「Random Access Memory」を含む例文一覧(929)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 18 19 次へ＞- STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
スタティックランダムアクセスメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY
可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
強誘電体ランダムアクセスメモリ装置の製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READING METHOD
磁気ランダムアクセスメモリ及びそのデータ読み出し方法 - 特許庁 - NONVOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY RAM AND ITS MANUFACTURING METHOD
不揮発性ランダムアクセスメモリおよびその製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY WITH GLOBAL WRITE LINE
グローバル書込線を具備する磁気ランダムアクセスメモリアレイ - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING SHARED GLOBAL WORD LINE
共用グローバルワード線を有する磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置 - 特許庁 - MANUFACTURE OF EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
埋め込まれたダイナミック・ランダム・アクセス・メモリーの製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS DATA READ-OUT METHOD
磁気ランダムアクセスメモリおよびそのデータ読み出し方法 - 特許庁 - To speed up random write access to a nonvolatile memory.
不揮発性メモリのランダムライトアクセスの高速化を図る。 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁 - METHOD FOR INITIALIZING MAGNETIC ORIENTATION OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL
磁気ランダムアクセスメモリセルの磁気配向初期化方法 - 特許庁 - METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE
抗磁ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory having high integration.
集積度の高い磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置とその検査方法 - 特許庁 - This device is a magnetic random access memory(MRAM) device (100).
メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）デバイス(100)。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING EMBEDDED MEMORY
磁気ランダムアクセスメモリの製造方法及び混載メモリの製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME
磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成 - 特許庁 - UNI-TRANSISTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF
ユニ・トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法 - 特許庁 - MAGNETIC ELEMENT AND INTERGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL
磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - ARCHITECTURE OF SPACE TIME SWITCH USING RANDOM ACCESS MEMORY
ランダム・アクセス・メモリを用いた空間・時間スイッチのアーキテクチャ - 特許庁 - DATA SENSING METHOD FOR FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY
強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING HIGH CURRENT DENSITY
高い電流密度を有する磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND TEST METHOD THEREFOR
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置およびその検査方法 - 特許庁 - To allow a memory hub permit a graphics processor to access random access memories such as dynamic random access memories (DRAMs).
メモリハブがグラフィックス処理装置にダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）などランダムアクセスメモリへのアクセスを提供すること。 - 特許庁 - LOGICAL DATA BLOCK, MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY, MEMORY MODULE, COMPUTER SYSTEM, AND METHOD THEREFOR
論理データブロック、磁気ランダムアクセスメモリ、メモリモジュール、コンピュータシステムおよび方法 - 特許庁 - RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - A memory cell has a chalcogenide random access memory, CRAM, cell 40 and a CMOS circuit.
メモリセルはカルコゲニドランダムアクセスメモリ（CRAM）セル４０とCMOS回路とを有している。 - 特許庁 - A memory apparatus may be a resistive cross point memory (RXPtM) cell type (e.g. a magnetic random access memory (MRAM).
抵抗性クロスポイントメモリ(resistive cross point memory(RXPtM))セルタイプ(例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM))とすることが可能なメモリ装置。 - 特許庁 - A method for manufacturing the magnetic random access memory cell is also provided.
磁気ランダムアクセスメモリセルを製造する方法も提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR DETERMINING INITIAL STATE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティック・ランダム・アクセス・メモリの初期状態を決定する方法 - 特許庁 - A magnetic random access memory according to an embodiment includes a silicon substrate.
実施形態の磁気ランダムアクセスメモリは、シリコン基板を持つ。 - 特許庁 - LAYOUT WITH RELAXED STORAGE NODE OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリの蓄積ノ—ドの緩和されたレイアウト - 特許庁 - To reduce the current consumption of a dynamic random access memory (DRAM).
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の消費電流を低減する。 - 特許庁 - To reduce current consumption of a dynamic random access memory DRAM.
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）の消費電流を低減する。 - 特許庁 - BIT LINE DETECTING CIRCUIT AND METHOD FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミックランダムアクセスメモリ用ビット線検知回路及び方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MAGNETIC MEMORY
磁気抵抗効果素子及び不揮発性ランダムアクセス磁気メモリ - 特許庁 - At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.
第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁 - VIRTUAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD
仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME
スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルとその製造方法 - 特許庁 - MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS WRITE CONTROL METHOD
磁気抵抗ランダムアクセスメモリおよびその書き込み制御方法 - 特許庁 - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY SYSTEM WITH BANK CONFLICT AVOIDANCE FEATURE
バンク衝突回避機能を備える動的ランダムアクセスメモリシステム - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL OF TWO TRANSISTOR AND ITS DRIVING METHOD
２個トランジスタのスタティックランダムアクセスメモリーセルとその駆動方法 - 特許庁 - VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER
ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁 - SPIN-INJECTED MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
スピン注入磁化反転素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁 - MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY
列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁
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