The DRAM controller 2 performs the self-refresh operation after the operation temperature setting value of the SDRAM 1 is changed according to the control instruction of the CPU 3. DRAMコントローラ2は、CPU3の制御の指示に従ってSDRAM1の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory and sense amplifier drive method performing refresh operation with a smaller capacity, thereby reducing the size. リフレッシュ動作をより少ない容量で行うことができ、これにより小型化を可能とする半導体記憶装置とセンスアンプ駆動方法を実現する。 - 特許庁
Thereby, consecutive access request can be supplied always at the same timing irrespective of the presence of the refresh request and malfunction of a semiconductor memory can be prevented. したがって、リフレッシュ要求の挿入の有無に拘わらず、常に同じタイミングで後続のアクセス要求を供給でき、半導体メモリの誤動作を防止できる。 - 特許庁
To provide a semiconductor element with improved refresh characteristics by reducing parasitic capacitance and improving punch-through characteristics, and provide its manufacturing method. 寄生キャパシタンスの低下及びパンチスルー特性の改善により、リフレッシュ特性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To suppress generation of flickers by equalizing the effective voltage of the positive polarity and that of negative polarity to each other even when refresh periods of different length exist together. 異なる長さのリフレッシュ周期が混在していても、正極性の実効電圧と負極性の実効電圧とを等しくしてフリッカの発生を抑える。 - 特許庁
The flag is referred to in returning from the stop state, and when the SDRAM has performed the self-refresh operation in the stop state, initialization processing is omitted. 停止状態からの復帰時にフラグを参照し、停止状態においてSDRAMがセルフリフレッシュ動作を行っていた場合は初期化処理を省略する。 - 特許庁
To provide a memory capable of performing a refresh operation without competing with an internal access operation even when an external access operation is non-periodically performed. 外部アクセス動作が非周期的に行われる場合にも、内部アクセス動作と競合することなくリフレッシュ動作を行うことが可能なメモリを提供する。 - 特許庁
Since the LCD controller 5 and the frame buffer 4 are disconnected from the high-speed bus Bh, the electric power consumption during LCD refresh can be reduced. LCDコントローラ5およびフレームバッファ4が高速バスBhから切り離されるので、LCDリフレッシュ時の消費電力を低減することができる。 - 特許庁
To reduce output frequency of time-out signals for prohibiting memory access and performing refresh-operation and to reduce current consumption without increasing circuit scale. 回路規模を増大させずに、メモリアクセスを禁止しリフレッシュ動作を行うためのタイムアウト信号の出力頻度を低減すると共に、消費電流を低減する。 - 特許庁
When a refresh mode is performed (YES in S1), it is checked whether or not the amount of toner attachment of toner consumption pattern exceeds 0.6 [mg/cm^2] or more (S2). リフレッシュモードが実行されたら(S1のYES)、トナー消費パターンのトナー付着量が、0.6[mg/cm^2]以上か否かをチェックする(S2)。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which can reduce power consumption at the time of standby by performing refresh only for a memory cell of one part in which holding is required. 保持の必要な一部のメモリセルのみリフレッシュを行うことにより、待機時の消費電力を減らすことを可能とした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The power changeover control circuit and the DRAM self-refresh control circuit are backed up by the primary battery when the 1st power source voltage drops. そして、電源切換え制御回路及びDRAMセルフリフレッシュ制御回路は第1の電源の電圧が低下したときに一次電池によりバックアップされる。 - 特許庁
The semiconductor memory device releases the self refresh mode on the basis of a plurality of external signals such as a signal/RAS continuously inputted for there cycles. 開示される半導体記憶装置は、3サイクル連続して入力される信号/RAS等の複数の外部信号に基づいて、セルフリフレッシュモードを解除する。 - 特許庁
Because it is unnecessary to write a processing program for shifting the semiconductor memory to the self refresh mode in a program, the software processing is prevented from becoming complicated. 半導体メモリをセルフリフレッシュモードに移行する処理プログラムをプログラム中に書く必要はないため、ソフトウエアの処理が複雑になることが防止できる。 - 特許庁
The memory control unit 21 executes the refresh operation of the DRAM 12 when both the imaging device drive signal and the setting signal are not being received. メモリ制御部21は、撮像素子駆動信号および設定信号の両方とも受信していないときに、DRAM12のリフレッシュ動作を実行する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory circuit in which sufficient restoring level can be obtained even when self-refresh requiring low current consumption is used. 低消費電流が要求されるセルフリフレッシュを使用した場合であっても、十分なリストアレベルを得ることがでる半導体記憶回路を提供すること。 - 特許庁
The toolbar buttons let you refresh information in the window, expand and collapse nodes in the tree pane, and cycle through the found usages. ツールバーボタンを使用すると、ウィンドウの情報の再表示、ツリー区画でのノードの展開と収縮、検索した使用状況間での巡回を行うことができます。 - NetBeans
If input is found,and it is coming from a tty, the current update is postponed untilrefresh or doupdate is called again, allowing faster response to commands typed in advance. 入力が得られ、かつ入力は端末からのものである場合、現在行おうとしている更新は refresh や doupdate を再度呼び出すまで先送りにします。 - Python
If you retrieved xman'swidget tree before the the manual page is active, you may wish to refresh the widget tree after the manual page has been displayed. マニュアルページが生成される前に xman のウィジェットツリーを取得した場合には、ユーザはマニュアルページが表示された後にウィジェットツリーを更新しようと考えるだろう。 - XFree86
To improve image quality by reducing color cracks of an image displayed on a screen or the like with an image display device of a color sequence method without enhancing a refresh rate. リフレシュレートを上げることなく、色順次方式の映像表示装置にてスクリーン等に表示する映像の色割れを低減して画質を改善する。 - 特許庁
To provide a bathing agent composition that gives rise to an extremely good stop feeling during taking a bath and provides remarkably improved refresh feeling after taking a bath. 入浴中に極めて良好なストップフィーリングを生じさせるとともに、入浴後のサッパリ感を著しく向上させる浴用剤組成物の提供。 - 特許庁
A time T_1 and an integration value Σ|I| of charging/discharging current I are counted after the battery 10 is brought into a fully charged state by a previous refresh charging. バッテリ10が前回リフレッシュ充電により満充電状態になった後の時間T_1及び充放電電流Iの積算値Σ|I|を計数する。 - 特許庁
To provide a system and a method which includes automatic switching of display update properties such as screen resolution, pixel depth and refresh in response to a power management event. システム及び方法は、電力管理イベントに応じて、画面解像度、画素深度やリフレッシュ・レートなどのディスプレイ更新特性の自動切り替えを備える。 - 特許庁
When a refresh mode of the DRAM 212 is released, the DRAM controller 115 makes the terminal voltage supply means 209 start for supplying the power source, and the controller 115 makes the means 209 wait to access the DRAM 212, from the start of power source supply by the terminal voltage supply means 209 to the release state of refresh. DRAMコントローラ115は、DRAM212のリフレッシュモードを解除するときに、終端電圧供給手段209に電源の供給を開始させ、終端電圧供給手段209が電源供給を開始してから、DRAM212がリフレッシュ解除状態となるまで、DRAM212に対するアクセスを待たせる。 - 特許庁
Thus, when an external address is read after the reading operation of refresh, reading is accelerated by a period required for writing for refreshing and when the external address is read after the writing operation of refresh, reading is accelerated by a period required for reading for refreshing. これにより、リフレッシュの読み出し動作後に外部アドレスの読み出しを行った場合はリフレッシュの書き込みに必要な時間だけ読み出し時間を速くすることができ、リフレッシュの書き込み動作後に外部アドレスの読み出しを行った場合はリフレッシュの読み出しに必要な時間だけ読み出し時間を速くすることができる。 - 特許庁
The self refresh module includes a temperature reference table constituted so as to receive the temperature signal and supply a third signal based on the temperature signal, and a temperature divider constituted so as to supply a self refresh pulse based on the second signal and the third signal. このセルフリフレッシュモジュールは、上記温度信号を受信して、この温度信号に基づいて第3の信号を供給するように構成された温度参照テーブルと、上記第2の信号および上記第3の信号に基づいてセルフリフレッシュパルスを供給するように構成された温度分割器とを有している。 - 特許庁
To prevent breakdown of a system due to lack of input data, etc. by distributing refresh execution instead of prioritizing fresh execution and carrying it out sequentially, and also by permitting a high priority access such as a request for write of input data during refresh. 本発明のアクセス制御方法は、リフレッシュ実行を最優先して連続で行なうのではなく、リフレッシュ実行を分散させてかつリフレッシュ中には入力データ書込要求のように優先順位の高いアクセスを許可することで、入力データの欠落等によるシステムの破綻を防ぐことを目的とする。 - 特許庁
To obtain a plasma display panel display device provided with a refresh diving by which defective write-in causing an erroneous light emission of adjacent non-display cells can be prevented even when a still picture is displayed for a long time, deterioration of service life caused by reduction of setting voltage can be suppressed, and of which purpose is to refresh discharge characteristic. 長時間、静止画を表示した場合でも、隣接の非表示セルが誤発光を起こす書き込み不良を防止でき、設定電圧の低下による寿命の劣化を抑えることが可能な、放電特性のリフレッシュを目的としたリフレッシュ駆動を備えたプラズマディスプレイ表示装置とその駆動方法を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which high integration and a very high speed are obtained and further, power consumption when holding information is remarkably reduced by suppressing an increase in the area of memory cell, obtaining a very high speed read time and further, securing a long refresh time in the case of self-refresh. メモリセルの面積の増加を抑え、また超高速の読み出し時間を得て、さらにセルフリフレッシュ時にはリフレッシュ間隔を長くとれるようにすることによって、高集積かつ超高速、さらに情報保持時の消費電力を大幅に削減することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A control signal SW is output prior to a refresh operation mode signal M(I), and respective switch parts 13 and 14 select a holding address bus LAdd and a holding redundancy discrimination result bus LJ from respective holding parts 11 and 12 and output address information, which is a refresh operation object to a word-line drive system circuit 64. リフレッシュ動作モード信号M(I)に対して、制御信号SWが先行して出力され、各切り替え部13、14は各保持部11、12からの保持アドレスバスLAddおよび保持冗長判定結果バスLJを選択してリフレッシュ動作対象であるアドレス情報をワード線駆動系回路64に出力する。 - 特許庁
When the TMSELF signal is made H at the time of self-refresh, this refresh monitor circuit outputs a monitor signal having the same waveform as that of the int.ZRAS signal to an output node DQ of an output circuit 6, and can monitor the int.ZRAS signal based on this monitor signal. このリフレッシュモニタ回路は、セルフリフレッシュ時にTMSELF信号がHになったときに、出力回路6の出力ノードDQに、int.ZRAS信号と同一波形のモニタ信号を出力するようになっており、このモニタ信号に基づいてint.ZRAS信号をモニタすることができるようになっている。 - 特許庁
A DRAM 10 is provided with a sleep mode in which control of an internal circuit supplying a power source to a memory core including a memory cell and control of refreshing for a memory core are combined to a power down mode, ad refresh-stop mode (Nap mode), and a partial self-refresh mode (S-Ref mode), these modes are selected in a program mode Pro, PE. DRAM10は、パワーダウンモードにメモリセルを含むメモリコアに電源を供給する内部回路の制御と、メモリコアに対するリフレッシュの制御を組み合わせた「スリープモード」、「リフレッシュ停止モード(Napモード)」、「部分セルフリフレッシュモード(S−Refモード)」を備え、これらモードをプログラムモードPro,PEにおいて選択する。 - 特許庁
An output circuit 6 of a DRAM (semiconductor memory) is composed substantially of a NAND gate NA1, an AND gate A1, a Pch-Tr2, and a Nch-Tr4, and the circuit is provided with a refresh monitor circuit to which a TMSELF signal (test mode signal) and a int.ZRAS signal (internal signal starting refresh) are inputted. DRAM(半導体記憶装置)の出力回路6には、実質的にNANDゲートNA1とANDゲートA1とPch−Tr2とNch−Tr4とで構成され、TMSELF信号(テストモード信号)及びint.ZRAS信号(リフレッシュを起動する内部信号)が入力されるリフレッシュモニタ回路が付設されている。 - 特許庁
The memory includes a circuit 800 as the directed auto-refresh memory bank selecting part configured to simultaneously select a first of the at least two memory banks for read or write operation and a second of the at least two memory banks for directed auto-refresh. 上記メモリは、上記少なくとも2つの各メモリバンクの内における、読み出し書き込み動作のための第1のメモリバンクと、上記少なくとも2つの各メモリバンクの内における、指定自動リフレッシュのための第2のメモリバンクとを同時に選択するように構成された、指定自動リフレッシュメモリバンク選択部としての回路800を含んでいる。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device in which the occurrence of data destruction due to the erroneous start of a refresh operation is prevented even when noise is superimposed on a low address strobe signal. ロウアドレスストーブ信号にノイズが重畳しても、リフレッシュ動作の誤起動に起因するデータ破壊の発生を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Moreover, in a snooze state (a low power consumption state), a refresh operation is started in accordance with the generation of the signal RFTM regardless of the presence or absence of the ATD signal. また、スヌーズ状態(低消費電力状態)では、ATD信号の有無に拘わらず、リフレッシュタイミング信号RFTMの発生に応じてリフレッシュ動作を開始する。 - 特許庁
In addition, the access part 46 performs postscript/refresh on the date for starting of use of the recording paper roll 12, the amount of remaining of the recording paper, and environmental information (temperature and humidity in the printer). また、アクセス部46は、ICタグ12b内に、記録紙ロール12の使用開始日時、記録紙残量、環境情報(プリンタ内の温度や湿度)を追記・更新する。 - 特許庁
To provide a plating apparatus which has a plating tank with an opened top and can refresh a plating solution with a different stirring method from that of using a stirring rod. 上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。 - 特許庁
To provide a radioactive imaging device capable of improving a frame frequency by reducing a refresh time and a standby time after refreshing, and a control method thereof. リフレッシュ時間及びリフレッシュ後の待機時間を削減し、フレーム周波数を向上させることができる放射線撮像装置及びその制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device that is operated based on SRAM specifications, does not delay normal access by the influence of refresh, and can reduce a memory cycle as compared with before. SRAM仕様で動作し、リフレッシュの影響で通常のアクセスが遅延せず、メモリサイクルを従来よりも短縮可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To refresh an Nox trapping material while suppressing an unfavorable influence to engine performance to the utmost in an exhaust emission control device for an engine provided with the trapping material. Noxトラップ材を備えたエンジンの排気浄化装置において、エンジン運転性能への悪影響を極力抑えつつNoxトラップ材のリフレッシュを支障なく行う。 - 特許庁
Upon receiving the next read-end, a comparator 33 compares the value of the counter 31 with a time required for continuous refresh, and when the value of the counter is larger, the comparator 33 generates a signal/cont-ref-on. コンパレータ33は、次のread_endを受信したときに、カウンタ31の値を連続リフレッシュの所要時間と比較し、カウンタ値の方が大きければ、信号/cont_ref_onを発生する。 - 特許庁
To provide a test method and a test circuit in which confirmation of operation when a time interval between refresh-operation and read-out/write- in operation is forcedly approached can be performed. リフレッシュ動作と読出し・書込み動作との時間間隔を強制的に近接させたときの動作確認を行なうことができるテスト方法およびテスト回路を提供する。 - 特許庁
Refreshing is performed periodically for a high speed nonvolatile memory cell having spontaneous data preserving capability at the time of non-use of a device by a refresh-control means. リフレッシュ制御手段によって、自発的データ保存能力のある高速不揮発性メモリセルに対して、機器不使用時(又はメモリ待機時)に定期的にリフレッシュを施す。 - 特許庁
The refresh drop receiver is operable in the sheet feeding direction to traverse a print head completely and arranged in annular endless system or single side winding system. 前記リフレッシュ滴受けは、印刷ヘッドを完全に横切るように用紙送り方向に動作可能であり、エンドレスの環状、もしくは片側で巻き取る方式に構成する。 - 特許庁
The CPU 21 executes an area management processing in which area are divided during track-refresh-write operation, while a plurality of area are unified based on the upper limit of management area numbers. CPU21は、トラックリフレッシュライト動作時に、エリアを分割すると共に、管理エリア数の上限に基づいて複数のエリアを統合するエリア管理処理を実行する。 - 特許庁
A system of the present invention is provided with a synchronous-type flash memory device 100, a synchronous-type DRAM device 200 having a refresh mode, and a microprocessor 300 for controlling operations of both of these devices. 本発明のシステムには、同期型フラッシュメモリ装置100、リフレッシュモードを有する同期型DRAM装置200、両装置の動作を制御するためのマイクロプロセッサ300が提供される。 - 特許庁
To enable processing a refresh-cycle and an external read/write access cycle in parallel in a dynamic type memory device to/from which data is inputted/outputted to the outside through a data buffer register. データ・バッファ・レジスタを介して外部とデータを入出力するダイナミック型メモリ装置において、リフレッシュ・サイクルと外部リード/ライト・アクセス・サイクルとを並行処理可能にする。 - 特許庁
When charging by the regular charging portion 6 is successively performed, for example, 10 times, the setting of a change-over portion 8 is changed to perform next charging by the refresh charging portion 7. 通常充電部6による充電が、例えば10回連続したときに、次回の充電はリフレッシュ充電部7で行うよう切替部8を切り替える。 - 特許庁
To provide an image decoding device capable of easily restoring information lost by mistake without generating an increase in the code amount comparable to peripheral refresh or error correction. 誤りにより情報が失われた場合でも早期に回復可能で、かつ周期リフレッシュや誤り訂正ほどの符号量の増加がない画像復号化装置を提供する。 - 特許庁
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