「Ge」を含む例文一覧(1096)

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  • METHOD FOR MANUFACTURING Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET
    Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
  • HIGH-PURITY Si-Ge ALLOY TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SPUTTERED HIGH-PURITY Si-Ge FILM
    高純度Ｓｉ−Ｇｅ系合金ターゲット及びその製造方法並びに高純度Ｓｉ−Ｇｅ系スパッタ膜 - 特許庁
  • As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.
    半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁
  • The Ge semiconductor region is a Ge substrate (11), and the insulating film region is a gate insulating film (12).
    前記Ｇｅ半導体領域はＧｅ基板（１１）であり、前記絶縁膜領域はゲート絶縁膜（１２）である。 - 特許庁
  • To suppress Ge atom from intruding into a compound semiconductor when a Ge crystal as an intermediate layer is used.
    中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。 - 特許庁
  • The lead-free solder alloy or solder alloy powder, is composed of, by weight, 0.14% Ni, 0.08% Al, 0.06% Ge, 0.5% Bi and the balance Sn.
    Ni:0.14wt％; Al：0.08wt％； Ge:0.06wt％; Bi:0.5wt％;; 残部Snからなる鉛フリー半田合金又は半田合金粉末である。 - 特許庁
  • By this manner, an oxygen combined to Ge in the nonlinear optical silica material is substituted by H or X, and in the portion Ge.providing non-linearity to this silicon material, one Ge has two Ge-O bonds and one Ge-H (or Ge-X) bond.
    これにより非線形光学シリカ材料中のＧｅと結合する酸素がＨ又はＸで置換され、このシリカ材料に非線形性を発現させる部分Ｇｅ・では、１つのＧｅが、２本のＧｅ−Ｏ結合と１本のＧｅ−Ｈ（又はＧｅ−Ｘ）結合を備える。 - 特許庁
  • The Au alloy has a chemical composition composed mainly of Au and containing, by mass, 0 to 7% Ag, 2 to 12% Cu, 10 to 18% Pd and 0.05 to 3% Ge.
    Auを主成分として、Agを0〜7mass%、Cuを2〜12mass%、Pdを10〜18mass%、およびGeを0.05〜3mass%含有することを特徴とするAu合金。 - 特許庁
  • Sunakake-babaa became instantly famous nationwide by a comic book titled "Ge-Ge-Ge no Kitaro" written by Shigeru MIZUKI, in which Sunakake-babaa is a specter who fights against enemies for justice together with the main character, Kitaro.
    水木しげるによる漫画『ゲゲゲの鬼太郎』で鬼太郎と共に戦う正義の妖怪としての活躍により一躍、全国的に有名な妖怪となった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • "Ryo no Gi Ge" and "Nihon Koki" were edited.
    また、『令義解』た『日本後紀』の編纂が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The Ge nanocrystal (510) is synthesized through quick thermal annealing of a Ge+SiO_2 layer (516) sputtered simultaneously.
    Ｇｅナノ結晶（５１０）は、同時スパッタリングされたＧｅ＋ＳｉＯ_2層（５１６）の急速熱アニールにより合成される。 - 特許庁
  • An Sb-Te-Ge alloy is used for a recording layer.
    記録層にＳｂ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を用いる。 - 特許庁
  • Shearing stress of the Ge island 2 is distributed over an inclined side surface and a periphery of a top surface of the Ge island 2, and dislocation of the Ge island 2 can be moved to the side surface and the periphery of the top surface of the Ge island 2.
    ここでは、Ｇｅアイランド２の剪断応力が、Ｇｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁に分布し、Ｇｅアイランド２の転位をＧｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁まで移動させることができる。 - 特許庁
  • METHOD OF PRODUCING Ge-Sb-Te SPUTTERING TARGET MATERIAL
    Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING Ge ADDITION Nb3Al BASE SUPERCONDUCTING WIRE
    Ｇｅ添加Ｎｂ３Ａｌ基超伝導線材の製造方法 - 特許庁
  • Preferably, a molar ratio (Ti:Zn+Ge) of titanium (Ti) to zinc and germanium (Zn+Ge) are 1:3 to 3:1.
    チタン（Ｔｉ）と、亜鉛及びゲルマニウム（Ｚｎ＋Ｇｅ）のモル比（Ｔｉ：Ｚｎ＋Ｇｅ）が、１：３〜３：１であることが好ましい。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING Ge-Sb-Te SPUTTERING TARGET MATERIAL
    Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁
  • March 16, 1344 - Advanced to Sho-Goi-ge (Senior 5th Class, Minor).
    1344年（興国5年/康永3年）3月16日、正五位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • SUBSTANCE EQUIPPED WITH Zr-Ge-Ti-O OR Hf-Ge-Ti-O DIELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD
    Ｚｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−ＯまたはＨｆ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏの誘電材料を備えた物質とその製造方法 - 特許庁
  • The glycoprotein gE, the peptides based thereon and the complexes of the glycoproteins gE and gI, and the antibodies against them are also provided.
    糖蛋白質ｇＥ、その上に基礎をおくペプチド、糖蛋白質ｇＥとｇＩとの複合物、それらに対する抗体。 - 特許庁
  • NEW CMOS CIRCUIT OF GaAs/Ge ON SI SUBSTRATE
    Ｓｉ基板上のＧａＡｓ／Ｇｅの新規なＣＭＯＳ回路 - 特許庁
  • Consisting of two volumes notes, "Jo (vol. 1)," and "Ge (vol. 2)," it is also referred to as "Nikan-sho" (literally, two volumes of notes).
    上下2巻からなるため『二巻鈔』ともいう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • "San Amida butsu ge" (Hymns in Praise of Amida Buddha) is a tribute to Amida tathagata in poetic verse.
    『讃阿弥陀仏偈』…阿弥陀如来への讃美の偈文。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the pneumatic tire, the difference Gs-Ge between a groove area ratio Gs when a wear ratio is 0% to a groove area ratio Ge when the wear ratio is 100% satisfies an inequality Gs-Ge≥0.10.
    この空気入りタイヤは、摩耗率０［％］のときの溝面積比Ｇｓと摩耗率１００［％］のときの溝面積比Ｇｅとの差Ｇｓ−ＧｅがＧｓ−Ｇｅ≧０．１０の範囲にある。 - 特許庁
  • By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.
    このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.
    第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁
  • As the conductive sealing material, an Ag-Si-Ge alloy composed mainly of Ag and containing Si and Ge is used.
    導電性シール材料として、Ａｇを主成分としＳｉ及びＧｅを含有するＡｇ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金を用いる。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING Ge-Sb-Te FILM, AND STORAGE MEDIUM
    Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法および記憶媒体 - 特許庁
  • The Ge concentration may increase gradually as a deposition thickness.
    Ｇｅ濃度は、堆積厚につれて段階的に増加してもよい。 - 特許庁
  • The insulating film 32 functions as a protective film to the Ge oxide film 33 to prevent degradation of the formed Ge oxide film 33.
    絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 - 特許庁
  • PRODUCTION OF TARGET MATERIAL FOR Ge-Sb-Te SYSTEM SPUTTERING
    Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 - 特許庁
  • To enable to obtain a high quality Ge-based epitaxial film in a large area.
    高品質なＧｅ系エピタキシャル膜を大面積で得ること - 特許庁
  • The semiconductor device has a hole 6a formed on a Ge substrate 2, and an insulating film 6b covering the upper face of the hole and containing Ge.
    Ｇｅ基板２に設けられた空孔６ａと、空孔の上面を覆いＧｅを含む絶縁膜６ｂと、を備えている。 - 特許庁
  • January 7, 1367 - conferred Jugoi no ge.
    1367年1月7日（正平21年/貞治5年12月7日(旧暦)）、従五位下に叙す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • December 3, 1347 - Advanced to Ju-Shii-ge (Junior 4th Class, Minor).
    1347年（正平(日本)2年/貞和3年）12月3日、従四位下に昇叙。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
  • Ge-Bi ALLOY TARGET FOR SPUTTERING AND PRODUCTION METHOD THEREOF
    スパッタリング用Ｇｅ−Ｂｉ合金ターゲット及びその製造方法 - 特許庁
  • The recombinant nucleic acid comprises the gE-gene or a part thereof.
    ｇＥ−遺伝子またはその一部から成る再結合核酸。 - 特許庁
  • A second reflection surface pair 16, a third reflection surface pair 22, and a fourth reflection surface pair 28 are used for diffracting the X-ray by Ge {400} plane, Ge {422} plane, and Ge {511}plane, respectively.
    第２の反射面ペア１６はＧｅ｛４００｝面、第３の反射面ペア２２はＧｅ｛４２２｝面、第４の反射面ペア２８はＧｅ｛５１１｝面でそれぞれＸ線を回折させるためのものである。 - 特許庁
  • Ittan-momen was not illustrated in classical picture scrolls of ghosts and other works, so it was relatively an unknown ghost in the past, but after Shigeru MIZUKI picked it up in his comic book of "Ge Ge Ge no Kitaro," it suddenly became well known.
    古典の妖怪絵巻などには描かれていないために、かつては比較的無名な妖怪だったが、水木しげるの漫画『ゲゲゲの鬼太郎』に登場してから一躍、名が知られることとなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the first popularity vote on ghosts held by the tourist association of Sakaiminato City (Mizuki's hometown), Tottori Prefecture, Ittan-momen won first place; for details about its character in the comic book, please refer to the article of "Ittan-momen" (Ge Ge Ge no Kitaro).
    水木の出身地・鳥取県境港市の観光協会による「第1回妖怪人気投票」では1位に選ばれた（『鬼太郎』でのキャラクターについては一反木綿(ゲゲゲの鬼太郎)を参照）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • To provide a substrate having a Ge film increased in tensile stress.
    引っ張り応力を高めたＧｅ膜を有する基板を提供する。 - 特許庁
  • The solder alloy has a composition comprising, by mass, 3.0 to 10.0% Sb, 0.01 to 1.0% Ni and 0.01 to 1.0% Ge, and the balance Sn with inevitable impurities.
    Sbを3.0〜10.0質量％、Niを0.01〜1.0質量％、Geを0.01〜1.0質量％含有し、残部はSn及び不可避的不純物からなるものとする。 - 特許庁
  • The polarity and waveforms of these signals Ro, Re, Go, Ge, Bo, Be are individually controlled.
    信号Ｒｏ，Ｒｅ，Ｇｏ，Ｇｅ，Ｂｏ，Ｂｅは、極性及び波形が個別に制御される。 - 特許庁
  • FILM DEPOSITION METHOD OF Ge-Sb-Te-BASED FILM AND RECORDING MEDIUM
    Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法および記憶媒体 - 特許庁
  • In the Sn-Cu based lead-free soldering alloy containing 0.1-3 mass% Cu, 0.001-0.1 mass% P is added either alone or together with 0.001-0.1 mass% Ge.
    Sn-0.1〜3 質量％Cuの鉛フリーはんだ合金に、 0.001〜0.1 質量％のＰを単独で、または 0.001〜0.1 質量％のGeと一緒に添加する。 - 特許庁
  • The long-term use in the atmosphere is realized by the slight combined Ge and P for the purpose of oxidation prevention in the solder bath.
    はんだ浴中のはんだの酸化防止のためGeとPを併用した微量添加で大気中での長期間の使用を可能にする。 - 特許庁
  • Tsurayukishu no ge (Ki no Tsurayuki 's Anthology, volume 2) (divided as Ishiyama gire (Fragment of Tsurayukishu no ge or Ise shu (The Diary of Lady Ise)) and Shitagoshu (MINAMOTO no Shitago's Poetry Book) among Nishi-Honganji-bon Sanju-rokunin-kashu (The Nishi Hongan-ji Temple's Collection of 36 Anthologies)
    西本願寺本三十六人家集のうち貫之集下（石山切として分割された）と順集 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Furthermore, the Ge density in the SiGe mixed crystals 49a and 49c is less than the Ge density in the SiGe mixed crystal layer 49b.
    更に、ＳｉＧｅ混晶層４９ａ及び４９ｃ中のＧｅ濃度は、ＳｉＧｅ混晶層４９ｂ中のＧｅ濃度より低い。 - 特許庁
  • Prior to promotion, Nagamune had been created Ge-shohachiinojo (Senior Eighth Rank, Upper Grade, given to persons outside Kyoto).
    その時までの永宗の位階は外正八位上であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
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