「Patterned」を含む例文一覧(3853)
＜前へ 1 2 .... 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .... 77 78 次へ＞- To provide a utility object for a metal siding which can reduce a mismatch in appearance between the same and the metal siding body and which can improve the appearance after execution even when the depth of the joint with respect to a patterned section is smaller than the depth of the joint of the metal siding body.
柄部に対する目地部の深さが金属サイディング本体における目地部の深さよりも浅い場合であっても、金属サイディング本体との間の外観の不一致を軽減し、施工後の外観を向上させることができる金属サイディング用役物を提供する。 - 特許庁 - To provide a photopolymerizable composition forming a cured film that has high sensitivity, excellent curability with respect to the inner part of the film, and excellent adhesion to a supporting body, maintains a patterned shape even during post-heating after development, has good pattern formability, and is suppressed in coloring due to heating or passage of time.
感度が高く、優れた膜内部硬化性および支持体との密着性に優れ、現像後の後加熱時においてもパターン形状が保持され、良好なパターン形成性を有し、且つ、加熱経時による着色が抑制された硬化膜を形成可能な光重合性組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an offset correction value measuring method for accurately performing reading and writing by accurately positioning a read core and a write core in the center of a track in a magnetic disk medium of high TPI (Track Per Inch) and a magnetic disk medium of DTM (Discrete Track Medium)/BPM (Bit Patterned Medium), to provide an offset correction method and to provide a magnetic disk device to which the method is applied.
高ＴＰＩ磁気ディスク媒体やＤＴＭ／ＢＰＭの磁気ディスク媒体において、正確にトラックのセンターに位置付けて、リードやライトが正確に実施できるオフセット補正値測定方法、オフセット補正方法及びその方法を適用した磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁 - A gate line 121 is formed on an insulating substrate 110, on which a gate insulating film 140, semiconductor layer 150, and resistive contact layer are sequentially stacked, and then when the data line and a drain electrode 175 are formed, an electrode layer is patterned together with the resistive contact layer.
絶縁基板１１０の上にゲート線１２１を形成し、その上部にゲート絶縁膜１４０と半導体層１５０と抵抗性接触層を順次に積層し、次に、データ線とドレーン電極１７５を形成する際に、電極層を抵抗性接触層と一括してパターン形成する。 - 特許庁 - The seal sticker comprises a patterned release agent layer provided on one face of a base material film, a colored layer formed on a surface including the release agent layer, and an adhesive layer provided on a surface of the colored layer, and the release agent layer essentially consists of cellulose resin.
基材フィルムの一方の面に設けたパターン状の剥離剤層と、該剥離剤層を含む面に形成した着色層と該着色層の面に設けた粘着剤層とからなり、上記剥離剤層がセルロース系樹脂を主体としてなることを特徴とする封緘用シール。 - 特許庁 - In the electronic member 1, the circuit 30 with patterned metal body 31 is fixed to an insulating base material 10 via the bonding agent layer 20, and this bonding agent layer 20 placed in contact with the adjacent metal body 20 is divided with each other.
本発明の電子部材１は、金属体３１がパターン形成された回路３０が接着剤層２０を介して絶縁性基材１０に固定されたものであり、隣接する金属体３１に接する接着剤層２０が互いに分断されていることを特徴とする。 - 特許庁 - Or, the patterned glass having patterns between layers is obtained by melting plural mixtures of various raw materials, each containing different colorant, at 1,200-1,700°C, then preparing plural base sheet glasses, pulverizing the plural base sheet glasses having different colors, further, mixing the pulverized sheet glasses and treating the resultant mixture according to the production process mentioned above.
また、着色剤の異なる各原料混合物を１２００〜１７００℃の間の温度で熔融後、基礎板ガラスを得、これら色彩の異なる複数個の基礎板ガラスを粉砕混合して、前記製造方法により層間に模様を起こさせた模様つきガラスを得る。 - 特許庁 - To provide a double-sided copper-clad board useful for manufacturing a high density, high multilayer wiring board in which the occurrence of warpage is prevented even after copper foil is patterned to form a conductor pattern and which has high interlayer adhesion reliability and high interlayer connection reliability.
銅箔をパターニングして導体パターンを形成した後においても、配線基板に反りが生じず、また、極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で高多層な多層配線基板を作製することができる、両面銅張板を提供する。 - 特許庁 - The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.
（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁 - Selection wiring 89 and feed wiring 90 are stacked on patterned scan lines X and supply lines Z, together with drains/sources of transistors 21 to 23, and the selection wiring 89 and the feed wiring 90 are provided projectingly from the surface of the transistor array substrate.
トランジスタ２１〜２３のドレイン・ソースとともにパターニングされた走査線Ｘ及び供給線Ｚには選択配線８９及び給電配線９０がそれぞれ積層され、選択配線８９及び給電配線９０がトランジスタアレイ基板５０の表面から凸設されている。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting element is provided with a substrate 10, a thermal diffusion layer 11 formed on the substrate 10 and patterned at prescribed intervals, a flat layer 12 covering the thermal diffusion layer 11 and having a flat surface, and a light emitting part 18 formed on the flat layer 12.
基板１０、基板１０上に形成され、所定の間隔でパターニングされた熱拡散層１１、熱拡散層１１を覆い、平坦な表面を有する平坦層１２、及び平坦層１２上に形成された発光部１８を備えることを特徴とする半導体発光素子である。 - 特許庁 - When a wiring groove is formed by dry etching an insulating film 21 with a photoresist film 23 patterned in a groove pattern as a mask, an etching ending point of the film 21 is detected by using an optical reflection interference waveform monitor or a plasma luminescence ending point monitor, thereby dry-etching only the film 21.
溝パターンにパターニングされたフォトレジスト膜２３をマスクとして絶縁膜２１をドライエッチングし、配線溝を形成する際、光学式反射干渉波形モニタまたはプラズマ発光終点モニタを用いて絶縁膜２１のエッチング終点検出を行うことにより、絶縁膜２１のみをドライエッチングする。 - 特許庁 - In a region S where the light-receiving surface of a photodiode is located, respective layers are removed when first wiring 15 and second wiring 17 are patterned and respective layers are also removed after a second interlayer insulation film 13 and a cover insulation film 18 are formed, respectively.
フォトダイオードの受光面が位置する領域Ｓでは、第１の配線１５および第２の配線１７をパターニングする際にそれぞれの層が除去され、第２の層間絶縁膜１３およびカバー絶縁膜１８をそれぞれ形成した後にもそれぞれの層が除去される。 - 特許庁 - The torchon lace cloth 1 is obtained by knitting the pattern part 2 and the margin part 3 in parallel, inserting the rubber yarn 4 into the margin part 3 along the knitting direction, interknitting 5' the rubber yarn 4 or another rubber yarn 5 with the patterned part 2 for every right place so as to turn down 5" the rubber yarn at the top P to return to the original position.
本願トーションレース地１は、模様部２と縫代部３とを並走させて編成し、縫代部３に編成方向に沿ってム糸４を挿入し、該ゴム糸４又は他のゴム糸５を適所毎に模様部２に編み込み５′し、頂点Ｐで折り返し５″して元の位置に戻るようにする。 - 特許庁 - In the manufacturing method of a magnetic head for laminating lower and upper magnetic pole layers 5 and 9 via a gap layer 6 to constitute a magnetic gap, after the gap layer 6 is formed on the lower magnetic pole layer 5, a track width regulation mask patterned corresponding to a track width is disposed.
下部磁極層５と上部磁極層５とをギャップ層６を介して積層形成し、磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドの製造方法において、下部磁極層５上にギャップ層６を形成した後、トラック幅に対応してパターニングされたトラック幅規制マスクを配する。 - 特許庁 - A wireless LAN access point 2 recognizes a terminal actuation instruction signal 101 from a managing terminal 1 and controls a beacon transmission interval control part 21, which selects a normal operation mode or a patterned transmission interval mode according to the instruction to control transmission intervals of a beacon.
無線ＬＡＮアクセスポイント２は管理端末１からの端末起動指示信号１０１を認識してビーコン送信間隔制御部２１を制御し、ビーコン送信間隔制御部２１はその指示によって通常動作モードとパターン化送信間隔モードとを切り換えて、ビーコンの送信間隔を制御する。 - 特許庁 - The high permittivity film 105a and the silicon film 105b are patterned to form high permittivity gate insulating films 106, 107 and gate electrodes 108, 109; and extension regions 111, 114, side walls 110, 113, and high concentration impurity regions 112, 115 etc. are formed.
そして、高誘電率膜１０５ａおよびシリコン膜１０５ｂをパターニングして、高誘電率ゲート絶縁膜１０６，１０７およびゲート電極１０８，１０９を形成し、エクステンション領域１１１，１１４、サイドウォール１１０，１１３、高濃度不純物領域１１２，１１５等を形成する。 - 特許庁 - A resin film forming process has a process for forming an optical element 2 having a mounting surface 27 on the upper surface on the substrate 30 and a process in which after a sacrifice film 42 and the resin film 43 are formed in turn on a resin film forming substrate 40, the formed resin film 43 is patterned.
樹脂膜の形成工程は、上面に取り付け面２７を有する光学素子２を基板３０の上に形成する工程と、樹脂膜形成基板４０の上に犠牲膜４２及び樹脂膜４３を順次形成した後、形成した樹脂膜４３をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁 - A temperature sensor TS includes a conductive thin film P patterned by an ink jet method on an insulating thin film M formed on the surface of an outer ring 11 taken as a component of a bearing 10, which can accurately and responsively measure a temperature of the bearing by the conductive thin film P.
温度センサＴＳは、軸受１０の構成部品である外輪１１の表面に形成された絶縁性薄膜Ｍ上に、インクジェット方式によりパターニングされた導電性薄膜Ｐを有するので、かかる導電性薄膜Ｐにより精度良く且つレスポンス良く軸受の温度を測定できる。 - 特許庁 - Titanium nitride film (third TiN film 13) is formed in a covering state of the sacrificial layer pattern made of the second HCD-SiN film 9, and the film is patterned, thereby forming an oscillating beam (structure pattern) 13a of which end is supported on the substrate surface across the sacrificial layer pattern.
第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９からなる犠牲層パターンを覆う状態で窒化チタン膜（第３ＴｉＮ膜１３）を成膜し、これをパターニングすることによって犠牲層パターンを跨いでその下地面上に端部が支持された振動ビーム（構造体パターン）１３ａを形成する。 - 特許庁 - In this manufacturing method, by using a plating die patterned with an electrode region corresponding to the negative electrode collector 10 and an insulation region corresponding to the holes 101, a thin film of nickel is selectively deposited on the electrode region by means of electroplating, and thereafter, the thin film is separated from the plating die.
製造方法は、負極集電体１０に対応する電極領域と、孔１０１に対応する絶縁領域とをパターン形成しためっき金型を使用して、電気めっきにより、電極領域に選択的にニッケルの薄膜を析出させたのち、薄膜をめっき金型からはく離する。 - 特許庁 - A third thin film 14 of semiconductor or insulator formed on a semiconductor substrate 11 through the intermediary of a first insulating thin film 12 and, a second oxidation-resistant insulating film 13 where oxidizing seeds are hardly diffused is patterned for the formation of a stepped part 14a.
半導体基板１１上に、絶縁体からなる第１薄膜１２と酸化種の拡散性が低い耐酸化性絶縁体からなる第２薄膜１３を介して形成された半導体または絶縁体からなる第３薄膜１４をパターニングし、段差部１４aを形成する。 - 特許庁 - In the case of a negative or positive photoresist layer patterned by a conventional lithography technique, a photoresist layer in an interface region with a semiconductor substrate is overheated to a temperature higher than its fusing temperature in a short time in order to fusedly bond a photoresist layer at an interface to a layer located therebelow on the semiconductor substrate.
従来のリソグラフィー技術を用いてパターンされたネガもしくはポジフォトレジスト層の場合、界面のフォトレジスト層を、その下に位置する層と、半導体基板において溶着するために、半導体基板との界面領域のフォトレジスト層は、短期的に、溶解温度より高い温度で過熱される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which a floating gate electrode itself is patterned easily, in addition, patterning performance is improved and yield in wiring is not degraded, even in patterning of an upper layer such as a subsequently formed control gate electrode; and a method for fabricating the device.
フローティングゲート電極そのもののパターニングを容易にすると共に、その後に形成されるコントロールゲート電極など上層のパターニングにおいても、パターニング性能の向上及び配線歩留まりの低下を防ぐことができる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.
ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁 - This detector is produced by adhering an active matrix substrate 1 equipped with a charge accumulating capacity 4 and TFT 5 with an opposite substrate 2 comprising a semiconductor substrate via a connecting material (photosensitive resin 3) having conductivity and adhesiveness which is patterned corresponding to a pixel electrode of the charge accumulating capacity 4.
電荷蓄積容量４およびＴＦＴ５を具備したアクティブマトリクス基板１と、半導体基板を備えた対向基板２とを、電荷蓄積容量４の画素電極に対応させてパターニングされた導電性および接着性を有する接続材（感光性樹脂３）を用いて接着する。 - 特許庁 - A self-organizing monomolecular film (SAM) 12 is patterned on a glass substrate 14 by a micro-contact printing method, and then, silver nanoparticles 24 are deposited locally on a pattern substrate 16 by a silver mirror reaction, wherein a dispersant is added to a solution containing silver complex ions, to thereby produce a SERS substrate 18.
マイクロコンタクトプリント法により自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）（１２）をガラス基板１４上にパターニングした後、銀の錯イオンを含む溶液に分散剤を加えた銀鏡反応によりパターン基板１６上に銀ナノ粒子２４を局所的に析出させて、ＳＥＲＳ基板１８を作成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a patterned body is provided, which includes: a preparation step of preparing a substrate 10, having a photoresist layer 20 that allows a shape change in a heat mode on the surface; and an exposure step of irradiating the photoresist layer 20, with a laser beam to partially remove the photoresist layer 20.
表面にヒートモードによる形状変化が可能なフォトレジスト層２０を有する基板１０を用意する準備工程と、フォトレジスト層２０にレーザ光を照射してフォトレジスト層２０の一部を除去する露光工程と、を有するパターン形成体の製造方法である。 - 特許庁 - An electron beam transfer device is provided with an illumination optical system to sequentially illuminate each small area on a reticle 10 with the electron beam, and a projection optical system to sequentially project and form an image of the electron beam patterned through each small area at the position on a wafer 14.
本電子線転写装置は、レチクル１０上の各小領域を電子ビームで順次照明する照明光学系と、該小領域を通過してパターン化された電子ビームをウエハ１４上のしかるべき位置に順次投影結像させる投影光学系を備える。 - 特許庁 - A copper foil 1 (main conductor layer) has a nickel plating layer 3 on the whole surface of one side and a thicker patterned nickel plating layer 2 on the surface of the opposite side, and has a gild plating layer 4 on a surface of the nickel plating layer 2 and a copper plating layer 5 (base layer conductor layer) on the surface of the nickel plating layer 3.
銅箔１（主導体層）の片面全面にニッケルめっき３を施すとともにその反対面にパターン付きのニッケルめっき２をより厚く施し，ニッケルめっき２の表面上に金めっき４を施し，ニッケルめっき３の表面に銅めっき５（基層導体層）を形成する。 - 特許庁 - The disposition of the color filter and light dimmer device close to the opening aperture as well as within the volume space occupied by the true image of the light source enables use of simple and non-patterned filter and simply formed light-adjusting panel, thereby achieving production of superior color mixing, light adjustment and integration.
色および調光装置を開口絞りの近くで、かつ光源の実像によって占められる容積内に配置することによって、単純でパターニングされていないフィルタおよび単純に成形された調光器パネルを用いて優れた色混合、調光、および、統合が達成される。 - 特許庁 - To provide a method for producing a patterned member on which embroidered seams are exposed, by cutting with laser beams a fabric on whose surface the embroidered seams are exposed and whose back surface has a thermoplastic adhesive, wherein the fabric can be cut with the laser beams, while fusing the peripheries of the patterns without collapsing fine patterns and treating the fray of the yarns.
表面に刺繍縫目が表出され、裏面には熱可塑性の接着剤がある布をレーザー光を用いて切断するに当って、微細な模様を崩すことなく模様の周囲を溶着させ、糸のほつれを処理しながら切断出来るようにする。 - 特許庁 - After that, the first and second conductor layers 48a and 48b are patterned to form a conductor layer 48, and then, a lower semiconductor layer made of polycrystalline silicon or the like forming a semiconductor region for a source and a drain for an load MISFET of an SRAM is formed so as to contact with the conductor layer 48.
その後、第１、第２導体層４８ａ、４８ｂをパターニングして導体層４８を形成後、その導体層４８に接するように、ＳＲＡＭの負荷ＭＩＳＦＥＴ用のソースおよびドレイン用の半導体領域を形成する多結晶シリコン等からなる下部半導体層を形成する。 - 特許庁 - An image forming apparatus, when instructed to print, specifies a region left after removing drawing objects different from latent image drawing objects and background drawing objects from a patterned image as a blank region on the first page and disposes drawing objects on the second page in the specified blank region.
画像形成装置は、印刷を指示された場合、第１ページにおいて地紋画像から当該潜像描画オブジェクトおよび背景描画オブジェクトとは異なる描画オブジェクトを除いた領域を空白領域として特定し、この特定された空白領域に第２ページの描画オブジェクトを配置する。 - 特許庁 - The device for processing a resist pattern 1 is provided with a stage 12 for mounting a substrate 10 having a patterned photoresist R disposed on a surface; an ultraviolet irradiating section 14 for projecting an ultraviolet beam to the stage 12; and an annular member 16 that surrounds the entire periphery of the substrate 10.
レジストパターン処理装置１は、パターニングされたフォトレジストＲが表面に配置された基板１０を載置するためのステージ１２と、ステージ１２に向けて紫外線を照射する紫外線照射部１４と、基板１０の周囲全体を囲む環状部材１６とを備える。 - 特許庁 - To provide a new method for preparing a cell culture substrate having cells in a highly fine patterned form and used for culturing the cells while maintaining the pattern for a long period, and an apparatus used for the preparing method.
本発明は、基材上に細胞を高精細なパターン状に接着し、長期にわたりパターンを維持しながら細胞を培養させるために用いられる細胞培養基板の新たな製造方法、およびその製造方法に用いられる製造装置を提供することを主目的としている。 - 特許庁 - The clock signal reproduced from a clock signal track reflects rotation run-out of a spindle motor in a disk apparatus and the rotation run-out is used as a trigger to highly accurately synchronize arrangement of an effective region of the patterned medium with the timing of recording magnetic field polarity inversion.
クロック信号トラックから再生されるクロック信号は、ディスク装置におけるスピンドルモータの回転ムラを反映しており、これをトリガーとして用いることによりパターン媒体の有効領域の配列と記録磁界極性反転のタイミングを高精度にリアルタイムで同期をとる。 - 特許庁 - The authenticity judging medium has: an optical selectively reflecting layer having selectively reflecting properties for reflecting either a left-handed circularly polarized light or a right-handed circularly polarized light in incident light; a patterned layer, which reverses the rotational direction of the incident light; a holographed layer, and a reflecting layer in this order.
入射光のうち左円偏光および右円偏光のいずれか一方を反射する光選択反射性を有する光選択反射層、入射光の回転方向が反転するパターン層、ホログラム形成層ならびに反射層をこの順に有する真偽判定用媒体。 - 特許庁 - The present invention relates to a new optical component comprising an anisotropic diffuser (5, 10) with patterned anisotropy; and means (9, 11, 14, 16, 17, 20, 21, 30, 32) for providing a color shift observable upon changing a viewing angle (6) and/or changing an angle of incident light (2).
本発明は、パターン化された異方性を有する異方性拡散体（５、１０）と、視野角度（６）を変化させると及び／又は入射光（２）の角度を変化させると観測可能なカラーシフトをもたらす手段（９、１１、１４、１６、１７、２０、２１、３０、３２）とを具備する新規な光学要素に関する。 - 特許庁 - In this ID plate (ID card), projecting and recessing shapes corresponding to ID information (ID codes)are patterned on the surface of a substrate (e.g. Si substrate) to obtain the ID plate (ID card), the projecting and recessing shapes are read by using a detector using a laser or stylus, and the read results are converted into digital signals thereby performing the collation.
基板（例えばＳｉ基板）表面にＩＤ情報（ＩＤコード）に応じた凹凸形状をパターン化してＩＤプレート（ＩＤカード）とし、その凹凸形状をレーザー、又は触針を用いた検出器で読み取り、読み取り結果をデジタル信号化して照合を行う照合装置とする。 - 特許庁 - A semiconductor substrate contains a previously patterned gate stack 12 on the substrate, is covered with a first dielectric substance 40 for forming a first level 42 and then deposited with a second dielectric substance 44 to form a second level 46.
本発明による半導体基板は、半導体基板上にあらかじめパターン付けされたゲート・スタック１２を含んでおり、第１のレベル４２を形成する第１の誘電体４０により被覆されていて、その後第２の誘電体４４が堆積されて、第２のレベル４６を形成する。 - 特許庁 - A lower electrode film 31', a ferroelectric film 33', and an upper electrode film are successively formed on an interlayer insulating film 20 provided on a silicon substrate 10, and the upper electrode film is patterned into a specified shape, to form an upper electrode 35 for a ferroelectric capacitor 50.
シリコン基板１０上に形成された層間絶縁膜２０上に下部電極膜３１´と強誘電体膜３３´と上部電極膜とを順次形成し、この上部電極膜を所定形状にパターニングして強誘電体キャパシタ５０の上部電極３５を形成する。 - 特許庁 - In the luminaire, an irradiated surface is arranged to face an LED chip group capable of exciting a fluorescent substance, the irradiated surface is patterned by the fluorescent substance to have an artistic or advertising function, and it is excited by the LED to emit light as a direct light source.
蛍光物質を励起できるＬＥＤチップ群に、対峙するよう設けられた被照射面を配置し、当該被照射面を、蛍光物質にて、芸術的あるいは宣伝機能を持たせた模様形状とし、これをＬＥＤにて励起発光させて、直接的な光源とした照明装置とする。 - 特許庁 - Thereafter, the SiO_2 film is etched (S9), the exposed seed layer is reformed anisotropically in the film thickness direction (S10), and the reformed seed layer, the exposed barrier/adhesion layer, and the mask Al film are removed sequentially by etching (S10-S13) thus obtaining a patterned metal film.
次に、ＳｉＯ_２膜をエッチング（Ｓ９）、露出したシード層をその膜厚方向に異方的に改質し（Ｓ１０）、改質されたシード層、露出したバリア・密着層、及びマスクＡｌ膜を順次エッチングにより除去することにより（Ｓ１０〜Ｓ１３）、パターン化金属膜を得る。 - 特許庁 - This device is composed of a flexible wiring board 5, where a metal foil such as copper foil, is patterned to a flexible film-shaped insulation base 10 for forming a circuit conductor part 11, a terminal land part 12, or the like, and a terminal member 8 where one end is connected to the terminal land part 12.
可撓性を有するフィルム状絶縁基材１０に銅箔等の金属箔をパターン化して回路導体部１１や端子ランド部１２等が形成されたフレキシブル配線基板５と、端子ランド部１２に対して一端部が接続された端子部材８とから構成される。 - 特許庁 - Afterwards, a metal film is formed on the surface protecting film 7 including the inside of the opening 8, and the metal film is patterned, thereby forming an anode electrode 9a in contact with the p-type diffusion layer 6 and an outer peripheral electrode 9b in contact with the n-type epitaxial layer 2 exposed in the outer periphery of the chip.
その後、開口部８の内部を含む表面保護膜７上にメタル膜を成膜し、メタル膜をパターニングすることによって、ｐ型拡散層６に接するアノード電極９ａおよびチップの外周部に露出したｎ型エピタキシャル層２に接する外周電極９ｂを形成する。 - 特許庁 - A cover layer is formed on a temporary substrate having a flat surface, a patterned recording layer is formed on the cover layer, a reinforcing layer is formed on the recording layer, a main substrate is bonded onto the reinforcing layer and the temporary substrate is removed after the main substrate is bonded onto the reinforcing layer.
表面が平坦な仮基板上にカバー層を形成し、カバー層上にパターン化された記録層を形成し、記録層上に補強層を形成し、補強層上に本基板を接合し、本基板を補強層上に接合後に仮基板を除去するように構成する。 - 特許庁 - The glass product coloring apparatus includes a rotating device 1 which holds a glass product 30 having sculpturally-patterned recessed portions formed in the bottom part and rotates the glass product 30 around the axis, and a coloring liquid feeding device 2 which sprays a luster liquid for coloring on the recessed portions of the glass product 30.
底部に彫刻模様調の凹み部が形成されたガラス製品３０を保持するとともに、このガラス製品３０を軸中心に回転する回転装置１と、前記ガラス製品３０の凹み部に向け着色用のラスター液を噴射する着色液供給装置２を設けた。 - 特許庁 - The positive photosensitive resin composition is applied on the interlayer insulation film 4 and the second conductor layer 7 by a spin coating method, the composition is dried and irradiated with light through a mask patterned so as to form a window 6C in a predetermined portion, and a pattern is formed by development with an alkaline aqueous solution.
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物をスピンコート法にて層間絶縁膜４及び第２導体層７上に塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターンを形成する。 - 特許庁 - The high conductivity printed wiring board 1, having a hollow conductor structure, at least includes a copper foil pattern 4 that is patterned on the outer surface of an insulating substrate 2, a conductor coat 9 which covers the copper foil pattern 4, and a foam hollow layer 7 formed between the copper foil pattern 4 and the conductor coat 9.
この高伝導化プリント基板１は、中空導体構造よりなり、絶縁基材２の外表面にパターニングされた銅箔パターン４と、銅箔パターン４を被覆する導体被膜９と、銅箔パターン４と導体被膜９間に形成された発泡中空層７とを、少なくとも有している。 - 特許庁
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