「Ge」を含む例文一覧(1096)

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  • December 16 (old calendar): Invested as Ju- Shii-ge (Junior 4th Class, Minor), Jiju and Wakasa-no-Kami.
    12月16日(旧暦)、従四位下侍従兼若狭守に叙任する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Therefore, contents of each Ge document remained almost unchanged from original contents reported to Daijokan.
    そのため、解がほぼそのまま天皇に奏上されることとなる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • METHOD FOR ANALYZING AND MEASURING DOPANT ELEMENT IN DOPANT ELEMENT DOPE Ge
    ドーパント元素ドープＧｅにおけるドーパント元素の分析・測定方法 - 特許庁
  • SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN Ge-Si FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT
    半導体素子のＧｅ−Ｓｉ系薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁
  • Shihon Bokusho Hanazono Tenno Shinkan Nyorai Juryo-bon Ge (Verses praising Buddha's eternal life, hand-inked on paper by Emperor Hanazono)
    紙本墨書花園天皇宸翰如来寿量品偈 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • A joint part 22 between the conductor pad 24 and the connector pin 20 comprises an Au-Ge brazing material layer 28 and an Au layer 26 which is in contact with a base material of the Au-Ge brazing material 28 and the connector pin 20 and contains less amount of Ge than the Au-Ge brazing material layer 28.
    導体パッド２４と接続ピン２０とに介在する接合部２２は、Ａｕ−Ｇｅロウ材層２８と、該Ａｕ−Ｇｅロウ材層２８と接続ピン２０の母材とに接し、かつＡｕ−Ｇｅロウ材層２８よりもＧｅ含有率が低いＡｕ層２６とからなる。 - 特許庁
  • To provide a Ge channel element small in hysteresis in a C-V characteristic.
    Ｃ−Ｖ特性におけるヒステリシスの小さなＧｅチャネル素子を得る。 - 特許庁
  • Usually, the SiGe has the Ge concentration in range of 5 to 100 %.
    通常、ＳｉＧｅは、５〜１００％の範囲のＧｅ濃度を有する。 - 特許庁
  • A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.
    Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁
  • X is at least one selected from Sn, Ge, and C.
    前記Ｘは、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃから選ばれる少なくとも１種である。 - 特許庁
  • The content of Ag and that of Au in the high-purity Ge or the Ge alloy are 5 ppm or below, respectively.
    スパッタリングターゲットを構成している高純度ＧｅまたはＧｅ合金は、Ａｇ含有量およびＡｕ含有量がそれぞれ5ppm以下とされている。 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING Ge ON III/V-ON-INSULATOR STRUCTURE
    Ｇｅ・オン・ＩＩＩ／Ｖ族・オン・インシュレータ構造を形成するための方法 - 特許庁
  • In the soldering method, P of 0.001-0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001-0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1-3 percent by mass base lead-free solder alloy.
    Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
  • An alloy having a composition which comprises Zn, Al and Ge and in which respective contents of Al and Ge are made to 0.5 to 15%, respectively, total amount of Al and Ge are 5 to 20% and the balance is composed of Zn is worked into a fine wire.
    ＺｎとＡｌとＧｅとを含有し、ＡｌとＧｅのそれぞれの含有量が０．５〜１５％、ＡｌとＧｅとの合計量が５〜２０％、残部がＺｎの合金が細線に加工されてなる。 - 特許庁
  • To provide a method of film-forming a Ge-Sb-Te film capable of obtaining a highly smooth Ge-Sb-Te film by CVD.
    ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.
    本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.
    Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁
  • RECOVERY METHOD OF RESOLUTION OF Ge DETECTOR DAMAGED BY RADIATION
    放射線損傷を受けたＧｅ検出器の分解能の回復方法 - 特許庁
  • GE announced the acquisition of the company Laku for $30 million.
    ＧＥはレイク（株）を３０００万ドルで買収したと発表した。 - Tanaka Corpus
  • On October 18, 1568, he was promoted to Juyon'i-ge and Sangi as an additional post.
    永禄11年（1568年）10月18日(旧暦)、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • December 17,1934, assumed Sho Goi-ge and appointed as Sa-konoe chujo.
    1394年（応永元）12月17日、正五位下に叙し、左近衛中将に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • On November 24, 1494, he was given the court rank of Sho Goi-ge and was appointed to the post of Samanokami.
    1494年（明応3年）11月24日、正五位下に叙し、左馬頭に任官。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • On July 12, 1502, his court rank advanced to Jyu Shii-ge, and he was appointed to the post of Sangi.
    1502年（文亀2年）7月12日、従四位下に昇叙し、参議に補任。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To provide a Ge ion-eluting Ag alloy which elutes Ge ions even in water, and also has satisfactory corrosion resistance and sufficient plastic workability.
    水中においてＧｅイオンを溶出し，耐食性も良く十分な塑性加工性を有する，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供する． - 特許庁
  • The channel layer 40 comprises a Ge granular crystal formed on the drift layer 30 and a cap layer covering the Ge granular crystal.
    チャネル層４０は、ドリフト層３０上に形成されたＧｅ粒状結晶と該Ｇｅ粒状結晶を覆うキャップ層とで構成される。 - 特許庁
  • The metal silicide layer 9 is formed on the highly concentrated Ge layer 8.
    金属シリサイド層９は、高濃度Ｇｅ層８上に形成される。 - 特許庁
  • After Ge thin film is deposited by epitaxial growth on an Si substrate, a Ti film is deposited on the Ge thin film.
    Ｓｉ基板上にＧｅ薄膜をエピタキシャル成長させることによって堆積させた後、このＧｅ薄膜上にＴｉ膜を堆積させる。 - 特許庁
  • A field plate FP extends over the gate electrode GE and the drift region DR and is electrically connected to the gate electrode GE.
    フィールドプレートＦＰは、ゲート電極ＧＥおよびドリフト領域ＤＲ上を延在し、かつゲート電極ＧＥに電気的に接続されている。 - 特許庁
  • Addition deceleration Ge by the wedge effect is operated in an operation part 34 and is added to target deceleration tG to determine a target deceleration correction value Gc.
    演算部34では楔効果による加算減速度Geを演算し、これを目標減速度tGに足し込んで目標減速度補正値tGcを求める。 - 特許庁
  • To provide a Ge-containing high strength titanium alloy having excellent cold workability.
    冷間加工性に優れたＧｅ含有高強度チタン合金の提供。 - 特許庁
  • In maki no ge (the lower volume) of "Bussetsu Muryoju-kyo" (the Sutra of the Buddha of Immeasurable Life) it is preached as follows
    『仏説無量寿経』巻下に以下のように説かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • GE announced the acquisition of the Lake company for $30 million.
    ＧＥはレイク（株）を３０００万ドルで買収したと発表した。 - Tatoeba例文
  • To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.
    ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁
  • A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.
    本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁
  • In the soldering method, P of 0.001 to 0.1 percent by mass is added independently or together with Ge of 0.001 to 0.1 percent by mass to Sn-Cu of 0.1 to 3 percent by mass base lead-free solder alloy.
    Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
  • The Ge density of the SiGe layer 24 is made small near to a PN junction 23.
    ＳiＧe層２４のＧe濃度をＰＮ接合２３に近い程小さくする。 - 特許庁
  • Furthermore, 0.001-0.5 wt% of an oxidation control element such as P, Ge and Ga and/or 0.005-2 wt% of a wettability improving element such as Ag may be added.
    さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で添加してもよい。 - 特許庁
  • The phosphor comprises an adjacent film containing the constitutional element of at least one element selected from Si and Ge and being in contact with a portion composed of the fluorescent material.
    蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 - 特許庁
  • The percentages composition of Ge in the buffer layer 3 and spacer layer 4 are 10% and that of Ge in the heavily-doped layer 4 is 20%.
    ＳｉＧｅバッファ層３及びスペーサー層５におけるＧｅ組成率は１０％であり、ｎ型高濃度ドープ層４におけるＧｅ組成率は２０％である。 - 特許庁
  • This alloy has a composition containing 1-9 wt.% Ge and In in an amount of 2-20% of Ge by weight ratio and having the balance silver.
    本発明の銀合金は、１〜９重量％のゲルマニウムと、ゲルマニウムに対して重量比で２〜２０％のインジウムとを含み、残部が銀からなる。 - 特許庁
  • When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.
    III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁
  • M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.
    前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁
  • On the twenty seventh day of the tenth month of 770, Oi was promoted from Shorokuinojo to Ge-jugoinoge.
    宝亀元年（770年）10月1日に、正六位上から外従五位下に進んだ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Therefore, "格" ("Ge") for supplemental or amendment purposes, and "式" ("Shi") for the actual enforcement of Luli and Ge as their bylaws were also developed and enacted.
    そのため、律令の規定を補足・改正する格（きゃく）や律令や格を実際に施行する上での細則である式（しき）が制定されるようになった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.
    ゲート電極ＧＥは、ｐ型バックゲート領域ＢＧ上に形成されている。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion layer 4 includes a first layer containing Ge and a second layer which is formed on the first layer and does not contain Ge.
    そして、光電変換層４は、Ｇｅが含有された第１の層と、第１の層上に形成され、Ｇｅが含有されない第２の層とを含む。 - 特許庁
  • TRANSISTOR WHERE INDIUM IS INJECTED INTO Si-Ge ALLOY AND MANUFACTURE THEREOF
    Ｓｉ−Ｇｅ合金にインジウムを注入したトランジスタ及び製造方法 - 特許庁
  • To provide a method for analyzing and measuring a present state and abundance without destroying and contacting in a dopant Ge in a dopant atom dope Ge.
    ドーパント原子ドープＧｅにおけるドーパントのＧｅ中での存在状態及び存在量を、非破壊・非接触で分析・測定する方法を提供する。 - 特許庁
  • Injured last year when I quit the soccer team eh I got chased by ge grinded
    去年 ケガでサッカー部やめたとき 俺 すっげえ追い詰められちゃってさ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • Toyo Seiko’s highly durable projection media has received widespread recognition, including quality certification from Boeing, GE, P&W and other leading aircraft companies.
    耐久性の高い同社の投射材は、ボーイング、GE、P&W等の大手航空機関連メーカー各社から品質認定を受けるなど、幅広く評価されている。 - 経済産業省
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