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まず、図１Ａに示すように、透明基材１の上に、液晶性化合物の溶液を塗布し乾燥させるか、または、溶融した液晶性化合物を塗布することにより、液晶性化合物含有層２ａを形成させる。 - 特許庁 - Then, by a plasma CVD method which uses a second material gas comprising the mixed gas of C4F8/CH4, an organic insulating film 103 comprising an amorphous carbon fluoride film is deposited over the entire surface of the first tight-contact layer 102.
次にＣ_4Ｆ_8／ＣＨ_4 の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上に全面に亘ってフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。 - 特許庁 - The surface of the sample object 2 and/or the sample portion 4 has a decoration portion 8 formed for sterically producing a first pattern 10a and a second pattern 10b of a pattern layer 10 which is printed on the sample object 2 and/or sample portion 4.
また、見本体２及び/又は見本部４の表面には、該見本体２及び/又は見本部４に印刷された模様層１０の第１模様１０ａと第２模様１０ｂを立体的に現出する装飾部８が形成されている。 - 特許庁 - The recording layer 24 includes a first coloring matter (main component), the locally maximum absorption wavelength of which lies within the range of 450-600 nm and at least a second coloring matter, the locally maximum absorption wavelength of which lies within the range of 600-750 nm.
この記録層２２は、極大吸収波長が４５０〜６００ｎｍの範囲にある第１色素（主成分）と、極大吸収波長が６００〜７５０ｎｍの範囲にある第２色素とを少なくとも含有している。 - 特許庁 - Also, in the device for crystallizing an amorphous semiconductor layer which includes a radiation pulse source, an irradiator prepared for melting a first linear region of the semiconductor layer by irradiating of radiation pulses, and radiation pulse source prepared for irradiating the semiconductor layer by the two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns.
そして非晶質半導体層を結晶化するための装置であって、放射パルス源と、放射パルスの照射によって半導体層の線状第１領域を融解できるように整えられた照射器とを有し、少なくとも２つの連続する放射パルスで半導体層を照射できるように放射パルス源が整えられており、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。 - 特許庁 - For the nonaqueous secondary cell comprising a positive electrode 1, a negative electrode 2 and a gel electrolyte layer 3 arranged between the electrode is 1 and e 2, the gel electrolyte layer 3 is obtained by impregnating a porous gel electrolyte layer precursor containing a first polymer insoluble in a nonaqueous electrolyte and a second polymer having the property of gelling the nonaqueous electrolyte with the nonaqueous electrolyte, and heating and cooling the impregnated electrolyte precursor.
正極１と、負極２と、前記正極１及び前記負極２の間に配置されるゲル電解質層３とを具備した非水二次電池において、前記ゲル電解質層３は、非水電解液に難溶性の第１のポリマー及び非水電解液をゲル化させる性質を有する第２のポリマーを含む多孔質なゲル電解質層前駆体に非水電解液を含浸させ、加熱し、冷却したものであることを特徴とする。 - 特許庁 - The manufacturing method for a fuel cell 100 comprises a first arrangement process of arranging a protection layer 20 made of formation metal of an oxide electrode or formation metal of an oxide electrolyte on a metal support 10 having gas permeability, a second arrangement process of arranging an oxide electrolyte 30 on the protection layer 20, and a calcining process of calcining the oxide electrolyte and the protection layer under an oxidizing atmosphere.
本発明に係る燃料電池（１００）の製造方法は、ガス透過性を有する金属支持体（１０）上に酸化物電極の構成金属または酸化物電解質の構成金属からなる保護層（２０）を配置する第１配置工程と、保護層上に酸化物電解質（３０）を配置する第２配置工程と、酸化雰囲気において酸化物電解質および保護層を焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁 - In the layered display object, a layer containing pigments emitting infrared rays is provided on a medium needing forgery prevention to perform forgery preventing effects, and further a second resin layer containing material absorbing at least the infrared rays is provided between a first resin layer containing the pigments emitting the infrared rays and the medium needing the forgery prevention.
本発明の積層表示体、は偽造防止を必要とする媒体に、赤外線を発光する顔料を含有する層を設けることで偽造防止効果を施している積層表示体において、該赤外線を発光する顔料を含有する第１樹脂層と該偽造防止を必要とする媒体との間に、少なくとも赤外線を吸収する材料を含有する第２樹脂層を設ける、ことを特徴とする積層表示体である。 - 特許庁 - The organic photoelectric conversion element 10 is equipped with: a pair of electrodes comprising a first electrode 32 and a second electrode 34; an active layer 50 sandwiched between the pair of electrodes; and a metal layer 44 between the active layer and one of the pair of electrodes, having the absolute value of the work function, being ≥3.7 eV and ≤5.5 eV, and formed of a metal having semiconductor characteristics when oxidized.
有機子電変換素子１０は、第１電極３２及び第２電極３４からなる一対の電極と、前記一対の電極間に挟持される活性層５０と、前記一対の電極のうちのいずれか一方の電極と前記活性層との間に金属層を有し、該金属層が、仕事関数の絶対値が３．７ｅＶ以上かつ５．５ｅＶ以下であり、酸化されたときに半導体特性を有する金属で形成された金属層４４とを備える。 - 特許庁 - The method for manufacturing the solar cell element having a semiconductor layer 2a of a second conductivity type formed on the semiconductor substrate of a first conductivity type includes a recognition process of recognizing the shape of the semiconductor substrate 2 to acquire information on the shape, and a removal process of determining a part where the semiconductor layer 2a is to be removed based upon the acquired information on the shape and removing a part of the semiconductor layer 2a.
第１導電型を有する半導体基板２上に第２導電型を有する半導体層２ａが形成されてなる太陽電池素子の製造方法であって、半導体基板２の形状を認識し、該形状の情報を取得する認識工程と、前記情報に基づき、半導体層２ａを除去する部分を決定し、半導体層２ａの一部を除去する除去工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The nitrogen oxide decomposing element 1 has a conductive solid electrolyte film 2 through which hydrogen ions pass selectively, a first electrode layer 3 comprising an electron-conductive substrate and a catalyst for promoting anodic oxidation, a second electrode layer 4 comprising an electron-conductive substrate and a catalyst promoting cathodic reduction, and a platinum group element catalyst 6 which is arranged adjacently to the second electrode layer 4 and supported on a porous metal oxide 5.
水素イオンを選択的に透過させる導電性の固体電解質膜２と、電子導電性基材と陽極酸化を促進する触媒よりなる第１の電極層３と、電子導電性基材と陰極還元を促進する触媒よりなる第２の電極層４と、第２の電極層４に隣接して配設され多孔体の金属酸化物５に担持された白金族触媒６を備えた窒素酸化物分解素子１を提案した。 - 特許庁 - To provide an electrodeless discharge lamp and a luminaire including a first phosphor layer formed on a part other than a part corresponding to a bottomed cylindrical part in a bulb having the inwardly protruding bottomed cylindrical part and a second phosphor layer formed on the part corresponding to the bottomed cylindrical part to increase the quantity of visible light which is taken out of the bulb in visible light emitted from the second phosphor layer.
内部に突出した有底筒状部を有するバルブの内側における有底筒状部に対応する部位以外の部位に形成された第１蛍光体層と、有底筒状部に対応する部位に形成された第２蛍光体層とを備え、第２蛍光体層が発する可視光のうちバルブの外側に取り出すことができる可視光の光量を向上させた無電極放電ランプおよび照明器具を提供することにある。 - 特許庁 - The exhaust gas cleaning material has a three-dimensional structure having heat resistance, the inorganic oxide having heat resistance supported on the surface of the three-dimensional structure, the transition metal oxide catalyst layer supported on the surface of the inorganic oxide and a layer of an exhaust gas cleaning catalyst containing the first catalyst having a noble metal layer and the second catalyst having at least one kind of an alkali metal sulfate.
また、本発明の排ガス浄化材は、耐熱性を有する３次元構造体と、３次元構造体上に形成され、耐熱性を有する無機酸化物と無機酸化物の表面に担持された遷移金属の酸化物触媒層および貴金属層を有する第１の触媒と、少なくとも１種のアルカリ金属の硫酸塩を有する第２の触媒とを含有する排ガス浄化触媒の層と、を備えた構成を有している。 - 特許庁 - The organic electroluminescence element 1 includes an anode 20, a first layer 32, a second layer 34, a light emitting layer 40 containing a host compound and phosphorescence emitting dopant, and a cathode 50 in this sequence.
陽極２０、第一の層３２、第二の層３４、ホスト化合物とりん光発光性ドーパントを含有する発光層４０、及び陰極５０をこの順に有し、第一の層３２の最低励起３重項エネルギーレベルをＴｈ１、第二の層３４の最低励起３重項エネルギーレベルをＴｈ２、ホスト化合物の最低励起３重項エネルギーレベルをＴＨ、りん光発光性ドーパントの最低励起３重項エネルギーレベルをＴＤとしたとき、以下の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子１。 - 特許庁 - A repair method of a finishing layer containing a colored aggregate in a synthetic resin with a film thickness of 2 mm or more comprises a first step of applying a coat peeling agent on the surface of the deteriorated finishing layer containing an aggregate and a second step of cleaning the surface of the finishing layer containing an aggregate with high water pressure of 3 to 10 MPa, in this order.
本発明は、合成樹脂中に有色の骨材が分散されてなり、膜厚２ｍｍ以上の骨材含有仕上げ層の改修方法であって、劣化した骨材含有仕上げ層の表面に塗膜剥離剤を塗布する第１工程と、水圧３〜１０ＭＰａの高水圧で骨材含有仕上げ層の表面を洗浄する第２工程とを順次行うことを特徴とする骨材含有仕上げ層の改修方法である。 - 特許庁 - This integrated circuit is constituted of a multiple wiring structure having three layers or more includes ground wirings 103, 108 made into a first wiring layer 107a, signal wirings 101, 106 made in a third wiring layer, an insulating part made in a second wiring layer 107, and dielectric bodies of interlayer film regions 102, 109 including interlayer films 111a and 111b between these wiring layers.
３層以上の多層配線構造を有する集積回路において、第１配線層１０７ａに設けられた配線１０３及び１０８を接地線とし、第３配線層に設けられた配線１０１及び１０６を信号線とし、第２配線層１０７ｂの絶縁体部分及びこれらの配線層間の層間膜１１１ａ及び１１１ｂを含む層間膜領域１０２及び１０９を誘電体とする伝送線路を構成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the hose for conveying the coolant includes a process to coextrude three layers such as a first polyamide layer, an ethylene/vinyl alcohol copolymer layer and a second polyamide layer.
第１のポリアミド層、エチレン・ビニルアルコール共重合体層及び第２のポリアミド層の三層を共押出する工程を含む冷媒輸送用ホースの製造方法であって、各層を押出するダイの吐出口の間隙が、下記の条件：Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ３）＜０．２０［但し、Ｔ１が第１のポリアミド層を押出するダイの口金の厚さ（μｍ）であり、Ｔ２がエチレン・ビニルアルコール共重合体層を押出するダイの口金の厚さ（μｍ）であり、そしてＴ３が第２のポリアミド層を押出するダイの口金の厚さ（μｍ）である。 - 特許庁 - A surface electrode first layer 32 of a semiconductor device 100 is formed of a material satisfactory in adhesion to that of a surface electrode pad 30, a surface electrode second layer 34 is formed of a material satisfactory in adhesion to that of a rear electrode 40, and an electrode second layer 44 is formed of material excellent in adhesion to that of a solder bump 54.
半導体装置１００の表面電極第一層３２は表面電極パッド３０の材料と密着性の良い材料からなり、表面電極第二層３４は、はんだバンプ５０の材料と密着性の良い材料からなり、裏面電極第一層４２は、裏面電極パッド４０の材料と密着性の良い材料からなり、裏面電極第二層４４は、はんだバンプ５４の材料と密着性の良い材料からなる。 - 特許庁 - The electrode used for a ferroelectric device comprises a lower electrode, a ferroelectric layer and an upper electrode; and the upper electrode is formed on the ferroelectric layer, formed in combination with a metal which contains a first metal selected from the group, consisting of platinum and iridium and a second metal selected from the group consisting of aluminum and titanium, and functions as a protective layer.
本発明による強誘電体デバイスで使用するための電極は、下部電極と、強誘電体層と、上部電極であって、上部電極は該強誘電体層上に形成され、プラチナおよびイリジウムからなる金属の群から選択される第１の金属と、アルミニウムおよびチタンからなる金属の群から選択される第２の金属とを含む金属の組み合わせによって形成され、保護層として機能する、上部電極とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor device on the semiconductor substrate has: an element region having elements; a moisture-resistant ring surrounding the element region; an insulating layer formed between the moisture-resistant ring and the outer-peripheral end of the semiconductor device and on the semiconductor substrate; a first metal line existing in the insulating layer and extending along the outer-peripheral end; and a groove formed on the insulating layer.
本発明は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、素子を有する素子領域と、前記素子領域を囲う耐湿リングと、前記耐湿リングと前記半導体装置の外周端との間であって前記半導体基板上に形成された絶縁層、前記絶縁層中に、前記外周端に沿って延在する第１金属線と、前記絶縁層に形成された溝とを有することを特徴とする半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The copper or copper alloy foil is provided with a copper or copper alloy foil base material, a first layer having a plurality of metal particles coating the copper or copper alloy foil base material, and an outermost layer consisting of an NiSn alloy which directly or indirectly covers each metal particle and has a plurality of protrusions with a smaller diameter than that of the metal particles.
銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材を被覆する複数の金属粒子を有する第１層と、各金属粒子を直接又は間接的にそれぞれ被覆する該金属粒子よりも径の小さな複数の突起を有するＮｉＳｎ合金からなる最外層とを備えた銅又は銅合金箔。 - 特許庁 - A semiconductor device includes a GaN layer 19, a base 13 including an active region 11a formed owing to the GaN layer, a gate electrode 15 formed on the active region, and first and second main electrodes 17a and 17b formed in the active region apart from and opposite each other with the gate electrode interposed.
ＧａＮ層１９、及びＧａＮ層に起因して発生した活性領域１１ａを含む下地１３と、活性領域上に形成されているゲート電極１５と、活性領域に形成されており、ゲート電極を挟んで互いに離間しかつ対向して形成されている第１及び第２主電極１７ａ及び１７ｂとを具える。 - 特許庁 - Acidic chemical liquid 16 for chemically neutralizing and deodorizing ammonia gas or the like contained in the malodor substance 6, is stored in an acidic chemical liquid layer part 17 of the first deodorization apparatus 2a, and alkaline chemical liquid 33 for deodorizing the acidic malodor substance 6 is stored in a second chemical liquid layer part 34 of the second deodorization apparatus 2b.
さらに、第一脱臭装置２ａの酸性薬液層部１７には臭気物質６に含まれるアンモニアガス等を化学的に中和して脱臭するための酸性薬液１６が貯溜され、第二脱臭装置２ｂの第二薬液層部３４には酸性状の臭気物質６を脱臭するためのアルカリ性薬液３３が貯溜されている。 - 特許庁 - In a first mode, the semiconductor substrate may be a substrate wherein an oxide peak due to oxidized arsenic is not detected on the high binding energy side of an element peak due to arsenic, in spectroscopic observation of photoelectron intensity by X-ray photoelectronic spectroscopy performed to an element existing between the semiconductor layer and the insulating layer.
当該第１の形態において半導体基板は、前記半導体層と前記絶縁層との間に存在する元素を対象としたＸ線光電子分光法による光電子強度の分光観察において、砒素に起因する元素ピークの高結合エネルギー側に、酸化された砒素に起因する酸化物ピークが検出されないものであってよい。 - 特許庁 - The biosensor comprises an electrical insulating board 1, operating electrode 4 and counter electrodes 5 formed on the board 1, a first reagent layer 7 formed on the electrode 4, containing no enzyme and containing at least electron transporter and a second reagent layer 8 formed on the electrodes 5, containing no electron transporter and containing an at least enzyme.
電気絶縁性の基板１、基板１上に形成された作用極４および対極５、作用極４上に形成された、酵素を含有せず、少なくとも電子伝達体を含有する第１の試薬層７、並びに対極５上に形成された、電子伝達体を含有せず、少なくとも酵素を含有する第２の試薬層８を具備するバイオセンサ。 - 特許庁 - The ultrasound inspection method for noisy materials and the related probe are disclosed to inspect defects in a cast material that uses a polycarbonate delay (14) layer having a first surface configured to be disposed on a surface of the cast material and an acoustic crystal element (12) disposed on a second surface of the polycarbonate delay layer.
鋳造材料の欠陥を検査するために、鋳造材料の表面上に配置されるように構成された第１の表面を有するポリカーボネートディレイ（１４）層と、該ポリカーボネートディレイ層の第２の表面上に配置された音響水晶素子（１２）とを用いた、雑音のある材料の超音波検査方法及び関連するプローブが開示される。 - 特許庁 - A polyolefin resin film containing aluminum hydroxide or magnesium hydroxide as a fire retardant is laminated on the surface of a fire-retardant fluoroplastic film laminated steel plate through a first bonding agent layer, and also a transparent ethylene-tetrafluoroethylene copolymer film of 10-50 μm film thickness is provided thereon through a second bonding agent layer.
この難燃性フッ素樹脂フィルム積層鋼板は、鋼板表面に第１の接着剤層を介して水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムを難燃剤として配合したポリオレフィン樹脂フィルムが積層され、更に膜厚１０〜５０μｍの透明エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体フィルムが第２の接着剤層を介して設けられている。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.
銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁 - While the first recording film 3 records data using a light beam, when the second recording film irradiated with the light beam having a wavelength of 650 nm band and being focused through the substrate and the L0 layer as a condensing spot having a predetermined area, a reflectance R1 of the L1 layer is set in the range from 5% or more to 10% or less.
第１記録膜３が光によって情報が記録された記録済状態で、６５０ｎｍ帯の波長を有する光が基板とＬ０層を通して第２記録膜に対してフォーカスして所定の面積を有する集光スポットとして照射されたとき、Ｌ１層の反射率Ｒ１は５％以上１０％以下である。 - 特許庁 - At least two or more magnetic layers including a first magnetic layer whose recording characteristics are optimized for the thermomagnetic recording system and a second magnetic layer whose playback characteristics are optimized by heightening saturation magnetization in room temperature are used and these magnetic layers are magnetically exchange-coupled in at least room temperature to form the recording film.
熱磁気記録方式用に記録特性を最適化した第一の磁性層と、室温での飽和磁化を大きくすることによって再生特性を最適化した第二の磁性層を含む、少なくとも２層以上の磁性層を用い、これらの磁性層を、少なくとも室温において、磁気的に交換結合させて記録膜を構成する。 - 特許庁 - In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111.
ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 - 特許庁 - The lower first DBR layer 12 has an oxidized portion 30 in one region out of opposite regions to a current injection region 17B, and anisotropic stress corresponding to an non-uniform distribution of the oxidized portion 30 is generated in an active layer 15, and further an optical field intensity distribution of a basic lateral mode gravitates in a direction of the oxidized portion 30.
下部第１ＤＢＲ層１２は、電流注入領域１７Ｂとの対向領域のうち一の領域に酸化部３０を有しており、酸化部３０の不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１５に発生し、さらに、基本横モードの光場強度分布が酸化部３０の方向に引き寄せられる。 - 特許庁 - A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.
窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁 - A metallic film 13 has a plurality of openings 14 arranged in a regular pattern satisfying a super-oscillation condition and is inserted between the auxiliary low refractive index layer 17 of the first multilayer film 11 and the auxiliary low refractive index layer 17 of the second multilayer film 12 at such a position that the light quantity distributed to the optical axis direction of the incident light does not become the maximum.
金属膜１３は、スーパーオシレーション条件を満足する規則的なパターンで設けられた複数の開口部１４を有し、第１多層膜１１の補助低屈折率層１７と第２多層膜１２の補助低屈折率層１７との間における入射光の光軸方向に分布する光量が極大とならない位置に挿入される。 - 特許庁 - The first laminated film for direct deposition of metal is constituted so that a styrene-based resin layer (B1) made of a resin composition (b1) containing a copolymer of styrene monomer and alkenyl cyanate as a resin component is laminated onto at least one side surface of a thermoplastic resin layer (A) made of a resin composition (a) containing a thermoplastic resin as a resin component.
本発明の第一の金属直接蒸着用積層フィルムは、熱可塑性樹脂を樹脂成分とする樹脂組成物（ａ）からなる熱可塑性樹脂層（Ａ）の少なくとも一方の面に、スチレン系単量体とシアン化アルケニルとの共重合体を樹脂成分とする樹脂組成物（ｂ１）からなるスチレン系樹脂層（Ｂ１）が積層されてなる。 - 特許庁 - The first insulator 5 includes: an inside insulating layer 5a installed to cover a circumferential face of the internal conductor 3; an outside insulating cylinder 5b coaxially arranged at its outside via a gap α; and a plurality pieces of insulating ribs 5c which is radially protruded from the inside insulating layer 5a and of which its tip is integrated with the external insulating cylinder 5b.
第１の絶縁体５は、内部導体３の周面を覆って設けられる内側絶縁層５ａと、その外側に空隙αを介して同軸配置される外側絶縁筒５ｂと、内側絶縁層５ａから放射線状に突出してその先端が外側絶縁筒５ｂと一体化する複数本の絶縁リブ５ｃとを備える。 - 特許庁 - The rotating anode X-ray tube includes a target substrate 35a and an X-ray radiation layer 35b and is provided with an anode target 35 having a plurality of slits 13, a cathode by which electron beams of which the center of a distribution range of electrons lies along a first direction d1 are made incident on the X-ray radiation layer 35b, and a vacuum envelope.
回転陽極型Ｘ線管は、ターゲット基材３５ａと、Ｘ線放射層３５ｂとを含み、複数のスリット１３が形成されている陽極ターゲット３５と、電子の分布範囲の中心が第１方向ｄ１に沿っている電子ビームをＸ線放射層３５ｂに入射させる陰極と、真空外囲器と、を備えている。 - 特許庁 - The fixing device includes: the fixing belt having a first metallic heat generation layer; a pressure roller opposed to the outer periphery of the fixing belt; an IH coil disposed in the hollow part of the fixing belt; a pressure pad configured to press the fixing belt to the pressure roller; and an auxiliary heat generation member disposed on the periphery of the fixing belt, and having a second metallic heat generation layer.
実施形態の定着装置は、第１の金属発熱層を有する定着ベルトと、定着ベルトの外周に対向するプレスローラと、定着ベルトの中空内部にあるＩＨコイルと、定着ベルトをプレスローラに加圧する加圧パッドと、定着ベルトの周囲にあり、第２の金属発熱層を有する補助発熱部材とを備える。 - 特許庁 - To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.
第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁 - A lightweight foamed rubber composition with its surface layer converted into ebonite is characterized by the natural fiber resin laminate constituted of a first laminate which is excellent in insulation, weatherability, acid resistance, and alkali resistance and has high mechanical strengths by converting its surface layer into ebonite and a second laminate having lightweight properties, low thermal conductivity, elastic force, and cushioning properties.
表層をエボナイト化することで絶縁性、耐候性、耐酸性、耐アルカリ性にすぐれ、また機械的強度が強い第一の積層体と、軽量性と低熱伝導性、弾性力およびクッション性を持つ第二の積層体で構成された天然繊維樹脂積層体を特徴とする表層がエボナイト化した軽量発泡ゴム組成物。 - 特許庁 - For a multi-cavity resin sheet 900, a first laser beam LB1 is scanned along the outer periphery of a thermosetting resin layer 91 (see Fig.1(c)) of a prescribed shape of a segmental resin sheet 90, thereby performing half-cut to cut only the thermosetting resin layer 91 of the multi-cavity resin sheet 900 (see Fig.1(a)).
多数個取り用の樹脂シート９００に対して第１のレーザ光ＬＢ１を個片の樹脂シート９０の所定形状の熱硬化性樹脂層９１（図１（ｃ）参照）の外周に沿って走査することにより多数個取り用の樹脂シート９００の熱硬化性樹脂層９１のみをカットするハーフカットを行う（図１（ａ）参照）。 - 特許庁 - To allow the electrochromic device to have little or no offset between its front and rear elements, an electrical conductor may be provided to electrically couple a portion of a first conductive layer provided on the rear surface of the front element with a portion of a second conductive layer provided on the front surface of the rear element.
エレクトロクロミック装置がその前部及び後部要素間でオフセットが殆どないか又は全くないことを可能にするために、前部要素の後部表面上に設けられた第１の導電層の一部分を後部要素の前部表面上に設けられた第２の導電層の一部分に電気的に結合するように導電体を設けることができる。 - 特許庁 - Reflection of light by at least either the second reflecting interface 16 or the third reflecting interface 17 is so set in conditions of strengthening or weakening against a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a and a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b in shifting interference wavelengths.
第２の反射界面１６および第３の反射界面１７による光の反射の少なくとも一方を、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長に対して干渉波長をずらしながら、強め合う条件および弱め合う条件に設定する。 - 特許庁 - The coil embedded type inductor is constituted by arranging a first magnetic body 31 in a cylindrical coil 10 made of a wire which has an insulating coating layer 20 and is shaped in a nearly rectangular shape, surrounding its periphery with a nonmagnetic body 32, further surrounding the whole with a second magnetic body 33 and a third magnetic body 34, and forming an external electrode layer 40 at an outer peripheral part.
絶縁被覆層２０を備えた略矩形断面の線材からなる円筒コイル１０の内部に第１の磁性体３１を配置し、その周囲を非磁性体３２で取り囲み、さらに全体を第２磁性体３３および第３磁性体３４で取り囲み、外周部に外部電極層４０を形成することによりコイル埋設型インダクタを構成する。 - 特許庁 - The recording medium includes: a transparent resin sheet; a first lenticular lens 20 formed on one side of the transparent resin sheet; an image formation layer 22 which has a recording area 22a and non-recording area 22b and is formed on the other side of the transparent resin sheet and; and a second lenticular lens 24 which is formed on the non-recording area 22b of the image forming layer 22.
記録媒体は、透明な樹脂シートと、透明な樹脂シートの一方の面に形成される第１のレンチキュラーレンズ２０と、記録領域２２ａ及び非記録領域２２ｂを有し、透明な樹脂シートの他方の面に形成される画像形成層２２と、画像形成層２２の非記録領域２２ｂに形成される第２のレンチキュラーレンズ２４と、を含む。 - 特許庁 - A second concave-convex structure made up of a plurality of stripe grooves 22 disposed parallel to each other is further formed on the face of the polymer liquid crystal layer 4 on which the first concave-convex structure 4a is formed, and liquid crystal molecules in the polymer liquid crystal layer 4 are oriented in the groove lengthwise direction (the lengthwise direction of the stripe grooves 22) of the second concave-convex structure.
高分子液晶層４の、第１の凹凸構造４ａが形成された面には、互いに平行に配置された複数のストライプ溝２２からなる第２の凹凸構造がさらに形成されており、高分子液晶層４の液晶分子は、当該第２の凹凸構造の溝長手方向（ストライプ溝２２の長手方向）に沿って配向されている。 - 特許庁 - In the gas sensor, a porous layer 112 is constituted of a first porous part 112A and a second porous part 112B, their porosities are each 20% or more and 70% or less, mutual porosities differ by 10% or more, and furthermore when an area of the porous layer is set to be 100%, both are adjusted so that the area ratios are each 70% or less.
ガスセンサでは、多孔質層１１２を第１多孔質部１１２Ａ，第２多孔質部１１２Ｂで構成し、それらの気孔率がいずれも２０％以上７０％以下で、かつ、互いの気孔率が１０％以上異なり、さらに多孔質層の面積を１００％としたときの面積率が何れも７０％以下になるように調整されている。 - 特許庁 - Reflection of light by the reflecting interfaces 16, 17 is so structured that either is to weaken against light of wavelengths away by +15 nm or more, and the other, against light of wavelengths away by -15 nm or more, at least against either a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a or a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b.
反射界面１６、１７による光の反射が、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長の少なくとも一方に対し、一方が＋１５ｎｍ以上、他方が−１５ｎｍ以下離れた波長の光に対して弱め合うようにする。 - 特許庁 - In this organic electroluminescent element 1 formed by holding at least a luminescent layer 14 between a first electrode 12 and a second electrode 13, the luminescent layer 14 comprises a deposit formed by using a transfer donor made from ink having a host material using a tetracene derivative, a red dopant, and a solvent.
第１電極１２と第２電極１３の間に少なくとも発光層１４を挟持してなる有機電界発光素子１において、前記発光層１４は、テトラセン誘導体を用いたホスト材料と赤色ドーパントと溶剤を有するインクから湿式法により作製された転写ドナーを用いて成膜したものからなることを特徴としている。 - 特許庁 - In the organic photoelectric conversion element having at least a photoelectric conversion layer 14 and charge transport layers 13 and 15 laminated between a first electrode 12 and a second electrode 16, the photoelectric conversion layer contains at least two types of material selected from among porphyrin derivatives or azaporphyrin derivatives.
第１の電極１２と第２の電極１６との間に少なくとも光電変換層１４と電荷輸送層１３，１５とを積層して成る有機光電変換素子において、光電変換層がポルフィリン誘導体、若しくはアザポルフィリン誘導体から選ばれる少なくとも２種以上の材料を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁
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