「Ge」を含む例文一覧(1096)

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  • This sulfide glass for the optical amplifier is provided with the 3-component system of Ge-Ga-S, Pr3+ added to the 3-component system of Ge-Ga-S and the alkali halogen added to the 3-component system of Ge-Ga-S.
    本発明による光増幅器用硫化物ガラスは、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓの３成分系と、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓの３成分系に添加されたＰｒ^3+と、Ｇｅ−Ｇａ−Ｓの３成分系に添加されたアルカリハロゲンとを含む。 - 特許庁
  • Hydrogen or halogen is contained on an interface between the Ge substrate 10 and the protection film 30, alternatively a semiconductor layer which is higher in the impurity concentration than the Ge substrate 10 is provided between the Ge substrate 10 and the protection film 30.
    そして、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との界面に水素又はハロゲンが含有され、または、Ｇｅ基板１０と保護膜３０との間にＧｅ基板１０よりも不純物濃度が高い半導体層が設けられる。 - 特許庁
  • The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.
    基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁
  • In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.
    Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁
  • A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.
    Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁
  • Preferably, the Mg content is 0.4 to 0.8%, and the Ge content is 0.2 to 0.4%.
    好ましくは、Ｍｇ：０．４〜０．８ａｔ％、Ｇｅ：０．２〜０．４ａｔ％である。 - 特許庁
  • The recording film is formed of an alloy obtained by adding Ge to In, Sb and Sn.
    記録膜をＩｎ、Ｓｂ及びＳｎにＧｅを加えた合金で形成する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material.
    Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • TWO-PHASE EUTECTIC Al-Ge ALLOY CAPABLE OF COLD WORKING, AND ITS MANUFACTURE
    冷間加工可能な２相共晶Ａｌ−Ｇｅ合金とその製造方法 - 特許庁
  • Gokan no ge became widely known after Dogen (founder of the Soto Zen sect) introduced it in his book entitled "How to Use Your Bowls."
    道元の著作『赴粥飯法』によって広く知られるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The distinction between A-type and B-type also existed in the dull sounds of ギ, ビ, ゲ, ベ, ゴ, ゾ and ド (gi, bi, ge, be, go, zo and do).
    なお、甲乙の区別は濁音のギ・ビ・ゲ・ベ・ゴ・ゾ・ドにもある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • GE announced the acquisition of the company Laku for $30 million.
    ＧＥはLAKUと言う株式会社を３０００万ドルで買収したと発表した。 - Tatoeba例文
  • The total content of metallic elements other than Au and Ge is controlled to <120 ppm in a range where the Au content in the Au-Ge alloy is 84.5 to 89.0 mass%, thereby a structure in which Ge fine grains are uniformly and finely dispersed is formed.
    ＡｕＧｅ合金中のＡｕ含有率が８４．５〜８９．０質量％の範囲において、Ａｕ、Ｇｅ以外の金属元素含有量総量を１２０ｐｐｍ未満とすることによってＧｅ微粒子が均一微細に分散した組織とする。 - 特許庁
  • Activation of Ge n-type dopants and reasonable SPER rates for Si provide a practical lower limit on temperature of 500°C, and the melting of Ge provides an upper limit of 937°C.
    Ｇｅのｎ型ドーパントの活性化と、Ｓｉの妥当なＳＰＥＲ速度は、５００℃の温度の実際の下限を与え、Ｇｅの溶融は、９３７℃の上限を与える。 - 特許庁
  • The composite material is formed of an element of one or more kinds selected from Cu, Si, and Ge as an additive and a remainder using a silver alloy formed of Ag and an impurity as a metal matrix.
    Cu,Si,及びGeから選択される1種類以上の元素を添加元素とし、残部がAg及び不純物からなる銀合金を金属マトリクスとする複合材料である。 - 特許庁
  • To provide a method of forming a Ge-Sb-Te film which is highly controllable due to the CVD and by which a highly smooth Ge-Sb-Te film can be obtained.
    ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁
  • A film 31 comprised of a fluorescent material and a film 33 containing, as the constitutional element, at least one element selected from Si and Ge are laminated on a substrate 34.
    蛍光材料からなる膜３１及びSi,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜３３が、基板３４上に積層して配されてなる。 - 特許庁
  • This health apparatus is constituted of a sintered alloy containing 3-15 mass% of Ge and a remaining part of which is an alloy of Ti and Ge and an inevitable impurity.
    健康器具をＧｅ：３〜１５質量％を含み、残部がＴｉまたはＴｉとＧｅとの合金および不可避不純物である焼結合金により構成する。 - 特許庁
  • The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition consisting of, by mole, 10-30% silicon dioxide, 5-30%, in total, of Ge or Ge and Si, and the balance zinc chalcogenide.
    二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、ＧｅまたはＧｅおよびＳｉを合計で５〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン化亜鉛からなる組成の焼結体からなる。 - 特許庁
  • For example, the intermediate layer 20 includes at least one kind selected from among Si-Sb, Si-Te, and Si-Ge, when the phase change material includes Ge, Sb, and Te.
    例えば相変化材料がＧｅ、ＳｂおよびＴｅを含む場合、中間層２０は、Ｓｉ−Ｓｂ、Ｓｉ−Ｔｅ、Ｓｉ−Ｇｅの少なくとも一種を含む。 - 特許庁
  • The amorphous phase is made by an amorphous metal manufacturing method or by removing Li from lithium compound of Si and/or Ge by discharge or the like.
    上記非結晶質相は、アモルファスメタルの製造法に従って形成するか、Siおよび／またはGeのLi化物からLiを放電等により抜くことにより形成することができる。 - 特許庁
  • The impurity as the acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.
    そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁
  • The color conversion layer containing a rare-earth element, Si or Ge is formed by a dry process.
    希土類元素、ＳｉまたはＧｅを含む色変換層をドライプロセスで形成する。 - 特許庁
  • An impurity as an acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.
    そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁
  • SI-GE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF THE SAME, AND THERMOELECTRIC CONVERSION MODULE
    Ｓｉ−Ｇｅ半導体素子およびその製造方法ならびに熱電変換モジュール - 特許庁
  • This Article "Kokushi-shijin" (envoys of provincial governors) provided rules and regulations for a provincial governor to dispatch an envoy carrying a message called "ge" from a lower-ranked official to his superior.
    国司使人（国司が解を持った使者を派遣する際の規定） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The 'O' and 'ge' in her name mean 'a lot of' and 'food' respectively, and she is a deity of grain and food.
    名前の「オオ」は「多」の意味、「ケ」は食物の意で、穀物や食物の神である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • A radioactivity measuring section 30A having a Ge detector is provided in the piping 23.
    Ｇｅ検出器を有する放射能測定部３０Ａが管路２３に設けられる。 - 特許庁
  • The layer 4 includes at least Ti, In, Ge, Sb and Te.
    相変化型光記録層４は少なくともＴｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む。 - 特許庁
  • A gate electrode layer GE is located on at least the buried insulating film BI.
    ゲート電極層ＧＥは少なくとも埋め込み絶縁膜ＢＩ上に位置している。 - 特許庁
  • These signals Ro, Re, Go, Ge, Bo, Be are branched by a repeating substrate 12 and the probe 14.
    これらの信号Ｒｏ，Ｒｅ，Ｇｏ，Ｇｅ，Ｂｏ，Ｂｅは中継基板１２及びプローブ１４で分岐される。 - 特許庁
  • A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.
    薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁
  • The ≥1 kind selected from Bi, Zn, Cu and Ge may be further incorporated into the brazing filler metal.
    ろう材には更にＢｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇｅの内から選択した１種類以上を含有しても良い。 - 特許庁
  • In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.
    式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁
  • A Ge-concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or lower.
    ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁
  • An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.
    Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁
  • The ratio (x) of the added Ge is more preferably ≥0.02 and ≤0.2.
    また、上記Ｇｅの添加割合Ｘが０．０２以上０．２以下であることが、より好ましい。 - 特許庁
  • Further, an infrared light source is preferably used as a heating source for heating the Ge substrate 2.
    Ｇｅ基板２を加熱するための加熱源として赤外光光源を用いるとよい。 - 特許庁
  • On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.
    この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁
  • Modulus at 100% of the topping rubber Ge after vulcanization is almost equal to that of the topping rubber Gc.
    加硫後のトッピングゴムＧｅの１００％モジュラスは、トッピングゴムＧｃと略等しい。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF Nb3(Al, Ge) OR Nb3(Al, Si) COMPOUND SYSTEM SUPERCONDUCTING MULTI-CONDUCTORS
    Ｎｂ３（Ａｌ，Ｇｅ）又はＮｂ３（Ａｌ，Ｓｉ）化合物系超伝導多芯線の製造法 - 特許庁
  • Sadanushi was conferred Ge-jugoinoge (Jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto) and was appointed as Zusho no kami (Director of the Bureau of Drawing and Books) and Togu gakushi (Teacher of the Classics of the Crown Prince).
    外従五位下に叙され、図書頭・東宮学士となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In 823, he was appointed Mimasaka no gon no shosakan (deputy lesser officer of Mimasaka Province) and raised to Ge-jugoinoge (Jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto).
    弘仁14年に美作権少目となり、外従五位下に叙せられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The Ge concentration in an n-type GaAlAs layer is set to 3×1016 cm-3 or less.
    ｎ型ＧａＡｌＡｓ層中のＧｅ濃度を３×１０^16ｃｍ<SP>ー</SP><SP>3</SP>以下とする。 - 特許庁
  • Fragment' of "Tsurayuki shu ge (KI no Tsurayuki 's poetry collection volume II)" in "Nishi-Honganji-bon Sanju-rokunin-kashu (The Nishi-Honganji Collection of Thirty-Six Anthologies)"
    筆『西本願寺本三十六人家集』の中、『貫之集下』の「切」である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the first month of 739, Komushi was promoted from Shorokuinojo (Senior Sixth Rank, Upper Grade) to Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto).
    天平11年（739年）1月に、子虫は正六位上から外従五位下に昇った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • After this incident, he was conferred Ge-jugoinoge (Jugoinoge (Junior Fifth Rank, Lower Grade) given to persons outside Kyoto) and granted jikifu 30-households (a vassal household allotted to courtier, shrines and temples) and 30-cho of rice paddy.
    事件後、外従五位下を賜り、食封30戸・田10町を与えられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • January 7, 1374 - promoted to Jushii no ge and given secondary post of Sangi.
    1374年1月7日（文中2年/応安6年11月25日(旧暦)）、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.
    コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁
  • ALUMINUM BASED ALLOY OF Al-Mg-Ge SYSTEM AND ALUMINUM ALLOY MATERIAL USING THE SAME
    Ａｌ−Ｍｇ−Ｇｅ系のアルミニウム基合金及びそれを用いたアルミニウム合金材 - 特許庁
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