「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 .... 56 57 次へ＞- This switching enables capacity limitation of a reception size to be eliminated by switching a storage destination to a volatile memory, when exceeding the allowable reception capacitance, although printing is enabled in parallel with PDL data since normally the nonvolatile memory is used.
この切替えにより、通常は不揮発性メモリを利用するため、ＰＤＬデータとの並列印刷が可能でありながら、受信許容量を超えた場合は揮発性メモリへ格納先を切替えることで受信サイズの容量制限を無くすことが可能となる。 - 特許庁 - In a non-volatile semiconductor storage device of a MONOS structure, a memory cell 42 for storing information, and a peripheral circuit 43 for writing and reading information to the memory cell 42, are formed in the surface region of a silicon substrate 41.
ＭＯＮＯＳ構造の不揮発性半導体記憶装置では、シリコン基板４１の表面領域に、情報格納用のメモリセル部４２と、このメモリセル部４２に対して情報の書き込みや読み出しを行うための周辺回路部４３とが形成されている。 - 特許庁 - A memory board MB including a memory for storing waveform data representing a musical sound waveform so as to be rewritable in a nonvolatile manner, a waveform RAM 17 for storing the waveform data so as to be rewritable in a volatile manner, and a sound source circuit 14 are connected together through a waveform data bus 31.
楽音波形を表す波形データを書き換え可能かつ不揮発に記憶するメモリを備えたメモリボードＭＢ、波形データを書き換え可能かつ揮発に記憶する波形ＲＡＭ１７及び音源回路１４を、波形データバス３１を介して接続する。 - 特許庁 - The data control circuit 220 comprises a data migration control function of migrating data via debugging ports of the volatile memories (embedded memory 210b, cache memory 210c) for storing data processed in the electronic circuit 210.
本発明に係るデータ制御回路２２０は、電子回路２１０で処理されるデータを格納する揮発性メモリ（図１８では混載メモリ２１０ｂとキャッシュメモリ２１０ｃ）のデバッグ用ポートを介して、そのデータを退避するデータ退避制御機能を備えて成る構成とされている。 - 特許庁 - According to instructions from the control part 11, a liquid crystal controller 16 displays image data 133 stored in the nonvolatile memory 13 in a fixed mode and condensed data 122 stored in a volatile memory 12 in a condensed mode, respectively on a stationary part 152 of the liquid crystal display 15.
また、液晶コントローラ１６は、制御部１１からの指示で、固定モードでは、不揮発性メモリ１３に記憶される画像データ１３３、そして、縮小モードでは、揮発性メモリ１２に記憶される縮小データ１２２を液晶表示器１５の固定部１５２に表示する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage device in which the organic substance of a gate oxide film in a memory transistor is prevented from being contaminated even if film thickness differs in a gate insulating film in the memory transistor and a transistor in a peripheral circuit region, and also to provide the manufacturing method of the device.
メモリトランジスタと周辺回路領域のトランジスタとでゲート絶縁膜の膜厚が異なる場合でも、メモリトランジスタにおけるゲート酸化膜の有機物汚染を防止できる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an air-conditioning system, storing a recycle information necessary upon recycling and an operational history information into a memory means consisting of a non-volatile memory or the like and capable of reading them out simply by a personal computer or the like upon dismantling work in a recycling factory.
不揮発性のメモリ等からなる記憶手段にリサイクル時に必要なリサイクル情報と運転履歴情報を保存し、前記記憶情報をリサイクル工場における解体作業時にパソコン等により、簡単に読み出しできるエアコンシステムの提供を目的とする。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor storage is provided with a cell bias circuit 1 (constant voltage output section), a memory cell array 3, a column switch group 4, a non-selection source line equalizing transistor group 5, a detecting circuit 6, a sub-memory cell array selecting circuit 7, a word line selecting circuit 8, and a column address decoder 9.
不揮発性半導体記憶装置は，セルバイアス回路１（定電圧出力部），メモリセルアレイ３，カラムスイッチ群４，非選択ソースラインイコライズトランジスタ群５，検出回路６，サブメモリセルアレイ選択回路７，ワードライン選択回路８，カラムアドレスデコーダ９を備えている。 - 特許庁 - Based on an output signal from the operation switching circuit 21, an operation control circuit 22 controls a period of voltage application to a plate line to obtain volatile mode operation of a first memory area 11 and a nonvolatile mode operation of a second memory area 12, for example.
動作切換回路２１からの出力信号に基づき、動作制御回路２２にてプレート線への電圧印加時間を制御することで、例えば第１のメモリ領域１１の揮発モード動作と、第２のメモリ領域１２の不揮発モード動作とを実現する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of obtaining an NOR flash cell having the minimum area (2F^2) without using any SAS and SA-STI processes.
本発明はＳＡＳ工程やＳＡ−ＳＴＩ工程を使わないで最小の面積（２Ｆ^２）を持つＮＯＲフラッシュセルを具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory and its driving method in which data are never destroyed by read-out, and neither a selection transistor for read-out nor element separation for write-in/erasing is required.
読み出しによるデータの破壊がなく、読み出し用の選択トランジスタが不要で、かつ書き込み消去のための素子分離も不要な不揮発な半導体記憶装置とその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - Data of application voltages and pulse widths of an LED are preliminarily measured at a plurality of temperature points so as to obtain a NTSC ratio and luminance at a low temperature almost equal to those at normal temperature, and the data are memorized in a non-volatile memory device.
低温時に常温と同じＮＴＳＣ比、輝度が得られるように、予めＬＥＤの印加電圧、パルス幅のデータを複数の温度ポイントで測定して、不揮発性の記憶素子に記憶する。 - 特許庁 - When the multi-function apparatus 10 receives a log acquisition request packet from an administrator terminal 40, the sub CPU 12 reads and acquires log data from the non-volatile memory 15, and transmits it to the administrator terminal 40.
複合機１０が管理者端末４０からログ取得要求パケットを受信すると、サブＣＰＵ１２は不揮発メモリ１５からログデータを読み出して取得し、管理者端末４０へ送信する。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device shares a p-well region 21, forms dummy word lines D1 to D4 at its one-directional central part, and forms a bit line 22 physically divided at the dummy word lines D1 to D4 part.
Ｐウェル領域２１を共有し、その一方向中央部にダミーワードラインＤ１〜Ｄ４を形成し、そのダミーワードラインＤ１〜Ｄ４部分で物理的に分断されてビットライン２２を形成する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device into which charge can be injected by source side injection having a high injection efficiency, and which can be mounted onto a substrate in a standard CMOS process.
注入効率が高いソースサイドインジェクションによる電荷注入が可能で、標準的なＣＭＯＳプロセス工程内で基板上に実装可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which uses non-volatile memory elements and is capable of optimizing its device characteristics and improving its manufacturing yield after a diffusion process is performed, and to provide a voltage transformation method and an inspection method.
不揮発性メモリ素子を用い、拡散工程後にデバイス特性の最適化と歩留りの向上を実現することができる半導体装置、電圧変換方法および検査方法を提供する。 - 特許庁 - This system comprises the vehicle control device for rewriting the data stored in a non-volatile memory by data received from an outside rewriting device and a monitoring device for determining whether there is a failure in the control device or not.
外部の書換装置から受信したデータで、不揮発性メモリに格納されたデータを書き換える車両制御装置と、制御装置に故障が生じたかどうかを判定する監視装置とを備える。 - 特許庁 - The warranty management method includes: providing a warranty for the compressor, receiving request under the warranty, inspects data stored in the non-volatile memory; and responding to request based on the inspection.
保証管理方法は、圧縮機のために保証を提供し、該保証のもとに請求を受け取り、非揮発性メモリに格納したデータを検査し、および該検査に基づいて請求に応答することを包含する。 - 特許庁 - Information items for backup as information items showing the file size and update date of a management file are updated each time the management file is updated, and stored in a non-volatile memory 12a.
管理ファイルのファイルサイズと更新日時を示す情報項目であるバックアップ用情報項目を、管理ファイルの更新ごとに更新して不揮発性メモリ１２ａに記憶保持させておくようにする。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device for increasing the moving speed of charge, and for quickening writing and deletion by increasing the strength of an electric field by devising the structure of a tunnel insulating layer.
トンネル絶縁層の構造を工夫することにより電界強度を大きくでき、電荷の移動速度が大きく、書き込み，消去の高速化を可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - And, by storing the input/output data of the interface in a non-volatile memory, an improved characteristic enhancement effect can be obtained for example for enabling resume operation for returning to a state before power is turned on.
また、インターフェース部の入出力データを不揮発性メモリに記憶することで、電源投入時に以前の状態に戻すレジューム動作が可能となるなどの優れた特性改善効果が得られる。 - 特許庁 - Device-type information in which the correspondence between each light source unit and a limit resistance that decides the amount of current to be supplied to each light source unit is acquired for every device-type is recorded in a non-volatile memory 4044.
不揮発性メモリ４０４４には、これらの光源ユニットと光源ユニットへ供給する電流量を決定する制限抵抗とを当該機種毎に対応付けた機種情報が記録されている。 - 特許庁 - A memory system 20 comprises an RAM 22, a block-addressable non-volatile storage device (NVS) 24, and a logic 26 that is configured so as to copy a block of data between the RAM 22 and the NVS 24.
メモリシステム２０は、ＲＡＭ２２と、ブロックアドレス指定可能な不揮発性記憶装置（ＮＶＳ）２４と、ＲＡＭ２２とＮＶＳ２４との間でデータのブロックをコピーするように構成されるロジック２６とを具備する。 - 特許庁 - After the driving of this system stops, the binary data for analyzing the factor of abnormality are read from the non-volatile memory 23, and the cause of abnormality of the DC/DC converter whose output voltage shows abnormality is analyzed.
システムの駆動停止後に、不揮発性メモリ２３から異常原因を解析するため２値化データを読出し、出力電圧が異常を示したＤＣ／ＤＣコンバータの異常原因を解析する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory capable of realizing erase/write operations in sufficiently small division units while suppressing an increase in chip area to the minimum, and shortening an erase time.
チップ面積の増加を最小限に抑制しつつ消去／書込動作を十分小さな分割単位で実現するとともに、消去時間を短縮することのできる不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁 - To provide a storage device capable of reducing the charge trap of a non-volatile memory cell while inhibiting the increases of a chip area and a load capacity, and to provide an integrated circuit device and electronic apparatus including the same.
チップ面積や負荷容量の増加を抑止しながら、不揮発性メモリーセルのチャージトラップを低減することができる記憶装置、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device having an equal time period as before in receiving a drain disturbance, having no disadvantage about layout, and varying a sector capacitance in keeping the capacitance as a chip.
ドレインディスターブを受ける時間が従来と同等で、かつレイアウト的に不利が無く、さらにチップとしての容量を維持しながらセクタ容量が可変である不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - The communication terminal equipment reads the storage contents of the non-volatile memory at the time of power supply, and initializes corresponding various functions, for example, an ASB function and an off-line response function or the like corresponding to the storage contents.
通信端末装置は、電源投入時に不揮発性メモリーの記憶内容を読み出して、記憶内容に応じて対応する各種機能、例えば、ＡＳＢ、オフラインレスポンス等の機能を初期設定する。 - 特許庁 - A normal memory array 10 for performing non-volatile data storage is divided into sectors of (m) pieces (m: natural number) corresponding to an object unit in data write or data erasure of one time respectively.
不揮発的なデータ記憶を実行するためノーマルメモリアレイ１０は、それぞれが１回のデータ書込もしくはデータ消去における対象単位に相当するｍ個（ｍ：自然数）のセクタに分割される。 - 特許庁 - To significantly reduce cell area per bit, without narrowing a margin for improving the scaling property and characteristics of a non-volatile memory transistor which has a charge storage function inside a gate dielectric film.
ゲート誘電体膜内部に電荷蓄積機能を持たせた不揮発性メモリトランジスタのスケーリング性および特性の向上の余地を狭めることなく、そのビット当たりのセル面積を大幅に低減する。 - 特許庁 - When the information processor is terminated abnormally and then started up, the initialization means writes dirty data stored in the cache area in the volatile memory onto the first external storage.
初期化手段は前記情報処理装置が異常終了した後に起動されたとき、前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納されたダーティデータを前記第１外部記憶装置に書き込む。 - 特許庁 - A non-volatile memory 39 provided in a control device 31 of the image forming apparatus 1 has an address book in which a facsimile number is registered correspondingly to the name of a transmission partner upon facsimile transmission.
画像形成装置１の制御装置３１に設けた不揮発性メモリ３９はファクシミリ送信するときの送信相手先の名称にファクシミリ番号を対応させて登録したアドレス帳を有する。 - 特許庁 - A control gate electrode 22 of a non-volatile memory is formed in a hole formed in an inter-layer insulating film, and a hole 22a formed in the inter-layer insulating film on source/drain areas is made shallow.
不揮発性メモリの制御ゲート電極２２を、層間絶縁膜に形成される孔に形成する構造をとり、ソース及びドレイン領域上の層間絶縁膜に形成される孔２２ａを浅くする。 - 特許庁 - The non-volatile memory 157 is provided with a writing forbidding range 157a, forbidding overwriting of information over existing information and a writing possible range 157b, to which information can be written.
さらに、不揮発性メモリ１５７は、既存の情報に対する情報の書換えを禁止する書込み禁止領域１５７ａと、情報の書込みが可能な書込み可能領域１５７ｂと、を有する。 - 特許庁 - A starting means give an instruction of starting the transferred inspection program to the electric power steering control device to perform the inspection, prevent any malfunction, and efficiently use a non-volatile memory.
起動手段は、転送された検査プログラムを起動させる指示を、電動パワーステアリング制御装置に与えることにより検査を実行することにより、誤作動を防止し、不揮発性メモリの効率利用を図る。 - 特許庁 - The relay server 10-1 transfers, when the shared file 210 is cached in a volatile memory 15 of the relay server 10-1, the cached shared file 210 to the terminal device 20-1.
中継サーバ１０−１の揮発性メモリ１５に共有ファイル２１０がキャッシュされているとき、中継サーバ１０−１は、キャッシュされている共有ファイル２１０を端末装置２０−１に転送する。 - 特許庁 - A control means 12 controls the copying speed of an original based on a control parameter, and a non-volatile memory 15 previously stores a set value for 20CPM (20 sheets/minute) as the value of the control parameter.
制御手段１２は原稿の複写速度を制御パラメータに基づいて制御し、不揮発メモリ１５は該制御パラメータの値として２０ＣＰＭ（２０枚／分）用設定値を予め記憶している。 - 特許庁 - State information on the user is detected through a biological information sensor 21 or the like, and the state information and a content ID of a used content are associated with each other and accumulated in a non-volatile memory 14.
生体情報センサ２１等を通じて使用者の状態情報を検出し、この状態情報と、利用していたコンテンツのコンテンツＩＤとを対応付けて不揮発性メモリ１４に蓄積する。 - 特許庁 - The broadcasting data of reserved programs are automatically subjected to picture recording to the fresh tracks of a disk in accordance with the reserved programs written in the UTOC area of the disk or the non-volatile memory in the device (ST17 to ST22).
ディスクのＵＴＯＣエリア、あるいは装置内の不揮発性メモリに書き込まれている予約情報に基づいて、予約番組の放送データを、ディスクの新規トラックに自動的に録画する(ST17〜ST22）。 - 特許庁 - When an MPU issues a write instruction to an HDC, the HDC obtains the written data (b) from the volatile memory and writes the data to a magnetic storage medium 5 through a read/write control circuit.
ＭＰＵはＨＤＣに対して書き込み命令を発行すると、ＨＤＣは揮発性メモリーから書き込みデータｂを得て、リード／ライト制御回路を介して磁気記憶媒体５へ書き込みを行う。 - 特許庁 - To provide a reference voltage generating circuit for a non-volatile ferroelectric memory device in which sensing margin is improved by elevating a reference level as the temperature rises.
温度が上昇したときそれに伴って参照レベルを高くすることによって、センシングマージンを改善させるようにした不揮発性強誘電体メモリ装置の参照電圧発生回路を提供する。 - 特許庁 - Also, the main control unit 18 transmits a mail attached with the image data in the prescribed format from an LAN I/F part 15 through an LAN 20 to the address of address information read from a non-volatile memory 17.
また、主制御部１８は、不揮発性メモリ１７から読み出した宛先情報のアドレスに、所定方式の画像データを添付したメールをＬＡＮＩ／Ｆ部１５からＬＡＮ２０を介して送信する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device, which stably operates while securing sufficient current capacity in a crosspoint type configuration that is constituted by combining non-ohmic elements and a variable resistance layer.
非オーミック性素子と抵抗変化層とを組み合わせたクロスポイント型構成において充分な電流容量を確保し、安定な作動が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an onboard electronic control device capable of performing, in abnormality detection related to a volatile backup memory backed up by an onboard battery, various abnormality detections while reducing the control load of a microprocessor.
車載バッテリでバックアップされた揮発性のバックアップメモリに関する異常検出において、マイクロプロセッサの制御負担を軽減しながら多様な異常検出が可能な車載電子制御装置を得る。 - 特許庁 - When the camera head 1a is attached on the camera body 1b and power is turned on, the configuration information in the non-volatile memory is transmitted to the camera head, and is set on the PLD 103b of the camera body.
カメラヘッド１ａがカメラ本体１ｂに装着され電源が投入されたらその不揮発性メモリ内にあるコンフィギュレーション情報がカメラヘッドに送信されカメラ本体のＰＬＤ１０３ｂにセットされる。 - 特許庁 - To provide an angular velocity sensor capable of outputting accurate output signals at all times by recognizing a faulty state, when a volatile memory for output is at fault.
出力用揮発性メモリが故障している場合には、故障状態を認識することにより、常に正確な出力信号を出力可能な角速度センサを提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a high accuracy and high speed distance measuring device by correcting offset generated in a light-receiving sensor, when performing active mode integration, without using a large capacity non-volatile memory in a hybrid type distance measuring device.
ハイブリットタイプの測距装置において、大容量の不揮発性メモリを用いることなく、アクティブモード積分を行った場合、受光センサに発生するオフセットを補正し、高速で高精度な測距装置を得る。 - 特許庁 - A gate insulation film 18 of the pixel TFT is composed of a tunnel insulation film (a first insulation film) 35 of the non-volatile memory and a second insulation film 37 having larger film thickness than that of the tunnel insulation film 35.
画素ＴＦＴのゲート絶縁膜１８を不揮発性メモリのトンネル絶縁膜（第１の絶縁膜）３５と、トンネル絶縁膜３５よりも膜厚の大きい第２の絶縁膜３７によって構成する。 - 特許庁 - To provide a sound simulator or a music simulator including a reverberation simulator having a substantially reduced volatile storage, random access memory, or buffer size in comparison to conventional reverberation simulators.
従来技術のリバーブシミュレータと比較して、揮発性記憶装置、ランダムアクセスメモリ、またはバッファのサイズが実質的に低減されたリバーブシミュレータを含むサウンドシミュレータまたはミュージックシミュレータを提供すること。 - 特許庁 - To improve punch-through resistance between a source and a drain with the reduction of a cell area in a non-volatile semiconductor memory device, without causing deterioration in bonding pressure resistance between a diffusing layer and a well.
不揮発性半導体記憶装置のセル面積の縮小に伴うソースとドレインの間のパンチスルー耐性を、拡散層とウェルの間の接合耐圧の劣化を生じさせることなく向上させる。 - 特許庁
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