「Random Access Memory」を含む例文一覧(929)

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  • A refresh control circuit 10 receives an interrupt signal REFTEND which requests the refresh of a dynamic random access memory DRAM 200 and is asserted at a specified timing.
    リフレッシュ制御回路１０は、所定のタイミングごとにアサートされるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２００のリフレッシュを要求する割込信号ＲＥＦＴＥＮＤを受ける。 - 特許庁
  • EXCHANGE COUPLING FILM, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • To provide a magnetic random access memory element which has higher speed and is more efficient.
    より高速でより効率的な磁気ランダムアクセスメモリ要素を提供する。 - 特許庁
  • STATIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH NON-VOLATILE DATA HOLDING FUNCTION AND ITS OPERATING METHOD
    不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法 - 特許庁
  • The device for controlling storage device 3 is connected to a random access memory 4a and to a first storage device 4b, having a smaller number for upper limit on rewriting than for the random access memory.
    記憶装置管理装置３は、ランダムアクセスメモリ４ａと、これより少ない書き換え上限回数の第１記憶装置４ｂと接続される。 - 特許庁
  • REFERENCE VOLTAGE GENERATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT SUCH AS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM)
    ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）等の集積回路用の基準電圧発生器 - 特許庁
  • FERROMAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS READING/WRITING OPERATION CONTROL METHOD
    強誘電体ランダムアクセスメモリ装置及びそのリード／ライト動作制御方法 - 特許庁
  • Execution means executes program codes of the program modules transferred to the random access memory by the transfer means, on the random access memory.
    実行手段は、前記転送手段により前記ランダムアクセスメモリに転送された前記プログラムモジュールのプログラムコードを前記ランダムアクセスメモリ上で実行する。 - 特許庁
  • To provide a dynamic random access memory system having bank conflict avoidance features.
    バンク衝突回避機能を備える動的ランダムアクセスメモリシステムを提供する。 - 特許庁
  • A control unit 11 of the television receiver 100 has a CPU (central processing unit) 12, a RAM (Random Access Memory) 13, storage unit 14, or the like, for example, as shown in Fig.2.
    テレビジョン受像機１００の制御部１１は、例えば、図２に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１２，ＲＡＭ（Random Access Memory）１３，記憶部１４等を備えている。 - 特許庁
  • An IDRAM (ID random access memory) 13 stores the value held by the fuse circuit 12 as an ID.
    ＩＤＲＡＭ１３はヒューズ回路１２の保持値をＩＤとして記憶する。 - 特許庁
  • The page buffer circuit has two planes consisting of a random access memory array.
    ページバッファ回路は、ランダムアクセスメモリアレイからなる２つのプレーンを有している。 - 特許庁
  • NON-VOLATILE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PLATE LINE DRIVING METHOD
    不揮発性強誘電体ランダムアクセスメモリ装置及びプレートライン駆動方法 - 特許庁
  • STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING HIGH BANDWIDTH AND OCCUPYING SMALL AREA
    高帯域幅を有し且つ小さな領域を占めるスタティックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁
  • DIELECTRIC FILM, CAPACITOR PROVIDED WITH THE FILM AND RANDOM ACCESS MEMORY PROVIDED WITH THE CAPACITOR
    誘電体膜、それを備えたキャパシタ及びそれを備えたランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • CONCURRENT REFRESH MODE USING DISTRIBUTED ROW ADDRESS COUNTER IN BURIED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
    埋め込みＤＲＡＭでの分散行アドレス・カウンタを用いた同時リフレッシュ・モード - 特許庁
  • MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁
  • MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY HAVING REFERENCE MAGNETO-RESISTANCE AND READ-OUT METHOD THEREFOR
    基準磁気抵抗を有する磁気ランダムアクセスメモリ及びその読出し方法 - 特許庁
  • To provide a memory access method, with which random access performance can be improved without having to use expensive high-speed memory.
    高価な高速メモリを使用することなくランダムアクセス性能を向上させることができるメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁
  • An object set is stored in a memory such as a nonvolatile random access memory in a data processing system.
    オブジェクトの組が、データ処理システム内の不揮発性ランダム・アクセス・メモリなどのメモリに記憶される。 - 特許庁
  • The resistive memory cells 170, 173, 175, 177 are provided with magnetic random access memory cells 265 connected electrically to a diode 260.
    抵抗性メモリセル(170,173,175,177)は、ダイオード(260)に電気的に接続される磁気ランダムアクセスメモリセル(265)を備える。 - 特許庁
  • To increase the operating speed of a microcomputer device having a flash memory and a random access memory.
    フラッシュメモリとランダムアクセスメモリを有するマイクロコントローラ装置において、動作速度を高速化すること。 - 特許庁
  • A magnetic random access memory (MRAM) (100) includes an array of magnetic memory cells (102) arranged on intersection grids (104, 106, 108).
    磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)(100)は、交点グリッド(104,106,108)上に配列された磁気メモリセル(102)のアレイを含む。 - 特許庁
  • To simply and inexpensively manufacture a resistor for taking a measure against a soft error in an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell.
    ＳＲＡＭメモリセルのソフトエラー対策用の抵抗体を簡単且つ安価に提供する。 - 特許庁
  • MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH EASY AXIS BIASING WITH STACKED TOGGLE MEMORY CELLS OPPOSITELY DIRECTED THEREIN
    積層されたトグルメモリセルが反対に方向付けられた容易軸バイアスを有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • In this information processor, a cache memory 11, DRAM (dynamic random access memory) 20 and a flash memory 30 are connected to respective system buses.
    キャッシュメモリ１１と、ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）２０と、フラッシュメモリ３０とを各々システムバスに接続する。 - 特許庁
  • In some embodiments, the MLC memory cell comprises a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
    いくつかの実施形態においては、ＭＬＣメモリセルは、スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルを備える。 - 特許庁
  • For the random access data, the number of accesses to the HDD at the time of using the random access data use is reduced by normally storing the data in the buffer memory area for the random access data.
    そして、ランダムアクセスデータについては、常にランダムアクセスデータ用のバッファメモリ領域内に記憶させておくことで、ランダムアクセスデータ使用時のＨＤＤへのアクセス回数を減らす。 - 特許庁
  • When the random access memory has an empty area available for storing write data, the device for control storage device stores the write data in the random access memory; copies data in the random access memory into the first storage device in the order of time from the last access; and releases an area in which the data copied in the random access memory has been stored.
    記憶装置管理装置は、ランダムアクセスメモリが書き込みデータを格納できる空き領域を有している場合、書き込みデータをランダムアクセスメモリにおいて格納し、ランダムアクセスメモリ内のデータを最後にアクセスされてからの時間順に第１記憶装置内にコピーし、ランダムアクセスメモリ内のコピーされたデータを格納していた領域を開放する。 - 特許庁
  • To provide a static random access memory capable of suppressing a decrease in static noise margin.
    スタティックノイズマージンの低下を抑制できるスタティック・ランダム・アクセス・メモリを得ること。 - 特許庁
  • METHOD, DEVICE, AND SYSTEM FOR ERASING AND WRITING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁気ランダムアクセスメモリの消去および書込みのための方法、装置およびシステム - 特許庁
  • SYSTEM AND METHOD AND DECODING SYSTEM FOR FOUR-CONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY CELL
    ４導体磁気ランダムアクセスメモリセルのためのシステム及び方法並びにデコード方式 - 特許庁
  • To propose a magnetic random access memory (MRAM) having a cell array structure suitable for high integration of a cell.
    セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁
  • To obtain a partially non-volatile dynamic random access memory(PNDRAM).
    部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）を提供すること。 - 特許庁
  • METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
  • To provide an asymmetrical static random access memory element having reduced bit line leakage.
    ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子を提供する。 - 特許庁
  • To provide a magnetic random access memory (MRAM) using magnetic domain drag phenomenon.
    マグネチックドメインドラッグ現象を用いた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を提供する。 - 特許庁
  • TRIPLE SAMPLE-SENSING FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) EQUIPPED WITH SERIES DIODE
    直列ダイオードを備える磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のためのトリプルサンプルセンシング - 特許庁
  • Also, an array of the magnetic random access memory cells and a method for manufacturing it are provided.
    また、磁気ランダムアクセスメモリセルのアレイと、それを製造する方法も提供する。 - 特許庁
  • SELF-TERMINATION SCEME IN DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
    二重データレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリデバイスにおける自動終端方式 - 特許庁
  • Downloading it straight off the power lines into the random access memory in this briefcase.
    送電線からすぐにそれをダウンロードして このブリーフケースの ランダムアクセスメモリーに - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • To provide a semiconductor storage device which matches an access time of a large-capacity nonvolatile memory and an access time of a random access memory, and includes the large-capacity nonvolatile memory.
    大容量の不揮発性メモリのアクセス時間とランダム・アクセス・メモリのアクセス時間との整合を図り、大容量不揮発のメモリを含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
  • A DMA (Direct Memory Access) controller 17 for conducting the DMA transfer of an MAC (Memory Access Controller) frame is positioned between a RAM (Random Access Memory) 11 and an MAC layer controller 20 to reduce the load of the CPU.
    ＲＡＭ（１１）とＭＡＣ層コントローラ（２０）との間でＭＡＣフレームのＤＭＡ転送を行うためのＤＭＡコントローラ（１７）を設け、ＣＰＵの負荷軽減を図る。 - 特許庁
  • MULTI-BANK SCHEDULING TO IMPROVE PERFORMANCE ON TREE ACCESS IN DRAM BASED RANDOM ACCESS MEMORY SUBSYSTEM
    ＤＲＡＭベースのランダム・アクセス・メモリ・サブシステムでツリー・アクセスに関する性能を改善するためのマルチ・バンク・スケジューリング - 特許庁
  • A method and an apparatus are provided for writing data to a magnetic memory cell such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
    スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリセルへデータを書込むための方法および装置。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY
    半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁
  • A method and apparatus for writing data to a magnetic memory element, such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.
    スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子に、データを書込むための方法および装置。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME
    半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁
  • To provide an NOR-interface flash memory device and an access method concerned in order to allow random access to data by increasing a data access rate of a flash memory.
    フラッシュメモリのデータアクセス速度を上げ、データのランダムアクセスを可能にするために、ＮＯＲインターフェイスフラッシュメモリ装置及び関連アクセス方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for reducing power consumption of the magnetic memory element in a magnetic random access memory (MRAM).
    磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）の磁気メモリ素子の消費電力を小さくする方法を提供する。 - 特許庁
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