「Random Access Memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND WRITING METHOD THEREOF
磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 - 特許庁 - READ-OUT DATA ROUTE FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミックランダムアクセスメモリのための読出データ経路 - 特許庁 - PHASE-CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY COMPRISING GLOBAL BIT LINE
グローバルビット線を有するスタティックランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND INITIALIZATION METHOD THEREOF
磁気ランダムアクセスメモリ及びその初期化方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE
スタティック・ランダム・アクセスメモリおよび半導体装置 - 特許庁 - INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
集積回路半導体ランダムアクセス・メモリ装置 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - DATA BUS ARCHITECTURE FOR ACCELERATED COLUMN ACCESS IN RANDOM ACCESS MEMORY
ランダムアクセスメモリにおける列アクセスの加速化用データバス構造 - 特許庁 - ACCESS METHOD OF NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS ARCHITECTURE
不揮発性ランダムアクセスメモリのアクセス方法、およびそのアーキテクチャ - 特許庁 - MAGNETIC MEMORY CELL, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気メモリセルの製造方法 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
強誘電体メモリおよびその製造方法 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF INITIALIZING THE SAME
磁気ランダムアクセスメモリ、及びその初期化方法 - 特許庁 - MAGNETO-RESISTIVE ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気トンネル接合素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, DEVICE COMPRISING THE CELL, AND MANUFACTURING METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
ダイナミックランダムアクセスメモリセル、これを含むデバイス、及びダイナミックランダムアクセスメモリ記憶装置の製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
磁気ランダムアクセスメモリ装置および半導体装置 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE-EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WHOSE PARASITIC CURRENT IS REDUCED
寄生電流を低減した磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - RANDOM ACCESS MEMORY USING SUPERCONDUCTIVE LOGIC GATE
超電導論理ゲートを用いたランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
磁気ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE OF THE SAME
ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - To accelerate the random access speed of a serial memory device.
シリアルメモリ装置のランダムアクセスを高速化する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - An asynchronous transmission DMA(Direct Memory Access) 31 performs DMA transfer of data stored in a RAM(Random Access Memory) connected with a host bus 2 to an asynchronous transmission FIFO(First In, First Out) 32 by unit of packet.
アシンクロナス送信DMA３１は、ホストバス２に接続されているRAM(Random Access Memory)に格納されているデータをパケット単位でアシンクロナス送信FIFO３２にDMA(Direct Memory Access)転送する。 - 特許庁 - STORAGE ELEMENT OF ACTIVE STRAP MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELLS
アクティブストラップ式磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR WRITING THE SAME
磁気ランダムアクセスメモリおよびその書き込み方法 - 特許庁 - NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF
不揮発性ランダムアクセスメモリ及びその製造方法 - 特許庁 - DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, ELECTRONIC CARD, AND ELECTRONIC DEVICE
磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM-ACCESS MEMORY CELL USING MAGNETOSTATIC COUPLING
静磁気結合を利用した磁性ランダムアクセスメモリセル - 特許庁 - PARTIALLY NON-VOLATILE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
部分的に不揮発性のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - BEAM FORMING SYSTEM USING ANALOG RANDOM ACCESS MEMORY
アナログランダムアクセスメモリを使用したビーム成形システム - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND METHOD FOR WRITING DATA THERETO
磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE
ダイナミックランダムアクセスメモリおよび半導体記憶装置 - 特許庁 - To provide a low power magnetic random access memory cell.
低電力磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND DRIVING METHOD THEREFOR
磁気抵抗ランダムアクセスメモリおよびその駆動方法 - 特許庁 - ONE-TRANSISTOR ONE-CAPACITOR TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
１トランジスタ１キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁 - METHOD FOR CONTROLLING READING ACCESS OF MEMORY CELL, AND DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
メモリセルの読み出しアクセスを制御する方法およびダイナミックランダムアクセスメモリデバイス - 特許庁 - MAGNETRORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁 - SILICON ON INSULATOR NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
シリコン・オン・インシュレ—タ不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・デバイス - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR TESTING RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
ランダムアクセスメモリ装置をテストする方法及び装置 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR TESTING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミックランダムアクセスメモリをテストする方法及び装置 - 特許庁 - To provide a self-referenced magnetic random access memory cell.
自己参照磁気ランダムアクセスメモリセルを提供する。 - 特許庁 - SUPERCONDUCTING RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
超伝導ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁
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