「Random Access Memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF WRITING DATA THEREOF
磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法 - 特許庁 - The device (8) can be made as a magnetic random access memory ('MRAM') device.
データ記憶デバイス(8)は磁気ランダムアクセスメモリ(「MRAM」)デバイスとすることができる。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY EQUIPPED WITH TRENCH CAPACITOR, AND ITS FABRICATING METHOD
トレンチキャパシタを備えたダイナミック・ランダムアクセスメモリとその製造方法 - 特許庁 - EMBEDDED CONTACT BAND, FORMING METHOD THEREFOR AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
埋め込み接触帯とその形成方法及び動的随時アクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD AND ELECTRONIC DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 - 特許庁 - A random access memory and a fuse array use the same active material.
ランダムアクセスメモリとヒューズアレイは同一の有効材料を使用する。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE OF ENHANCED-BUS TURNAROUND INTEGRATED CIRCUIT
エンハンスド・バス・ターンアラウンド集積回路ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR CORRECTING SOFT ERROR IN RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
ランダムアクセスメモリ装置におけるソフトエラーを補正するシステム及び方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気トンネル接合素子およびその形成方法、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MEASURING METHOD FOR PSEUDO STATIC NOISE MARGIN
スタティックランダムアクセスメモリ、および擬似スタティックノイズマージンの計測方法 - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR ACCESSING FOUR-CONDUCTOR MAGNETISM RANDOM ACCESS MEMORY
４導体磁気ランダムアクセスメモリにアクセスするためのシステム及び方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND DATA READ METHOD THEREOF
磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ読み出し方法 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PERFORMING STANDBY MODE IN RANDOM ACCESS MEMORY
ランダムアクセスメモリにおいてスタンバイモードを実行するための方法と装置 - 特許庁 - To provide a ferroelectric random access memory having small parasitic capacitance.
寄生容量の少ない強誘電体ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - The mobile device includes a volatile memory and a non-volatile random access memory as the memory of a control unit, and the volatile memory and the non-volatile random access memory are connected to a common bus.
制御部のメモリとして、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとを備え、揮発性メモリと不揮発性ランダムアクセスメモリとは共通バスに接続されたことを特徴とする携帯機器。 - 特許庁 - To attain the high speed of random cycle time being characteristics of a semiconductor memory circuit such as a fast cycle random access memory.
ファーストサイクルランダムアクセスメモリ等の半導体メモリ回路の特徴であるランダムサイクルタイムの高速化を図る。 - 特許庁 - When data read is stored in the random access memory, the device for controlling storage device reads the read data from the random access memory; and when read data is stored in the first storage device, the device for controlling storage device copies the read data in the random access memory, and reads the read data from the random access memory.
記憶装置管理装置は、読み出しデータがランダムアクセスメモリに格納されている場合、読み出しデータをランダムアクセスメモリから読み出し、読み出しデータが第１記憶装置に格納されている場合、読み出しデータをランダムアクセスメモリにコピーし、読み出しデータをランダムアクセスメモリから読み出す。 - 特許庁 - A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.
スタティックランダムアクセスメモリは，ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY CELL, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY OF CMOS, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD FOR GENERATING SENSE-ENABLE SIGNAL
ＣＭＯＳのスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、メモリ回路、及び、センスイネーブル信号の発生方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR BODY, DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRIC ISOLATION, AND MANUFACTURE OF MEMORY CELL
半導体ボディ、ダイナミックランダムアクセスメモリならびに電気的アイソレ—ションおよびメモリセルの形成方法 - 特許庁 - The writing circuit (24) for a large-scale array (10) of a memory cell (12) of the magnetic random access memory(MRAM) device (8).
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(8)のメモリセル(12)の大規模なアレイ(10)のための書き込み回路(24)。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR ACCESSING SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
ダイナミックランダムアクセスメモリ素子、ダイナミックランダムアクセスメモリ素子にアクセスする方法、半導体メモリ素子 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND CIRCUIT AND METHOD FOR DATA SENSING OF THE SAME
マグネチックランダムアクセスメモリ及びそのデータセンシング回路とデータセンシング方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD
磁気ランダムアクセスメモリおよびその動作方法およびその製造方法 - 特許庁 - To prevent complex configuration of a prefetch circuit in a multiport MRAM (magnetic random access memory).
マルチポートＭＲＡＭにおいて、プリフェッチ回路の複雑化を防止する。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, DATA-TRANSFERRING SYSTEM AND DATA WRITE METHOD
ダイナミックランダムアクセスメモリデバイス、デ—タ転送システム及びデ—タ書き込み方法 - 特許庁 - A RAM (Random Access Memory) 53 stores image data of a processing target or image data after processing.
ＲＡＭ５３は処理対象や処理後の画像データを記憶する。 - 特許庁 - To decrease the layout area of a data write section of a magnetic random access memory.
磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込部のレイアウト面積を低減する。 - 特許庁 - BIT LINE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING PROCESS OF CAPACITOR CONTACT HOLE
ダイナミックランダムアクセスメモリのビット線およびキャパシタコンタクトホールの製造プロセス - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR WRITING DATA TO MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL
磁気抵抗ランダムアクセスメモリセルにデータを書き込むためのシステム及び方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY(DRAM) AND FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY(FERAM)
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び強誘電性ランダムアクセスメモリ（ＦＥＲＡＭ）用の３次元的金属—絶縁体—金属コンデンサを製造する方法 - 特許庁 - MIS type semiconductor device and the semiconductor random access memory device application
MIS型半導体装置およびこれを用いた半導体ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁 - DATA WRITING METHOD OF MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - DISTRIBUTED MEMORY ARRAY SUPPORTING RANDOM ACCESS AND FILE STORAGE OPERATIONS
ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイ - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, ELECTRONIC APPARATUS, PRODUCTION PROCESS OF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE, AND PRODUCTION PROCESS OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁 - EQUI-POTENTIAL SENSING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) HAVING SERIES DIODE
直列ダイオードを有する磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の等電位センシング - 特許庁 - INVERTER, SEMICONDUCTOR LOGIC CIRCUIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND DATA LATCH CIRCUIT
インバータ、半導体論理回路、スタティックランダムアクセスメモリ、及びデータラッチ回路 - 特許庁 - 2T-1C TYPE FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS OPERATION METHOD
２Ｔ−１Ｃ型強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその動作方法 - 特許庁 - A memory such as RAM(Random Access Memory) is built in a character string comparator circuit 2 and in this memory, a character string corresponding to the communication protocol class is stored while fixing an address for each communication protocol class.
文字列比較回路２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを内蔵し、このメモリには通信プロトコル種別に対応した文字列を、その通信プロトコル種別毎にアドレスを固定して記憶している。 - 特許庁 - To provide a method and a device, which use a phase change memory available as a replacement of a NAND flash memory connected to a buffer, such as a static random access memory and/or a random access memory.
相変化メモリは、例えば、スタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリのようなバッファと結合したＮＡＮＤフラッシュメモリを置き換えるために用いられることが可能である。 - 特許庁 - A random access memory array includes first random access memory elements arranged in a plurality of rows and columns for storing data words at a multiple memory locations.
ランダムアクセスメモリアレイは、複数のメモリ位置においてデータワードを格納するために複数個の行及び列に配列された第一ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁 - A random access memory device includes an array of individual memory cells arranged into rows and columns, and each memory cell has a corresponding access device.
ランダム・アクセス・メモリ・デバイスは、行及び列に配置された個々のメモリセルのアレイを含み、各々のメモリセルは、対応するアクセス・デバイスを有する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁 - To provide a resistance random access memory element achieving small variations in switching characteristics and suitable for high integration, and to provide a method of controlling the resistance random access memory element.
スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a static random access memory further stabilized for reading.
向上した読み取り安定性を有する静的ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.
ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a multi-port memory of a clock synchronizing system which can perform random access, which respect to a multi-port memory, having plural random access ports.
本発明は、複数のランダムアクセスポートを有するマルチポートメモリに関し、ランダムアクセス可能なクロック同期式のマルチポートメモリを提供することを目的とする。 - 特許庁
