「Sputtering Method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 52 53 次へ＞- The silicon oxide nitride film which is thus obtained has a higher insulation-proof characteristic than the silicon nitride film formed by a sputtering method.
得られたシリコン酸窒化膜は、スパッタリング法で成膜されたシリコン窒化膜よりも高い絶縁耐圧特性を有する。 - 特許庁 - To obtain a radical generating method in reactive sputtering where damages to a film and a substrate caused by ions is suppressed, and to obtain a device therefor.
イオンによる膜と基板へのダメージを抑制する反応性スパッタにおけるラジカル発生方法及び同装置を得る。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a Co-base sintered alloy sputtering target for forming a magnetic recording film of low relative magnetic permeability.
低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL CONTAINING COBALT, CHROMIUM, AND PLATINUM MATRIX PHASE AND OXIDE PHASE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と酸化物相とを含有するスパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - The antireflection film 52 is composed of laminated films of three layers 52a, 52b and 52c which are deposited by a sputtering method, respectively.
この反射防止膜５２は３層５２ａ，５２ｂ，５２ｃの積層膜からなり、それぞれスパッタリング法で成膜される。 - 特許庁 - POLYCRYSTALLINE SILICON FILM VAPOR PHASE FORMATION METHOD AND APPARATUS BY PULSE POWER SUPPLY AND PULSE DISCHARGE SPUTTERING
パルス電源とパルス放電スパッタによる多結晶シリコン膜気相合成法並びに多結晶シリコン膜気相合成装置 - 特許庁 - ARTICLE COATED WITH PHOTOCATALYTIC FILM, METHOD OF MANUFACTURING FOR THE ARTICLE, AND SPUTTERING TARGET USED FOR DEPOSITING THE FILM
光触媒膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット - 特許庁 - To establish a technique which is capable of turning cobalt or the like to silicide or salicide at mass production level, through high-temperature sputtering method.
高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。 - 特許庁 - DUAL MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM, THIN FILM BODY OF HIGHLY FUNCTIONAL MATERIAL PRODUCED USING THE SYSTEM, AND ITS PRODUCTION METHOD
デュアルマグネトロンスパッタリング装置とこの装置を用いて作製された高機能性材料薄膜体およびその製造方法 - 特許庁 - A pad electrode 16 connected to the common potential line COM through the contact hole CH3 is formed by a sputtering method.
コンタクトホールＣＨ３を通して共通電位線ＣＯＭに接続されたパッド電極１６をスパッタ法で形成する。 - 特許庁 - Next, the inner surface of the groove and that of the via hole are coated with a metal film 18 formed of MnO by a sputtering method.
次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、ＭｎＯからなる金属膜１８が被着される。 - 特許庁 - To improve the film quality in a magnetron sputtering method in which film formation is executed under the pressure lower than that capable of starting discharge.
放電開始可能圧力より低い圧力で成膜するマグネトロンスパッタ方法において、膜質の向上を図る。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of oxygen omission and high internal stress in deposition of a thin piezoelectric substance film by a simultaneous heating and sputtering method.
同時加熱スパッタ法による圧電体薄膜の成膜において、酸素抜けや高い内部応力の発生を防ぐ。 - 特許庁 - A titanium oxide film 4 is formed thereon as a barrier metal, and a platinum film 5 is successively formed thereon as a lower electrode through a sputtering method.
この上にバリアメタルとして酸化チタン膜４を、下部電極として白金膜５をスパッタ法にて順次成膜する。 - 特許庁 - After that, an IrO_Y film 26 having a thickness of 50 nm-100 nm is formed on the IrO_X film 25 by a sputtering method.
その後、ＩｒＯ_X膜２５上にスパッタ法により厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍのＩｒＯ_Y膜２６を形成する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MANUFACTURING METHOD OF PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、及び垂直磁気記録媒体の製造方法並びに垂直磁気記録媒体 - 特許庁 - INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER
酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法 - 特許庁 - This silicone rubber composition comprises spherical polysilsesquioxane particles having a brass metal layer formed on the surfaces thereof by a sputtering method.
スパッタ法で真鍮金属層を表面に形成させた球状ポリシルセスキオキサン粒子を含有するシリコーンゴム組成物。 - 特許庁 - To provide a strontium-ruthenium oxide target which gives good film deposition by a sputtering method.
ストロンチウム・ルテニウム酸化物ターゲットをスパッタリング法により形成するのに良好な膜形成できるターゲットを提供する。 - 特許庁 - To prepare a stannic-oxide based, transparent electroconductive film with low resistance and high excoriation resistance, to provide its manufacturing method, and a sputtering target.
低抵抗で耐擦傷性の高い酸化錫系透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁 - The partial pressure of the N2 gas in the mixed gas used for the sputtering method is specified to be 0.5-10%, preferably 1-9%.
このスパッタリング法に用いられる混合ガス中のＮ_2 ガスの分圧を、０．５〜１０％、好ましくは１〜９％とする。 - 特許庁 - In the process shown in Fig. 1 (b), an SiO_2 film wherein dot bodies 104 are buried is deposited on a substrate by a sputtering method.
図１（ｂ）に示す工程では、スパッタ法により、基板上にドット体１０４を埋めるＳｉＯ_2膜を堆積する。 - 特許庁 - METALLIC MATERIAL, SPUTTERING TARGET MATERIAL USING THE METALLIC MATERIAL, GRAIN REFINING METHOD FOR METALLIC MATERIAL AND APPARATUS THEREFOR
金属材料、この金属材料を用いてなるスパッタリングターゲット材、金属材料の微細化加工方法及び装置 - 特許庁 - To efficiently deposit a film of high quality when depositing a thin film on a substrate by the sputtering method.
スパッタリング法を用いて基板上に何らかの薄膜を形成するに際して、高品質の膜を効率良く形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the transparent conductive film employs the apparatus, to form the film without causing the abnormal discharge by a high-speed sputtering.
この装置を用いて、異常放電を発生することなく、高速スパッタ成膜して透明導電膜を製造する。 - 特許庁 - AL ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE, AND AL ALLOY SPUTTERING TARGET
表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置および該表示装置の製造方法、ならびにＡｌ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - A contact-wiring plug 13 of a two-layer structure consisting of a barrier metal layer and a tungsten layer is formed by a sputtering method.
バリアメタル層とタングステン層との２層構造のコンタクト配線プラグ１３を、スパッタリング法等を用いて形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method which does not deteriorate the reliability of wiring even though etching a barrier metal layer by sputtering.
バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Specifically, the insulation film 12 is formed on the capacitor unit 11 and then a Ta film is formed on the insulation film 12 by a sputtering method.
すなわち、キャパシタユニット１１上に絶縁膜１２を被覆し、その上にスパッタ法によりＴａ膜を形成する。 - 特許庁 - RESISTOR THIN FILM MATERIAL, RESISTOR THIN FILM, SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME, AND THIN-FILM RESISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 - 特許庁 - To form a metallic thin film low in resistance and excellent in conductivity by preventing the oxidation during film formation by the sputtering method.
スパッタリング法による成膜中の酸化を防止して、低抵抗値で導電性に優れた金属薄膜を形成する。 - 特許庁 - In the method, sputtering of a particle beam (8) is performed between a contaminating particle source (5) and the microcomponent (2).
本発明の方法においては、汚染粒子ソース（５）とマイクロコンポーネント（２）との間において粒子ビーム（８）をスパッタする。 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD OF LIGHT ABSORPTION LAYER FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM SOLAR CELL, AND In-Cu ALLOY SPUTTERING TARGET
化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a method for effectively producing a sputtering target having a bulk resistance value low to a degree at which DC discharge is made possible.
ＤＣ放電ができる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The electrode base film 20, the intermediate metallic film 21, and the vibrating electrode film 2a are formed by a sputtering method.
電極下地膜２０、中間金属膜２１及び振動電極膜２ａは、スパッタリング法によって形成される。 - 特許庁 - Then a titanium nitride film 23 is formed on the flank and bottom of the through hole 22a by a directional sputtering method.
そして、スルーホール２２ａの側面及び底部上に窒化チタン膜２３を指向性スパッタリング法を用いて形成する。 - 特許庁 - The substrate is a transparent one, and the lower part substrate electrode can be formed by the electron cyclotron resonance sputtering method.
前記基板が透明基板であり、前記下部電極も電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって形成してもよい。 - 特許庁 - The conductive layer is formed of gold (Au) by using a high-frequency sputtering method, and the adhesion layer is formed of titanium (Ti).
導電膜層は、高周波スパッタ法を用いて、金（Ａｕ）で形成され、密着層は、チタン（Ｔｉ）で形成される。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor element having a GaN semiconductor layer grown on a glass substrate by a sputtering method.
ガラス基板上にスパッタリング法で成長されたＧａＮ半導体層を有する窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for obtaining a sputtering target containing indium oxide at high production efficiency while maintaining high density.
酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットを、高い密度を維持して、かつ、高い生産効率で得る方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a transparent conductive film with higher conductivity, and to provide a method for manufacturing the same.
さらに高い導電性を有する透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a Pd alloy sputtering target having a low content of impurities such as oxygen and to provide a method for the production thereof.
酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing Co-based sintered alloy sputtering target for forming magnetic recording film having low relative magnetic permeability.
比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming an optical thin film in which a film low in a refractive index and free from absorption in ultraviolet and visible regions is formed by a sputtering method.
低い屈折率で紫外および可視域で吸収のない膜をスパッタリング法によって形成する光学薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - In the method, the Si substrate is etched by using at least one of a metal oxide film and a metal nitride film formed by an ECR sputtering method as a mask.
ＥＣＲスパッタ法により成膜した金属酸化膜および金属窒化膜の少なくとも一方をマスクに用いてＳｉ基板をエッチングする方法。 - 特許庁 - To provide a method for sputtering having improved productivity and to provide a method for manufacturing an optical disk having excellent electric characteristics with good productivity.
生産性を向上させることのできるスパッタリング方法及び電気特性に優れた光ディスクを生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁 - PRETREATMENT METHOD OF FILM FORMING BASE MATERIAL, METHOD OF FORMING THIN FILM TO FILM FORMING BASE MATERIAL, PLASMA CVD DEVICE, VAPOR DEPOSITION DEVICE, SPUTTERING DEVICE, AND PLASTIC BASE MATERIAL
被成膜基材の前処理方法、被成膜基材への薄膜の成膜方法、プラズマＣＶＤ装置、蒸着装置、スパッタ装置及びプラスチック基材 - 特許庁 - In other way, an amorphous carbon layer is formed on the entire surface of the recording medium by the sputtering method and then a DLC layer is formed in the CSS area by the ion beam method.
また、記録媒体の全面にスパッタリング法でアモルファスカーボン層を成膜した後にＣＳＳエリアにＤＬＣ層をイオンビーム法で成膜する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a lanthanoid aluminate film using a sputtering method, which is excellent in electric insulating performance by suppressing deviation in composition of the film.
膜の組成ズレを抑制することにより、電気的な絶縁性能に優れたスパッタリング法によるランタノイドアルミネート膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for depositing a film, which can suppress the change of a refractive index with the elapse of time when an MgF_2 thin film is deposited by a sputtering method.
スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するにあたり、経時変化による屈折率の変化を抑えることのできる成膜方法を提供する。 - 特許庁
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