「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 35 36 37 38 39 40 41 42 43 .... 56 57 次へ＞- This control program protecting device for protecting the contents of a control program stored in a non-volatile memory 104 at the time of rewriting the control program is provided with an external memory 106 for storing the control program and an external memory I/F 105 for allowing a CPU 102 for executing the control program to obtain the control program of the external memory 106.
不揮発性メモリ１０４に格納された制御プログラムの書き替え時にその内容を保護する制御プログラム保護装置において、制御プログラムを格納する外部メモリ１０６と、制御プログラムを実行するＣＰＵ１０２が外部メモリ１０６の制御プログラムを取得するための外部メモリＩ／Ｆ１０５とを備えた。 - 特許庁 - In a non-volatile semiconductor memory provided with a plurality of memory cells having a floating gate, this device monitors a leak current of a memory cell being in erasure, by monitoring a state of a memory cell being in erasure and controlling erasure voltage applied to a control gate in accordance with a progress state of erasure.
本発明は、フローティングゲートを有するメモリセルを複数設けた半導体不揮発性メモリにおいて，消去中のメモリセルの状態を監視し，消去の進捗状態に応じてコントロールゲートに印加する消去電圧を制御することで，具体例として，消去中のメモリセルのリーク電流を監視する。 - 特許庁 - While a conductive film 15 in a logic region Rlogc remains, a control gate electrode 17 of a non-volatile memory element, an interelectrode- insulating film 18, and a floating gate electrode 19 are formed in a memory region Rmemo, an insulating film 22 for injection protection is formed on a substrate, and ion implantation for forming the source and drain diffusion layer of the non-volatile memory element is made.
ロジック領域Ｒlogcにおける導体膜１５を残したままで、メモリ領域Ｒmemoにおいて不揮発性メモリ素子の制御ゲート電極１７，電極間絶縁膜１８及び浮遊ゲート電極１９を形成した後、基板上に注入保護用の絶縁膜２２を形成した後、不揮発性メモリ素子のソース・ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入を行なう。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which high speed and low power consumption data read can be performed, a high speed read region and a low power consumption read region can be set freely for a memory cell array.
高速・低消費電力読み出しを可能とし、且つメモリセルアレイに対して高速読み出し領域・低消費電力読み出し領域を自由に設定可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A control part 15 executes storage processing for reading out the vehicle information from the volatile memory 16 and storing it in the nonvolatile memory 17 based on the storage command information received by the trigger information receiving part 18.
制御部１５は、トリガ情報受信部１８が受信した記憶指令情報に基づいて、揮発性メモリ１６から車両情報を読み出して不揮発性メモリ１７に記憶する記憶処理を実行する。 - 特許庁 - A non-volatile memory in which defective read-out can be reduced is realized by preventing that read-out voltage is applied to a specific memory cell for a long time to suppress occurrence of read-disturb phenomenon.
リードディスターブ現象の発生を抑制するために、特定のメモリセルへ読出し電圧が長期間にわたって印加されることを防止することにより、読出し不良を低減できる不揮発性メモリ装置を実現する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile memory device which has a uniform bulk current eliminating effect by keeping a bulk voltage lower than a certain voltage, and to enable the memory devices to be highly integrated by minimizing a bulk bias contact structure in layout area.
バルク電圧を一定電圧以下に維持し、均一なバルク電流消去効果を有する不揮発性メモリ素子の提供とともに、バルクバイアスコンタクト構造のレイアウト面積を最小化し、素子の高集積化をはかる。 - 特許庁 - A counter 102 counts the cumulative light emission time or the cumulative light emission time and light emission intensity of each pixel from a 1st video signal 101A and stores them in a volatile memory 103 or nonvolatile memory 104.
カウンタ１０２は、第１の映像信号１０１Ａより、各画素の累積点灯時間または累積点灯時間と点灯強度とをカウントし、揮発性メモリ１０３あるいは不揮発性メモリ１０４に格納する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile ferroelectric memory, in which a defective cell can be easily detected and removed even if a process condition is changed without requiring another test mode, and a detecting method for a defective cell using the memory.
別のテストモードが必要なく、工程条件が変わっても容易に不良セルを検知して除去することのできる不揮発性強誘電体メモリ装置並びにそれを用いた不良セル検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a portable terminal apparatus that can erase data in a volatile memory and a nonvolatile memory when a case is opened unauthorizedly and can minimize power required to monitor an auxiliary battery.
ケースが不正に開封される場合に、揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータを消去することができ、更に、補助電池の監視に必要な電力を極めて低く抑えることができる携帯端末装置を提供する。 - 特許庁 - To allow high-speed fault handling when a signal processor having a processor, a volatile memory, and a nonvolatile memory fails, in an abnormal state handling system in the signal processor.
本発明は信号処理装置における異常状態処理方式に関し，プロセッサと揮発性メモリ及び不揮発性メモリを備えた信号処理装置の障害発生時に高速な障害処理を可能とすることを目的とする。 - 特許庁 - A toner cartridge 301 attachable to the recorder is equipped with a non-volatile memory 304, and the control part 201 of the storage device reads out the information stored in the memory 304 and makes a display part 142 display it.
記録装置に装着可能なトナーカートリッジ３０１に不揮発性メモリ３０４を備え、保管装置の制御部２０１は、不揮発性メモリ３０４に記憶されている情報を読み出して表示部１４２に表示させる。 - 特許庁 - To provide a means to jumpingly improve the performance of a semiconductor memory device important in industry, in reference to the constitution of a non-volatile type semiconductor memory device driven at a low voltage by a low power consumption.
低電圧および低消費電力で駆動する不揮発型半導体記憶装置の構成に関わるものであり、産業上重要な半導体記憶装置の性能を飛躍的に向上させる手段を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory such as a ferroelectric RAM or the like in which a potential of a floating line connected to a memory cell can be prevented from varying by an adjacent signal line during read/write operation.
メモリセルに連結されたフローティングラインの電位がリード／ライト動作の間に隣接した信号ラインによって変化されることを防止できる強誘電体ＲＡＭなどの不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁 - Especially, when the obtained block number is different from the block number stored in the block number storing part 90, the data stored in the cache memory 80 are stored in a corresponding area in a non-volatile memory 70.
特に、求めたブロック番号と、ブロック番号記憶部９０に記憶しておいたブロック番号とが異なる場合には、キャッシュメモリ８０に記憶されているデータを不揮発性メモリ７０内の対応するエリアに記憶させる。 - 特許庁 - When an abort sector is detected in a system region of an HDD 307 used at the time of booting, the image forming apparatus is switched to use a program with functional limitation stored in a nonvolatile memory different from a volatile memory.
ブート時に使用されるＨＤＤ３０７のシステム領域にアボートセクタが検出された場合に、揮発性メモリとは異なる不揮発性メモリに格納された機能制限付きプログラムを使用するよう切り替える。 - 特許庁 - An individual data restoration means 10c selects the data stored in the nonvolatile memory 16 needing no battery on the basis of the data name and the time information, and restores them to the volatile memory 14 backupped by the battery 15.
個別データ復元手段１０ｃは、バッテリ不要の不揮発性メモリ１６に記憶するデータを、データ名と時刻情報に基づいて選択してバッテリ１５でバックアップされた揮発性メモリ１４に復元させる。 - 特許庁 - If the power source is being charged, the restored information is stored in a volatile memory 1109a and in a nonvolatile memory 1110a which does not lose the restored information even if a battery is exhausted.
電源が充電中であれば復帰情報を揮発性メモリ１１０９ａと、待機状態中にバッテリ切れが生じた場合でも復帰情報が失われることがない不揮発性メモリ１１１０ａに記憶させる。 - 特許庁 - A counter 102 counts cumulative lighting time or the cumulative lighting time and lighting intensity of respective pixels from a first video signal 101A and stores them in a volatile memory 103 or in a nonvolatile memory 104.
カウンタ１０２は、第１の映像信号１０１Ａより、各画素の累積点灯時間または累積点灯時間と点灯強度とをカウントし、揮発性メモリ１０３あるいは不揮発性メモリ１０４に格納する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device which does not have overlap regions between an impurity diffusion layer and a floating gate of a memory cell, properly improves the scalability of the gate length and has a large capacity and low bit cost.
不純物拡散層とメモリセルの浮遊ゲートとの間のオーバーラップ領域がなく、ゲート長のスケーラビリティを大幅に改善し、大容量・低ビットコストの不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor non-volatile memory device which suppresses deterioration of resistance to leakage associated with the microfabrication of memory cells by reducing a leakage current occurring in an inter-electrode insulating film between the control gate and the floating gate.
コントロールゲートとフローティングゲートとの間の電極間絶縁膜に発生するリーク電流を低減させ、メモリセルの微細化に伴うリーク耐性の劣化を抑制する半導体不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁 - At the power application to the numerical control device, the transfer of only system programs of additional functionality to be used reduces data transferred from the nonvolatile memory to the volatile memory to shorten the transfer time.
数値制御装置に電源投入時に、そのとき使用する付加的機能のシステムプログラムのみが転送されるので、不揮発性メモリから揮発性メモリに転送するデータが少なくなり、転送時間が短くなる。 - 特許庁 - To provide an efficient semiconductor memory and its test method which can improve test accuracy for products under-estimated in non-volatile memories such as a flash memory and the like and can cope with more various kinds.
フラッシュメモリなどの不揮発性メモリにおける過小評価された製品の検査精度を上げることができ、より多品種に対応できる効率的な半導体記憶装置およびその検査方法を提供する。 - 特許庁 - To increase the capacitance of a capacitor per unit area of a capacitor element and reduce the area of the capacitor element in a non-volatile semiconductor memory device including an MONOS type memory cell.
本発明は、ＭＯＮＯＳ型のメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、キャパシタ素子の単位面積当たりのキャパシタ容量を増加させ、キャパシタ素子の面積を低減することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a threshold voltage control device of a non-volatile memory cell that can accurately control the threshold voltage of a memory cell being controlled by a word line voltage, reduces control time, and can be operated with a low power, and its method.
ワードライン電圧により制御されるメモリセルのしきい電圧を正確に制御し、制御時間を短縮させ、低電力で動作し得る非揮発性メモリセルのしきい電圧制御装置及びその方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit device including a non-volatile memory with a well structure in consideration of the element alignment of memory cell array blocks and a driving voltage supply block, and to provide an electronic apparatus including the device.
メモリセルアレイブロックと駆動電圧供給ブロックとでの素子配列を考慮したウェル構造を有する不揮発性メモリを有する半導体集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供すること。 - 特許庁 - With this configuration, the necessity of mounting a large-capacity and expensive non-volatile memory in the image processor ECU 31 is eliminated, and the storage region of the nonvolatile memory for storing all the conversion tables is not needed.
画像処理ＥＣＵ３１内で大容量で高価な揮発性メモリを搭載する必要が無くなるとともに、予め全ての変換テーブルを記憶させておくための不揮発性メモリの記憶領域も必要なくなる。 - 特許庁 - A process cartridge 10 in a printer 1 is provided with a non- volatile memory 11 and the manufacturing lot information of an electrophotographic material such as a photoreceptor and toner in the cartridge 10 and information concerned with the use state of the material are stored in the memory 11.
プリンタ１のプロセスカートリッジ１０には不揮発性メモリ１１が設けられ、カートリッジ内の感光体やトナー等の電子写真材料の製造ロット情報や、使用状況に関する情報が記憶される。 - 特許庁 - The setter discrimination elements inherent to the shipped discrimination element setters respectively are written in a non-rewritable memory and a predetermined initial value relative to a variable code of the predetermined number of digits is written in a non-volatile rewritable memory.
出荷する識別子設定器にそれぞれ固有の設定器識別子を書き換え不能なメモリに書き込み、所定の桁数の可変符号に対する所定の初期値を不揮発性の書き換え可能なメモリに書き込む。 - 特許庁 - The method also includes issuing commands to the selected one of the nonvolatile memory controller and the volatile memory via the shared interrace via the shared control signals.
本発明の方法は、さらに、上記共通化された各制御信号を介して、選択された非揮発性メモリコントローラ、および揮発性メモリの一方に対して、各コマンドを共通化インターフェースを介して出力することを含む。 - 特許庁 - To provide an accessing device for reducing a processing time for erasable block rewriting, and for forming a data storage format for realizing the life lengthening of a non-volatile memory on a semiconductor memory card.
消去可能ブロック書換のための処理時間の低減化を図り、また不揮発メモリについての高寿命化を実現するようなデータ格納フォーマットを半導体メモリカード上に形成するアクセス装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a data writing method that enables the write of the data pattern for function evaluation at high speed and shorten the evaluation time in a non-volatile semiconductor memory device having a cross point memory cell array.
クロスポイント型のメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、機能評価用のデータパターンの書き込みを高速化して評価時間の短縮化を可能とするデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁 - A non-volatile semiconductor storage device according to an embodiment comprises: a substrate containing silicon; a plurality of memory cells provided on the substrate with intervals; and an insulating film formed on a sidewall of the memory cell.
実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、シリコンを含む基板と、前記基板上に間隔をあけて設けられた複数のメモリセルと、前記メモリセルの側壁に形成された絶縁膜と、を備えている。 - 特許庁 - The first area of the nonvolatile memory stores a hardware initialization program for initializing hardware, and a loader program for writing the information processor control program in the second area into the volatile memory.
不揮発性メモリの第１の領域に、ハードウェアを初期化するためのハードウェア初期化プログラムと、第２の領域の情報処理装置制御プログラムを揮発性メモリに書き込むためのローダープログラムとを格納している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device installed with a self test function accessible to all memory regions of non-volatile memory during burn-in by providing freedom in combination of semiconductor integrated circuit loaded on the semiconductor device.
半導体装置に搭載される半導体集積回路の組み合わせに自由度をもたせ、且つ、バーンイン時に不揮発性メモリの全メモリ領域にアクセス可能な自己テスト機能内蔵の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - One example of such an integrated circuit package is a non-volatile memory integrated circuit package that contains multiple, like-sized memory storage integrated circuit chips stacked on one or both sides of a leadframe.
そのような集積回路パッケージの一例は、リードフレームの片側面または両側面上に積層された複数の類似のサイズのメモリ記憶集積回路チップを備える不揮発性メモリ集積回路パッケージである。 - 特許庁 - A tag control part 20 in each tag device, is incorporated therein with an non-volatile read-only memory part 42 composed of a mask ROM, EPROM and the like, and inherent identification codes are stored in the memory part 42a.
タグ装置のタグ制御部２０は、マスクＲＯＭやヒューズＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ等により構成された不揮発性読出専用の記憶部４２ａが備えられ、その記憶部４２ａに固有の識別符号が記憶されている。 - 特許庁 - When the engine part 200 is shifted to the power-saving mode, table data 2201 related to the engine part stored in a nonvolatile memory 200 of the engine part are transferred to a volatile memory 160 provided in the controller part 100.
エンジン部２００が省電力モードに移行するに際し、エンジン部の不揮発性メモリ２００に記憶されたエンジン部に関するテーブルデータ２２０１をコントローラ部１００に設けられた揮発性メモリ１６０に転送する。 - 特許庁 - If an encrypted substitution program (SMDLk) is present in power-on reset, it is transferred from the nonvolatile memory 4 to a volatile memory 12, and when the substitution program is actually executed, the substitution program is decoded.
パワーオンリセットに際して暗号化された代替プログラム（ＳＭＤＬｋ）があればこれを不揮発性メモリ（４）から揮発性メモリ（１２）に転送し、その代替プログラムを復号するのは実際に代替プログラムを実行するときとする。 - 特許庁 - An electrically conducting interconnect element is deposited onto at least selected vertical pillar transistors and a non-volatile variable resistive memory cell is deposited onto the electrically conducting interconnect element to form a vertical transistor memory array.
導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 - 特許庁 - Data can be read out surely even if difference of threshold voltage of two non-volatile memories is small by holding data of one bit using two elements of non-volatile memory elements 106 and 112 storing complementary data.
１ビットのデータを互いに相補なデータを記憶する不揮発性メモリ素子１０６と１１２の二つの素子を使って保持することで、二つの不揮発性メモリ素子のしきい値電圧の差が小さくても確実にデータを読み出しことが可能になる。 - 特許庁 - a virtual-physical conversion table for converting a virtual address in one volatile cache memory among the volatile cache memories into a physical disk address pointing a storage location in the hard disk without interposing the actual address is stored in the hard disk 102.
ハード・ディスクには、揮発性キャッシュ・メモリのうちの１つの揮発性キャッシュ・メモリ内の仮想アドレスを実アドレスを介さずにハード・ディスク内の記憶場所を指す物理ディスク・アドレスに変換するための仮想−物理変換テーブルが格納されている。 - 特許庁 - When closing the file, the non-volatile writing means 104 writes back the contents of the FAT and the node information table copied on the main storage device 120 in an FAT area 111 and an RDE(route directory entry) on the non-volatile memory 110.
不揮発書き込み手段１０４は、ファイルクローズ時、主記憶装置１２０上にコピーしたＦＡＴ及びノード情報テーブルの内容を、それぞれ不揮発メモリ１１０上のＦＡＴエリア１１１及びＲＤＥ（ルートディレクトリエントリ）に書き戻す。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which the memory cell of a hidden block can be accessed without inputting an address at the time of a hidden mode when a hidden block is accessed by protecting every small block without increasing the memory chip area.
本発明の目的は、メモリチップ面積を増大させることなく、小さなブロック毎に保護をかけ、且つ、ヒドンブロックをアクセスするヒドンモードの時にはアドレスを入力せずにヒドンブロックのメモリセルのアクセスを行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a data recording system for an onboard apparatus, wherein when the power supply system of an onboard system is interrupted during battery replacement of a vehicle and when data of the onboard apparatus recorded in a volatile memory are rewritten to a nonvolatile memory, the number of times of rewriting data to the nonvolatile memory is reduced.
車両のバッテリ交換時に車載システムの電源系統が遮断される場合に、揮発性メモリに記録していた車載機器のデータを不揮発性メモリに書き換えるとき、不揮発性メモリへの書き換え回数を減少する「車載機器用データ記録システム」とする。 - 特許庁 - The non-volatile semiconductor memory device 100 is equipped with: bit lines BL; source lines SL; memory strings MS including a plurality of memory transistors MTr connected in series; drain selection transistors SDTr; source selection transistors SSTr; and a control circuit 15 which controls a read operation.
不揮発性半導体記憶装置１００は、ビット線ＢＬと、ソース線ＳＬと、複数のメモリトランジスタＭＴｒを直列に接続されたメモリストリングＭＳと、ドレイン側選択トランジスタＳＤＴｒと、ソース選択トランジスタＳＳＴｒと、読出動作を制御する制御回路１５とを備える。 - 特許庁 - When encrypted data stored in the nonvolatile memory are decoded and transmitted to the outside through the communication unit, the control unit decodes the encrypted data stored in the nonvolatile memory by the use of a regular decoding key corresponding to a regular encryption key and stores the resulting data in the volatile memory.
制御部は、不揮発性メモリに記憶した暗号化されたデータを復号化し通信部を介して外部に送信する場合、不揮発性メモリに記憶した暗号化されたデータを正規の暗号化鍵に対応する正規の復号化鍵を使って復号化し揮発性メモリに格納する。 - 特許庁 - Also, at the reproducing operation, information is read from the detected signal detected from the magneto-optical disk 1, a reproduced RF signal out of this is decode-processed by a decoder 6, and written in a buffer memory region of a non-volatile memory 8 such as MRAM or the like by a memory controller 9.
さらに再生動作時には、光磁気ディスク１から検出された検出信号から情報が読み出され、この内の再生ＲＦ信号はデコーダ６で変調等のデコード処理が行われ、メモリコントローラ９によって、ＭＲＡＭ等の不揮発性メモリ８のバッファメモリ領域に書き込まれる。 - 特許庁 - A data storage device (for example, a memory disk 10) has a plurality of modules each having a volatile memory and a memory controller for controlling data writing and reading thereof, and includes a control unit for controlling data reading and writing of all the plurality of modules and a power supply unit for supplying external electric power to them.
データ保存装置（メモリディスク１０で例示）は、揮発性メモリとそのデータ読み書きを制御するメモリコントローラとを有するモジュールを複数有し、複数のモジュール全てのデータ読み書きを制御する制御部と、外部供給電力をそれらに供給する電力供給部とを有する。 - 特許庁 - An overwriting processing part 38 stores an overwriting processing division number X-1 indicating the processing division located just before into the nonvolatile memory 34, thereafter reads the restoration data restored in the block located just before from the nonvolatile memory 34, and overwrites the restoration data on the data to be rewritten of a volatile memory 40.
上書き処理部３８は１つ前の処理区画を示す上書き処理区画番号Ｘ−１を不揮発メモリ３４に保存した後に、１つ前の区画で復元されている復元データを不揮発メモリ３４から読み出して揮発メモリ４０の書替え対象データに上書きする。 - 特許庁
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