「In memory」を含む例文一覧(50000)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 999 1000 次へ＞- RECEIVER CIRCUIT, PARTS ARRANGED IN CIRCUIT FOR SWITCHING IN DRAM MEMORY
レシーバ回路、特にＤＲＡＭメモリにおけるスイッチのための回路配置物 - 特許庁 - In addition, the parameter set under application is stored in a parameter memory 9.
また、適用中のパラメータセットはパラメータメモリ９に記憶している。 - 特許庁 - To accelerate in the speed of serial input/output access in a semiconductor memory.
半導体記憶装置のシリアル入出力アクセスを高速化する。 - 特許庁 - The code data after compression are stored in a memory 6 in sequence.
この圧縮処理後の符号データはメモリ２６に順次記憶される。 - 特許庁 - The black image signal is stored in a line memory in the DSP 14.
ブラック画像信号をＤＳＰ１４内のラインメモリに格納する。 - 特許庁 - In this method, a portion of the border region is stored in a memory.
この方法では縁領域の一部分がメモリに格納される。 - 特許庁 - The data read in this case is temporarily stored in a memory 43.
このとき、読み出されたデータは、一時的にメモリ４３に記憶される。 - 特許庁 - The processed data obtained therein are stored in the memory means in step S7.
ステップＳ７では得られた加工データを記憶手段に記憶する。 - 特許庁 - In step 120, bird's-eye view transformation is stored in an image memory A.
ステップ１２０では、鳥瞰図変換を画像メモリＡに記憶する。 - 特許庁 - In a step 120, the bird's-eye view conversion is stored in an image memory A.
ステップ１２０では、鳥瞰図変換を画像メモリＡに記憶する。 - 特許庁 - In a data processing method, image frame data is stored in a first memory.
データ処理方法は、映像フレームデータを第１メモリに保存する。 - 特許庁 - Also, the arbitration control part 14 transfers the data from the main bus B1 to the buffer memory 13 in the case of writing data in the shared memory 13, and makes the shared memory write the data of the buffer memory 13.
また、調停制御部１４は、共有メモリ１３への書込時にはメインバスＢ１からバッファメモリ１３にデータを転送しバッファメモリ１３のデータを共有メモリに書き込ませる。 - 特許庁 - To enable performing refreshing of a first memory during accessing a second memory in a system in which the first memory requiring refreshing and the second memory requiring no refreshing share one part of a bus.
リフレッシュが必要な第１のメモリと、リフレッシュが不要な第２のメモリとがバスの一部を共有するシステムにおいて、第２のメモリアクセス中に第１のメモリのリフレッシュを実行可能にすること。 - 特許庁 - To provide a memory management method capable of lending and borrowing memory capacity between programs while preventing the shortage of memory capacity in a program in the side of lending the memory capacity.
メモリ容量を貸与する側のプログラムにおいてメモリ容量不足が生じないようにしつつ、プログラム間でメモリ容量を貸し借りすることのできるメモリ管理手法を提供する。 - 特許庁 - Address regions constituting respectively a binary mode memory cell in which one memory cell stores data of one bit and a multi-valued mode memory cell in which one memory cell stores multi-bit data are fixedly decided.
１つのメモリセルが１ビットのデータを記憶する２値モードメモリセルと１つのメモリセルが多ビットデータを記憶する多値モードメモリセルを、それぞれ構成するアドレス領域を固定的に定める。 - 特許庁 - A redundancy discriminating section 1200.0 stores previously a defective memory cell address in a regular memory cell array, and selects a redundancy memory cell instead of the regular memory cell in a normal operation mode.
冗長判定部１２００．０は、正規メモリセルアレイ中の不良メモリセルアドレスを予め記憶し、通常動作モードにおいて、正規メモリセルの代わりに冗長メモリセルを選択する。 - 特許庁 - A memory such as RAM(Random Access Memory) is built in a character string comparator circuit 2 and in this memory, a character string corresponding to the communication protocol class is stored while fixing an address for each communication protocol class.
文字列比較回路２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを内蔵し、このメモリには通信プロトコル種別に対応した文字列を、その通信プロトコル種別毎にアドレスを固定して記憶している。 - 特許庁 - To give stable characteristics to all memory cells included in a memory cell block, in a semiconductor device comprising a memory cell region including a plurality of memory cells.
本発明は複数のメモリセルを含むメモリセル領域を備える半導体装置に関し、メモリセルブロックに含まれる全てのメモリセルに安定した特性を付与することを目的とする。 - 特許庁 - In this nonvolatile semiconductor memory, a memory array which includes memory mats 10 to 60 is arranged into a U-shaped form and a logic circuit 92 and an analog circuit 91 are arranged in a space area where the memory array is not arranged.
メモリマット１０〜６０を含むメモリアレイをコの字型に配置し、メモリアレイが配置されていない空き領域にロジック回路９２およびアナログ回路９１を配置している。 - 特許庁 - To invert a data stored in a memory cell while correctly reading the data stored in each memory cell, even when a memory cell array is composed of a plurality of memory cells.
複数のメモリセルにてメモリセルアレイが構成される場合においても、個々のメモリセルに記憶されているデータの正確な読み出しを可能としつつ、メモリセルに記憶されているデータを反転する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device for easily using a multi-valued NAND flash memory(non-volatile memory in which a plurality of data can be recorded in one memory cell).
容易に多値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な不揮発性メモリ）を使用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - In the nonvolatile memory forming a memory cell in a memory cell forming area on a semiconductor substrate, in reading out a data from the memory cell, the potential of the memory cell forming area and the source potential of the memory cell are made positive to shift a threshold potential of the memory cell to a positive potential side.
本発明では、半導体基板上のメモリセル形成領域にメモリセルを形成した不揮発性メモリにおいて、前記メモリセルからのデータ読出し時に、前記メモリセル形成領域の電位と前記メモリセルのソース電位とを正電位とすることによって前記メモリセルの閾値電位を正電位側へシフトするように構成した。 - 特許庁 - The exclusive control is performed by making the memory card inserted in the end among two or more memory card slots into an effective memory card.
複数のメモリーカースロットのうち一番最後に挿入されたメモリーカードを有効なメモリーカードとして排他制御を行う。 - 特許庁 - A method to use the memory cell in a memory (10) and other devices and a particularly suited method to produce the memory are disclosed.
メモリ(10)や他のデバイスにおいてメモリセルを使用するための方法、及び、メモリセルの製作に特に適した方法が開示される。 - 特許庁 - An address specifying means specifies each of a predetermined number of memory addresses having a memory value stored in the memory means sequentially and repeatedly.
アドレス指定手段は、メモリ手段に各メモリ値が記憶されている所定個数の各メモリアドレスを順番に繰り返し指定する。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor memory device includes memory cell regions 1 and a backing region 2, sandwiched between the two memory cell regions 1 arranged in an X direction.
本発明は、裏打ち領域２と、Ｘ方向に並ぶ２つのメモリセル領域１に挟まれる裏打ち領域２を有する。 - 特許庁 - To set a plurality of parameters necessary for memory access between a memory and a memory controller according to an environment in a device.
メモリとメモリコントローラ間におけるメモリアクセスのために必要な複数のパラメータを、装置内の環境に合わせて設定する。 - 特許庁 - The unit judges whether a memory abnormality exists or not comparing user data stored in the user memory 14 and the backup memory 15 while cyclic execution.
サイクリック実行中にユーザメモリ１４とバックアップメモリ１５に格納されたユーザデータを比較し、メモリ異常の有無を判断する。 - 特許庁 - A usual access area corresponding to the field memory and a data temporary area corresponding to the line memory are arranged in a memory cell array 10.
メモリセルアレイ１０にフィールドメモリに相当する通常アクセス領域とラインメモリに相当するデータ一時保存領域を設ける。 - 特許庁 - The flash memory includes a plurality of memory cells, where each memory cell has a charge storage capacity for use in implementing digital storage.
本フラッシュメモリには、複数のメモリセルが含まれ、各メモリセルは、デジタル記憶の実現に用いるための電荷蓄積容量を有する。 - 特許庁 - In this non-stop maintenance system, data are copied from maintenance object memory boards 8-11 to a memory board 12 for maintenance and the maintenance of the memory boards of the maintenance object is executed.
保守対象メモリボードから保守用メモリボードへとデータを複写し、保守対象のメモリボードの保守を実行する。 - 特許庁 - In each of the programmable decoders, a column of a normal memory cell of one memory bank or a memory back group is replaced by a redundant column.
そしてプログラマブルデコーダの各々は、一つのメモリバンクまたはメモリバンクグループのノーマルメモリセルのカラムを冗長カラムで代替する。 - 特許庁 - To obtain the semiconductor memory, which can improve the miniturization of a memory cell without generating unbalance in the beta ratio of a memory cell.
メモリセルのβ比にアンバランスを生じることなくメモリセルの微細化を図ることができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory for detecting both errors in data of a memory and a memory address.
メモリのデータだけでなくメモリアドレスに誤りが発生した場合も誤りを検出可能とする半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Each block of the memory can receive not more than three synchronous memory requests in response to three different memory buses 1012-1014.
メモリの各ブロックは、３つの異なるメモリバス１０１２〜１０１４に応答して３つまでの同時メモリ要求を受信できる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory provided with a built-in test circuit permitting to replace a defective memory cell with a redundant memory cell.
不良メモリセルを冗長メモリセルで置換することが可能なビルトインテスト回路を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A processor core 5 of the PU 11 can use the built-in memory 1 as both of a main memory and a cache memory according to the address data.
ＰＵ１１のプロセッサコア５は、アドレスデータにより、内蔵メモリ１を主メモリとしても、キャッシュメモリとしても利用することができる。 - 特許庁 - In the memory stack, a memory space which can be arbitrarily processed can be optimally utilized without the occurrence of gaps of the memory area.
この記憶スタックでは、任意に処理可能な記憶空間が、記憶領域の空きの発生なしに最適に利用され得る。 - 特許庁 - The external memory controller (48a) reads data from the external memory (34a) connected to the connector (46a), and stores the data in a buffer memory (50a).
外部メモリコントローラ（４８ａ）は、コネクタ（４６ａ）に接続する外部メモリ（３４ａ）からデータを読み出し、バッファメモリ（５０ａ）に格納する。 - 特許庁 - To provide a memory control circuit, in which continuous access to a plurality of memory chips can be performed without consciousness of switching of memory chips.
メモリチップの切り替えを意識せずに、複数のメモリチップに連続してアクセスすることができるメモリ制御回路を提供する。 - 特許庁 - The data memory part 14 receives an input of data from the temporary memory part 17 in response to the setting for the memory data switching part 15, and stores.
データ記憶部１４は記憶データ切り替え部の設定に応じて一時記憶部１７から、データを入力し記憶を行う。 - 特許庁 - Then, after finishing data writing in the mirror memory, update data are written to a nonvolatile memory from the mirror memory (S230).
そして、ミラーメモリへのデータ書込み終了後、該ミラーメモリから不揮発性メモリへの更新データの書込みが行われる（Ｓ２３０）。 - 特許庁 - Flush ROMs, constituted of a memory cell having the substantially same structure as a memory cell for a flash memory, are formed in respective chips of a wafer.
フラッシュメモリのメモリセルとほぼ同じ構造のメモリセルによって構成されるフラッシュＲＯＭをウエハの各チップに形成する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile memory in which the volume of data recorded per memory cell of a nonvolatile semiconductor memory can be enhanced.
不揮発性半導体メモリのメモリセル当たりの記録データ量を向上させることができる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a SDRAM that enables combined use of memory modules having different structure in a memory system and the memory system comprising this.
メモリシステムにおいて相異なる構造を有するメモリモジュールを混用可能にするSDRAM及びこれを備えるメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - The memory capacity certificate is issued by a certificate issue device based on memory quality data stored in the respective memory chips.
記憶容量証明書は、各メモリチップに格納されたメモリ品質データに基づいて、証明書発行装置により発行される。 - 特許庁 - To provide a memory system in which bus efficiency is improved, a semiconductor memory unit and a refresh method for the semiconductor memory unit.
バス効率を向上させるメモリシステム及び半導体メモリ装置と該半導体メモリ装置のリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a self-restoration memory in which correction of hard-error can be performed and an additional memory module for a spare memory is not required.
ハードエラーの訂正が可能で、かつスペアメモリのために追加のメモリモジュールを必要としない自己回復メモリを提供すること。 - 特許庁 - To provide a memory device, a refresh method thereof, and a memory system which prevents poor refresh in a common memory bank.
共有メモリバンクでのリフレッシュ不足を防止することのできるメモリ装置及びそのリフレッシュ方法並びにメモリシステムを提供する。 - 特許庁 - During the data recording to the memory card 28b, the user displaces the memory card in the first slot 25 with another memory card with a free space.
このメモリカード２８ｂへのデータ記録中に、ユーザーは第１スロット２６のメモリカードを空き容量のあるものと交換する。 - 特許庁
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