「Ge」を含む例文一覧(1096)

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  • Since Ge is used for the base layer 1, the bandgap in a room temperature can be as small as approximately 0.66 eV.
    ベース層１にＧｅを用いたので、室温でのバンドギャップが０．６６ｅＶ程度と小さくすることができる。 - 特許庁
  • More specifically, a film constituted essentially of Ge and containing Al, Cr or the like is used as the super resolution layer.
    より具体的にはＧｅを主成分として、Ａｌ又はＣｒ等を含む膜を超解像層として使用する。 - 特許庁
  • After that, a resistance element R2 serves as a leak route, and a gate voltage V(GE) is decreased, with time passage of time.
    その後は抵抗素子Ｒ２がリーク径路となりゲート電圧Ｖ（ＧＥ）は時間経過と共に減少する。 - 特許庁
  • An a-Ge film 2 with a film thickness of 80 to 240 nm is formed on a substrate 1 (refer to step (b)).
    ８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。 - 特許庁
  • Further, Ge, P or Ga is incorporated therein, so that the oxidation resistance of the solder can be improved.
    さらに、Ｇｅ、Ｐ又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性を向上させることができる。 - 特許庁
  • Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb, Zn, Sn, Al and Sb.
    元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂのうち１種または２種以上である。 - 特許庁
  • A first reflection surface pair 11 is used for diffracting X-rays by Ge {220} plane or {440} plane.
    第１の反射面ペア１１はＧｅ｛２２０｝面または｛４４０｝面でＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁
  • In the formula, A is selected from the group consisting of Si, Ge, Ti, Zr, Al, and Ga, and x denotes 1-6.
    式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。 - 特許庁
  • To provide the deposition method of a semiconductor film by which a high-quality and flat semiconductor film is formed on a Ge-based/SiGe-based substrate.
    Ｇｅ系・ＳｉＧｅ系基板に高品質で平坦な半導体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
  • The Ag alloy film has a composition consisting of, by atom, 0.2 to 1.5% Ge as an additive element and the balance essentially Ag.
    添加元素として、Ｇｅを０．２〜１．５原子％含み残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜である。 - 特許庁
  • To provide a Gigabit Ethernet(R) passive optical network (GE-PON) system and a media access control method for the same.
    ギガビットイーサネット（登録商標）受動光ネットワークシステム及びその媒体接続制御方法を提供する。 - 特許庁
  • To obtain the aimed profile of various Ge composition ratios with high precision in the method for depositing an SiGe film.
    ＳｉＧｅ膜の形成方法において、意図する様々なＧｅ組成比のプロファイルを高精度で得ること。 - 特許庁
  • In the plated member, a plating film of an alloy comprising Ge as an essential component is formed on the surface.
    表面に、Ｇｅを必須成分として含有する合金のめっき皮膜が成膜されているめっき部材。 - 特許庁
  • The revolt was suppressed, and thereafter, on the second day of the second month of 767, Mushimaro, who had been lacking any court rank since 764, was restored to his original rank of Ge-jugoinoge.
    乱後の天平神護2年（766年）12月25日に、無位の虫麻呂がもとの外従五位下に復帰した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Katsuko (Ge-hong) in the Western Jìn Dynasty wrote "Hobokushi," in which he explained the ascetic practices involved in becoming a sennin (immortal mountain wizard).
    西晋末の葛洪（かっこう）は、『抱朴子（ほうぼくし）』を著し、仙人となるための修行法を説いた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Either one or a plurality of germanium (Ge), titanium oxide (TiO_2) and silver (Ag) may be added, if necessary.
    必要に応じて、ゲルマニウム（Ｇｅ）や酸化チタン（ＴｉＯ２），銀（Ａｇ）のいずれか１つまたは複数を追加する。 - 特許庁
  • Either or both of germanium Ge and niobium Nb are added to Sn-Zn based lead-free solder.
    Ｓｎ−Ｚｎ系無鉛はんだに、ゲルマニウムＧｅまたはニオブＮｂの何れかの金属または双方を添加する。 - 特許庁
  • To provide a substrate for reducing the costs of a tandem-type photoelectric conversion element in an Si/Ge-based structure.
    Ｓｉ／Ｇｅ系構造のタンデム型光電変換素子の低コスト化を可能とする基板を提供すること。 - 特許庁
  • The Al in the intermetallic compound may be replaced with one or two kinds or more of Si, Ge, Ti and Zn.
    金属間化合物は、Ａｌに替えてＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ又はＺｎの１種又は２種以上でもよい。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having a high-k film/Ge gate stack structure with satisfactory electric properties.
    電気的性質が良好なｈｉｇｈ−ｋ膜／Ｇｅゲートスタック構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • As for the inorganic semiconductor material, a well-known inorganic semiconductor material such as Si, Ge and CdSe can be used.
    無機半導体材料にはＳｉ、Ｇｅ、ＣｄＳｅなど公知の無機半導体材料を挙げることができる。 - 特許庁
  • The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.
    第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁
  • Consequently multilayer logic results ultra-high on-chip transistor density by using nanowire Si/Ge TFETs.
    これにより、多層ロジックは、ナノワイヤＳｉ／ＧｅＴＦＥＴを用いることで、非常に高いオンチップトランジスタ密度となる。 - 特許庁
  • To provide an Au/Ge alloy solder ball having excellent oxidation resistance and satisfactory wettability compared with the conventional one.
    従来品より耐酸化性に優れ、かつ、濡れ性が良好なＡｕ／Ｇｅ合金半田ボールを提供する。 - 特許庁
  • When there are two haiden halls, the one toward you is called ge-haiden, or outer haiden, and the one at the back nai-haiden, or inner haiden.
    二つある場合は、手前を外拝殿（げはいでん）と呼び、奥のものを内拝殿（ないはいでん）と呼ぶ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Since she was taken from the Emperor's love by Cho Hien, she composed a poem, "Yuan ge Xing," in which she likens herself to a fan in autumn.
    趙飛燕にその座を奪われれ、捨てられた我が身を秋の扇になぞらえて詩『怨歌行』を作った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • P of 0.001-0.1mass%
    Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
  • In a channel layer 103 made of SiGe containing C, a Ge composition is linearly changed from 0 to 50% from the end section of a silicon buffer layer side 102 toward that of the side of a silicon cap layer 104, and C is selectively contained by 0.5% in a region with 40 to 50% Ge composition, namely, a region where the Ge composition exceeds 30%.
    Ｃを含むＳｉＧｅからなるチャネル層１０３において、Ｇｅ組成は、シリコンバッファ層側１０２の端部からシリコンキャップ層１０４側の端部に向かって０％から５０％に直線的に変化し、ＣはＧｅ組成が４０％から５０％の領域（つまり３０％を越える領域）に選択的に０．５％含有されている。 - 特許庁
  • The fluorescent material has as the constitutional elements at least one element selected from Mg, Ca, Sr and Ba, at least one element selected from Si and Ge, at least one element selected from rare earth elements, and oxygen, and besides has as the crystal structure a pseudowollastonite structure.
    Mg,Ca,Sr,Baから選ばれる少なくとも一つの元素、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素、希土類から選ばれる少なくとも一つの元素、及び酸素を構成元素とし、結晶構造が擬珪灰石構造である蛍光材料。 - 特許庁
  • The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.
    本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁
  • In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.
    InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁
  • The semiconductor structure has an Si substrate, an SiGe layer of a thickness equal to or smaller than the critical thickness which is formed on it and contains a Ge composition ≥20% and ≤80%, and a Ge epitaxial layer which is formed on the SiGe layer.
    この半導体構造は、Ｓｉ基板と、その上に形成された臨界膜厚以下の厚さのＧｅ組成が２０％以上８０％以下のＳｉＧｅ層と、ＳｉＧｅ層上に形成されたＧｅエピタキシャル層とを有する。 - 特許庁
  • The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.
    酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁
  • To provide a substrate treating apparatus which can form an excellent film by suppressing oxygen concentration increase of a substrate interface when performing a process of forming a film of Epi-SiGe or the like by supplying a Ge-containing gas.
    本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。 - 特許庁
  • In a thermoelectric material, a Ge 31 to which Au 32 is added and an Si 33 to which Au 34 is added are brought into contact with each other, and Au 35 and Au 36 which are made into one-dimensional are each brought into contact with the Ge 31 and the Si 33 respectively.
    Ａｕ３２を添加したＧｅ３１と、Ａｕ３４を添加したＳｉ３３とを互いに接触させ、該Ｇｅ３１及びＳｉ３３に一次元化したＡｕ３５，３６を夫々接触させたことを特徴とする熱電材料。 - 特許庁
  • The condenser is formed by curving work applied to a bulk wafer of semiconducting crystals of Si, Ge or SiGe through a high-temperature pressurizing work method in a temperature range which has a plastic deformation capacity enabling an arbitrary plastic deformation of the semiconducting crystals.
    Si、GeまたはSiGeの半導体結晶バルクウェハーに、その半導体結晶の任意の塑性変形を可能とする塑性変形能を有する温度範囲内で高温加圧加工法により湾曲加工を施して作成されている。 - 特許庁
  • An Si hydride or an Si chloride, a Ge hydride and an organometallic compound not containing Si are fed on a substrate in a crystal growth device as raw materials to chemically vapor-grow a ternary mixed crystal containing Si, Ge and C.
    原料としてＳｉの水素化物または塩化物及びＧｅの水素化物及びＳｉを含まない有機金属化合物を供給してＳｉ及びＧｅ及びＣを含む三元混晶を化学気相成長させる。 - 特許庁
  • By examining the presence and magnitude of the localized oscillating peak of a dopant atom that is observed by Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge, the present state (combined state and present location) of a dopant atom in the Ge is determined.
    ドーパント原子ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント原子の局在振動ピークの有無及び大きさを調べることによって、そのＧｅ中のドーパント原子の存在状態（結合状態や存在位置）を知る。 - 特許庁
  • Ge, ZnSe or chalcogenide glass having a refractive index of 2.4 to 4 in the IR region of 8 to 12 μm bands is used for the substrate.
    基板は、Ｇｅ、ＺｎＳｅ、または８〜１２μｍの赤外域において屈折率２．４〜４のカルコゲナイドガラスを用いる。 - 特許庁
  • (1) The optical recording medium is characterized by containing Ge, Sb, Sn and S as principal components of a phase change recording layer.
    （１）相変化記録層の主成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＳを含むことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁
  • Then, an SiO_2 film 3 with a film thickness of about 10 nm is formed on the a-Ge film 2 (refer to step (c)).
    そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。 - 特許庁
  • A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.
    前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁
  • A Ge layer 120 is used as a sacrificing layer, oxygenated water is used as an etching solution to make a cantilever beam structure (a, b).
    Ｇｅ層１２０を犠牲層として、過酸化水素水をエッチング液として用いて片持ち梁構造とする（ａ，ｂ）。 - 特許庁
  • To provide a method of removing a contaminant on a semiconductor substrate, which can remove a Ge contaminant adherent to the semiconductor substrate.
    半導体基板に付着したＧｅ汚染を除去できる半導体基板の汚染物除去方法を提供する。 - 特許庁
  • Within these temperature ranges, times that are sufficient to crystallize the Si are sufficient to activate the dopants in Ge.
    それらの温度範囲内で、Ｓｉの結晶化に十分な時間は、Ｇｅ中のドーパントの活性化にも十分である。 - 特許庁
  • In 763 he was promoted to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) and named the governor of Noto Province, but was implicated in FUJIWARA no Nakamaro's Revolt and punitively dismissed from his post and rank.
    763年に外従五位下に進み、能登守になったが藤原仲麻呂の乱に連座して処分された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • On June 5, 743, Inamaro who had been Jurokuinojo (Junior Sixth Rank, Upper Grade) was granted Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) by the Emperor Shomu.
    743年（天平15年）5月5日(旧暦)-従六位上であった稻麻呂は、聖武天皇より外従五位下を下賜される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • However, as an exception, when Jingikan (officer of the institution for dedicating to religious ceremony) was to submit ge, they had to present it to Daijokan (Grand Council of State).
    ただし、例外として神祇官と太政官の間では、神祇官が太政官側に解を出すことになる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • This Article "Soji-shiki" was put here to specify some documentary forms to seek imperial ratification of affairs described in a letter called "ge" (a type of official document) submitted by shoshi (various officials).
    奏事式（諸司から出された解(公文書)の事項に対して、天皇に裁可を求める際の書式） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • A raw material containing at least Ge is set over the crystal piece in the crucible 11.
    次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片の上方に少なくともＧｅを含む原料を配置する。 - 特許庁
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