「Sputtering Method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 52 53 次へ＞- Even if a second electrode layer 26 is formed on the surface of the second charge injection layer 25 by sputtering method, light-emitting efficiency is not reduced.
この第二の電荷注入層２５の表面にスパッタリング法で第二の電極層２６を形成しても、発光効率は低下しない。 - 特許庁 - Then, an Sr_XRu_YO_3 film 27 having a thickness of about 20 nm and an amorphous state is formed on the IrO_Y film 26 by a sputtering method.
次に、ＩｒＯ_Y膜２６上にスパッタ法により厚さが２０ｎｍ程度でアモルファス状態のＳｒ_XＲｕ_YＯ_3膜２７を形成する。 - 特許庁 - To provide a material suitable for the use in semiconductor such as a transistor or a diode by a sputtering method.
本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。 - 特許庁 - SUPERCONDUCTIVITY MAGNETIC FIELD GENERATOR, ITS EXCITATION METHOD, SPUTTERING DEPOSITING EQUIPMENT USING THE SUPERCONDUCTIVITY MAGNETIC FIELD GENERATOR, AND FERROMAGNETIC MEMBER ATTACHMENT AND DETACHMENT HOLDER
超電導磁場発生装置、その励磁方法、超電導磁場発生装置を用いたスパッタリング成膜装置、強磁性体着脱治具 - 特許庁 - To provide a sputtering target of cobalt having uniform orientation and uniform magnetic properties over the center and a periphery, and to provide a manufacturing method therefor.
配向性及び中心部と周辺部とで均一な磁気特性を持ったスパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - A dielectrics film 16 which is made of TiO_2 and has high refractive index is buried by flattening in the recessed part 11b by a bias sputtering method.
凹部１１ｂ内にＴｉＯ_2からなる高屈折率を有する誘電体膜１６をバイアススパッタ法により平坦化埋め込みした。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a titanium oxide target having higher density compared to the conventional one and free from the occurrence of breaking in DC sputtering.
従来よりも高密度でかつＤＣスパッタに際して割れが発生することが無い酸化チタンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film-forming method which causes an adequate nitriding reaction, is suitable for producing a nitride thin film, and forms a film at a high sputtering yield and at a high film-forming speed.
窒化反応が良好で窒化物薄膜の生成に適し、かつ、スパッタリングイールドが高く成膜速度が高い成膜を行う。 - 特許庁 - To provide a method for depositing a magnetic material film by which film deposition can be performed at a high film deposition rate by magnetron sputtering with a thick magnetic material target.
厚い磁性材ターゲットでマグネトロンスパッタリングにより高い成膜速度で成膜できる磁性材膜の成膜方法の提供。 - 特許庁 - To prevent abnormal discharge in a method for depositing a carbon thin film by sputtering, and to efficiently deposit the film of high quality.
スパッタリングによりカーボン薄膜を成膜する方法において、異常放電を防止し、良質な膜を効率良く成膜できるようにする。 - 特許庁 - To provide a lithographic apparatus which reduces sputtering due to gas that has been introduced in an optical path of a projection beam, and to provide a device manufacturing method.
投影ビーム光路に導入されたガスによるスパッタリングを低減するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering target that hardly causes cracks therein and hardly peels off from a backing plate or backing tube, and to provide a method for manufacturing the same.
割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering system which can deposit a magnetic film in which variation in the direction of magnetic anisotropy is reduced, and to provide a film deposition method.
磁気異方性の方向のバラツキを低減した磁性膜を形成可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a film of a magnetooptical recording medium, superior in strength, particularly a bending strength, and to provide a manufacturing method therefor.
強度、特に曲げ強度に優れた光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a counter target type sputtering apparatus capable of forming a film having higher reliability, and to provide a method of manufacturing a liquid crystal device.
より信頼性の高い成膜を可能とする対向ターゲット型のスパッタリング装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - ALLOY COATED FILM FOR METAL SEPARATOR OF FUEL CELL, METHOD FOR PRODUCING SAME, SPUTTERING TARGET MATERIAL, METAL SEPARATOR, AND FUEL CELL
燃料電池の金属セパレータ用合金皮膜、その製造方法およびスパッタリング用ターゲット材、並びに金属セパレータおよび燃料電池 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SINTERED BODY, LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SINTERED BODY, AND LEAD ZIRCONIUM TITANATE-BASED SPUTTERING TARGET
チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法、チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体及びチタン酸ジルコン酸鉛系スパッタリングターゲット - 特許庁 - In the case of depositing the SiO_2 film by the sputtering method, SiO_2 can reach the substrate in the state of molecules at a nearly ordinary temperature.
スパッタ法によってＳｉＯ_2膜を堆積する場合、ほぼ常温でＳｉＯ_2分子の状態で基板上に到達させることができる。 - 特許庁 - TFT SUBSTRATE, SPUTTERING TARGET, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, PIXEL ELECTRODE, TRANSPARENT ELECTRODE, AND MANUFACTURING METHOD FOR TFT SUBSTRATE
ＴＦＴ基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びＴＦＴ基板の製造方法 - 特許庁 - To efficiently deposit good-quality barrier membranes by inhibiting an abnormal discharge in a method for depositing the membranes by sputtering.
スパッタリングによりバリヤー膜を成膜する方法において、異常放電を防止し、良質な膜を効率良く成膜できるようにする。 - 特許庁 - The amorphous carbon film 42 is formed by an ECR sputtering method so as to cover the indented face 411 of the stainless steel 41.
そして、非晶質炭素膜４２は、ステンレス鋼４１の凹凸面４１１を覆うようにＥＣＲスパッタリング法により形成される。 - 特許庁 - To provide a film-forming method by gas-flow sputtering, which can form a metallic compound film having an adequate crystallinity, and to provide an apparatus therefor.
、結晶性の良好な金属化合物薄膜を成膜することができるガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a thin film transistor TFT1 comprises continuously forming a first protective film 16 (an Al_2O_3 layer) and an Al layer on a source-drain electrode 15 in this order by using a sputtering method.
ＴＦＴ１の製造プロセスにおいて、ソース・ドレイン電極１５上に、第１保護膜１６（Ａｌ_2Ｏ_3層）とＡｌ層とをこの順に、スパッタリングにより連続的に成膜する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the titanium oxide nanotube, a titanium thin film or a titanium oxide thin film having ≤1μm thickness is deposited on the substrate composed of alumina, metal titanium, stainless steel, polytetrafluoroethylene or the like by a sputtering method or the like.
アルミナ、金属チタン、ステンレス鋼、ポリテトラフルオロエチレンなどからなる基板上にスパッタ法などで厚さ１μｍ以下のチタン薄膜または酸化チタン薄膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a high purity titanium billet capable of obtaining a sputtering target having fine and uniform crystal grains, and to provide a method for manufacturing the high purity titanium billet, and a method for manufacturing the high purity titanium target.
微細で、均一な結晶粒を有するスパッタリング用ターゲットが得られる高純度チタンビレットとその製造方法ならびにチタンターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a semiconductor device, three layers of a gate insulating film, an oxide semiconductor layer, and a channel protection film are continuously film-deposited by a sputtering method out of contact with the atmosphere.
課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。 - 特許庁 - The Co thin-film layer 13 has a thickness of approximately 10 to 800 nm, and the Co thin-film layer 13 of this thickness can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method.
Ｃｏ薄膜層１３は、１０ｎｍ〜８００ｎｍ程度の厚さであり、この厚さのＣｏ薄膜層１３は、蒸着法、スパッタリング法によって形成することができる。 - 特許庁 - During a film formation step using a film formation method such as a sputtering method, the magnetic film is formed by applying external magnetic field, having a predetermined intensity of magnetic field to a substrate in a predetermined direction.
磁性膜の成膜工程においては、基板上に一定磁界強度の外部磁界を一定方向に印加しながらスパッタ法等の成膜技術で形成する。 - 特許庁 - The upper metal layers 4 and the side metal layers 5 are formed by depositing a metal material from an oblique direction by a vapor deposition method or a sputtering method, for example.
上部金属層４および側部金属層５は、例えば、斜め方向から蒸着法またはスパッタリング法によって金属材料を堆積させることによって形成する。 - 特許庁 - As the interlayer 4, an aluminum oxide layer or an oxide silicon layer, for example, can be used and can be formed by a sputtering method or an evaporation method, for example.
中間層４としては、例えば酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層を用いることができ、例えばスパッタ法又は蒸着法により形成することができる。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device, forms the transparent electrode using a sputtering method which interposing a magnetic field between a wafer to be processed and a target.
実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、被処理ウェーハとターゲットとの間に磁界を介在させるスパッタ法を用いて透明電極を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the mold comprises the steps of: forming a molding surface having a predetermined shape on a base material of the mold; and depositing the cover layer on the molding surface by a sputtering method.
成形型の基材に所定の形状を有する成形面を形成する工程と、スパッタ法により成形面に被覆層を成膜する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an ITO sintered compact which can inexpensively produce a sintered compact of high quality, and to provide a method for producing an ITO sputtering target.
高品質な焼結体を安価に製造することができるＩＴＯ焼結体の製造方法及びＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method capable of reducing the specific resistance of an ITO film formed by a sputtering method, and enhancing the heat resistance and the acid resistance of the ITO film.
スパッタリング法で形成されたＩＴＯ膜の比抵抗を低減し、さらにＩＴＯ膜の耐熱性や耐酸性を向上しうる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and a film deposition apparatus which, during a process for depositing a layer on a substrate by a physical vapor deposition (PVD) method, control properties of the layer.
物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an Mg metal on which an Ni treatment layer improving wear resistance is film-deposited with high adhesion by using a magnetron sputtering method, and to provide a production method thereof.
マグネトロンスパッタ法を用いて、耐摩耗性等の向上を実現するＮｉ表面処理層を高密着に成膜したＭｇ系金属およびその製造法を提供する事。 - 特許庁 - Lastly in a semiconductor manufacturing process (for example, sputtering method, vapor deposition method or the like), a metal film is formed as a plating seed layer on the surface of both ends of electronic element.
最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 - 特許庁 - To provide a technology capable of easily burying the recessed portions of wiring trenches, via holes, contact holes of a semiconductor substrate with a wiring metal by a sputtering method, a plating method or the like.
半導体基板の配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部をスパッタ法、メッキ法等により配線金属で容易に埋め込むことができるようにする技術の提供。 - 特許庁 - To provide a three-dimensional fine production method where a metallic extra fine tube with an outside diameter of 500 μm and a thickness of ≥5 μm can be produced by using a sputtering deposition method.
スパッタリング堆積法を用いて外径５００μｍ、肉厚５μｍ以上の金属製極細管を作製することができる三次元微細創製法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing carbon nano-fibers, which can form the carbon nano-fibers so as to be arranged in a standing orientation in high density on a substrate, with a sputtering method, and an equipment therefor.
カーボンナノファイバーをスパッタリング法で基板上に高密度に直立配向させて形成することができるカーボンナノファイバーの製造方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.
LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming improved contact, when forming an aluminum alloy film at a fine contact hole by using high-temperature sputtering method.
高温スパッタ法を用いて、微細なコンタクトホールにアルミニウム合金膜を形成する際に、良好なコンタクトを形成する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The contact structure can be formed by forming an AlCu film with the CVD method or sputtering method and also forming the upper electrode wiring with the lithographic and dry-etching techniques.
ＡｌＣｕ膜をＣＶＤ法またはスパッタ法により形成し、リソグラフィーおよびドライエッチング技術により上部電極配線を形成することでコンタクト構造が形成される。 - 特許庁 - To provide a sputtering target and its producing method suppressing yellowing of reflected light, a reflector for LCD, reflection wiring electrodes, and thin film and its manufacturing method.
反射光の黄色化を抑制したスパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When forming the electron injection electrode 24 by a sputtering method or an ion plating method, damages can be prevented from spreading to the organic luminescent element 16 or the like by the buffer layer 22.
バッファ層２２により、スパッタ法あるいはイオンプレイティング法による電子注入電極２４の形成時に有機発光層１６等へダメージが及ぶことを防止できる。 - 特許庁 - In the step of forming the mask pattern, the first titanium nitride film 42a is formed by a sputtering method and the second titanium nitride film 43a is formed by a self-ionized plasma method.
マスクパターンを形成する工程では、第１窒化チタン膜４２ａをスパッタリング法で形成し、かつ第２窒化チタン膜４３ａを自己イオン化プラズマ法で形成する。 - 特許庁 - A layer 206 including molybdenum oxide formed by a deposition method is provided below and in contact with a transparent electrode 207 of ITO or the like formed by a sputtering method.
蒸着法で形成されたモリブデン酸化物を含む層２０６を、スパッタリング法により形成されるＩＴＯなどの透明電極２０７に接して下側に設ける。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a spin valve sensor that can obtain a desirable ferroimagnetic coupled magnetic field (HF) by a current sputtering method.
本発明の目的は、現行のスパッタ付着技法によって望ましい強磁性結合磁界（ＨＦ）を得ることができる、スピン・バルブ・センサの製作方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a mold for nanoimprinting with which a high-quality mold can be obtained by forming a current seed layer without using a sputtering method for a resist pattern.
レジストパターンへのスパッタ法を用いることなしに電流シード層を形成し、それによって高品質なモールドが得られる、ナノインプリント用モールドの製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a sputtering system which prevents metal particles from depositing on the inside of a through-hole upon formation of a sheet layer, and prevents occurrence of voids upon filling of a conductive material, and to provide a sputtering method.
本発明に係るスパッタ装置は、シード層を形成する際に貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止するスパッタ装置及びスパッタ方法を提供する。 - 特許庁
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