「In memory」を含む例文一覧(49990)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 999 1000 次へ＞- The control logic circuit part 31 then reads out memory data stored in an external memory 2.
この後、制御ロジック回路部３１は外部メモリ２に記憶されたメモリデータを読み出す。 - 特許庁 - To increase available memory source in a memory system, using a fault acceptable technique.
障害許容技術を採用するメモリシステムにおいて、利用可能なメモリリソースを増大させる。 - 特許庁 - Memory areas 100, 200 are provided in a single radar image processing display memory.
単独のレーダ映像処理表示メモリ上に記憶エリア１００及び２００を設ける。 - 特許庁 - To reduce a power consumption of a semiconductor memory in which a memory cell is composed of resistance changing element.
抵抗変化素子をメモリセルとする半導体メモリの消費電力を削減する。 - 特許庁 - CACHE MEMORY SYSTEM AND OPERATION METHOD CAPABLE OF CONTROLLING NUMBER OF BLOCKS STORED IN CACHE MEMORY
キャッシュメモリに保存されるブロック数を制御できるキャッシュメモリシステム及び動作方法 - 特許庁 - Since the YC data is not placed in an external image memory, allowance of the memory bandwidth is increased.
ＹＣデータを外付け画像メモリに置かないので、メモリバンド幅の余裕度が大きくなる。 - 特許庁 - A memory space retrieving unit 709 retrieves a storage area corresponding to a color ticket in the memory.
メモリスペース検索部709は、カラーチケットに対応する格納領域をメモリから検索する。 - 特許庁 - A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.
スタティックランダムアクセスメモリは，ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁 - A memory cell in an MTJ memory device is sequentially subjected to at least two different bias voltages.
MTJメモリデバイスのメモリセルは、少なくとも2つの異なるバイアス電圧を連続してかけられる。 - 特許庁 - The plurality of memory cell groups include first or second memory cells which are connected in series.
複数のメモリセル群は、直列接続された第一乃至第二のメモリセルを有する。 - 特許庁 - To reduce memory capacity necessary for every inspection and memorize many inspection results in a memory.
各検査に必要な記憶容量を低減し、多くの検査結果を記憶部に記憶させる。 - 特許庁 - In a memory element arrangement part, a plurality of memory elements capable of storing M value data are arranged.
記憶素子配列部は、Ｍ値のデータを記憶可能な記憶素子を複数配列してなる。 - 特許庁 - A memory controller 5 examines data stored in each block of the memory 6 for back-up.
メモリコントローラ５は、バックアップ用のメモリ６の各ブロックに格納されたデータを検査する。 - 特許庁 - This device has a memory cell array 1 in which non-volatile memory cells being electrically rewritable.
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ１を有する。 - 特許庁 - To improve a semiconductor memory device, especially a flash memory in erasing and writing speed.
半導体記憶装置、特にフラッシュメモリ等における消去・書込み速度を向上させる。 - 特許庁 - To provide a memory device with the redundant memory block which is evaluated in byte units.
バイト単位で評価される冗長メモリ・ブロックを有するメモリ・デバイスを提供すること。 - 特許庁 - METHOD FOR REFERRING DATA IN HIERARCHICAL CACHE MEMORY AND DATA PROCESSOR INCLUDING HIERARCHICAL CACHE MEMORY
階層キャッシュメモリのデータ参照方法、および、階層キャッシュメモリを含むデータ処理装置 - 特許庁 - To suppress erroneous writing in a memory transistor of a non-volatile semiconductor memory device.
不揮発性半導体記憶装置のメモリトランジスタに誤書き込みが生ずるのを抑制する。 - 特許庁 - The received memory data are stored in an area of the memory number and the registration is finished (ST25).
受信したメモリデータを、メモリ番号の領域に格納して、登録完了となる（ＳＴ25）。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory apparatus in which relieving efficiency of defective memory cells can be improved.
不良メモリセルの救済効率を向上出来る半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - Memory transfer capabilities are different in memory access size between the first processor and the second processor.
第１のプロセッサと第２のプロセッサとはメモリ・アクセス・サイズに係るメモリアクセス能力が異なる。 - 特許庁 - To prevent damage troubles of a memory card connector in the case of reverse insertion of a memory card.
メモリカードを逆向きに挿入した場合のメモリカードコネクタの破損事故を防止する。 - 特許庁 - A plurality of memory systems 139a-139c and a system manager are used to transfer the check sum in a memory.
複数のメモリシステム139a-139c及びシステムマネージャを用いて、メモリ内のチェックサムを移動する。 - 特許庁 - When data are erased from the memory, unused area address information is stored in the memory.
メモリからデータが消去されたとき未使用領域アドレス情報がメモリに保存される。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor memory in which bank constitution of a memory cell array can be set optionally.
メモリセルアレイのバンク構成を任意に設定することができる半導体メモリを実現する。 - 特許庁 - To enable back up of data in a semiconductor memory device equipped with a flash memory.
フラッシュメモリを備えた半導体記憶装置において、データのバックアップを利用可能にする。 - 特許庁 - The random access memory array includes random access memory elements arranged in a rows and columns.
ランダムアクセスメモリアレイは行及び列に配列したランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁 - This cache memory 1 reads a tag address from a tag memory 11 in a first stage.
キャッシュメモリ１は、第１ステージで、タグメモリ１１からのタグアドレスの読み出しを実行する。 - 特許庁 - To dispense with another memory unit for storing loader program data in a memory device.
メモリー装置において、ローダープログラムデータを保存するための、別体のメモリーユニットを不要とする。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DETERMINING REPLACEMENT ADDRESS IN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
半導体記憶装置及び半導体記憶装置における置換アドレスの判定方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING BREAKDOWN PHENOMENA IN ULTRA-THIN DIELECTRIC
超薄膜誘電体のブレークダウン現象を利用した半導体メモリセルセル及びメモリアレイ - 特許庁 - A local memory 160 is an operation memory for performing image processing in a DSP.
ローカルメモリ１６０はＤＳＰにおいて画像処理を行うための作業用メモリである。 - 特許庁 - In a semiconductor memory device, the memory cell MC has a diode DI and a variable resistance element VR serially connected.
メモリセルＭＣは、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなる。 - 特許庁 - To provide a method for visually searching a memory module in a complicated memory system.
複雑なメモリ・システムにおいてメモリ・モジュールを視覚的に捜し出す方法を提供する。 - 特許庁 - To raise performance of a memory card by shortening writing processing time in the memory card.
メモリカードにおける書き込み処理時間を短縮し、該メモリカードの性能を向上させる。 - 特許庁 - Memory access requests are successively received in an input queue of a memory controller.
本発明では、メモリアクセスリクエストは、メモリコントローラの入力キューに連続的に受け取られる。 - 特許庁 - FAIL INFORMATION TAKE-IN DEVICE, TEST DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ANALYZING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY
フェイル情報取り込み装置、半導体メモリ試験装置及び半導体メモリ解析方法 - 特許庁 - Then, information necessary for the control of the peripheral devices is written in the memory 3 and the device memory.
メモリ３とディバイスメモリには、周辺ディバイスの制御に必要な情報が書き込まれる。 - 特許庁 - MEMORY CONTROLLER AND SMART CARD EQUIPPED WITH THE SAME, AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION OF READING DATA IN MEMORY
メモリコントローラとそれを備えるスマートカード、およびメモリのデータ読出し動作制御方法 - 特許庁 - PROCESSING SYSTEM FOR TEST AND COPY AGAINST REMOTE MEMORY IN DISTRIBUTED MEMORY-TYPE PARALLEL COMPUTER
分散メモリ型並列計算機におけるリモートメモリに対するテストアンドコピーの処理方式 - 特許庁 - A regular memory cell MC and a dummy cell DMC are arranged continuously in a memory array 10.
正規メモリセルＭＣおよびダミーセルＤＭＣは、メモリアレイ１０に連続的に配置される。 - 特許庁 - To provide an electronic controller in which the memory efficiency of a non-volatile memory is high.
不揮発性メモリにおけるメモリ効率の高い電子制御装置を提供すること。 - 特許庁 - Data are stored in a first nonvolatile memory 4A and a second nonvolatile memory 4B.
第１不揮発性メモリ４Ａと第２不揮発性メモリ４Ｂにはデータが格納されている。 - 特許庁 - A memory stick interface 66 reads a still picture stored in a memory stick 10.
メモリースティックインターフェース６６は、メモリースティック１０に記憶されている静止画像を読み出す。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory in which a memory cell having no margin can be detected easily.
マージンのないメモリセルを容易に検出できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - VIRTUAL MEMORY SYSTEM, METHOD FOR MANAGING ADDRESS IN VIRTUAL MEMORY, AND ADDRESS CONVERSION TABLE GENERATOR
仮想メモリ・システム、仮想メモリのアドレス管理方法、並びにアドレス変換テーブル生成装置 - 特許庁 - METHOD OF PROVIDING BLOCK STATE INFORMATION IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING FLASH MEMORY
フレッシュメモリを具備する半導体メモリ装置におけるブロック状態情報提供方法 - 特許庁 - To check a memory halfway in operation and to improve the reliability of a memory element.
動作の途中でメモリのチェックを行わせ、かつメモリ素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH INCORPORATES MEMORY CHIP AND LOGIC CHIP, AND IN WHICH TEST OF MEMORY CHIP CAN BE PERFORMED
メモリチップとロジックチップとを搭載し，メモリチップの試験を可能にした半導体装置 - 特許庁 - APPARATUS AND RELATED METHOD FOR CONTROLLING SWITCH MODULE IN MEMORY BY DETECTING OPERATION VOLTAGE OF MEMORY
メモリーの動作電圧に基づいてスイッチモジュールを制御する装置及び関連方法 - 特許庁
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