａ属元素の窒化物若しくは複合窒化物からなる第１の層と、周期律表ＩＶａ、Ｖａ又はＶＩａ属元素からなる第２の層と、の積層構造である。 - 特許庁 - In this method of encapsulating optoelectronic elements, by embedding the elements to be encapsulated between a first transparent polymer layer and a second polymer layer, which is filled with unactivated foaming agent, and then activating the foaming agent, so that both the polymer layers are joined to each other, in particular, welded to each other, and the elements are enclosed between both the polymer layers.
オプトエレクトロニクス素子の封入方法であって、被封入素子を、第１の透明なポリマー層と、未活性化発泡剤が充填された第２のポリマー層との間に埋め込み、次に発泡剤を活性化し、それによって、両ポリマー層を相互に結合し、特に相互に溶接し、素子を両ポリマー層の間に閉じ込める封入方法。 - 特許庁 - The second communication layer B is provided with a means for storing the identifier of the agent mounted on the communication adapter and a means for performing processing of determining whether a message received from the first communication layer A should be transferred to the agent or to the appliance main body through an appliance adapter interface, on the basis of a destination of the message and the agent identifier when receiving the message.
第２の通信レイヤＢは、通信アダプタ上に搭載されているエージェントの識別子を記憶する手段と、前記第１の通信レイヤＡからメッセージを受け取った際に、そのメッセージを宛先とエージェント識別子とを基に前記エージェントに渡すか機器アダプタインタフェースを介して機器本体に転送させるかを判断して処理する手段を具備する。 - 特許庁 - The reflective type display device has: a first light control layer with which a light absorption state and a light transmission state are electrically controllable from the outside; a second light control layer with which a light reflection state and the light transmission state are electrically controllable from the outside; and a reflection plate to reflect light in a specified wavelength region in this order from the light incident side.
反射型表示装置は、光の吸収状態と透過状態とを外部から電気的に制御可能な第１の調光層と、光の反射状態と透過状態とを外部から電気的に制御可能な第２の調光層と、特定の波長帯域を反射する反射板とを光の入射する側からこの順に有する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.
半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁 - In an antenna-integrated module 1, a first dielectric substrate 1a includes a tip-opened coplanar waveguide 2 and its ground surface 5, a ground layer 1b has a slot 3, and the ground surface 5 of the top-opened coplanar waveguide 2 is electrically connected to the ground layer 1b at least around the slot 3 by a plurality of through-holes 4.
アンテナ一体型モジュール１は、第１の誘電体基板１ａが、先端開放コプレーナ線路２、およびその接地面５を有しており、グランド層１ｂが、スロット３を有しており、先端開放コプレーナ線路２の接地面５が少なくとも、スロット３周囲において、複数の貫通孔４によりグランド層１ｂに電気的に接続されている。 - 特許庁 - The semiconductor device is equipped with: a substrate 101; an emission member 150 which is composed of a semiconductor provided above the substrate 101; an electrical conduction layer 108 which is formed above the substrate 101 and receives light emitted from the emission member 150 and is composed of the semiconductor; and a first electrode 110 and a second electrode 111 which are connected to the electrical conduction layer 108.
半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上方に設けられた半導体からなる発光部１５０と、基板１０１の上方に設けられ、発光部１５０から放射される光を受け、半導体からなる電気伝導層と、電気伝導層に接続された第１の電極１１０及び第２の電極１１１とを備えている。 - 特許庁
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