「Refresh」を含む例文一覧(1813)

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  • Refresh CurrentWidget Tree Editres only knows about the widgets that exist at the presenttime.
    "Refresh Current Widget Tree" editres が認識するのは現時点で存在しているウィジェットだけである。 - XFree86
  • A refresh method and the semiconductor device enable suppressing of internal power source drop which poses a problem during doubling refresh by changing a doubling refresh performance means by a refresh command mode (distributed refresh or intensive refresh).
    リフレッシュコマンドの形態（分散リフレッシュ、又は集中リフレッシュ）により、倍増リフレッシュ実行手段を変更ことで、倍増リフレッシュ時に問題となる内部電源ドロップを抑制することができるリフレッシュ方法、及び半導体装置。 - 特許庁
  • REFRESH-METHOD FOR SDRAM RECORDING DEVICE
    ＳＤＲＡＭ記録装置のリフレッシュ方法 - 特許庁
  • REFRESH CONTROLLER AND METHOD THEREOF
    リフレッシュ制御装置およびその方法 - 特許庁
  • REFRESH DISCHARGE DEVICE FOR ELECTRIC VEHICLE
    電動車両のリフレッシュ放電装置 - 特許庁
  • REFRESH METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    半導体メモリ装置のリフレッシュ方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY WITH REFRESH TRIGGER
    リフレッシュトリガー付き半導体記憶装置 - 特許庁
  • REFRESH CONTROL OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    半導体メモリ装置のリフレッシュ制御 - 特許庁
  • REFRESH CONTROL CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR MEMORY
    半導体メモリのリフレッシュ制御回路 - 特許庁
  • A refresh signal 22 is outputted by referring to the priority degree of refresh to be indicated by the refresh map signal 27 and the allowable number of blocks to be an object of the refresh processing by an adaptive refresh signal generating part 4.
    適応リフレッシュ信号発生部４は、リフレッシュマップ信号２７の示すリフレッシュ優先度と、リフレッシュ処理の対象となる許容ブロック数とを参照してリフレッシュ信号２２を出力する。 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, INTERNAL REFRESH STOP METHOD, COMPETITION PROCESSING METHOD OF EXTERNAL ACCESS AND INTERNAL REFRESH,COUNTER INITIALIZING METHOD, REFRESH ADDRESS DETECTING METHOD OF EXTERNAL REFRESH, AND EXECUTION SELECTING METHOD OF EXTERNAL REFRESH
    半導体記憶装置、内部リフレッシュ停止方法、外部アクセスと内部リフレッシュとの競合処理方法、カウンタ初期化手法、外部リフレッシュのリフレッシュアドレス検出方法、及び外部リフレッシュ実行選択方法 - 特許庁
  • A refresh system circuit refreshes the memory cell selected according to the refresh address from the refresh address generation circuit, responsive to a refresh request issued by a refresh timer (85) at predetermined intervals.
    リフレッシュ系回路は、リフレッシュタイマ（８５）から所定の周期で発行されるリフレッシュ要求に従って、リフレッシュアドレス発生回路からのリフレッシュアドレスに従って選択されたメモリセルのリフレッシュを行なう。 - 特許庁
  • To provide a refresh control device in which a refresh period of a DRAM can be controlled by a simple refresh control circuit.
    簡易なリフレッシュ制御回路でＤＲＡＭのリフレッシュ周期を制御することが可能なリフレッシュ制御装置の提供。 - 特許庁
  • At the time of a self-refresh mode, power source voltage is supplied to only a test refresh system circuit and refresh operation is performed.
    セルフリフレッシュモード時テストリフレッシュ系回路に対してのみ電源電圧を供給してリフレッシュ動作を実行させる。 - 特許庁
  • To efficiently refresh an SDRAM.
    ＳＤＲＡＭのリフレッシュを効率的に行う。 - 特許庁
  • A refresh-signal is generated inside of a semiconductor memory 1, and refresh-operation is performed based on its refresh-signal.
    半導体記憶装置１の内部でリフレッシュ信号を生成し、そのリフレッシュ信号に基づきリフレッシュ動作をおこなう。 - 特許庁
  • COMPUTER SYSTEM AND MEMORY REFRESH METHOD THEREFOR
    コンピュータシステムとそのメモリリフレッシュ方法 - 特許庁
  • CONTROL METHOD FOR REFRESH-OPERATION OF DRAM
    ＤＲＡＭのリフレッシュ動作の制御方法 - 特許庁
  • First, refresh is conducted in a period one shot pulse is being generated using a refresh address R-ADD generated by a refresh control circuit 4.
    まず、リフレッシュ制御回路４が生成したリフレッシュアドレスR_ADDを用いてワンショットパルスの発生期間中にリフレッシュする。 - 特許庁
  • To periodically carry out refresh of a memory cell by a refresh timer and to avoid the contention between a memory access and memory refresh.
    メモリセルのリフレッシュをリフレッシュタイマーにより周期的に実行し、かつメモリアクセスとメモリリフレッシュの衝突を回避する。 - 特許庁
  • SDRAM, SDRAM REFRESH ISSUING SYSTEM, AND SDRAM REFRESH ISSUING METHOD
    ＳＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭのリフレッシュ発行システム、及びＳＤＲＡＭのリフレッシュ発行方法 - 特許庁
  • The refresh controller maintains the memory device at the refresh mode until the data processing system reenables the external refresh signal.
    リフレッシュ・コントローラは、データ処理システムが外部リフレッシュ信号をリイネーブルするまで、メモリ・デバイスをセルフリフレッシュ・モードに保つ。 - 特許庁
  • To perform refresh operation properly even when a refresh address is defective.
    リフレッシュアドレスが不良アドレスである場合であっても正しくリフレッシュ動作を行う。 - 特許庁
  • Thus, a memory controller 35 starts the continuous refresh, and a refresh controller 34 prevents any refresh cycle from being generated in a prescribed time after the end of the continuous refresh.
    これにより、メモリコントローラ３５は、連続リフレッシュを開始し、リフレッシュコントローラ３４は、連続リフレッシュ終了後、所定時間にわたってリフレッシュサイクルを発生いさせない。 - 特許庁
  • DRAM CAM CELL PROVIDED WITH HIDDEN-REFRESH
    隠れリフレッシュを備えたＤＲＡＭＣＡＭセル - 特許庁
  • Presentation of Documents, etc. to Refresh a Witness's Memory
    記憶喚起のための書面等の提示 - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • This will refresh the information in the BPEL Mapper.
    BPEL マッパーの情報が再表示されます。 - NetBeans
  • A refresh frequency setting unit 103 assigns a refresh frequency to each flag value.
    リフレッシュ数設定部１０３は、フラグ値の各々に対してリフレッシュ数を割り当てる。 - 特許庁
  • DYNAMIC MEMORY HAVING THINNING REFRESH FUNCTION
    間引きリフレッシュ機能を有するダイナミックメモリ - 特許庁
  • SELF REFRESH CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    セルフリフレッシュ制御回路、半導体装置 - 特許庁
  • to refresh one's memory―jog one's memory―brush up one's memory―touch up one's memory
    記憶を新しくする、記憶を喚起する - 斎藤和英大辞典
  • to refresh one's memory―jog one's memory―fillip up one's memory―touch up one's memory
    忘れたことを身をつねって思い出す - 斎藤和英大辞典
  • Refresh rates supported are:60Hz, 75Hz and 85Hz.
    対応しているリフレッシュレートは 60Hz, 75Hz, 85Hz である。 - XFree86
  • Also by the refresh control circuit, a formation of the test refresh requisition signal is inhibited when the refresh mask signal is in a valid level.
    また、リフレッシュ制御回路は、リフレッシュマスク信号が有効レベルのときにテストリフレッシュ要求信号の生成を禁止する。 - 特許庁
  • A refresh address generation circuit (20b, 86 and 88) generates a refresh address so as to refresh a memory cell in the region specified by the refresh region specification address, when the operation mode specification signal specifies the refresh mode.
    リフレッシュアドレス発生回路（２０ｂ、８６，８８）は、動作モード指示信号がリフレッシュモードを指定するとき、リフレッシュ領域指定アドレスが指定する領域内のメモリセルのリフレッシュを行なうようにリフレッシュアドレスを発生する。 - 特許庁
  • This device is provided with refresh timers 26a, 26b whose issuance cycles of refresh requests PHYS1, PHYS2 are different from each other, and refresh address generation circuits 20a, 20b for generating refresh addresses according to the refresh requests.
    リフレッシュ要求（ＰＨＹＳ１，ＰＨＹＳ２）の発行周期の異なるリフレッシュタイマ（２６ａ，２６ｂ）と、このリフレッシュ要求に従ってリフレッシュアドレスを発生するリフレッシュアドレス発生回路（２０ａ，２０ｂ）を設ける。 - 特許庁
  • A refresh processing unit 208 refreshes the refresh area based on a result of such determination.
    リフレッシュ処理部２０８は、この判断結果に基づいて、リフレッシュ領域をリフレッシュする。 - 特許庁
  • RESISTIVE MEMORY INCLUDING SELECTIVE REFRESH OPERATION
    選択的リフレッシュ動作を含む抵抗メモリ - 特許庁
  • SELF-REFRESH CONTROL DEVICE FOR DYNAMIC RAM
    ダイナミックＲＡＭのセルフリフレッシュ制御装置 - 特許庁
  • MEMORY DEVICE CONTROL FOR SELF-REFRESH MODE
    セルフリフレッシュ・モードのためのメモリ・デバイス制御 - 特許庁
  • A refresh counter is arranged in the IF chip so as to perform the refresh control of the laminated memory.
    さらにＩＦチップにリフレッシュカウンタを備え、積層メモリのリフレッシュ制御を行う。 - 特許庁
  • TECHNOLOGY REFRESH SERVICE SYSTEM, COMPUTER FOR TECHNOLOGY REFRESH SERVICE CENTER, AND COMPUTER SOFTWARE
    テクノロジリフレッシュサービスシステム及びテクノロジリフレッシュサービスセンタ用コンピュータ並びにコンピュータ・ソフトウェア - 特許庁
  • When all the sub-blocks have been refreshed, refresh at the following refresh address is performed.
    全サブブロックにおいてリフレッシュが完了すると次のリフレッシュアドレスのリフレッシュを実行する。 - 特許庁
  • A refresh operation is started is started in response to the activation of a refresh control signal ZCBR.
    リフレッシュ動作は、リフレッシュ制御信号ＺＣＢＲの活性化に応答して開始される。 - 特許庁
  • DRAM REFRESH SYNCHRONOUS TYPE MEMORY DOUBLING DEVICE
    ＤＲＡＭリフレッシュ同期式メモリ二重化装置 - 特許庁
  • The refresh-request detecting section 203 outputs refresh- request outputted from the refresh-interval counting section 202 to a DRAM 104.
    リフレッシュ要求検出部２０３は、リフレッシュインターバルカウント部２０２から出力されたリフレッシュ要求をＤＲＡＭ１０４に出力する。 - 特許庁
  • Therefore, a refresh period is extended at the refresh operation, and power consumption can be reduced by that a refresh time is reduced.
    従って、リフレッシュ動作時にリフレッシュ周期が伸び、リフレッシュ時間が減少することによって電力消耗を減らすことができる。 - 特許庁
  • A refresh request part 20 outputs a refresh issue request 130 that specifies whether to execute refresh of a semiconductor memory 3.
    リフレッシュ要求部２０は、半導体メモリ３のリフレッシュを実行するか否かを指定するリフレッシュ発行要求１３０を出力する。 - 特許庁
  • Thereby, when a refresh timer generates a refresh timing signal, external command operation can be interrupted by refresh operation.
    これにより、リフレッシュタイマがリフレッシュタイミング信号を発生した時に、リフレッシュ動作を外部コマンド動作に割り込ませることが可能になる。 - 特許庁
  • The memory device completes refresh operations for the current refresh row before proceeding to perform self-refresh operations for new rows.
    前記メモリ装置は、新しいロウに対してセルフリフレッシュ動作を行う前に前記現在リフレッシュロウに対するリフレッシュ動作を完了する。 - 特許庁
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