「N layer」を含む例文一覧(6825)
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そして、透明導電層１４をｎ型酸化亜鉛によって形成した場合には、ＩＴＯによって形成した場合と比較して、紫外線を透過させにくく、ひいては半導体薄膜５が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにすることができる。 - 特許庁 - A surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc. are sequentially formed, thereafter they are patterned by dry etching, and contact holes for connecting the n+ type source regions 4 to a source electrode are formed simultaneously with the patterning of the gate electrode 7.
さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁 - An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.
窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁 - By using an oxide semiconductor layer having such a structure, a change to an N-type caused by re-entry of moisture or elimination of oxygen to or from the superficial portion and generation of a parasitic channel can be prevented and a contact resistance with source and drain electrodes can be reduced.
この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるＮ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 - 特許庁 - In the cross section in the tread width direction section area, a fold back height XN parallel with a tire equator line CL from an inside end part X of a bead core 12 to a fold back end N of a carcass layer 20 where the bead core 12 is folded back is 35-65% for a tire height SH.
また、トレッド幅方向断面において、ビードコア１２の内側端部Ｘから、ビードコア１２を折り返したカーカス層２０の折返端Ｎまでタイヤ赤道線ＣＬと平行な折り返し高さＸＮは、タイヤ高さＳＨに対して３５〜６５％である。 - 特許庁 - In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10.
これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。 - 特許庁 - An extension part 18a of the gate electrode covers a part of gate insulating film 17b on the second element region 15, and is connected to the n+ diffusion layer 16 on the second element region 15 through an opening 17c provided to the gate insulating film 17b.
ゲート電極の延出部１８ａは、第２の素子領域１５上のゲート絶縁膜１７ｂの一部を被覆しており、ゲート絶縁膜１７ｂに備えられた開口部１７ｃを通じて、第２の素子領域１５上のｎ＋拡散層１６に接続されている。 - 特許庁 - The gas barrier film is constituted by forming a resin composition layer, which is composed of an acrylic resin containing 50 wt.% or above of N-methylolacrylamides, a water soluble polymer, an inorganic laminar compound and an acid catalyst, at least on one side of a thermoplastic resin base material.
Ｎ−メチロールアクリルアミド類を５０重量％以上含んでなるアクリル系樹脂と水溶性高分子と無機系層状化合物と酸触媒からなる樹脂組成物層を熱可塑性樹脂基材の少なくとも片面上に形成したガスバリアフィルムに関する。 - 特許庁 - The semiconductor layer 22 has low concentration impurity regions (LDD regions 31 and 32), in which only n-type impurity ion is doped, formed between the source region 35 and the channel region 30 and between the drain region 36 and the channel region 30 respectively.
半導体層２２は、ソース領域３５とチャネル領域３０と、及び、ドレイン領域３６とチャネル領域３０と、の間にそれぞれ形成されてｎ型不純物イオンのみドープされた低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域３１，３２）を備えている。 - 特許庁 - The field-effect transistor includes: a channel layer 16 formed of an oxide thin film having a carrier concentration (n) (cm^-3) of >10^18 to <10^20 and a film thickness (t) (nm) of ≥1 to <30; and a gate insulating film formed of a dielectric material having a relative permittivity of 2 to 9.
電子キャリア密度ｎ（ｃｍ^−３）が１０^１８＜ｎ＜１０^２０であり、かつ、膜厚ｔ（ｎｍ）が１≦ｔ＜３０の酸化物薄膜からなるチャンネル層と、 比誘電率が２〜９の誘電体材料からなるゲート絶縁膜と、を有する電界効果型トランジスタ。 - 特許庁 - Then, if it is defined that the width of a part arranged in the outside of the groove 5 from between the gate extraction electrode 8 and the resistivity of an n^- type single-crystal silicon layer 1B are CHSP and ρ (Ω cm), respectively, the CHSP is set to satisfy the relation: CHSP≤3.80+0.148ρ.
その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁 - A frame-like trench-type insulation region 4 is formed into an n-type silicon layer 3 of a SOI substrate, and linear trench-type insulation regions 6 are formed inside the frame-like trench-type insulation region 4, forming semiconductor regions 5 into the shape of a bent pattern.
ＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３には枠状トレンチ溝型絶縁領域４を設けると共に、枠状トレンチ溝型絶縁領域４の内側に線状トレンチ溝型絶縁領域６を設け、屈曲型パターン形状をなす半導体領域５を形成する。 - 特許庁 - A length of a JFET region 10 which is sandwiched by a pair of p-wells 15 of an n-type semiconductor layer 16, that is, an interval Ld between the p-wells 15 of the pair is set to be equal to or smaller than 3 μm, preferably equal to or larger than 0.8 μm and equal to or smaller than 3 μm.
ｎ型半導体層１６の一対のｐウエル１５に挟まれる領域であるＪＦＥＴ領域１０の長さ、すなわち一対のｐウエル１５間の間隔Ｌｄを３μｍ以下、好ましくは０．８μｍ以上３μｍ以下とする。 - 特許庁 - In the imaging semiconductor device, an image cell is formed on the surface of a semiconductor layer 53, and the image cell is provided with a photodiode PD constituted of an n-type region 54 and a p-type region 55, and a second transistor for amplifying photodetection signals output from the photodiode PD.
半導体層５３の表面に画像セルが形成され、画像セルはＮ型領域５４及びＰ型領域５５により構成されたフォト・ダイオードＰＤと、フォト・ダイオードＰＤから出力される光検出信号を増幅する第２トランジスタを有している。 - 特許庁 - The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including a process of silver complex salt diffusion transfer development), and then treating with a treating liquid containing a pyridine-N-oxide compound having a mercapto group in the molecule.
ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、分子中にメルカプト基を有するピリジン−Ｎ−オキシド化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁 - The N type layer 5 is formed by irradiating protons on an entire major surface 153 of the silicon substrate, for example, with an acceleration energy of 5MeV and a doze amount of 5×1012 cm2 and then by subjecting the substrate to heat treatment with a temperature of, e.g. 350°C.
Ｎ型層５は、シリコン基板の主面１Ｓ３の全面に対して、例えば４．５ＭｅＶの加速エネルギー及び５×１０^12ｃｍ^-2のドーズ量で以てプロトンが照射された後に、シリコン基板に例えば３５０°Ｃの温度で熱処理を施すことにより形成される。 - 特許庁 - In this optical semiconductor element, a light emitting layer 22 having a p-n junction is formed on the upper surface 25 of a transparent substrate 21 having translucency to a light emitting wavelength, and upper- and lower-surface electrodes 23 and 24 are respectively formed on the upper and lower surfaces 25 and 26 of the substrate 21.
発光波長に対して透光性を有する透明基板２１の上面にｐｎ接合を有する発光層２２を形成し、透明基板２１の上面２５および下面２６に上面電極２３および下面電極２４をそれぞれ形成している。 - 特許庁 - The coated film has a coating layer of a urethane resin containing a xylylene group and/or hydrogenated xylylene group and of a thickness of 0.01 to 0.50 μm laminated on a substrate of a polymeric resin composition, and has a laminate strength of not less than 2 N/15 mm.
高分子樹脂組成物からなる基材の上にキシリレン基及び／または水添キシリレン基含有ウレタン樹脂からなり、かつ厚みが０．０１〜０．５０μｍである被覆層を積層し、かつラミネート強度が２Ｎ／１５ｍｍ以上であることを特徴とする被覆フィルム。 - 特許庁 - The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.
分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁 - A resin is impregnated in a base paper composed of a pulp containing softwood pulp (N pulp) and hardwood pulp (L pulp) at a mass ratio of 5/5 to 7/3 and having a beating degree of 25-40°SR measured by a Schopper freeness tester, and a heat sealing agent layer is formed on one surface of the impregnated base paper.
針葉樹パルプ（Ｎ材）と広葉樹パルプ（Ｌ材）との比率が質量比で５／５〜７／３で、ショッパーフリーネスでの叩解度が２５〜４０°ＳＲであるパルプからなる原紙に樹脂を含浸し、その一方にヒートシール剤層を形成してなることを特徴とする。 - 特許庁 - An n-clad layer is composed of an upper surface part 64a having (0001) surface, a slope part 64b having a slope of (11-22) surface, and a flat part 64c extending along (11-20) surface from the lower end of the tilted part, with a ridge structure embedded.
ｎ−クラッド層は、（０００１）面を有する上面部６４ａと、（１１−２２）面の傾斜面を有する傾斜面部６４ｂと、傾斜部の下端から（１１−２０）面に沿って延びる平坦部６４ｃとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。 - 特許庁 - The image recording material comprises a support including a paper sheet and polymer coating layers on both surfaces of the paper and at least an image recording layer on the support, wherein the image recording material exhibits an MD compressive strength of 3.5 to 5.5 N/m according to ISO 9895.
紙と該紙の両面にポリマー被覆層とを有する支持体と、該支持体上に少なくとも画像記録層とを有してなり、画像記録材料におけるＩＳＯ ９８９５に基づくＭＤ方向の圧縮強度が、３．５〜５．５Ｎ／ｍである画像記録材料である。 - 特許庁 - By such a connection, a gate insulating film 8 can be prevented from being broken due to the charge-up of the n-channel MISFET in the logical section, and all channels on the upper layer formed in the following steps can be used for wiring in the cell or between the cells.
この接続により、論理部のｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャージアップによるゲート絶縁膜８の破壊を防ぐことができ、さらに後の工程において形成される上層の配線のチャネルを全てセル内またはセル間の配線に用いることができる。 - 特許庁 - For example, in a unit sell 6_11 of a MOS sensor, there are provided an n conductivity type charge storage 24 becoming a photodiode, and a p-conductivity well region 25 of a scanning transistor on the surface of a p-conductivity epitaxial layer 21a on a p-conductivity silicon substrate 21.
たとえば、ＭＯＳセンサの単位セル６_11は、Ｐ導電型シリコン基板２１上のＰ導電型エピタキシャル層２１ａの表面に、フォトダイオードとなるＮ導電型の電荷蓄積部２４、および、走査トランジスタ部のＰ導電型ウェル領域２５が設けられている。 - 特許庁 - To achieve both the reduction of the write core width and the acquisition of a high S/N ratio by suppressing both a particle diameter variation and crystal orientation variation in a perpendicular magnetic recording medium having a recording layer wherein magnetic crystal particles are separated from one another by a gap in an in-plane direction.
磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、粒径分散と結晶配向分散の双方を抑制し、高いＳ／Ｎｔと狭ライトコア幅を実現する。 - 特許庁 - In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.
該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁 - A semiconductor structure made on the growth substrate includes a light emitting layer formed between a n-type region and a p-type region, and is attached to a carrier with coupling portions which support the semiconductor structure certainly in order to make the removing of the growth substrate possible.
成長基板上に形成され、かつｎ型領域とｐ型領域の間に配置された発光層を含む半導体構造が、成長基板の除去を可能にするように、半導体構造を十分に支持する結合部によってキャリアに取付けられる。 - 特許庁 - In a lateral bipolar transistor where a collector region and an emitter region are juxtaposed above a base region, the collector region and the emitter region are formed by diffusing P type or N type impurities contained in a silicon germanium layer in the base region.
本発明では、ベース領域の上部にコレクタ領域とエミッタ領域とを並設してなる横型バイポーラトランジスタにおいて、コレクタ領域及びエミッタ領域は、シリコンゲルマニウムに含有させたＰ型又はＮ型の不純物をベース領域内で拡散させて形成した。 - 特許庁 - To provide a photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency, and its manufacturing method, by constituting a photoelectric conversion layer where p-type and n-type organic semiconductor substances unnecessary for solvent are mixed uniformly in a sate of fine particles.
溶媒に不要なｐ型、ｎ型の有機半導体物質が、微粒子の状態で均一に混合された光電変換層を構成して光電変換効率が高い光電変換素子を提供すること、及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - In this case, when the width of a part in the gate lead out electrode 8, which is arranged outside the groove 5, is shown by CHSP and the resistivity of an n-type single crystal silicon layer 1B is shown by ρ(Ω cm), the width CHSP is set so as to be CHSP≤3.80+0.148ρ.
その際、ゲート引き出し電極８のうち溝５の外部に配置された部分の幅をＣＨＳＰとし、ｎ^−型単結晶シリコン層１Ｂの抵抗率をρ（Ω・ｃｍ）とすると、ＣＨＳＰ≦３．８０＋０．１４８ρとなるようにそのＣＨＳＰを設定する。 - 特許庁 - Rod elements 11 and 12 composed of an n-type thermoelectric conductor and a p-type thermoelectric conductor are arranged and fixed regularly, with an insulating layer 30 in between and end surfaces of the rod type elements 11 and 12 are exposed respectively to form two wiring surfaces 40a and 40b.
ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体からなる複数の棒状素子１１、１２を絶縁層３０を介して規則的に配置して固定し、各棒状素子１１、１２の端面をそれぞれ露出させて二面の配線面４０ａ、４０ｂを作る。 - 特許庁 - When the laminate body of a magnetic pole 1b is an N pole, since the surfaces of auxiliary magnetic poles 2 and 3 and a base part 1a are completely covered with a diamagnetic body layer 6, an S pole is not present substantially on the surface of the magneto-optical recording magnetic head.
磁極１ｂの積層体がＮ極であるとした場合、補助磁極２及び３並びに基部１ａの表面は反磁性体層６により完全に覆われているので、Ｓ極は光磁気記録用磁気ヘッドの表面には実質的に存在しないことになる。 - 特許庁 - A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.
第３薄膜トランジスタは、第ｎ＋１ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第２サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁 - The heat sensitive recording material is characterized by having a heat sensitive color developing layer containing a leuco dye as a color producing substance, 2,4'-dihydroxy diphenyl sulfone and/or 4,4'-dihydroxy diphenyl sulfone as a color developing substance and N-benzyl-p-toluenesulfonamide as a sensitizer.
発色物質としてロイコ染料、顕色物質として２,４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン及び／又は４,４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン、増感剤としてＮ−ベンジル−ｐ−トルエンスルホンアミドを含有する感熱発色層を有することを特徴とする感熱記録材料。 - 特許庁 - The polyimide film is produced from a polyamic acid obtained by reacting an aromatic diamine with an aromatic tetracarboxylic acid and has a surface of 270-450 N/m Martens' hardness, and the metallized film is obtained by laminating a metallic layer on the polyimide film.
芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸類との反応によって得られるポリアミド酸から製造されるポリイミドフィルムであって、その表面が、マルテンス硬度で２７０〜４５０Ｎ／ｍであるポリイミドフィルム、および該フィルムに金属層を積層した金属化フィルム。 - 特許庁 - The film has at least 0.6 N/15 mm of a T-peel strength when a cellophane pressure-sensitive adhesive tape having a rubber-based pressure- sensitive adhesive layer is stuck on the film and is then peeled off the film at the speed of 300±30 mm/min by using a tensile testing machine.
ゴム系粘着剤層を有するセロハン粘着テープを該フィルムに貼着し、引張試験機を用いて同テープをフィルムから速度３００±３０ｍｍ／ｍｉｎで引き剥がしたときのＴ形剥離強度が０．６Ｎ／１５ｍｍ以上であるフィルムである。 - 特許庁 - Then, a p-type diffusion region 4a is formed on the surface of the n-type semiconductor layer 2 at least on the side of the gate region 3 of the drain region 4 and a drain electrode 7 is formed, so as to be connected to the p-type diffusion region 4a.
そして、ドレイン領域４の少なくともゲート領域３側におけるｎ形半導体層２の表面にｐ形の拡散領域４ａが形成され、そのｐ形拡散領域４ａに接続されるようにドレイン電極７が形成されている。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.
このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁 - After van SiO2 film containing N-type impurity P is formed on the surface of a P-type silicon substrate 14, the P-type silicon substrate 14 is heated so that the P in the SiO2 film is diffused in the surface layer of the P-type silicon substrate 14 without generating PN junction.
Ｐ型シリコン基板14の表面に、Ｎ型不純物Ｐを含んだＳｉＯ_２膜を形成した後、Ｐ型シリコン基板14を加熱して、上記ＳｉＯ_２膜中のＰを、ＰＮ接合を生成することなく、Ｐ型シリコン基板14の表面層中に拡散させる。 - 特許庁 - By performing high-temperature heat treatment of about 1,100°C or above, an n-type impurity solid phase diffusion region 11 is formed by diffusing Si, and the window region 12 is selectively formed in the active layer 4 of the vicinity region of a planned part 14 for forming a laser end surface.
約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。 - 特許庁 - In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.
ｐ型の半導体層１０１には、チャネル領域１０８の中央部に、左右のｎ型の拡散領域１０６，１０７とは異なるｐ型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域１０９が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁 - In an IGBT having a drain electrode 10 made of a heavy metal and a source electrode 28, a lattice defect region 32 for promoting the recombination of carriers and shortening a turn-off time is formed in an (n) drift region of an (n) epitaxial layer 14 formed on a substrate 12 by applying ions at an amount of 1.0×1011/cm2 or less through the drain electrode 10.
重金属で構成されたドレイン電極１０及びソース電極２８を備えるＩＧＢＴにおいて、基板１２上に形成されたｎエピタキシャル層１４のｎドリフト領域にキャリアの再結合を促しターンオフ時間を短縮化させる格子欠陥領域３２を形成する際に、１．０×１０^11／ｃｍ^2以下の照射量でドレイン電極１０を介してイオンを照射して格子欠陥領域３２を形成する。 - 特許庁 - When bit depth conversion predictive encoding is selected in intra-encoding, a bit depth conversion predictive encoding unit 60 performs bit depth conversion processing on an N-bit image signal for a designated encoding unit to convert the image signal to a low bit depth image of N-Δ bits, performs encoding/decoding processing on the lower layer signal, and performs inverse bit depth conversion processing on the decoded image.
イントラ符号化で、ビット深度変換予測符号化が選択された場合、ビット深度変換予測符号化部６０は、指定された符号化ユニットに対して、Ｎビットの画像信号に対してビット深度変換処理を行うことでＮ−Δビットの低ビット深度画像に変換し、該下位階層信号に対して、符号化・復号処理を行い、その復号画像に対して、逆ビット深度変換処理を行う。 - 特許庁 - Blue pixels 20B1 and 20B2 have an N type imaging charge accumulation layer 52 for accumulating charge to be the imaging signal by mainly photoelectrically converting the blue wavelength component of the incident light, and N type focus detection charge accumulation layers 53 and 54 for accumulating charge to be a focus detection signal by mainly photoelectrically converting the wavelength component other than the blue wavelength component of the incident light.
青色の画素２０Ｂ１，２０Ｂ２は、入射光の青色波長成分を主として光電変換して撮像用信号となるべき電荷を蓄積するＮ型の撮像用電荷蓄積層５２と、入射光の青色波長成分以外の波長成分を主として光電変換して焦点検出用信号となるべき電荷を蓄積するＮ型の焦点検出用電荷蓄積層５３，５４とを有する。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.
半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁 - The pigment-dispersed composition for the color filter containing the pigment, a coupling agent, an acrylic copolymer having N,N-di-substitution amino group and acidic group and a solvent, the pigment-dispersed resist for the color filter containing the pigment-dispersed composition for the color filter and the color filter having a cured-film layer of the pigment dispersing resist for the color filter on a substrate, are provided.
顔料、カップリング剤、主鎖または側鎖にＮ，Ｎ−ジ置換アミノ基および酸性基を含有するアクリル系共重合体、および溶剤を含有するカラーフィルター用顔料分散組成物、ならびに、該カラーフィルター用顔料分散組成物を含有するカラーフィルター用顔料分散レジストを提供し、さらには、基板上に該カラーフイルター用顔料分散レジストの硬化塗膜層を有するカラーフィルターを提供する。 - 特許庁 - The vertical IGBT 10 includes a p-type collector region 21 provided on a rear layer part of a semiconductor substrate 20 and electrically connected with a collector electrode, an n-type emitter region 26 provided on a front layer part of the substrate 20 and electrically connected with an emitter electrode, and an insulative insulation wall 36 provided around an element part.
縦型ＩＧＢＴ１０は、半導体基板２０の裏層部に設けられているとともにコレクタ電極に電気的に接続されているｐ型のコレクタ領域２１と、半導体基板２０の表層部に設けられているとともにエミッタ電極に電気的に接続されているｎ型のエミッタ領域２６と、素子部の周縁に設けられている絶縁体の絶縁壁３６を備えている。 - 特許庁 - The wiring board 5 provided with an insulating base material 6 and a conductor pattern 7 formed on the insulating base material 6 has a heat dissipation layer 8 for covering one or whole part of the surface where conductor pattern 7 is formed and the heat dissipation layer 8 contains N-type semiconductor particles of 5.0 vol% or more.
この目的を達成する為本発明は、絶縁基材６と、この絶縁基材６上に形成された導体パターン７とを備えた配線基板５において、この配線基板５は、導体パターン７が形成された面の一部または全部を被覆する熱放射層８を有し、この熱放射層８は、５．０ｖｏｌ％以上のＮ型半導体粒子を含有するものとした。 - 特許庁 - This easily tearable biaxially stretched polyester film is composed of both outer layers being molecular oriented layers and an inner layer being a substantially non-molecular oriented layer and characterized in that an edge tear resistance value is 70 N or below, the three-dimensional average roughness of at least one side of the film is 20 nm or above and the surface glossiness of the film is 150% or more.
両外層が分子配向を有している層であり、内層が実質的に分子配向がない層である積層フィルムに於いて、端裂抵抗値が７０Ｎ以下であり、且つ少なくとも片方の表面の三次元平均粗さが２０ｎｍ以上であり、且つ表面光沢度が１５０％以上であることを特徴とする巻き品質に優れた易引き裂き性２軸延伸ポリエステルフィルム。 - 特許庁 - The rectifier element 10 can selects a state where the difference in potential between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 changes to apply a current between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4 and a state where the n^- semiconductor layer 2 surrounded by the p-type semiconductor layers 5a, 5b is made into a depletion layer to disconnect a current path between the Shottky electrode 3 and the cathode electrode 4.
ショットキー電極３とカソード電極４との電位差が変化することにより、ショットキー電極３とカソード電極４との間に電流を流す状態と、ｐ型半導体層５ａ，５ｂに囲まれるｎ^-半導体層２を空乏層化させてショットキー電極３とカソード電極４との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能である。 - 特許庁
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