「Volatile memory」を含む例文一覧(2819)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 56 57 次へ＞- The prohibition means prohibits retrieval of user data shown by the writing non-completion information from the nonvolatile memory if the power cutoff information is not written into the nonvolatile memory when the power is applied to the volatile memory from the main power supply.
禁止手段は、主電源から揮発性メモリに電源が投入された際に不揮発性メモリに電源遮断情報が書き込まれていなかった場合、書込未完了情報が表すユーザデータの不揮発性メモリからの読み出しを禁止する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a ferroelectric non-volatile semiconductor memory capable of effectively preventing the characteristic deterioration of a memory cell and peeling from an electrode of a ferroelectric layer even when heat is applied to the memory cell in a manufacturing process.
製造プロセスにおいてメモリセルに熱が加えられた場合にあっても、メモリセルの特性劣化や強誘電体層の電極からの剥離を効果的に防止し得る強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which deteriora tion of a memory cell can be detected accurately and appropriate care for suppressing progress of deterioration can be performed for the deteriorated memory cell.
情報消去回数からメモリセルの劣化検出を行う従来の不揮発性半導体記憶装置では、前記メモリセルの実際の劣化状況を知ることができないため、該劣化を高精度に検出して、その進行を適切に抑制することが難しい。 - 特許庁 - The volatile memory 2 internally secures a first storage region 5 for temporary storage for temporarily storing data to be updated to the nonvolatile memory 1 and a second storage region 6 for temporary storage to be used when updating data on the nonvolatile memory 1.
揮発性メモリ２は、その内部に不揮発性メモリ１に対する更新データを一時的に記憶する第１の一時格納用記憶領域５、不揮発性メモリ１のデータ更新時に用いられる第２の一時格納用記憶領域６が確保されている。 - 特許庁 - This evaluation device of a non-volatile semiconductor memory provided with a group of flash memory cells in series connection, comprises plural flash memory cells (101-104), and the gate (100C) of each flash memory cell is commonly connected respectively, and the source or drain of the flash memory cell is connected to the source or drain of an adjacent flash memory cell.
複数のフラッシュメモリセル（１０１〜１０４）からなり、各フラッシュメモリセルのゲート（１００Ｃ）がそれぞれ共通に接続され、且つ、或るフラッシュメモリセルが有するソースまたはドレインと、当該或るフラッシュメモリセルと隣接するフラッシュメモリセルが有するソースまたはドレインとが互いに接続された直列接続のフラッシュメモリセル群を備えた、不揮発性半導体記憶装置の評価装置である。 - 特許庁 - The semiconductor IC device comprises a micon chip 201 with embedded nonvolatile memory, a nonvolatile memory chip 202 and a volatile RAM chip 203 wherein the 3 chips are stacked on each other and electrodes of at least one of the nonvolatile memory chip 202 and the volatile RAM chip 203 are electrically connected to electrodes of the micon chip 201 with embedded nonvolatile memory and sealed into one packaged 214.
不揮発性メモリ内蔵マイコンチップ２０１と不揮発性メモリチップ２０２と揮発性のＲＡＭチップ２０３とを備え、前記３つのチップが互いに積層され、かつ、前記不揮発性メモリチップ２０２と前記ＲＡＭチップ２０３の少なくともいずれか一方と前記不揮発性メモリ内蔵マイコンチップ２０１の接続用電極どうしが電気的に接続されており、１つのパッケージ２１４に封止している。 - 特許庁 - The real time clock device 10 comprises an oscillating circuit 14 for outputting source oscillation, a nonvolatile memory 18 that stores real time data and selectively receives current, a volatile memory 20 for receiving the real time data from the nonvolatile memory 18 and holding it, and a real time clock circuit 16 for performing clocking using the source oscillation input from the oscillating circuit 14 and the real time data stored in the volatile memory 20.
リアルタイムクロック装置１０は、源振を出力する発振回路１４と、リアルタイムデータを記憶した、電流が選択的に供給される不揮発性メモリ１８と、不揮発性メモリ１８からリアルタイムデータを入力して保持する揮発性メモリ２０と、発振回路１４から入力した源振と揮発性メモリ２０に記憶したリアルタイムデータとを利用して計時を行うリアルタイムクロック回路１６とを備えた構成である。 - 特許庁 - The non volatile memory such as flash EEPROM system is segmented into a plurality of blocks and each block is segmented into more than one pages and disclosed.
フラッシュＥＥＰＲＯＭシステムのような不揮発性メモリシステムが複数のブロックに分割され、さらに、ブロックの各々が２以上のページに分割されて開示される。 - 特許庁 - To extend a product life of a non-volatile memory by eliminating the necessity of deleting excessive data in a FCB area for preventing the FCB area from being damaged.
ＦＣＢ領域における過度のデータ消去を不要として当該ＦＣＢ領域の破壊を防止し、不揮発性メモリの製品寿命を延ばす。 - 特許庁 - The auxiliary storage part is composed of a non-volatile memory physically independent of the main storage part to store identification data for identifying the storage medium.
補助記憶部は、主記憶部とは物理的に独立した不揮発性メモリで構成されるとともに、記憶媒体を識別するための識別データを記憶する。 - 特許庁 - The data processing equipment provides a non-volatile memory part with a back-up area while storing a plurality of data files corresponding to each application respectively in a data file area.
各業務にそれぞれ対応した複数のデータファイルをデータファイル領域で記憶するとともにバックアップ領域を備えてなる不揮発性記憶部を設ける。 - 特許庁 - The second memory part 59 is, for example, non-volatile to memorize information concerning the bicycle such as a travelling distance, travelling speed, etc. at the time of resetting.
第２記憶部５９は、たとえば、リセット時の走行距離や走行速度などの自転車に関する情報を記憶する不揮発性のものである。 - 特許庁 - Further, the tobacco dispenser 10 is provided with an input device, such as a radio frequency identifier (RFID) reader, non-volatile memory, and control logic.
さらにこのタバコ販売機１０は、高周波識別子（ＲＦＩＤ）読み取り機などの入力装置、不揮発性メモリおよび制御ロジックが設けられている。 - 特許庁 - Before file data are written from an access device in a non-volatile memory device, write start position information is notified, and file system management information is written.
アクセス装置から不揮発性記憶装置に対してファイルデータを書き込む前に、書き込み開始位置情報を通知し、ファイルシステム管理情報を書き込む。 - 特許庁 - An indexer 10 and each of the processors 210-260 are provided with a memory 51 of non-volatile memories as control units and a CPU 52 is.
インデクサ部１０および各処理部２１０〜２６０は、それぞれ制御部としての不揮発性メモリによって構成されるメモリ５１とＣＰＵ５２とを備える。 - 特許庁 - In the method of performing an erase operation in a non-volatile memory device, voltages of different levels are applied to the source and drain regions in such manner that the voltages of different levels are switched with each other between the source and drain regions.
不揮発性メモリ装置の消去方法において、ソースおよびドレイン領域に、互いに異なるレベルの電圧を、スイッチングしながら、印加する。 - 特許庁 - As a result, data for rewriting a storage content in a non-volatile memory 14 can be transferred in a system which is suitable for boundary scanning.
これにより、バウンダリ・スキャンに適合した形式で、不揮発性メモリ１４における記憶内容を書き換えるためのデータを転送することができる。 - 特許庁 - When the HDD 48 is connected, and it is not set in the security mode, the image data are stored in the HDD 48, and the management information is stored in the non-volatile memory 43.
ＨＤＤ４８が接続されセキュリティモードでないときは、画像データをＨＤＤ４８に蓄積し、管理情報を不揮発性メモリ４３に保存する。 - 特許庁 - To provide a mode register and a non-volatile semiconductor memory which can set various default values in accordance with request of a user without burden of an additional process.
多様なデフォルト値が追加工程の負担なしでユーザの要求に応じて設定できるモードレジスタおよび不揮発性半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, even when the 1st storage means is a RAM which is a volatile temporary memory, data can be prevented from being lost even in case of power-off or overwriting.
よって、第１記憶手段が揮発的なテンポラリメモリであるＲＡＭなどであった場合にも、電源断や上書きによるデータの消失を防ぐことができる。 - 特許庁 - To provide a test method for a non-volatile semiconductor memory by which quantity of disturbance and margin of disturbance can be tested and evaluated surely and in a short time.
ディスターブ量及びディスターブマージンを正確に短時間で試験評価することができる半導体不揮発性メモリの試験方法を提供する。 - 特許庁 - A UIM card 200 is mounted on a telephone body 100, and an application program main part P2 is stored in a non-volatile type memory 221 on the side of UIM card 200.
電話機本体１００にＵＩＭカード２００を装着し、ＵＩＭカード２００側の不揮発性メモリ２２１に、アプリケーションプログラム本体Ｐ２を格納する。 - 特許庁 - The mail which is likely to be lost by a failure and the data which is important data, such as accounting information, are written to a non-volatile memory on the data storage server.
障害による紛失の可能性の高いメール、課金の情報など重要度の高いデータは、データストアサーバ上の不揮発性メモリへ書き込む。 - 特許庁 - A host device acquires the number of sectors that can be stored in an interface buffer of the non-volatile memory device, and determines the number of DATA packets NDB in the data burst.
ホスト装置は不揮発性記憶装置のインターフェースバッファに格納できるセクタ数を取得し、データバースト内のＤＡＴＡパケット数ＮＤＢを決定する。 - 特許庁 - To update data beyond a frequency in rewrite which is physically secured with respect to an IC module where the frequency in rewrite to a non- volatile memory is high.
不揮発性メモリへの書き換え頻度の高いＩＣモジュールにおいて、物理的に保証されている書き換え回数を超えたデータ更新を可能にする。 - 特許庁 - To inhibit operation to be executed by a command to be used only for an external writing mode when a microcomputer(MC) with a built-in non- volatile memory is in an MC mode.
不揮発性メモリを内蔵したマイクロコンピュータに於いて、外部書込モードのみに使用されるコマンドで実行される動作をマイコンモードでは禁止する。 - 特許庁 - To make it possible to increase the number of times of rewriting individual non-volatile memory cell without increasing extremely the time required or programming or erasing as well as chip area.
プログラム又はイレースのための時間やチップ面積を極端に増加させることなく、個々の不揮発性メモリセルの書換え回数を向上させる。 - 特許庁 - The wireless module 14 is provided with and composed of a bluetooth wireless communication circuit 14b, an antenna 14c, and a non-volatile memory 14d on a base plate 14a.
この無線モジュール１４は、基板１４ａ上にBluetooth無線通信回路１４ｂ、アンテナ１４ｃ、不揮発性メモリ１４ｄを搭載して構成されている。 - 特許庁 - To provide a transistor for non-volatile memory devices that has a vertical laminated structure and can achieve high integration effectively, and to provide a method for manufacturing the transistor.
垂直積層構造を有して高集積を効果的に達成しうる不揮発性メモリ装置用のトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - After user authentication, an encryption key writing module generates an encryption key by combining the third partial key and second user authentication information, and writes the generated encryption key in the volatile memory.
暗号鍵書込モジュールは、ユーザ認証の後、第３部分鍵と第２ユーザ認証情報とを複合し、生成した暗号鍵を揮発性メモリに書込む。 - 特許庁 - A plurality of information for the state record are arranged in the continuous volatile memory regions of the IC card icc_a for every information which is variable with once exchange.
ステートレコードの複数の情報は、一度の交換で変動し得る情報ごとに、ＩＣカードicc_aの連続した揮発性メモリ領域に配置される。 - 特許庁 - To obtain a non-volatile semiconductor memory on which the threshold voltage Vth of a cell can be controlled easily and a highly reliable flash cell is provided.
セルのしきい値電圧Ｖｔｈの制御を容易にし、高信頼性のフラッシュ・セルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory in which a command by which read-out, write-in, and erasure can be performed by only a specific user can be set.
特定のユーザーのみが読み出し、書き込みおよび消去が可能なコマンドを設定することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a vehicular electronic control device capable of easily writing software in an electrically re-writable non-volatile memory built in a microcomputer.
車両用電子制御装置において、マイコンが内蔵する電気的に書換可能な不揮発性メモリへのソフトウェア書込を簡単に行えるようにする。 - 特許庁 - To perform write and read at high speed when non-volatile memory cells are used and to increase sufficiently operation speed even when a card is large scale.
不揮発性メモリセルを用いた場合のデータ書込み及びデータ読出しを高速に行い、且つ大規模化した場合にも十分な高速化をはかる。 - 特許庁 - Then, the generated list print data are stored in the non-volatile memory 225, and the list print is outputted by a printing part 223 based on the stored list print data.
そして、この生成されたリストプリントデータを不揮発性メモリ２２５にストアし、ストアされたリストプリントデータに基づき印刷部２２３によりリストプリントを出力する。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory which can read out stably a ROM even when a power-on detecting level is set to a low level.
パワーオン検知レベルが低いレベルに設定された場合でも、安定したＲＯＭ読み出しを可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - Also, the non-volatile memory 43 is provided with a management table in which the management information is registered for each HDD 48, so that the exchange use of the HDD can be realized.
また、管理情報を登録する管理テーブルをＨＤＤ４８別に不揮発性メモリ４３に設けることで、ＨＤＤを交換利用可能にする。 - 特許庁 - Security data read by a boot block code stored in a BIOS storage device are written in a non-volatile random access memory(NVRAM).
ＢＩＯＳ記憶装置に記憶されたブート・ブロック・コードによって読み取られる機密保護データが不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）に書き込まれる。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory that a leak current is not made to flow in a boosting circuit even if a pad for test is separated after finish of the test.
テスト用のパッドをテスト終了後に切り離しても昇圧回路にリーク電流が流れないようにした不揮発性半導体メモリを提供する。 - 特許庁 - This fan is furnished with a data memory part, memorizes the data in a non-volatile state and outputs the data through the existing rotating state output signal conductor.
データ記憶部を備えてデータを不揮発的に記憶しておき、そのデータを、もともと存在する回転状態出力信号線を経由して出力する。 - 特許庁 - The word lines WS1 of the non-volatile memory cells M11, M12... and the gate electrodes GT of the transistors TN are formed by common conductive wiring PL.
不揮発性メモリーセルＭ１１、Ｍ１２・・・のワード線ＷＳ１とトランジスターＴＮのゲート電極ＧＴとは、共通の導電配線ＰＬにより形成される。 - 特許庁 - To provide a storage device, which allows data access to a backup block even when an address table is erased from a volatile memory.
揮発性メモリからアドレステーブルが消失された場合であっても、予備ブロックに対してデータのアクセスを行うことができる記憶装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a non-volatile semiconductor memory device that maintains periodicity of via contacts while suppressing an increase in chip area, and to provide a method of manufacturing the same.
チップ面積の増加を抑制しつつビアコンタクトの周期性を保つことができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を実現する。 - 特許庁 - The NVM device 110 includes a non-volatile memory cell array and a writing state machine 115 for monitoring a pass signal of the immediately preceding program operation in a standby state.
ＮＶＭデバイス１１０は、不揮発性メモリ・セルのアレイと直前の待ち状態のプログラム動作のパスをモニタするための書込み状態マシン１１５とを備える。 - 特許庁 - To provide a method of erasing for a non-volatile semiconductor memory device, capable of comparatively lowering the potential of a diffusion region at erasing.
消去時に拡散領域の電位を比較的低くすることが可能な不揮発性半導体記憶装置の消去方法を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device having non-volatile memory elements with which testing at a high temperature is possible and shortening of the manufacturing process is realized.
高温での試験が可能となり製造工程の短縮を実現する不揮発性記憶素子を有する半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a built-in non-volatile memory by which one mask process is omitted for solving various problems caused in a conventional technology.
従来の技術による諸問題を解決するため、１回のマスク工程を省略する埋め込み型不揮発性メモリーの製作方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an ordering system which assures correctness of order information even in occurrence of power interruption in the middle of writing to a volatile memory.
揮発性メモリへの書き込みの途中で電源断が発生しても、注文情報に誤りが無いことを保証することができるオーダリングシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a soft program method in a non-volatile memory device for performing a soft program step so as to improve threshold voltage distribution of an erased cell.
消去されたセルのしきい値電圧分布を改善させるためにソフトプログラム段階を行う不揮発性メモリ装置のソフトプログラム方法を提供する。 - 特許庁
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