「Patterned」を含む例文一覧(3853)

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  • A method of forming the patterned thin film comprises a first process of forming a frame 6 provided with undercuts located near its bottom on an electrode film 2, and a second process of forming the patterned thin film 7 by carrying out a plating operation by the use of the frame 6.
    パターン化薄膜形成方法は、電極膜2の上に、底部近傍においてアンダーカットの入った形状のフレーム6を形成する工程と、このフレーム6を用いてめっきを行って、パターン化薄膜7を形成するめっき工程とを備えている。 - 特許庁
  • The semiconductor device is constituted by thermocompression bonding of a semiconductor element and an attachment body through a patterned film-like photosensitive adhesive, and the moisture content of the patterned film-like photosensitive adhesive immediately before the thermocompression bonding is ≤1.0 wt.%.
    半導体素子と被着体とが、パターン化されたフィルム状感光性接着剤を介して熱圧着されてなる半導体装置であって、パターン化されたフィルム状感光性接着剤の熱圧着直前の水分量が1.0重量%以下である半導体装置。 - 特許庁
  • Then, the polycrystalline silicon film is patterned and a capacitative upper electrode 16a can be formed, and the silicon oxide film is patterned, forming a capacitative dielectric film 15a in a larger shape than that of the capacitative upper electrode 16a on the capacitative upper electrode 16a.
    そして、多結晶シリコン膜をパターニングして容量上部電極16aを形成した後、シリコン酸化膜をパターニングして、容量上部電極16aの下に容量上部電極16aよりも大きい形状の容量誘電体膜15aを形成する。 - 特許庁
  • A coating feed mechanism 9 has a coating feed roller 9 for feeding the coating 8 only to a convex part 14 of the irregular pattern of the patterned belt 6 and a coating feed spray 20 for feeding the coating 8 to the whole irregular pattern of the patterned belt 6.
    塗料供給機構9は、模様付ベルト6の凹凸模様の凸部14のみに塗料8を供給する塗料供給ローラ19と、模様付ベルト6の凹凸模様の全体に塗料8を供給する塗料供給スプレー20とを有する。 - 特許庁
  • To provide a water soluble resin mixture which is suitable as a material of a separate layer arranged between adjacent resist layers in a patterned resist layer formed by using a plurality of laminated resist layers and a method for forming the patterned resist layer which uses the same.
    積層された複数のレジスト層を用いて形成されるパターン化レジスト層において、隣接するレジスト層間に配置される分離層の材料として適した水溶性樹脂混合物、およびこれを用いたパターン化レジスト層形成方法を提供する。 - 特許庁
  • Next, after a protective film is stacked and patterned to form a contact hole for exposing the drain electrode, an IZO is laminated on the protective film and patterned using the etchant having been used for the etching of the gate line and the data line, and thus a pixel electrode to be linked with the drain electrode is formed.
    次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極を露出する接触孔を形成した後、保護膜の上部にIZOを積層し、ゲート線及びデータ線をエッチングした液でパターニングしてドレーン電極と連結される画素電極を形成する。 - 特許庁
  • During a third exposure time, the second substrate set is patterned by the first reticle and the second substrate set is exchanged for a third substrate set; then during the third exposure time, the third substrate set is patterned by the first reticle and the first reticle is exchanged for the second reticle.
    第3露光期間中、第2の基板セットを第1のレチクルによりパターニングし、第2の基板セットを第3の基板セットと交換し、第3露光期間中、第3の基板セットを第1のレチクルによりパターニングし、第1のレチクルを第2のレチクルと交換する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a laminate having a patterned metal film excellent in adhesion and in insulation properties between patterned metal films capable of easily performing plasma etching treatment of a plated layer.
    本発明は、被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができる共に、密着性に優れたパターン状金属膜を有し、パターン状金属膜間の絶縁性に優れるパターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • By the annealing, an adhesive nanotube thin film is formed over the patterned regions, while the nanotubes deposited on the non-patterned regions are easily removed, for example, by blowing, rubbing, brushing or ultrasonication in a solvent such as methanol.
    アニーリングにより、パターン形成された領域上には固着性のナノチューブ薄膜が形成され、一方非パターン形成領域上に堆積させたナノチューブは、たとえば吹き込み研磨、ブラッシング又はメタノールのような溶媒中での超音波照射により、容易に除去される。 - 特許庁
  • A method of forming the structure having the improved adhesiveness includes a process wherein the patterned conductive metal layer is thermally exposed to an organic metal precursor, and at least the adhesive layer is deposited on the surface of the patterned conductive metal layer.
    改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a patterned medium type magnetic recording medium which maintains initial magnetic characteristics of an unprocessed magnetic recording medium when a concavo-convex pattern is formed on a surface of the magnetic recording medium to form the patterned medium type magnetic recording medium.
    磁気記録媒体の表面に凹凸パターンを形成してパターンドメディア型磁気記録媒体を製造する際に、加工前の磁気記録媒体の初期磁気特性を低下させずに維持するパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • When forming a patterned gate layer 140a in a memory region 1000 in advance prior to forming the insulation layer 270 on the entire surface of a semiconductor substrate, a patterned gate layer 140c which will become a dummy circuit is formed in the periphery of the chip 900.
    半導体基板上に全面的に絶縁層270を形成する前に、予め、メモリ領域1000にパターニングされたゲート層140aを形成する際に、チップ900の外周部に、同様に、ダミー回路となる、パターニングされたゲート層140cを形成する。 - 特許庁
  • A double-sided metal-clad plate formed by forming each metal layer on both surfaces of a resin film is used, the metal layer on one side of this double-sided metal-clad plate is patterned and the resin film in the interior of the metal-clad plate is wet-etched using the patterned metal layer as a mask.
    樹脂膜の両面に金属層を形成した両面金属張り板を用い、この両面金属張り板の片面の金属層をパターン加工し、パターン加工した金属層をマスクに用いて両面金属張り板内部の樹脂膜をウエットエッチングする。 - 特許庁
  • In another embodiment, the present invention performs O_2 plasma pretreatment prior to halogen-free amorphous carbon etching to form an oxidized silicon region on a patterned photoresist layer to increase the selectivity of amorphous carbon etching relative to a patterned photoresist layer containing unoxidized silicon.
    他の実施形態において、本発明は、ハロゲンフリーのアモルファスカーボンエッチングの前に、O_2プラズマ前処理を用いて、パターン化フォトレジスト層に酸化ケイ素領域を形成して、未酸化ケイ素を含有するパターン化フォトレジスト層に対するアモルファスカーボンエッチングの選択性を増大する。 - 特許庁
  • To provide a mask for patterning a thin film by which the thin film can be patterned without damaging an organic polymer film formed on a substrate, in the mask for patterning the thin film used when the thin film is patterned on the substrate on which the organic polymer layer is formed.
    有機高分子層を形成した基板上に薄膜をパターン形成する際に使用する薄膜パターン化用マスクにおいて、基板上に形成された有機高分子膜にキズをつけることなく、薄膜のパターン化が可能な薄膜パターン化用マスクを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method and an apparatus for accurately determining the location on a patterned substrate from which a measurement of an image of the pattern is being obtained.
    パターンの画像を測定しているパターン付き基板上の位置を正確に決定する方法および装置を提供することである。 - 特許庁
  • After that, a resistance element is patterned by dry etching treatment, a cover insulating film 4 is formed, and a contact is opened by a similar technique.
    その後、ドライエッチング処理により抵抗素子をパターニングし、カバー絶縁膜4を成膜し前述同様の手法にてコンタクトを開口する。 - 特許庁
  • The shape like this is provided by, for example, an additive method by which the substrate 20 is patterned with a photoresist, with its recess applied with plating.
    このような形状は、例えば基板20上でフォトレジストをパターニングし、その凹部にめっきを施す、アディティブ法によって得られる。 - 特許庁
  • The laminated layer SL is patterned to have a shape of flat surface corresponding to the shape of flat surface of the first side wall film 201.
    第1の側壁膜201の平面形状に対応する平面形状を有するように、積層された層SLがパターニングされる。 - 特許庁
  • To form a fine pattern eliminating a residue of a resist layer when imprinting by a nanoimprint device and to manufacture a bit patterned medium of a high density.
    ナノインプリント装置におけるインプリント時のレジスト層の残渣を無くして、微細なパターンの形成、高密度なビットパターンド媒体を製作する。 - 特許庁
  • To provide a photosensitive resin composition which has high sensitivity and can be patterned without scum, and a semiconductor device and a display component using the same.
    高感度で、スカムが無くパターニングできる感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置及び表示素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a formation method of a double-layer patterned coat which can simply form an identical design to the one by a "Tsugaru" lacquering technique as a traditional technical art.
    伝統工芸である津軽塗りと同様のデザインを簡便に形成できる複層模様塗膜形成方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a system, a method, and a device for shape designed islands of exchange spring or exchange coupling composite bit patterned media.
    交換スプリングまたは交換結合複合ビットパターン化媒体の形状設計されたアイランド用のシステム、方法および装置を提供する。 - 特許庁
  • Moreover, the apparatus has a substrate support supporting a substrate and a projection system for projecting the patterned beam onto the target portion of the substrate.
    該装置はまた、基板を支持する基板支持と、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムを配備する。 - 特許庁
  • A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.
    次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層40に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁
  • POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERNED CURED FILM USING THE SAME, AND ELECTRONIC PART AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    ポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法 - 特許庁
  • In the relation (1), ΔE_1=|E(G)-E(S)|, wherein E(G) is the color value of the ground coating film and E(S) is the color value of the island-like patterned coating film, is defined.
    10≦ΔE≦40・・・・・・・・・(1)式ここで、ΔE_1=|E(G)—E(S)| E(G):グランド塗膜の色値 E(S):島状模様塗膜の色値 - 特許庁
  • To provide a magnetic recording medium capable of controlling the recording/reproducing timing of a magnetic head with respect to a bit carrier of a bit-patterned medium.
    ビットパターンドメディアのビット担体に対して磁気ヘッドの記録・再生タイミングを制御することが可能な磁気記録装置を提供する。 - 特許庁
  • To improve reliability in the separation process of a layer to be patterned like a wiring layer in a method for manufacturing a semiconductor device.
    半導体装置の製造方法において、配線層のような被パターニング層の分離工程における信頼性の向上を図る。 - 特許庁
  • A gate layer is formed on a semiconductor substrate, and it is patterned, and then a metallic layer is formed on the upper part of produced matter.
    半導体基板の上部にゲート層を形成してそのゲート層をパタニングした後、生成物の上部に金属層を形成する。 - 特許庁
  • The hard mask film and buffer insulating film are patterned continuously for forming an opening for exposing a specific region on the semiconductor substrate.
    ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を連続してパターニングして半導体基板の所定の領域を露出させる開口部を形成する。 - 特許庁
  • The SiON layer and the mask layer are patterned to form an opening, exposing a substrate region on which a shallow trench isolation region is formed.
    SiON層とマスク層は所定パターンに定義されて開口が形成され、基板領域を露出して、シャロートレンチ分離領域を形成する。 - 特許庁
  • A heat accumulating layer 302 and an inter-layer film 303 are laminated on a substrate 301, with a resistor layer 304 and a wiring 305 patterned.
    基板301に蓄熱層302と層間膜303が積層され、抵抗層304と配線305とがパターニングされている。 - 特許庁
  • Further, the polycrystalline silicon film 3 is patterned like a gate electrode, and impurities (boron) are applied to the entire surface through ion implantation, and it is heat-treated thereafter.
    多結晶シリコン膜3をゲート電極形状にパターニングした後、全面に不純物(ボロン)をイオン注入し、熱処理を施す。 - 特許庁
  • To provide a substrate on which a thin film is patterned, capable of constructing a function element with high performance, and to provide an organic element and a manufacturing method of the same.
    高性能な機能素子を構成することができる、薄膜がパターニングされた基板およびその製造方法等を提供する。 - 特許庁
  • An FSG layer is formed on the conductive layer which is patterned by a high density plasma CVD, filling the gap between conductor lines.
    FSG層は、高密度プラズマCVDによりパターン化された導電層の上に形成され、導電ライン間のギャップを充填する。 - 特許庁
  • To provide a process for producing a patterned spunlaced fabric having very low wet and dry particle counts and good absorbency.
    非常に低い湿潤および乾燥粒子数並びに良好な吸収性を有するパターン化スパンレース布の製造方法の提供。 - 特許庁
  • In an alternate embodiment, the dielectric layer that is patterned and etched to form dielectric strips is deposited on the first semiconductor layer.
    変形例では、誘電体層を第1半導体層に付着し、これにパターン化及びエッチングを施して誘電体ストリップを形成しする。 - 特許庁
  • The gate insulating layer pattern is patterned at the same time with any one of the polycrystalline silicon layer pattern or the first conductive layer pattern.
    ゲート絶縁膜パターンは、多結晶シリコン層パターンおよび第1導電膜パターンのうちのいずれか1つと共にパターニングされる。 - 特許庁
  • A high permeability material 32 patterned along the shape of the FG pattern is arranged between the circuit board and the FG pattern.
    回路基板とFGパターンとの間には、FGパターンの形状に沿ってパターニングされた高透磁率材料32が配置されている。 - 特許庁
  • The polishing pad is suitable for polishing patterned semiconductor substrates containing at least one of copper, insulator, barrier and tungsten.
    研磨パッドは、銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンの少なくとも一つを含むパターン付けされた半導体基材を研磨するのに適している。 - 特許庁
  • To form a patterned silicon-on-insulator (SOI)/silicon-on-nothing (SON) composite structure by a porous Si technique.
    パターン付けされたシリコン・オン・インシュレータ(SOI)/シリコン・オン・ナッシング(SON)複合構造体を多孔性Si技術によって形成すること。 - 特許庁
  • The second metal wiring layer is patterned to form a groove for exposing a portion of an upper surface of the first metal wiring layer.
    第2のメタル配線層は、第1のメタル配線層の上面の一部を露出させるための溝を形成するようにパターニングされている。 - 特許庁
  • The hard mask and the buffer insulation film are sequentially patterned, to form an opening for exposing a predetermined region of the semiconductor substrate.
    ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を連続してパターニングして半導体基板の所定の領域を露出させる開口部を形成する。 - 特許庁
  • A second conductive layer 39 is deposited on the second terminal 36 and then patterned, by which the second terminal contact of the semiconductor device is specified.
    第2端子上において第2導電層(39)を堆積し、パターニングすることにより、半導体素子の第2端子コンタクトを規定する。 - 特許庁
  • Thereafter, all the rear of the semiconductor board 1 is subjected to sputtering, patterned by the use of resist, and plated for formation of a wiring, and an insulating film 10 is formed.
    その後、裏面全面にをスパッタし、レジストを用いてパターニングしてメッキを施して配線を形成し、絶縁膜10を形成する。 - 特許庁
  • To provide irregular finish coating materials capable of forming patterned coated films which meet both processability at low temperatures and blocking resistance at high temperature.
    低温での加工性及び高温での耐ブロッキング性の両者を満足する模様塗膜を形成できる凹凸仕上げ用塗料を得る。 - 特許庁
  • According to this invention, a specific substance can be patterned with efficiency and high accuracy through an imprint lithography process utilizing a pressurized mold part.
    本発明により、加圧型部を利用したインプリントリソグラフィ工程を通して効率的でかつ、高精度に特定物質をパターニングできる。 - 特許庁
  • MULTICOLOR ASSEMBLY OF PATTERNED LUMINESCENT AND OPTICALLY POLARIZED ARRAYS OF SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES MANUFACTURED BY WETTING FILM PROCESS
    ウエットプロセスによって作製したパターニングされた発光または光学的偏光特性を有する半導体ナノ粒子配列からなる多色デバイス - 特許庁
  • SELECTIVE DEPOSITION OF ZnO NANOSTRUCTURE ON SILICON SUBSTRATE USING NICKEL CATALYST AND EITHER PATTERNED POLYSILICON OR SILICON SURFACE MODIFICATION
    ニッケル触媒と、パターニングしたポリシリコンまたはシリコン表面改質とを用いたシリコン基板上へのZnOのナノ構造の選択的堆積 - 特許庁
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