「Sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 130 131 次へ＞- SPUTTERING TARGET, AND THIN FILM AND DEVICE USING THE SAME
スパッタリングターゲットとそれを用いた薄膜およびデバイス - 特許庁 - METAL SILICIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, HARD COATING, AND HARD-COATED MEMBER
スパッタリングターゲット，硬質被膜および硬質被膜部材 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT
マグネトロンスパッタ装置及び電子部品の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Mg-CONTAINING ITO SPUTTERING TARGET
Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - FLUORIDE THIN FILM DEPOSITION METHOD, AND SPUTTERING METHOD
フッ化物薄膜形成方法及びスパッタリング方法 - 特許庁 - TARGET FOR MAGNETRON SPUTTERING, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - HIGH PURITY COPPER SPUTTERING TARGET GENERATING REDUCED PARTICLES
パーティクル発生の少ない高純度銅スパッタリングターゲット - 特許庁 - CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - INCLINED SPUTTERING TARGET WITH SHIELD FOR BLOCKING CONTAMINANT
汚染物質ブロック用シールド付き傾斜スパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
スパッタリングターゲットおよび半導体装置の作製方法 - 特許庁 - CU ALLOY INTERCONNECTION AND CU ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ合金配線及びＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND SEMICONDUCTOR ELEMENT WIRING
銅合金スパッタリングターゲット及び半導体素子配線 - 特許庁 - POWER SOURCE ADAPTER FOR SPUTTERING SYSTEM, AND CONTROL METHOD THEREFOR
スパッタ装置用電源アダプタ及びその制御方法 - 特許庁 - MASK FOR USE IN FORMING FILM BY SPUTTERING, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
スパッタリング成膜用マスク及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE MEMORY
相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC ELEMENT
スパッタリング方法及び光発電素子の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR PHASE-CHANGE MEMORY
相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - ELECTRONIC DEVICE, PRODUCTION METHOD THEREOF, AND SPUTTERING TARGET
電子装置とその作製方法およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a rotary target assembly capable of improving the defective cracking property of a sputtering target part during the sputtering, and preventing a phenomenon that the sputtering target part runs idle during the rotation by the inflation of the sputtering target part.
スパッタリング時にスパッタリングターゲット部のクラック不良や割れ不良およびスパッタリングターゲット部の膨張によって回転時にスパッタリングターゲット部が空転する現象を防ぐことができる回転式ターゲットアセンブリを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND TRANSPARENT ELECTRODE
スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極 - 特許庁 - DIELECTRIC SPUTTERING TARGET MATERIAL AND ITS PRODUCTION
誘電体スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
スパッタリング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
スパッタリング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SPUTTERING APPARATUS
半導体装置の製造方法およびスパッタリング装置 - 特許庁 - HIGH-PURITY RUTHENIUM SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁 - ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERING METHOD, AND APPARATUS THEREFOR
スパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置 - 特許庁 - DIELECTRIC FILM, CAPACITOR INSULATING FILM AND SPUTTERING TARGET
誘電体膜、キャパシタ絶縁膜及びスパッタリングターゲット - 特許庁 - HIGH PURITY W SILICIDE MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
マグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｗシリサイド材 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Ge-Cr ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT ELECTRODE FILM
透明電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - COBALT-CHROMIUM SPUTTERING TARGET AND ITS MANUFACTURE
ＣｏＣｒ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - PLATINUM/MAGANESE SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION
ＰｔＭｎ系スパッタリングタ—ゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - FACING TARGET SPUTTERING DEVICE AND METHOD
対向ターゲットスパッタ装置及び対向ターゲットスパッタ方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM EXHIBITING EXCELLENT CRACKING-OFF RESISTANCE UNDER DIRECT CURRENT SPUTTERING CONDITION
直流スパッタ条件下で優れた耐割損性を発揮する光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - Film is formed by the sputtering of the holder 2 in addition to the sputtering of the target 3 and the sputtering of the holder 2 is carried out by using the particles generated from the target 3.
ターゲット３のスパッタで成膜するだけでなく、ホルダー２もスパッタして成膜するとともに、ホルダー２のスパッタをターゲット３から出る粒子を利用して行う。 - 特許庁 - To provide a sputtering system which can secure a satisfactory film deposition rate in a reactive sputtering system where sputtering particles are fed from the oblique direction of a substrate.
基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which is useful for high output density sputtering and contains an oxide having a high refractive index, and to provide a method of manufacturing the sputtering target.
高出力密度スパッタリングのために有用な、高屈折率を有する酸化物を含有するスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material which achieves high speed film deposition while suppressing abnormal discharge caused by sputtering in wiring film deposition by a sputtering process.
スパッタリング法による配線膜形成において、スパッタリングによる異常放電を抑制しつつ、高速成膜を実現することを可能としたスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - The Cd_3TeO_6 thin film is preferably formed by an RF magnetron sputtering method or an analogous sputtering method.
この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁 - To provide a facing target sputtering apparatus and a facing target sputtering method in each of which a film deposition rate is improved.
成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR FABRICATING PRECIOUS METAL MAGNETIC SPUTTERING TARGET AND PRECIOUS METAL MAGNETIC SPUTTERING TARGET FABRICATED BY USING THE METHOD
貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法及びこの方法で製造された貴金属磁気スパッタリングターゲット - 特許庁 - The sputtering apparatus includes a sputtering cathode group comprising a plurality of sputtering cathodes installed in prescribed arrangement in a direction perpendicular to a moving direction of the large-sized substrate moving in a prescribed direction.
所定の方向に移動する大型基板の移動方向に対して垂直方向に所定の配置で設置された複数のスパッタカソードからなるスパッタカソード群を具備する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL COMPOSED OF CERAMICS-METAL COMPOSITE MATERIAL, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THEM
セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびスパッタリングターゲットならびにそれらの製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering method and device in which the control of the magnetic field is needless, and uneven sputtering is herd to occur in a target.
磁場の調整が不要でターゲットに片掘れを生じにくいスパッタリング方法と装置を提供すること。 - 特許庁 - At the time of arranging a substrate 15 in a sputtering system 1 and sputtering a copper target 21, a trace amt. of air is introduced from piping 31 for adding gas and is added to a sputtering gas.
スパッタ装置１内に基板１５を配置し、銅ターゲット２１をスパッタする際、ガス添加用配管３１から微少量の大気を導入し、スパッタガス中に添加する。 - 特許庁 - To provide a facing-target type sputtering apparatus having an improved film-forming speed, and to provide a facing-target type sputtering method.
成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - HIGH-DENSITY SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MOLD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型 - 特許庁 - HIGH PURITY Co-Fe ALLOY SPUTTERING TARGET, MAGNETIC THIN FILM DEPOSITED BY USING SAME SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME HIGH PURITY Co-Fe ALLOY SPUTTERING TARGET
高純度Ｃｏ−Ｆｅ合金スパッタリングターゲット及び同スパッタリングターゲットを用いて形成した磁性薄膜並びに高純度Ｃｏ−Ｆｅ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
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