「Random Access Memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 18 19 次へ＞- The method (500) of erasing a logical data block of a MRAM (magnetic random access memory) is disclosed.
本発明の一実施形態によるMRAMの論理データブロックを消去する方法(500)が開示される。 - 特許庁 - To provide an on-screen display device capable of effectively using a video RAM (random access memory) area.
ビデオＲＡＭ領域を有効に活用することができるオンスクリーン表示装置を提供する。 - 特許庁 - A dual port random access memory comprises four NMOS transistors NM11-14 and four PMOS transistors PM11-14.
デュアルポートランダムアクセスメモリは、４個のＮＭＯＳトランジスタと４個のＰＭＯＳトランジスタとを含む。 - 特許庁 - The lyrics data are converted according to the format stored in the format file and developed in a random access memory (RAM).
書式ファイルに記憶した書式に従い歌詞データを変換しＲＡＭに展開する。 - 特許庁 - To provide a flexible switching element used as a resistance-variation-type random access memory element.
抵抗変化型ランダムアクセスメモリ素子として用いられるフレキシブルなスイッチング素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory whose reliability does not deteriorate and to provide a method of manufacturing the same.
信頼性が劣化しない磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a resistive random access memory device having a PCMO switching thin film.
ＰＣＭＯスイッチング薄膜を有する抵抗性ランダムアクセスメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dynamic random access memory cell which can obtain high-speed operation by making the capacitance of a bit line small.
ビット線の容量を小さくし、高速動作が得られるダイナミックランダムアクセスメモリを得ること。 - 特許庁 - The magnetic random access memory is provided with a ferromagnetic layer 4 facing the free ferromagnetic layer 8 through a wiring layer 17.
自由強磁性層８に配線層１７を挟んで対向する強磁性層４を設ける。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF BURIED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY USING SELF-ALIGNMENT SILICIDE COMPOUND TECHNIQUE
セルフアライン・ケイ化化合物技術を使用する埋込み形ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの製造方法 - 特許庁 - To provide a direct-current mode word line coupling noise limitation circuit for a multi-port random access memory cell.
マルチプルポートのランダムアクセスメモリセル用の直流モードワードラインカップリングノイズ制限回路を提供する。 - 特許庁 - Registers (20, 22, 30, 32) are arranged at each of four sides of a dynamic random access memory cell array (1).
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory having a readout circuit of a small area and consuming less power.
小面積で低消費電力の読み出し回路を有する磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT PROVIDED WITH TEST SYSTEM AND METHOD FOR DECIDING SENSITIVITY OF SENSE AMPLIFIER
センスアンプの感度を決定するためのテストシステム及び方法を具備するダイナミックランダムアクセスメモリ回路 - 特許庁 - To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 16M.
１６Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a high density dynamic random access memory (DRAM) circuit having a storage capacity of 64M.
６４Ｍの蓄積容量を有する高密度ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR OUTPUTTING DATA FROM DOUBLE DATA RATE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD FOR PROVIDING DATA STROBE SIGNAL
ダブルデータレートダイナミックランダムアクセスメモリからのデータ取り出し方法、及びデータストローブ信号提供方法 - 特許庁 - To provide a uni-transistor random access memory device and method for reading, writing, and refreshing.
ユニ−トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの読み出し、書き込み、そしてリフレッシュ方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistive random access memory with which read errors are reduced as far as possible and a large reproduction signal can be obtained.
読み出しエラーが可及的に少なくかつ大きな再生信号を得ることを可能にする。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory (MRAM) and a method for reading out from the MRAM with accuracy.
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びＭＲＡＭを正確に読み出す方法を提供する。 - 特許庁 - a tiny ferrite toroid formerly used in a random access memory to store one bit of data
以前1ビットのデータを格納するためにランダム・アクセス・メモリで使用された小さいフェライト・トロイド - 日本語WordNet - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT
半導体装置及びその製造方法、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置並びに携帯電子機器 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR HIGH-DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING LAMINATABLE STRUCTURE
積層可能な構造を有する高密度磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のための方法および装置 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING DECREASED LEAKAGE CURRENT DURING ACTIVE MODE, AND ITS OPERATING METHOD
アクティブモードの間減少した漏洩電流を有するスタティックランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁 - This circuit can include a monitor random access memory(RAM) (120) and a monitor circuit (130).
この回路はモニタランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）（１２０）、およびモニタ回路（１３０）を含むことができる。 - 特許庁 - Hard mask fabrication for magnetic random access memory elements using focused ion beam assisted selective chemical vapor deposition.
集中イオンビーム補助選択的化学蒸着を利用した磁気RAM素子のためのハードマスク製造。 - コンピューター用語辞典 - These controllers offer increased random access memory (RAM) from 256 Bytes to 512 Bytes and a hardware watch dog timer.
これらのコントローラは, 256バイトから512バイトに増やしたRAMと, ハードウェア・ウォッチドッグタイマとを提供します. - コンピューター用語辞典 - To provide a concurrent refresh mode using distributed row address counter in a buried dynamic random access memory.
埋め込みＤＲＡＭで分散行アドレス・カウンタを用いて同時リフレッシュ・モードを提供すること。 - 特許庁 - INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND METHOD FOR OPERATION THEREOF
少なくとも１つのランダムアクセスメモリアレイを含む集積回路装置およびその動作のための方法 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory using a spin injection writing method with increased speed of data writing.
データ書込み速度の速いスピン注入書込み方式の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a memory cell which has excellent data retention stability, and operates at a low current, and to provide a magnetic random access memory using the same.
データ保持安定に優れ、かつ低電流で動作するメモリセル及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - Transfer means transfers the program stored in the read-only memory to random access memory by the program module.
転送手段は、前記リードオンリーメモリに格納された前記プログラムを、前記プログラムモジュール単位でランダムアクセスメモリに転送する。 - 特許庁 - An apparatus and an associated method for a non-volatile memory cell such as a multi-bit magnetic random access memory cell are provided.
マルチビット磁気ランダムアクセスメモリセルなどの不揮発性メモリセルについての装置および関連の方法が提供される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device in which high speed random access memory can be realized while realizing less area.
高速なランダムアクセスを実現しつつ、かつ小面積化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The random access memory device (300) includes planes (200) of one or a plurality of memory arrays (100) stacked one upon another.
ランダムアクセスメモリ素子（３００）は、互いの上に積重された１つまたは複数のメモリアレイ（１００）の面（２００）を含む。 - 特許庁 - The data storing system includes the magnetic random access memory (MRAM) device (500) having several memory cells (102).
テ゛ータを格納するためのシステムは、複数のメモリセル（１０２）を有する磁気ランタ゛ムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）テ゛ハ゛イス（５００）を含む。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。 - 特許庁 - DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC TYPE RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS
ダイナミック型半導体記憶装置、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリ、半導体記憶回路装置及び半導体集積回路装置 - 特許庁 - To attain sure maintenance of stored data in an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing the stored data from being destructed by a latch-up phenomenon even when a soft error occurs due to a neutron.
ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）において、中性子によるソフトエラーが発生した場合であってもラッチアップ現象によって記憶データが破壊されることを防止して、記憶データを確実に維持できるようにする。 - 特許庁 - To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.
不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁 - This apparatus is the semiconductor integrated circuit apparatus 100 including a memory controller 110 performing access control based on access request from a host for a dynamic random access memory having a self-refresh function.
セルフリフレッシュ機能を有するダイナミックランダムアクセスメモリに対し、ホストからのアクセス要求に基づくアクセス制御を行うメモリーコントローラ１１０を含む半導体集積回路装置１００である。 - 特許庁 - To provide a memory controller, a memory system and a memory control method suitable for storing data whose rewrite frequency is high and data whose rewrite frequency is low in a flash memory and a nonvolatile memory whose random access is possible.
書き換え頻度が高いデータと低いデータをフラッシュメモリとランダムアクセスが可能な不揮発性メモリとに保存するときに好適なメモリコントローラ、メモリシステム及びメモリ制御方法の提供。 - 特許庁 - To provide a phase change random access memory with a transistor for enhancing operation in a memory cell by micro-fabricating the memory cell in dimension, and method for fabricating the memory device.
メモリセルの寸法を微細化し、メモリセルでの動作を改善するための、トランジスタを備えた相変化ランダムアクセスメモリデバイス、およびメモリデバイスを形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high integration memory cell which has a function of reversing spin-torque magnetization and has super-low power consumption in a nonvolatile magnetic memory, and also to provide a random access memory using the memory cell.
不揮発性磁気メモリにおいて、スピントルク磁化反転機能を持つ超低消費電力な高集積メモリセルおよびそれを用いたランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - The magnetic random access memory 1 is provided with memory cells 10 having magnetic resistance elements 11, a control circuit 20, and a detecting circuit 40.
磁気ランダムアクセスメモリ１は、磁気抵抗素子１１を有するメモリセル１０と、制御回路２０と、検出回路４０とを備える。 - 特許庁 - To provide a method of carrying out retrieval by a write-in to a ternary content addressable memory (TCAM) based on a magnetic random access memory (MRAM).
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に基づいた三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）に書き込んで検索する方法を提供する。 - 特許庁 - In this microcomputer, a CPU, an I/O port, the flash memory and a random access memory are constituted in a single semiconductor chip.
本発明のマイクロコンピュータは、ＣＰＵとＩ／Ｏポートとフラッシュメモリとランダムアクセスメモリとを単一の半導体チップに構成される。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a magnetic random access memory (MRAM), any memory cells within the MRAM array are insulated until selection is performed.
磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）を作成するための方法は、選択されるまでは、動作中にMRAMアレイ内のどのメモリセルも絶縁する。 - 特許庁 - A method for performing a read operation from a magnetic random access memory (MRAM) cell (70a/70b/70c/70d) in a memory cell string (12) is provided.
メモリセルストリング（１２）内の磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セル（７０ａ／７０ｂ／７０ｃ／７０ｄ）からの読出し処理を実施する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory provided with an interface having interchangeability with an interface of a normal static random access memory.
通常のスタティック・ランダム・アクセス・メモリのインターフェイスと互換性を有するインターフェイスを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
