「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 38 39 40 41 42 43 44 45 46 .... 56 57 次へ＞- A plurality of floating gates 7 are formed through a first gate insulation film 4 on the main plane of the semiconductor substrate 1 which consists of the non-volatile semiconductor memory device.
不揮発性半導体記憶装置を構成する半導体基板１の主面上には第１ゲート絶縁膜４を介して複数の浮遊ゲート７が形成されている。 - 特許庁 - Thus, "the state of storing its control data in the volatile memory when the control data using timing arrives" can be quickly realized.
これにより、「制御用データを使用するタイミングが到来した時点で、その制御用データが揮発性メモリに記憶されている状態」を早急に実現することができる。 - 特許庁 - The method and system includes a CPU, a non-volatile memory, at least one of a network port and a cross-platform port, and an input/output interface.
本発明の方法およびシステムは、ＣＰＵと、不揮発性メモリと、ネットワークポートおよびクロスプラットフォームポートのうちの少なくとも一方と、入力／出力インターフェースとを含む。 - 特許庁 - Also, the client device is provided with an updating means which writes the firmware stored by the software stored in the program storing part in a non-volatile memory.
また、クライアント装置に、プログラム記憶部に格納されるソフトウェアが保持するファームウェアを不揮発性メモリに書き込む更新手段を設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁 - The routers 3, 4 dynamically learn the provided peer address information, and register the changed peer address information in a non-volatile memory so as to utilize the information in the event of data communication.
ルータ３，４は、提供されたピアアドレス情報を動的に学習して、変更されたピアアドレス情報を不揮発性メモリに登録し、データ通信の際に利用する。 - 特許庁 - When the user authentication is successful, a decryption module decrypts encryption data based on the encryption key in the volatile memory, and outputs acquired data to the current host device.
復号モジュールは、ユーザ認証が成功したとき、暗号化データを揮発性メモリ内の暗号鍵に基づいて復号し、得られたデータを現在のホスト装置に出力する。 - 特許庁 - To provide the architecture of a non-volatile memory for achieving a group of circuits for selectively supplying a negative voltage bias only to a desired sector by a smaller area.
所望のセクタにのみ負電圧バイアスを選択的に供給するための回路群を，より小さい面積で実現するような不揮発性メモリのアーキテクチャを提供する。 - 特許庁 - To recognize required burn-in test items and to set automatically a signal used for performing its item in individual semiconductor device having a non-volatile memory.
不揮発性メモリを有する個々の半導体装置において、必要なバーンイン試験項目を認識し、その項目を実行するために用いられる信号を自動的に設定する。 - 特許庁 - This non-volatile semiconductor memory is provided with a boosting circuit 2 generating boosting voltage Vr, a control circuit 3 controlling the boosting circuit 2, and a comparator 4.
本発明の不揮発性半導体メモリは、昇圧電圧Ｖrを生成する昇圧回路２と、昇圧回路２を制御する制御回路３と、コンパレータ４とを備える。 - 特許庁 - This non-volatile memory element has a plurality of first semiconductor layers, a plurality of second semiconductor layers, a plurality of first storage nodes and a plurality of first control gate electrodes.
本発明の不揮発性メモリ素子は、複数の第１半導体層、複数の第２半導体層、複数の第１ストレージノード、及び複数の第１制御ゲート電極を備える。 - 特許庁 - The writing and erasure for the non-volatile memory module is executed according to the control so that flexible control can be executed in both prototype evaluation and real operation.
不揮発性メモリモジュールに対する書込み及び消去をその制御プログラムに従って実行するから、試作評価、実動作の双方において柔軟な制御が可能になる。 - 特許庁 - The cathode current detection data is stored in a volatile primary memory 342 and a variation correction section 250 corrects the data signal successively supplied to each pixel.
カソード電流検出データは揮発性の一次メモリ３４２に記憶し、データに応じてばらつき補正部２５０が、順次各画素に供給するデータ信号を補正する。 - 特許庁 - With this method, only by rewriting the parameter blocks in the non-volatile semiconductor memory through a host computer, configuration contents of the register can be easily changed.
それによれば、ホストコンピュータを介して不揮発性半導体メモリ内の上記パラメータブロックを書き換えるだけで、上記レジスタの設定内容を容易に変更することができる。 - 特許庁 - The unit (46) includes memory modules (58) which can accept write commands and read commands from a host (44), and are erasable and non-volatile, referred to as flash modules (58).
このユニット（４６）は、ホスト（４４）から、書き込みコマンド及び読み取りコマンドを受けることが可能な、フラッシュモジュール（５８）と呼ばれる消去可能な不揮発性メモリモジュール（５８）を含む。 - 特許庁 - To increase the injection efficiency of a hot carrier to a gate insulation film, increase the information-writing speed of a non-volatile memory, and at the same time improve the reliability of the gate insulation film.
ホットキャリアのゲート絶縁膜３への注入効率を高め、不揮発性メモリの情報書込み速度を高速化するとともに、ゲート絶縁膜の信頼性を高める。 - 特許庁 - The use condition information of the residual amount of toners, etc., and serial number of the cartridge (non-volatile) memory 20 are written into a RAM 16 of a main body in initialization processing in turning on the power source.
電源投入時の初期化処理でカートリッジ（不揮発）メモリ２０のトナー残量等の使用状況情報、製造番号を本体のＲＡＭ１６に書き込む。 - 特許庁 - To provide a storing method for enabling to increase storage capacitor of a non-volatile memory without pressing excessively requirement of read-out accuracy, complexness, and evaluation for danger.
読み出し精度、複雑性、及び危険度評価の必要条件を過度に圧迫することなく、不揮発性メモリの記憶容量の増大を可能とする記憶方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a control device for a variable valve train, capable of properly determining whether the displacement of the variable valve train stored in a volatile memory disappears or not.
揮発性メモリに記憶される可変動弁機構の変位量が消失したか否かを適切に判定することのできる可変動弁機構の制御装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which malfunction at the time of rise of power source voltage can be prevented and which has a redundant function being operable in a low voltage state.
電源電圧立ち上がり時の誤動作の問題を回避でき、低電圧での動作が可能な冗長機能を有する不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - The inclination and intercept of a linear equation showing power detection level characteristics are calculated, and the calculated inclination and intercept are separately stored in memories (a) and (b) of a non-volatile memory 10.
電力検知レベル特性を示す一次方程式の傾きと切片を演算し、演算した傾きと切片を不揮発メモリ10のメモリａ，ｂにそれぞれ記憶させる。 - 特許庁 - A plurality of illumination patterns are stored in a non-volatile memory 104 in advance, and cyclically selected by repeatedly operating a pattern setting switch (105).
あらかじめ複数の照明パターンを不揮発性メモリ１０４に格納しておき、パターン設定スイッチ（１０５）を繰り返し操作することによってサイクリックに選択可能に構成する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory element with improved integration and improved performance, capable of controlling body bias and reducing the area per bit, and to provide a method of fabricating the same.
本体バイアス制御が可能であり、ビット当たりの面積を縮小させて高集積の可能な高性能不揮発性メモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - However, the non-volatile memory hardware may communicate with an external device without breaking the seal on the enclosure, such as through a communication port or via wireless transmission.
しかしながら、不揮発性メモリ・ハードウェアは、通信ポートを通じてまたは無線送信を介してといったように、筺体の密閉を破ることなく、外部装置と通信してもよい。 - 特許庁 - Angle data Jh(1)-Jh(6) for correction of the respective shafts J1-J6 are acquired at first in a reference posture condition (step S1), and the angle data are stored in a non-volatile memory 6.
まず、基準姿勢状態で各軸Ｊ１〜Ｊ６の補正用角度データＪｈ（１）〜Ｊｈ（６）を得（ステップＳ１）、この角度データを不揮発性メモリ６に記憶させる。 - 特許庁 - To achieve suitable data reading without reducing application efficiency in using a non-volatile storage medium such as a NAND type flash memory which is managed by the block.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどのブロック単位で管理される不揮発性記憶媒体を用いるときに、利用効率を低下させることなく、適正なデータ読み出しを可能とする。 - 特許庁 - The non-volatile memory 1 is formed by applying a magnetic field of 10 kOe in a direction vertical to the surface of the ferroelectric film 17 and heating to 400°C.
不揮発性メモリ１は、強誘電体膜１７の面垂直方向（膜厚方向）に１０ｋＯｅの磁場を印加すると共に４００℃に加熱して形成されている。 - 特許庁 - Moreover, since the digital video signals stored in the non-volatile memory circuits are stored even after the power is switched off, they can be displayed immediately after the power is switched on again.
また、不揮発性の記憶回路に記憶されたデジタル映像信号は、電源遮断後も記憶されるため、次の電源投入時に直ちに表示が可能である。 - 特許庁 - A memory system according to an embodiment includes a controller which performs data transfer between a host device and a nonvolatile second storage section via a volatile first storage section.
実施形態のメモリシステムは、揮発性の第１の記憶部を介してホスト装置と不揮発性の第２の記憶部との間のデータ転送を行うコントローラを備えている。 - 特許庁 - A controlling means capable of detecting and notifying unused hours is structured by using a timer means 1 capable of revising date/hour data over a long period of time regardless of the presence of current supply to a controlling device and a non-volatile memory means 2 capable of storing the control data in a non-volatile manner.
制御装置への電流供給の有無に関わらず、長期に渡り日時データを更新可能な計時手段１と、制御データを不揮発記憶可能な不揮発記憶手段２を使用して放置時間を検出，報知可能な制御手段を構成する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor storage device capable of integrating a plurality of processes to one process while forming a plurality of fine memory cells more accurately and a plurality of transistors having a high performance and a method for manufacturing the non-volatile semiconductor storage device.
本発明の目的は、さらに精度良く微細な複数のメモリセルと、高性能な複数のトランジスタと、を形成しつつ、複数の工程を１つの工程に集約させることを可能にする、不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - This memory card 1 has: an external interface terminal 3; an interface controller 4 connected to the external interface terminal; a rewritable non-volatile memory 5 connected to the interface controller; and a data processor 6 connected to the interface controller.
メモリカード（１）は、外部インタフェース端子（３）と、外部インタフェース端子に接続されたインタフェースコントローラ（４）と、インタフェースコントローラに接続された書換え可能な不揮発性メモリ（５）と、インタフェースコントローラに接続されたデータ処理装置（６）と、を有する。 - 特許庁 - When a device power source is turned off, arithmetic data stored in a memory are transferred to a non-volatile memory by using the battery as a power source, and power supply from the battery is disconnected when the transfer operation is completed.
装置電源がＯＦＦ状態になったとき、メモリに記憶された演算用データを、バッテリーを電源として不揮発性メモリに転送するとともに、該転送動作が完了したときに該バッテリーからの電力供給を断つ構成とする。 - 特許庁 - The present position of the vehicle is detected, and when detecting that the vehicle travels in the vicinity of a preset place where battery replacement of the vehicle can be performed, the data of the volatile memory which stores data of the onboard apparatus are rewritten to the nonvolatile memory.
車両の現在位置を検出し、予め設定した車両のバッテリ交換場所近傍を走行していることを検出したとき、車載機器のデータを記憶している揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに書き換える。 - 特許庁 - The non-volatile memory device integrates a memory cell array 2, a voltage generating circuit REG supplying operation voltage Vr to be adjusted to a ward line LWL1, and short circuit detecting circuit 10 in the same chip 100.
不揮発性メモリ装置は同一チップ（１００）に、メモリセルのアレイ（２）と、選択したワード線（ＬＷＬ１）に被調整動作電圧（Ｖｒ）を供給する電圧発生回路（ＲＥＧ）と、短絡検出回路（１０）とを集積している。 - 特許庁 - To provide the non-volatile semiconductor memory device of low cost and high density reduced in the element separate width of a memory cell and improved in work controllability by reducing the embedding aspect of an element separate insulating film and a producing method therefor.
素子分離絶縁膜の埋め込みアスペクトを小さくしてメモリセルの素子分離幅を小さくするとともに加工制御性に優れた、低コスト高密度の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, an interrupt processing request at a level higher than a predetermined interrupt level is received in process of the erasing process or the writing process of the nonvolatile memory, the central processor accesses the vector address stored in the volatile memory.
この後、前記不揮発性メモリの消去処理又は書き込み処理の途中に所定の割り込みレベルより高い割り込み処理要求があったとき、中央処理装置は前記揮発性メモリに格納されたベクタアドレスへアクセスする。 - 特許庁 - This memory management device 1 can collective electric writing/erasure in a predetermined storage area unit and manages a non-volatile memory divided into a plurality of partitions having one or more storage area units.
メモリ管理装置１は、書込み及び所定の記憶領域単位での一括電気的消去が可能であり、１つ以上の記憶領域単位を有する複数のパーティションに分割される不揮発性メモリを管理するものである。 - 特許庁 - A memory cell array 1 has a memory cell MC, having a ferroelectric capacitor CM storing binary data in a non-volatile state according to positive or negative residual polarization, and a dummy cell DC having a capacitor CD for reference generating reference voltage.
メモリセルアレイ１は、残留分極の正負に応じて二値データを不揮発に記憶する強誘電体キャパシタＣＭを持つメモリセルＭＣと、参照電圧を発生する参照用キャパシタＣＤを持つダミーセルＤＣとを有する。 - 特許庁 - When the keyboard lid is opened to turn on the power switch (step 21), the sub-switching circuit or main switching circuit is opened when a saving flag is set, and the storage contents of the nonvolatile memory are reloaded to the volatile memory (register group) (steps 24 to 27).
鍵盤蓋が開かれて電源スイッチがオンされると（ステップ２１）、退避フラグがあれば、サブ開閉回路またはメイン開閉回路が開成され、不揮発性メモリの記憶内容が揮発性メモリ（レジスタ群）に復元される（ステップ２４〜２７）。 - 特許庁 - To shorten a reset time when an imaging apparatus in a waiting state under an energy saving mode is reset to an imageable state by reducing the time for transferring control data between a volatile memory and a nonvolatile memory in the control section.
省エネルギーモードによって待機状態の画像形成装置が画像形成可能な状態へ復帰する際に、制御部内の揮発メモリと不揮発メモリ間の制御データの転送時間を減らして、復帰時間を短縮する。 - 特許庁 - After a user code deciding operation is performed (step S103), whether a job interrupted by a one touch job memory is stored in a non-volatile memory is judged (step S105) when registered codes coincide (step S104/YES).
ユーザコードの確定操作が行われたら（ステップＳ１０３）、登録されているコードが一致すれば（ステップＳ１０４／ＹＥＳ）、ワンタッチジョブメモリにより中断されたジョブが不揮発メモリに格納されているかの判断を行う（ステップＳ１０５）。 - 特許庁 - The non-volatile memory 11 is a memory element capable of holding data even when a power is turned off, uses time data f output by the real time 13 as written data, and reads the data as read data g from a microcomputer 3.
不揮発性メモリ１１は、電源を切ってもデータ保持ができるメモリ素子であり、リアルタイムクロック１３が出力する時間データｆを書き込みデータとして使用し、マイコン３からは、読み出しデータｇとしてデータを読み出すことができる。 - 特許庁 - This configuration can provide a non-volatile memory with a simple structure and a high-performance electromechanical memory of low power consumption and a low cost and electric equipment employing the same which are conventionally difficult to be obtained.
この構成により、簡易な構造で不揮発性メモリを実現することが可能となり、従来実現困難であった低消費電力、低コストの高性能電気機械メモリおよびそれを用いた電気機器が実現可能となる。 - 特許庁 - Then, whether or not data stored in a cache memory 80 should be stored in a corresponding area in a non-volatile memory 70 is decided based on the obtained block number and a block number stored in a block number storing part 90.
そして、この求めたブロック番号とブロック番号記憶部９０が記憶するブロック番号とに基づいて、キャッシュメモリ８０に記憶されているデータを不揮発性メモリ７０内の対応するエリアに記憶させるか否かを決定する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a non-volatile memory element for preventing the degree of etching in a conductive layer at a lower portion of a gate electrode layer from causing a difference, when etching the gate electrode layer at a memory cell region and a peripheral circuit region.
メモリセル領域と周辺回路領域のゲート電極層をエッチングする時にゲート電極層の下部の導電層がエッチングされる程度の差を発生させないようにする非揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor device which has trench isolation, has a structure accumulating a charge in a part, suppresses fluctuation of a memory characteristic near an end of trench isolation and has a stable memory characteristic.
トレンチ分離を有し、局所に電荷を蓄積する構造の不揮発性半導体装置において、レンチ分離の端部近傍におけるメモリ特性の変動を抑制して、安定したメモリ特性を有する不揮発性半導体装置を実現する。 - 特許庁 - At starting the information terminal device 10, the MID register program is downloaded from the mounted memory card 14 and the serial number MID stored in the memory card 14 is stored in a non-volatile flash ROM 30 in accordance with the program.
情報端末装置１０の起動時、装着されたメモリカード１４からＭＩＤ登録プログラムをダウンロードし、そのプログラムに従ってメモリカード１４に格納されたシリアル番号ＭＩＤを不揮発性のフラッシュＲＯＭ３０に記憶する。 - 特許庁 - To improve writing, erasure and read characteristics in a non-volatile semiconductor memory device, employing an MOSFET in which floating gate electrodes are formed on the both sidewalls of the control gate electrode as a memory element.
コントロールゲート電極の両側壁にフローティングゲート電極を形成したＭＯＳＦＥＴを記憶素子とする不揮発性半導体記憶装置において、書込み、消去特性を向上させるとともに、読出し特性を向上させる。 - 特許庁 - The video recording device is provided with: a digital tuner which receives a TV program; a nonvolatile memory, a volatile temporary storage memory; an HDD where video/audio data etc., of a TV program are recorded; and a controller microcomputer controlling respective parts of the device.
録画装置は、ＴＶ番組を受信するデジタルチューナと、不揮発性のメモリと、揮発性の一時記憶メモリと、ＴＶ番組の映像音声データ等を記録するＨＤＤと、装置各部の制御を行う制御用マイコンとを備える。 - 特許庁 - The RFID tag includes: a reed switch 13 cutting when a magnet approaches and carrying electricity when the magnet goes away; a volatile memory wherein stored data are erased when the reed switch 13 is cut; an antenna 11 transmitting the data to a reader/writer by wireless communication; and a battery 14 supplying current to the volatile memory through the reed switch.
磁石が近づくと切断し磁石が離れると通電するリードスイッチ１３と、前記リードスイッチ１３が切断されると保存されているデータが消去される揮発性メモリと、無線通信により前記データをリーダライタへ送信するアンテナ１１と、前記揮発性メモリへ前記リードスイッチを介して電流を供給する電池１４と、を備える。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
